JP2001163698A - 液相エピタキシャル成長方法 - Google Patents
液相エピタキシャル成長方法Info
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 エピタキシャル層の膜厚のばらつきを低下
し、面内均一性に優れたエピタキシャルウェハを製造す
ることでデバイスの歩留を向上できる液相エピタキシャ
ル成長方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板１４を縦置きにして成長溶液
１３と接触させてその半導体基板１４上にエピタキシャ
ル層を成長させる液相エピタキシャル成長方法におい
て、成長中に上記半導体基板１４を上下入れ替るように
回転させる。
し、面内均一性に優れたエピタキシャルウェハを製造す
ることでデバイスの歩留を向上できる液相エピタキシャ
ル成長方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板１４を縦置きにして成長溶液
１３と接触させてその半導体基板１４上にエピタキシャ
ル層を成長させる液相エピタキシャル成長方法におい
て、成長中に上記半導体基板１４を上下入れ替るように
回転させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液相エピタキシャ
ル成長方法に係り、特にエピタキシャル層の膜厚の面内
均一性に優れた液相エピタキシャル成長方法に関するも
のである。
ル成長方法に係り、特にエピタキシャル層の膜厚の面内
均一性に優れた液相エピタキシャル成長方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＡｌＧａＡｓを用いた赤色発光ダ
イオードの輝度が向上し、ディスプレイパネルや自動車
用ハイマウントストップランプとして用いられるように
なってきた。
イオードの輝度が向上し、ディスプレイパネルや自動車
用ハイマウントストップランプとして用いられるように
なってきた。
【０００３】これらの用途に用いるためには白昼でも認
識できる程度に輝度が高いことが要求される。この要求
に応えるために、構造面ではシングルヘテロ構造（ＳＨ
構造）、ダブルヘテロ構造（ＤＨ構造）、裏面反射型Ｄ
Ｈ構造などの発光ダイオード（ＬＥＤ）が開発されてき
た。
識できる程度に輝度が高いことが要求される。この要求
に応えるために、構造面ではシングルヘテロ構造（ＳＨ
構造）、ダブルヘテロ構造（ＤＨ構造）、裏面反射型Ｄ
Ｈ構造などの発光ダイオード（ＬＥＤ）が開発されてき
た。
【０００４】ＬＥＤは、ｐｎ界面近傍で発光し、上述し
たように高出力ＬＥＤのｐｎ界面はヘテロ接合で構成さ
れている。しかし、ＳＨ構造やＤＨ構造ではＧａＡｓ基
板側に発光した光の大部分はＧａＡｓ基板に吸収されて
しまう。一方、裏面反射型ＤＨ構造では、発光した光を
透過するように発光波長を十分透過、反射するようにし
て高出力化を実現している。
たように高出力ＬＥＤのｐｎ界面はヘテロ接合で構成さ
れている。しかし、ＳＨ構造やＤＨ構造ではＧａＡｓ基
板側に発光した光の大部分はＧａＡｓ基板に吸収されて
しまう。一方、裏面反射型ＤＨ構造では、発光した光を
透過するように発光波長を十分透過、反射するようにし
て高出力化を実現している。
【０００５】これらのＬＥＤ用エピタキシャルウェハ
は、結晶性の優れたエピタキシャル層が得られる、
数十μｍの厚いエピタキシャル層を容易に得ることがで
きることから、液相エピタキシャル法で製造されること
が多い。
は、結晶性の優れたエピタキシャル層が得られる、
数十μｍの厚いエピタキシャル層を容易に得ることがで
きることから、液相エピタキシャル法で製造されること
が多い。
【０００６】また、成長条件の面からは成長温度や成長
速度などについて高出力化の検討が行われている。
速度などについて高出力化の検討が行われている。
【０００７】さらに、この高出力化と共に重要な特性
は、各エピタキシャル層の膜厚の面内均一性である。各
エピタキシャル層の膜厚面内均一性はデバイス製造工程
での素子の歩留の面からも重要な特性である。特に、数
十μｍの厚いエピタキシャル層を必要とするエピタキシ
ャルウェハを製造するにあたっては非常に重要である。
