JP5425372B2

JP5425372B2 - ORGANIC EL ELEMENT AND EL DISPLAY DEVICE

Info

Publication number: JP5425372B2
Application number: JP2007120019A
Authority: JP
Inventors: 泰之丹波; 正行田中
Original assignee: エルジーディスプレイカンパニーリミテッド
Priority date: 2007-04-27
Filing date: 2007-04-27
Publication date: 2014-02-26
Anticipated expiration: 2027-04-27
Also published as: JP2008277161A

Description

本発明は、有機ＥＬ素子、ＥＬ表示装置および有機ＥＬ素子の製造方法の技術に関する。 The present invention relates to a technique of an organic EL element, an EL display device, and a method for manufacturing the organic EL element.

近年、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子を備えたＥＬ表示装置の開発が盛んに行われている。有機ＥＬ素子は、ガラス基板上に金属電極と、発光層を含む有機層と、透明電極とが積層されて構成されている。このような構成を有する有機ＥＬ素子では、発光層において発光した光（発光光）を金属電極において反射させて外部に取り出すことによって、有機ＥＬ素子の輝度を向上させている。 In recent years, EL display devices including organic EL (Electroluminescence) elements have been actively developed. The organic EL element is configured by laminating a metal electrode, an organic layer including a light emitting layer, and a transparent electrode on a glass substrate. In the organic EL element having such a configuration, the luminance of the organic EL element is improved by reflecting light emitted from the light emitting layer (emitted light) at the metal electrode and taking it out to the outside.

しかし、反射機能を有する金属電極においては、外光をも反射することになるので、例えば、発光領域の周辺に位置する金属表面において外光が多く反射されると、有機ＥＬ素子の外部に、発光光以外に反射した多くの外光が取り出されるので、ＥＬ表示装置のコントラストが低下するという問題がある。 However, in the metal electrode having a reflection function, it also reflects outside light. For example, when a large amount of outside light is reflected on the metal surface located around the light emitting region, outside the organic EL element, Since much external light reflected other than the emitted light is extracted, there is a problem that the contrast of the EL display device is lowered.

これに対する従来の対策としては、金属電極を凹凸形状に形成して当該金属電極に反射散乱機能を付加させることによって外光を散乱させ、コントラストの低下を防止する技術が存在する（特許文献１）。 As a conventional measure against this, there is a technique for preventing a decrease in contrast by forming a metal electrode in an uneven shape and adding a reflection / scattering function to the metal electrode to scatter external light (Patent Document 1). .

なお、有機ＥＬ素子は、有機層の膜厚が変化することによって、有機層の発する光の色も変化してしまう。 In the organic EL element, the color of light emitted from the organic layer changes as the film thickness of the organic layer changes.

特開２００４−３１９１００号公報JP 2004-319100 A

上述した特許文献１に記載の有機ＥＬ素子では、凹凸形状の金属電極上に有機層が形成されるため、かかる有機層の膜厚を均一にすることが難しく、有機層に印加する電圧に対して所望の光を発生させることが困難になる。また、有機層の膜厚の薄い領域に電圧が印加されると、その領域に電界集中が発生し、有機ＥＬ素子の輝度を低下させる可能性がある。 In the organic EL element described in Patent Document 1 described above, since an organic layer is formed on a concavo-convex metal electrode, it is difficult to make the film thickness of the organic layer uniform, and with respect to the voltage applied to the organic layer. Therefore, it becomes difficult to generate desired light. In addition, when a voltage is applied to a region where the organic layer is thin, electric field concentration occurs in the region, which may reduce the luminance of the organic EL element.

そこで、本発明は、有機層の膜厚に影響を与えることなく、外光を散乱させＥＬ表示装置のコントラストを良好に維持するとともに、有機ＥＬ素子の輝度の低下を抑制させる技術を提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention provides a technique for maintaining good contrast of an EL display device by scattering outside light without affecting the film thickness of the organic layer and suppressing a decrease in luminance of the organic EL element. With the goal.

