JP5425421B2 - モールディングおよび方向性結晶化によって半導体物質のウェハを製造する方法 - Google Patents
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- るつぼ(2)と、お互いに離れて間隔をあけた複数の介在要素(6)によって形成されたモールド(5)と、を含む装置を用いて、モールディングおよび半導体物質の液体(9)の方向性結晶化によって半導体物質のウェハを製造する方法であって、前記るつぼ(2)の中への半導体物質の原料の挿入と、前記モールド(5)の中でのそれらの溶融および方向性結晶化と、シード(8)と凝固半導体物質との分離と、を含み、装填体(charge)が挿入される前にシード(8)が前記るつぼ(2)の底部に配置され、前記シード(8)が液体(9)と接触する表面に存在し、前記原料の溶融が行われた後に、前記シード(8)の表面は、密集していない結晶面に沿った配向性を有することを特徴とする方法。
- 前記モールド(5)は、可溶性のない非粘着性の堆積物で覆われていることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記モールド(5)は、前記介在要素(6)が固定され、溶融半導体物質(9)で前記モールド(5)を充填するためのピストンを構成する可動性の支持体を含む請求項1または2に記載の方法。
- 前記溶融半導体物質(9)は、前記モールド(5)の上方に最初に配置され、前記装置は、溶融半導体物質(9)で前記モールドを充填するために前記装置(1)内に圧力差を創出する手段を含む請求項1または2に記載の方法。
- 前記介在要素(6)は、前記半導体物質よりも高い熱伝導性を示すことを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の方法。
- 前記介在要素(6)は、黒鉛で作られることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の方法。
- 前記シード(8)は、単結晶型であることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の方法。
- 前記シード(8)は、多結晶型であることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の方法。
- 前記半導体物質は、シリコンおよび/またはゲルマニウムから作られることを特徴とする請求項1乃至8の何れか1項に記載の方法。
- 前記半導体物質は、光起電用シリコンから作られることを特徴とする請求項1乃至8の何れか1項に記載の方法。
- 凝固速度は、0.01乃至1cm/minの範囲内に含まれることを特徴とする請求項9または10に記載の方法。
- 前記半導体物質の原料は、前記シード(8)の上方に最初に配置され、前記モールド(5)は、前記モールドの降下によって前記溶融半導体物質で充填されることを特徴とする請求項9乃至11の何れか1項に記載の方法。
- 前記半導体物質の原料は、前記モールド(5)の前記介在要素(6)の上方に最初に配置され、前記モールド(5)は、圧力差の創出によって前記溶融半導体物質で充填されることを特徴とする請求項9乃至11の何れか1項に記載の方法。
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