は、各エピタキシャル層の膜厚の面内均一性である。各
エピタキシャル層の膜厚面内均一性はデバイス製造工程
での素子の歩留の面からも重要な特性である。特に、数
十μｍの厚いエピタキシャル層を必要とするエピタキシ
ャルウェハを製造するにあたっては非常に重要である。
【０００８】以下、従来のエピタキシャル層の成長方法
として、ディッピング法によりＧａＡｓ基板上にＡｌＧ
ａＡｓ層を１層のみ成長させる液相エピタキシャル成長
方法について、図４、図５を参照しながら説明する。エ
ピタキシャル層の目標厚さ３０μｍとする。
として、ディッピング法によりＧａＡｓ基板上にＡｌＧ
ａＡｓ層を１層のみ成長させる液相エピタキシャル成長
方法について、図４、図５を参照しながら説明する。エ
ピタキシャル層の目標厚さ３０μｍとする。
【０００９】図４に、従来発明にかかる液相エピタキシ
ャル成長装置の側断面図を示す。
ャル成長装置の側断面図を示す。
【００１０】図４に示すように、従来の液相エピタキシ
ャル成長装置は、成長溶液３を溜める原料溶液溜１及び
複数枚のＧａＡｓ基板４を成長溶液３と接触・分離自在
かつ縦置きにして保持する基板ホルダ２からなる成長治
具と、これら原料溶液溜１及び基板ホルダ２が収容され
成長溶液３とＧａＡｓ基板４とを接触させて反応させる
ための石英製反応管５と、成長溶液３を石英製反応管５
の外側から加熱するエピタキシャル炉６とから構成され
ている。
ャル成長装置は、成長溶液３を溜める原料溶液溜１及び
複数枚のＧａＡｓ基板４を成長溶液３と接触・分離自在
かつ縦置きにして保持する基板ホルダ２からなる成長治
具と、これら原料溶液溜１及び基板ホルダ２が収容され
成長溶液３とＧａＡｓ基板４とを接触させて反応させる
ための石英製反応管５と、成長溶液３を石英製反応管５
の外側から加熱するエピタキシャル炉６とから構成され
ている。
【００１１】この装置を用いてエピタキシャル層を成長
するに際しては、まず、石英製反応管５内の原料溶液溜
１にＧａ、Ａｌ、ＧａＡｓ多結晶をチャージすると共
に、基板ホルダ２にφ５０ｍｍＧａＡｓ基板４を複数枚
セットする。そして、基板ホルダ２を石英製反応管５内
にセットし、石英製反応管５内の空気を排気した後、水
素ガスを導入する。その状態でエピタキシャル炉６のヒ
ータを点け、温度を冷却開始温度（８００℃〜９５０
℃）まで昇温する。昇温後、その温度に保持し、Ｇａ溶
液中にＡｌ、ＧａＡｓ多結晶を溶かして成長溶液３を作
る。そして、組成が均一になったら、エピタキシャル炉
６の温度を下げて徐冷した後、図５に示すように、成長
治具の基板ホルダ２を移動（下降）させ、ＧａＡｓ基板
４を成長溶液３と接触させてエピタキシャル層を形成す
る。そして、所定のエピタキシャル成長が終了したら、
基板ホルダ２を成長溶液３から分離（上昇）し、エピタ
キシャル炉６のヒータを切り、冷却する。
するに際しては、まず、石英製反応管５内の原料溶液溜
１にＧａ、Ａｌ、ＧａＡｓ多結晶をチャージすると共
に、基板ホルダ２にφ５０ｍｍＧａＡｓ基板４を複数枚
セットする。そして、基板ホルダ２を石英製反応管５内
にセットし、石英製反応管５内の空気を排気した後、水
素ガスを導入する。その状態でエピタキシャル炉６のヒ
ータを点け、温度を冷却開始温度（８００℃〜９５０
℃）まで昇温する。昇温後、その温度に保持し、Ｇａ溶
液中にＡｌ、ＧａＡｓ多結晶を溶かして成長溶液３を作
る。そして、組成が均一になったら、エピタキシャル炉
６の温度を下げて徐冷した後、図５に示すように、成長
治具の基板ホルダ２を移動（下降）させ、ＧａＡｓ基板
４を成長溶液３と接触させてエピタキシャル層を形成す
る。そして、所定のエピタキシャル成長が終了したら、
基板ホルダ２を成長溶液３から分離（上昇）し、エピタ
キシャル炉６のヒータを切り、冷却する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
液相エピタキシャル成長方法によると、以下のような問
題がある。
液相エピタキシャル成長方法によると、以下のような問
題がある。
【００１３】一般に生産で使用されている液相エピタキ
シャル成長方法は、生産性（量産化）の観点から従来の
スライドボート法からディッピング法が主流となってお
り、横型成長炉５を使用したディッピング法では半導体