上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、有機ＥＬ素子であって、第１電極と、前記第１電極と間を空けて形成された導電層と、前記第１電極上に形成され、開口を有する絶縁層と、前記絶縁層の開口を被覆して、前記第１電極上に形成される有機発光層と、前記有機発光層上に形成された第２電極と、前記第１電極と前記絶縁層との間に介在された、前記有機発光層のうちの前記第１電極と接している部分と同一平面上に配されている外光減退膜と、前記第１電極の下方に設けられた薄膜トランジスタと、を備え、前記導電層は、前記第２電極から延在された前記第２電極の一部と接続され、前記外光減退膜によって被覆されており、前記外光減退膜は、前記絶縁層と接する表面の算術平均粗さが、前記第１電極の上面の算術平均粗さよりも大きく、前記薄膜トランジスタは、平面視して前記外光減退膜の直下に配置され、該外光減退膜により上方を覆われていることを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems, the invention of claim 1 is an organic EL element, which is formed on the first electrode , a conductive layer formed with a space between the first electrode, and the first electrode. An insulating layer having an opening; an organic light emitting layer formed on the first electrode so as to cover the opening of the insulating layer; a second electrode formed on the organic light emitting layer; and the first electrode An external light-reducing film disposed between the electrode and the insulating layer and disposed on the same plane as a portion of the organic light-emitting layer that is in contact with the first electrode; and below the first electrode The conductive layer is connected to a part of the second electrode extending from the second electrode and covered with the external light reducing film, and the external light reducing The film has an arithmetic average roughness of a surface in contact with the insulating layer such that an arithmetic average roughness of the upper surface of the first electrode is Much larger than the said thin film transistor is disposed directly below the external light decline film in plan view, characterized in that it is covered upwards by external light decline film.

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る有機ＥＬ素子において、前記外光減退膜は、前記開口の周囲を取り囲むように形成されていることを特徴とする。 According to a second aspect of the invention, in the organic EL device according to the first aspect of the invention, the external light reducing film is formed so as to surround the periphery of the opening.

また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る有機ＥＬ素子において、前記外光減退膜は、クロム、モリブデン又はタングステンからなることを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in the organic EL device according to the first or second aspect of the present invention, the external light reducing film is made of chromium, molybdenum, or tungsten.

また、請求項４の発明は、ＥＬ表示装置であって、請求項１乃至請求項３のいずれかの発明に係る前記有機ＥＬ素子を備えることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an EL display device comprising the organic EL element according to any one of the first to third aspects.

本発明によれば、有機ＥＬ素子に入射する外光を減退させＥＬ表示装置のコントラストを良好に維持するとともに、有機ＥＬ素子の輝度の低下を抑制することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, while reducing the external light which injects into an organic EL element, maintaining the contrast of EL display apparatus favorable, the fall of the brightness | luminance of an organic EL element can be suppressed.

＜実施形態＞
＜構成＞
図１は、本発明の実施形態に係るＥＬ表示装置１の平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。 <Embodiment>
<Configuration>
FIG. 1 is a plan view of an EL display device 1 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG.

本実施形態に係るＥＬ表示装置１は、図１に示されるように、隔壁１２によって略格子状に区画された複数の有機ＥＬ素子２０によって構成されている。これらの有機ＥＬ素子２０は、画素領域２１をそれぞれ形成している。また、有機ＥＬ素子２０はその画素領域２１内に、有機発光層としての有機層９（後述）で発光された光を放射する発光領域（横線ハッチングが付された領域）２３を有している。 As shown in FIG. 1, the EL display device 1 according to the present embodiment includes a plurality of organic EL elements 20 that are partitioned in a substantially lattice shape by partition walls 12. These organic EL elements 20 each form a pixel region 21. Further, the organic EL element 20 has a light emitting region (region with horizontal line hatching) 23 that emits light emitted from an organic layer 9 (described later) as an organic light emitting layer in the pixel region 21. .