基板４を縦置きにする方法が一般的である。そのため、
成長中のＧａＡｓ基板１４の周囲の熱容量バランスや電
気炉（エピタキシャル炉）の特性などによる温度環境に
差が生じ、エピタキシャルウェハのエピタキシャル層の
膜厚に、上下又は左右方向で面内ばらつきが発生してい
まい、特に３０μｍ以上の厚いエピタキシャル層を得る
場合にはそのばらつきが顕著になってしまう。
シャル成長方法は、生産性（量産化）の観点から従来の
スライドボート法からディッピング法が主流となってお
り、横型成長炉５を使用したディッピング法では半導体
基板４を縦置きにする方法が一般的である。そのため、
成長中のＧａＡｓ基板１４の周囲の熱容量バランスや電
気炉（エピタキシャル炉）の特性などによる温度環境に
差が生じ、エピタキシャルウェハのエピタキシャル層の
膜厚に、上下又は左右方向で面内ばらつきが発生してい
まい、特に３０μｍ以上の厚いエピタキシャル層を得る
場合にはそのばらつきが顕著になってしまう。
【００１４】このエピタキシャル層の膜厚を顕微鏡によ
り測定した結果を図６に示す。
り測定した結果を図６に示す。
【００１５】図６に示すように、エピタキシャル層の膜
厚は、中心３０μｍ、上部４２μｍ、下部２２μｍであ
り、左右のばらつきは４μｍ以下と小さいのに対し、上
下方向で２０μｍの大きなばらつきが発生している。
厚は、中心３０μｍ、上部４２μｍ、下部２２μｍであ
り、左右のばらつきは４μｍ以下と小さいのに対し、上
下方向で２０μｍの大きなばらつきが発生している。
【００１６】さらに、デバイス製造工程ではウェハの表
面から一定深さのダイシング溝を形成し、また発光界面
の位置が発光特性に大きく影響するため、エピタキシャ
ル層の膜厚のばらつきが素子特性のばらつきとなり、歩
留を低下させる一因となっていた。
面から一定深さのダイシング溝を形成し、また発光界面
の位置が発光特性に大きく影響するため、エピタキシャ
ル層の膜厚のばらつきが素子特性のばらつきとなり、歩
留を低下させる一因となっていた。
【００１７】そこで、本発明の目的は、エピタキシャル
層の膜厚のばらつきを低下し、面内均一性に優れたエピ
タキシャルウェハを製造することでデバイスの歩留を向
上できる液相エピタキシャル成長方法を提供することに
ある。
層の膜厚のばらつきを低下し、面内均一性に優れたエピ
タキシャルウェハを製造することでデバイスの歩留を向
上できる液相エピタキシャル成長方法を提供することに
ある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１の発明は、半導体基板を縦置きにして成長溶
液と接触させて該半導体基板上にエピタキシャル層を成
長させる液相エピタキシャル成長方法において、成長中
に上記半導体基板を上下入れ替るように回転させる方法
である。
に請求項１の発明は、半導体基板を縦置きにして成長溶
液と接触させて該半導体基板上にエピタキシャル層を成
長させる液相エピタキシャル成長方法において、成長中
に上記半導体基板を上下入れ替るように回転させる方法
である。
【００１９】請求項２の発明は、上記半導体基板を成長
溶液と共に回転させる方法である。
溶液と共に回転させる方法である。
【００２０】請求項３の発明は、上記半導体基板として
ＧａＡｓ基板を用い、かつエピタキシャル層として、少
なくともＡｌＧａＡｓ層を含むシングルヘテロ構造又は
ダブルヘテロ構造の発光ダイオード用エピタキシャルウ
ェハとなるエピタキシャル層を成長させる方法である。
ＧａＡｓ基板を用い、かつエピタキシャル層として、少
なくともＡｌＧａＡｓ層を含むシングルヘテロ構造又は
ダブルヘテロ構造の発光ダイオード用エピタキシャルウ
ェハとなるエピタキシャル層を成長させる方法である。
【００２１】上記構成によれば、半導体基板と原料溶液
とが回転されることにより、原料溶液内の上下又は左右
位置における、半導体基板の周囲の熱容量バランスやエ
ピタキシャル炉の特性などによる温度環境に差がなくな
り、半導体基板上に均一な厚さでエピタキシャル層が成
長する。
とが回転されることにより、原料溶液内の上下又は左右
位置における、半導体基板の周囲の熱容量バランスやエ
ピタキシャル炉の特性などによる温度環境に差がなくな
り、半導体基板上に均一な厚さでエピタキシャル層が成
長する。
【００２２】尚、半導体基板の回転の方法や条件、つま
り方式や速度、回転数、方向などの条件は、個々の液相
エピタキシャル成長条件により、適宜最適条件を決めれ
ば良い。
り方式や速度、回転数、方向などの条件は、個々の液相
エピタキシャル成長条件により、適宜最適条件を決めれ
ば良い。
【００２３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の好適一実施の形態
を添付図面に基づいて詳述する。
を添付図面に基づいて詳述する。
【００２４】図１に本発明にかかる液相エピタキシャル
成長装置の側断面図を示す。
成長装置の側断面図を示す。
【００２５】図１に示すように、この液相エピタキシャ
ル成長装置は、成長溶液１３を溜める原料溶液溜１１及
び複数枚のＧａＡｓ基板１４を成長溶液１３と接触・分
離自在かつ縦置きにして保持する基板ホルダ１２からな
る成長治具１０と、これら原料溶液溜１１及び基板ホル
ダ１２が収容され成長溶液１３とＧａＡｓ基板１４とを
接触させて反応させるための石英製反応管１５と、成長
溶液１３を石英製反応管１５の外側から均一に加熱でき
るように、石英製反応管１５を取り囲むヒータを有する
エピタキシャル炉１６とから構成されている。
ル成長装置は、成長溶液１３を溜める原料溶液溜１１及
び複数枚のＧａＡｓ基板１４を成長溶液１３と接触・分
離自在かつ縦置きにして保持する基板ホルダ１２からな
る成長治具１０と、これら原料溶液溜１１及び基板ホル
ダ１２が収容され成長溶液１３とＧａＡｓ基板１４とを
接触させて反応させるための石英製反応管１５と、成長
溶液１３を石英製反応管１５の外側から均一に加熱でき
るように、石英製反応管１５を取り囲むヒータを有する
エピタキシャル炉１６とから構成されている。
【００２６】成長治具１０は、ＧａＡｓ基板１４の周囲
の熱容量が極力均一になるよう、その厚さ等が考慮され
て形成されている。
の熱容量が極力均一になるよう、その厚さ等が考慮され
て形成されている。
【００２７】また、原料溶液溜１１には、垂直方向（上
下が入れ替る方向）に回転自在に保持されていると共に
外部からの操作により成長治具１０全体を回転させるた
めの操作軸７が設けられており、図示されていないが、
石英製反応管１５には、この操作軸７を回転自在に保持
する軸受けが形成されている。
下が入れ替る方向）に回転自在に保持されていると共に
外部からの操作により成長治具１０全体を回転させるた
めの操作軸７が設けられており、図示されていないが、
石英製反応管１５には、この操作軸７を回転自在に保持
する軸受けが形成されている。
【００２８】さらに、図示されていないが、基板ホルダ
１２には、原料溶液溜１１中の成長溶液１３に接触・分
離できるように、上昇・下降させるための昇降手段が設
けられており、また、回転させたときに原料溶液溜１１
から成長溶液１３がこぼれないように、基板ホルダ１２
と原料溶液溜１１との間には、原料溶液溜１１内を密閉
するための嵌合溝がそれぞれ形成されている。
１２には、原料溶液溜１１中の成長溶液１３に接触・分
離できるように、上昇・下降させるための昇降手段が設
けられており、また、回転させたときに原料溶液溜１１
から成長溶液１３がこぼれないように、基板ホルダ１２
と原料溶液溜１１との間には、原料溶液溜１１内を密閉
するための嵌合溝がそれぞれ形成されている。
【００２９】石英製反応管１５は、内部に収容される原
料溶液溜１１及び基板ホルダ１２とを回転するに十分な
大きさの容積を有しており、さらに側壁にガスを導入す
るための導入口８とガスを排出するための排出口９とが
形成されている。
料溶液溜１１及び基板ホルダ１２とを回転するに十分な
大きさの容積を有しており、さらに側壁にガスを導入す
るための導入口８とガスを排出するための排出口９とが
形成されている。
【００３０】次に、この液相エピタキシャル成長装置を
用いてエピタキシャル層の成長方法を作用と共に説明す
る。
用いてエピタキシャル層の成長方法を作用と共に説明す
る。
【００３１】本実施の形態では、ディッピング法により
ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＡｓ層を１層のみ成長する液