図２に示されるように、有機ＥＬ素子２０は、基板２と、回路層３と、平坦化膜４と、第１電極５と、導電層６と、外光減退膜としての保護膜７と、絶縁層としての層間絶縁膜８と、有機層９と、第２電極１０と、封止膜１１と、隔壁１２と、封止基板１３とを備えている。基板２の上面側には、第１電極５、有機層９および第２電極１０によって有機電界発光部２２が形成されている。なお、外光減退膜は、その膜の表面において、有機ＥＬ素子に進入する外光を吸収または散乱させ、有機ＥＬ素子の外部に向かって反射される外光を減退させる機能を有している。 As shown in FIG. 2, the organic EL element 20 includes a substrate 2, a circuit layer 3, a planarization film 4, a first electrode 5, a conductive layer 6, and a protective film 7 as an external light reducing film. And an interlayer insulating film 8 as an insulating layer, an organic layer 9, a second electrode 10, a sealing film 11, a partition wall 12, and a sealing substrate 13. On the upper surface side of the substrate 2, an organic electroluminescence unit 22 is formed by the first electrode 5, the organic layer 9, and the second electrode 10. The external light reducing film has a function of absorbing or scattering external light entering the organic EL element on the surface of the film and reducing external light reflected toward the outside of the organic EL element. .

この有機ＥＬ素子２０は、有機層９が発光した光を上面側の第２電極１０を介して矢印ＬＴのように外部に取り出すトップエミッション型の構造となっている。また、この有機ＥＬ素子２０の構成は、アクティブマトリクス駆動方式に対応した構成となっているが、パッシブマトリクス駆動方式に対応した構成を採用してもよい。また、第１電極５と第２電極１０のいずれをアノード側に設定してもよい。 The organic EL element 20 has a top emission type structure in which light emitted from the organic layer 9 is extracted to the outside as indicated by an arrow LT through the second electrode 10 on the upper surface side. Further, the configuration of the organic EL element 20 is a configuration corresponding to the active matrix driving method, but a configuration corresponding to the passive matrix driving method may be adopted. Further, either the first electrode 5 or the second electrode 10 may be set on the anode side.

基板２はガラス基板等により構成される。回路層３は、薄膜トランジスタＴおよび容量素子等を備えている。かかる薄膜トランジスタＴは、平面視して保護膜７の直下に配置され、保護膜７によって覆われている。具体的には、薄膜トランジスタＴは、回路層３において、第１電極５の表面（第１電極面）における垂線と平行な光線を保護膜７に照射した場合に生じる正射影に含まれる領域（例えば、図２では斜線ハッチング領域）に配置される。これによれば、薄膜トランジスタＴに進入する外光を少なくし、薄膜トランジスタＴが電気的誤作動を起こすのを防止することができ、信頼性の優れた有機ＥＬ素子およびＥＬ表示装置を提供することができる。また、平坦化膜（ＰＦＡ：Polymer Film on Array）４は、回路層３と第１電極５との間を絶縁するように、これらの間に形成されている。 The substrate 2 is composed of a glass substrate or the like. The circuit layer 3 includes a thin film transistor T and a capacitive element. The thin film transistor T is disposed immediately below the protective film 7 in plan view and is covered with the protective film 7. Specifically, the thin film transistor T includes a region included in an orthogonal projection generated when the protective film 7 is irradiated with light rays parallel to the perpendicular line on the surface (first electrode surface) of the first electrode 5 in the circuit layer 3 (for example, In FIG. 2, it is arranged in a hatched area. According to this, it is possible to reduce the external light entering the thin film transistor T, prevent the thin film transistor T from causing an electrical malfunction, and provide an organic EL element and an EL display device with excellent reliability. it can. A planarizing film (PFA: Polymer Film on Array) 4 is formed between the circuit layer 3 and the first electrode 5 so as to insulate them.

下部電極１５（詳細には第１電極５および導電層６）は、平坦化膜４上に形成され、その電極材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ビスマス（Ｂｉ）またはネオジム（Ｎｄ）、あるいはこれらを組み合わせた合金が採用される。 The lower electrode 15 (specifically, the first electrode 5 and the conductive layer 6) is formed on the planarizing film 4, and examples of the electrode material include aluminum (Al), silver (Ag), magnesium (Mg), Bismuth (Bi), neodymium (Nd), or an alloy that combines these is employed.