相エピタキシャル成長方法について説明する。また、Ｇ
ａＡｓ基板のサイズはφ５０ｍｍであり、その上に成長
するエピタキシャル層の目標厚さは３０μｍとする。
ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＡｓ層を１層のみ成長する液
相エピタキシャル成長方法について説明する。また、Ｇ
ａＡｓ基板のサイズはφ５０ｍｍであり、その上に成長
するエピタキシャル層の目標厚さは３０μｍとする。
【００３２】まず、石英製反応管１５内の原料溶液溜１
１にＧａ、Ａｌ、ＧａＡｓ多結晶をチャージすると共
に、基板ホルダ１２にφ５０ｍｍＧａＡｓ基板１４を複
数枚セットする。そして、基板ホルダ１２を石英製反応
管１５内にセットし、石英製反応管１５内の空気を排出
口９から排気した後、水素ガスを導入口８から導入す
る。その状態でエピタキシャル炉１６のヒータを点け、
温度を冷却開始温度（８００℃〜９５０℃）まで昇温す
る。昇温後、その温度に保持し、Ｇａ溶液中にＡｌ、Ｇ
ａＡｓ多結晶を溶かして成長溶液１３を作る。
１にＧａ、Ａｌ、ＧａＡｓ多結晶をチャージすると共
に、基板ホルダ１２にφ５０ｍｍＧａＡｓ基板１４を複
数枚セットする。そして、基板ホルダ１２を石英製反応
管１５内にセットし、石英製反応管１５内の空気を排出
口９から排気した後、水素ガスを導入口８から導入す
る。その状態でエピタキシャル炉１６のヒータを点け、
温度を冷却開始温度（８００℃〜９５０℃）まで昇温す
る。昇温後、その温度に保持し、Ｇａ溶液中にＡｌ、Ｇ
ａＡｓ多結晶を溶かして成長溶液１３を作る。
【００３３】そして、成長溶液１３の組成が均一になっ
たら、エピタキシャル炉１６の温度を徐冷した後、図２
に示すように、成長治具１０の基板ホルダ１２を移動
（下降）させ、ＧａＡｓ基板１４を成長溶液１３と接触
させてエピタキシャル層を形成する。
たら、エピタキシャル炉１６の温度を徐冷した後、図２
に示すように、成長治具１０の基板ホルダ１２を移動
（下降）させ、ＧａＡｓ基板１４を成長溶液１３と接触
させてエピタキシャル層を形成する。
【００３４】ここで、成長治具１０全体を、操作軸７を
中心に１ｒｐｍの速度で回転させる。
中心に１ｒｐｍの速度で回転させる。
【００３５】このように、半導体基板１４が回転される
ことにより、半導体基板１４の上下及び左右が入れ替
り、半導体基板１４上の上下左右が同じ条件で成長す
る。さらに、半導体基板１４と共に原料溶液溜１１が回
転されることで、成長溶液１３が撹拌され、成長溶液１
３中の温度環境の差もなくなる。
ことにより、半導体基板１４の上下及び左右が入れ替
り、半導体基板１４上の上下左右が同じ条件で成長す
る。さらに、半導体基板１４と共に原料溶液溜１１が回
転されることで、成長溶液１３が撹拌され、成長溶液１
３中の温度環境の差もなくなる。
【００３６】そして、所定のエピタキシャル成長が終了
したら、操作軸７の回転を止め、基板ホルダ１２を成長
溶液１３から分離（上昇）し、エピタキシャル炉１６の
ヒータを切り、冷却する。
したら、操作軸７の回転を止め、基板ホルダ１２を成長
溶液１３から分離（上昇）し、エピタキシャル炉１６の
ヒータを切り、冷却する。
【００３７】このように、本発明は、成長中に成長治具
１０を回転させること以外は上述した従来の成長方法と
全く同じプロセスであるが、原料溶液１３内の上下又は
左右位置における、半導体基板１４周囲の熱容量バラン
スやエピタキシャル炉の特性などによる温度環境の差を
なくすることができる。
１０を回転させること以外は上述した従来の成長方法と
全く同じプロセスであるが、原料溶液１３内の上下又は
左右位置における、半導体基板１４周囲の熱容量バラン
スやエピタキシャル炉の特性などによる温度環境の差を
なくすることができる。
【００３８】これにより、半導体基板１４上に均一な厚
さでエピタキシャル層を成長させることができ、エピタ
キシャル層の膜厚の面内均一性を大幅に改善できる。さ
らに、本発明により製造されたエピタキシャルウェハは
面内均一性に優れているので、デバイス製造工程での素
子の歩留も向上することができる。
さでエピタキシャル層を成長させることができ、エピタ
キシャル層の膜厚の面内均一性を大幅に改善できる。さ
らに、本発明により製造されたエピタキシャルウェハは
面内均一性に優れているので、デバイス製造工程での素
子の歩留も向上することができる。
【００３９】次に、本発明により成長させたエピタキシ
ャル層の膜厚について述べる。
ャル層の膜厚について述べる。
【００４０】まず、本実施の形態で説明した方法により
ＧａＡｓ基板上にエピタキシャル層を成長させ、これに
より得られたエピタキシャル層の膜厚を顕微鏡により測
定した。その結果を図４に示す。
ＧａＡｓ基板上にエピタキシャル層を成長させ、これに
より得られたエピタキシャル層の膜厚を顕微鏡により測
定した。その結果を図４に示す。
【００４１】図４に示すように、エピタキシャル層の膜
厚は、中心３０μｍ、上下及び左右が最大３４μｍであ
る。このように、中心に対して上下及び左右方向の膜厚
のばらつきが４μｍ以下と非常に小さいことが確認でき
た。
厚は、中心３０μｍ、上下及び左右が最大３４μｍであ
る。このように、中心に対して上下及び左右方向の膜厚
のばらつきが４μｍ以下と非常に小さいことが確認でき
た。
【００４２】尚、本実施の形態では、回転の方法や条
件、つまり方式や速度、回転数、方向などの条件につい
ては述べていないが、これは個々の液相エピタキシャル
成長方法の条件により最適条件が変わるためであり、そ
れらの最適条件は本発明の目的を満足するように最適化
すれば良い。つまり、本発明は、成長中の半導体基板を
回転させること自体に大きな意味があり、回転の方法や
条件は任意である。
件、つまり方式や速度、回転数、方向などの条件につい
ては述べていないが、これは個々の液相エピタキシャル
成長方法の条件により最適条件が変わるためであり、そ
れらの最適条件は本発明の目的を満足するように最適化
すれば良い。つまり、本発明は、成長中の半導体基板を
回転させること自体に大きな意味があり、回転の方法や
条件は任意である。
【００４３】尚、本実施の形態では、ＧａＡｓ基板上に
ＡｌＧａＡｓ層を１層のみ形成する方法について説明し
たが、層の数や材料の種類には関係なく、すべての液相
エピタキシャル成長方法に適用することができることは
言うまでもない。
ＡｌＧａＡｓ層を１層のみ形成する方法について説明し
たが、層の数や材料の種類には関係なく、すべての液相
エピタキシャル成長方法に適用することができることは
言うまでもない。
【００４４】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、従来の液
相エピタキシャル成長方法での課題であったエピタキシ
ャル層の膜厚の面内均一性を大幅に改善できることか
ら、デバイス製造工程での素子の歩留を向上することが
でき、特性の均一性に優れたエピタキシャルウェハを提
供することができる。
相エピタキシャル成長方法での課題であったエピタキシ
ャル層の膜厚の面内均一性を大幅に改善できることか
ら、デバイス製造工程での素子の歩留を向上することが
でき、特性の均一性に優れたエピタキシャルウェハを提
供することができる。
【図１】本発明にかかる液相エピタキシャル成長装置の
側断面図であり、基板ホルダに半導体基板をセットした
状態を示している。
側断面図であり、基板ホルダに半導体基板をセットした
状態を示している。
【図２】図１の基板ホルダにセットした半導体基板を成
長溶液に接触させた状態の側断面図である。
長溶液に接触させた状態の側断面図である。
【図３】本発明により成長させたエピタキシャル層の膜
厚の面内ばらつきを示す図である。
厚の面内ばらつきを示す図である。
【図４】従来発明にかかる液相エピタキシャル成長装置
の側断面図であり、基板ホルダに半導体基板をセットし
た状態を示している。
の側断面図であり、基板ホルダに半導体基板をセットし
た状態を示している。
【図５】図４の基板ホルダにセットした半導体基板を成
長溶液に接触させた状態の側断面図である。
長溶液に接触させた状態の側断面図である。
【図６】従来発明により成長させたエピタキシャル層の
膜厚の面内ばらつきを示す図である。
膜厚の面内ばらつきを示す図である。
１３ 成長溶液 １４ ＧａＡｓ基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G077 AA03 BE47 CG02 ED06 QA04 QA54 QA62 QA71 5F053 AA05 BB08 BB32 BB41 DD05 FF02 GG01 HH01 LL02 RR01