また、下部電極１５を構成する第１電極（ここでは金属電極）５は、有機層９において発光された光（発光光）を反射する機能を有している。これによれば、発光光を有機ＥＬ素子の外部に効率よく取り出すことが可能となり、有機ＥＬ素子２０の輝度を向上させることが可能となる。 Further, the first electrode (here, metal electrode) 5 constituting the lower electrode 15 has a function of reflecting light (emitted light) emitted from the organic layer 9. According to this, it becomes possible to efficiently take out the emitted light to the outside of the organic EL element, and the luminance of the organic EL element 20 can be improved.

また、下部電極１５を構成する導電層６は、平坦化膜４上における第１電極５と離間した領域に形成される。かかる導電層６は、平坦化膜４に設けられたスルーホール６ａにおいて回路層３と電気的に接続される。なお、このように第１電極５と離間した領域に形成される導電層６は、有機ＥＬ素子２０の画素領域２１において、第１電極５とは間を空けて存在するとも表現することができる。また、導電層６は、第２電極１０から延在された第２電極の一部と接続され、保護膜７によって被覆されている。なお、導電層６と第２電極の一部が接続される領域を、コンタクト領域２４と称する。 In addition, the conductive layer 6 constituting the lower electrode 15 is formed in a region separated from the first electrode 5 on the planarizing film 4. The conductive layer 6 is electrically connected to the circuit layer 3 through a through hole 6 a provided in the planarizing film 4. Note that the conductive layer 6 formed in the region separated from the first electrode 5 in this way can also be expressed as being present in the pixel region 21 of the organic EL element 20 with a gap from the first electrode 5. . The conductive layer 6 is connected to a part of the second electrode extending from the second electrode 10 and is covered with the protective film 7. A region where the conductive layer 6 and a part of the second electrode are connected is referred to as a contact region 24.

保護膜７は、有機ＥＬ素子２０の製造工程（後述）において、第１電極５および導電層６の上面に形成される。保護膜７としては、例えば、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）またはタングステン（Ｗ）、あるいはこれらを組み合わせた合金が採用される。当該保護膜７は、製造段階において、第１電極５および導電層６の酸化等を防止する保護膜として機能する。これによって、第１電極５および導電層６の電気抵抗の増加が防止される。下部電極１５の上面に形成された保護膜７の一部（詳細には発光領域２３およびコンタクト領域２４を被覆する保護膜）は、保護膜７形成後の所定の工程において取り除かれる。なお、保護膜７は、後述する層間絶縁膜８の発光領域２３およびコンタクト領域２４における開口の周囲を取り囲むように形成されている。 The protective film 7 is formed on the upper surfaces of the first electrode 5 and the conductive layer 6 in the manufacturing process (described later) of the organic EL element 20. As the protective film 7, for example, chromium (Cr), molybdenum (Mo), tungsten (W), or an alloy that combines these is employed. The protective film 7 functions as a protective film that prevents oxidation of the first electrode 5 and the conductive layer 6 in the manufacturing stage. This prevents an increase in electrical resistance of the first electrode 5 and the conductive layer 6. A part of the protective film 7 formed on the upper surface of the lower electrode 15 (specifically, a protective film covering the light emitting region 23 and the contact region 24) is removed in a predetermined process after the protective film 7 is formed. The protective film 7 is formed so as to surround the openings in the light emitting region 23 and the contact region 24 of the interlayer insulating film 8 described later.

また、保護膜７の層間絶縁膜８と接する表面は、第１電極５の表面よりも算術平均粗さ（Ｒａ）の値が大きくなるように形成される。このように、粗く形成された表面を有する保護膜７は、外光を散乱させる光散乱膜として機能する。これによって、発光領域２３およびコンタクト領域２４以外の保護膜７に被覆された領域（「被覆領域」とも称する）に入射した外光は散乱され、有機ＥＬ素子の内部に進入した外光を、有機ＥＬ素子の外部に向かって反射するのを抑制することができる。有機層９が発光した光のみを有機ＥＬ素子の外部に取り出しやすくすることで、有機ＥＬ素子の外部に放出される光の色をより鮮明にすることができ、ＥＬ表示装置のコントラストが向上する。保護膜７の外光散乱機能については、後述する。 Further, the surface of the protective film 7 in contact with the interlayer insulating film 8 is formed such that the value of arithmetic average roughness (Ra) is larger than the surface of the first electrode 5. Thus, the protective film 7 having a rough surface functions as a light scattering film that scatters external light. As a result, external light incident on a region (also referred to as “covered region”) covered with the protective film 7 other than the light emitting region 23 and the contact region 24 is scattered, and the external light entering the organic EL element is Reflection toward the outside of the EL element can be suppressed. By making it easy to extract only the light emitted from the organic layer 9 to the outside of the organic EL element, the color of the light emitted to the outside of the organic EL element can be made clearer, and the contrast of the EL display device is improved. . The external light scattering function of the protective film 7 will be described later.

層間絶縁膜８は、第１電極５と第２電極１０とを絶縁するように、形成される。層間絶縁膜８は、例えば、酸化ケイ素或いは窒化ケイ素等の無機材料、またはアクリル樹脂、ノボラック樹脂或いはフェノール樹脂等の有機材料によって形成される。また、層間絶縁膜８は、発光領域２３およびコンタクト領域２４において開口８ａ（図７参照）を有するように形成される。 The interlayer insulating film 8 is formed so as to insulate the first electrode 5 and the second electrode 10. The interlayer insulating film 8 is formed of, for example, an inorganic material such as silicon oxide or silicon nitride, or an organic material such as acrylic resin, novolac resin, or phenol resin. The interlayer insulating film 8 is formed so as to have an opening 8a (see FIG. 7) in the light emitting region 23 and the contact region 24.

有機層９は、発光領域２３における層間絶縁膜８の開口８ａを被覆するように、第１電極５上に形成され、発光機能を有する有機材料を発光体として用いた発光層を含んで構成される。有機層９は、単層構造もしくは機能別に積層した多層構造のいずれも採用することができる。なお、単層構造は、素子形成プロセスを簡略化できることから、歩留まりを向上させることができ、低コストのＥＬ表示装置１を提供できるという利点がある。 The organic layer 9 is formed on the first electrode 5 so as to cover the opening 8a of the interlayer insulating film 8 in the light emitting region 23, and includes a light emitting layer using an organic material having a light emitting function as a light emitter. The The organic layer 9 can employ either a single layer structure or a multilayer structure laminated according to function. Note that the single-layer structure can simplify the element formation process, so that yield can be improved and the low-cost EL display device 1 can be provided.

また、有機層９の構造として多層構造を採用する場合、例えば発光層に加え、正孔輸送層、正孔注入層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層のうち、単数もしくは複数を選択して有機層９を構成する。なお、正孔注入層、電子注入層については無機材料が使用されることもあるが、その場合であっても、正孔注入層、電子注入層を含めて有機層と呼ぶ。 Further, when adopting a multilayer structure as the structure of the organic layer 9, for example, in addition to the light emitting layer, a hole transport layer, a hole injection layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, an electron blocking layer, The organic layer 9 is configured by selecting one or more. In addition, although an inorganic material may be used about a positive hole injection layer and an electron injection layer, even in that case, a positive hole injection layer and an electron injection layer are called an organic layer.

第２電極（ここでは透明電極）１０は、有機層９を覆うように形成され、コンタクト領域２４において導電層６と電気的に接続される。これにより、第２電極１０は、回路層３と電気的に接続された状態となる。また、第２電極１０は、有機層９の上面側から光を取り出すために、インジウム錫酸化膜（ＩＴＯ）、錫酸化膜等の光透過性を有する導電材料を用いて形成される。また、第２電極１０が、例えばマグネシウム、銀、アルミニウムまたはカルシウム等の材料から成る場合、その厚みを１００nm以下にすることによって、光透過性の電極とすることができる。ここで、光透過性の電極とは、光が透過することができる性質を有する電極をいう。 The second electrode (here, transparent electrode) 10 is formed so as to cover the organic layer 9 and is electrically connected to the conductive layer 6 in the contact region 24. As a result, the second electrode 10 is electrically connected to the circuit layer 3. The second electrode 10 is formed using a light-transmitting conductive material such as an indium tin oxide film (ITO) or a tin oxide film in order to extract light from the upper surface side of the organic layer 9. Moreover, when the 2nd electrode 10 consists of materials, such as magnesium, silver, aluminum, or calcium, for example, it can be set as a light transmissive electrode by making the thickness into 100 nm or less. Here, the light transmissive electrode refers to an electrode having a property of transmitting light.