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板を縦置きにして成長溶液と接
触させて該半導体基板上にエピタキシャル層を成長させ
る液相エピタキシャル成長方法において、成長中に上記
半導体基板を上下入れ替るように回転させることを特徴
とする液相エピタキシャル成長方法。 - 【請求項２】 上記半導体基板を成長溶液と共に回転さ
せる請求項１に記載の液相エピタキシャル成長方法。 - 【請求項３】 上記半導体基板としてＧａＡｓ基板を用
い、かつエピタキシャル層として、少なくともＡｌＧａ
Ａｓ層を含むシングルヘテロ構造又はダブルヘテロ構造
の発光ダイオード用エピタキシャルウェハとなるエピタ
キシャル層を成長させる請求項１又は請求項２に記載の
液相エピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34596399A JP2001163698A (ja) | 1999-12-06 | 1999-12-06 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34596399A JP2001163698A (ja) | 1999-12-06 | 1999-12-06 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001163698A true JP2001163698A (ja) | 2001-06-19 |
Family
ID=18380204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34596399A Pending JP2001163698A (ja) | 1999-12-06 | 1999-12-06 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001163698A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2014802A1 (fr) * | 2007-06-29 | 2009-01-14 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé d'élaboration de plaquettes en matériau semi-conducteur par moulage et cristillisation dirigée |
| JP2010180085A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Ihi Corp | 基板ホルダ |
-
1999
- 1999-12-06 JP JP34596399A patent/JP2001163698A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2014802A1 (fr) * | 2007-06-29 | 2009-01-14 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé d'élaboration de plaquettes en matériau semi-conducteur par moulage et cristillisation dirigée |
| JP2009013055A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-22 | Commissariat A L'energie Atomique | モールディングおよび方向性結晶化によって半導体物質のウェハを製造する方法 |
| JP2010180085A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Ihi Corp | 基板ホルダ |
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