隔壁１２は、光透過性を有する絶縁樹脂により形成され、その断面形状は下部よりも上部が幅広な略逆テーパを成している。また、隔壁１２は、層間絶縁膜８の上から形成されている。なお、隔壁１２には、例えば酸化ケイ素、窒化ケイ素或いは酸化窒化ケイ素等の無機材料、またはアクリル樹脂、ノボラック樹脂或いはフェノール樹脂等の有機材料を使用することができる。 The partition wall 12 is formed of a light-transmitting insulating resin, and the cross-sectional shape of the partition wall 12 is a substantially reverse taper whose upper part is wider than the lower part. The partition wall 12 is formed from above the interlayer insulating film 8. For the partition wall 12, for example, an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride, or an organic material such as an acrylic resin, a novolac resin, or a phenol resin can be used.

封止膜１１は、窒化ケイ素を主成分とした無機物質の膜として形成されており、封止性を有している。この封止膜１１は、有機電界発光部２２等を封止して酸素や水蒸気の侵入を防止する役目を担っている。 The sealing film 11 is formed as an inorganic substance film mainly composed of silicon nitride and has sealing properties. The sealing film 11 serves to seal the organic electroluminescent portion 22 and the like and prevent oxygen and water vapor from entering.

封止基板１３は、基板２と略同一の大きさの矩形状の封止部材であり、基板２に対して略平行に配置される。封止基板１４は、トップエミッション型の有機ＥＬディスプレイの場合、ガラス等の透明材料により形成されるが、ボトムエミッションの場合、透明材料には限られず、アルミニウム等の不透明材料も使用可能である。 The sealing substrate 13 is a rectangular sealing member having substantially the same size as that of the substrate 2 and is disposed substantially parallel to the substrate 2. In the case of a top emission type organic EL display, the sealing substrate 14 is formed of a transparent material such as glass. However, in the case of bottom emission, the sealing substrate 14 is not limited to a transparent material, and an opaque material such as aluminum can also be used.

＜保護膜７の機能について＞
ここで、保護膜７が有する機能について詳述する。上述のように、本実施形態に係る保護膜７は、２つの機能を有している。具体的には、有機ＥＬ素子２０の製造工程においては、第１電極５および導電層６の酸化を防止する保護膜として機能し、有機ＥＬ素子２０の完成後は、封止基板１３および層間絶縁膜８等の光透過性を有する部材を透過してきた外光を散乱させる光散乱膜として機能する。つまり、保護膜７は、アルミ二ウム等の材料よりも酸化しにくいモリブデン等の材料から成り、製造工程において第１電極５を被覆することで、第１電極の酸化を防止することができ、さらに保護膜７の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を大きくすることによって、その表面で有機ＥＬ素子に進入する外光を効率良く散乱させることができる。なお、算術平均粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳＢ０６０１−２００１に準ずる。 <About the function of the protective film 7>
Here, the function of the protective film 7 will be described in detail. As described above, the protective film 7 according to the present embodiment has two functions. Specifically, in the manufacturing process of the organic EL element 20, it functions as a protective film for preventing the oxidation of the first electrode 5 and the conductive layer 6. After the organic EL element 20 is completed, the sealing substrate 13 and the interlayer insulation are used. It functions as a light scattering film that scatters external light that has passed through a light-transmissive member such as the film 8. That is, the protective film 7 is made of a material such as molybdenum that is less likely to be oxidized than a material such as aluminum. By covering the first electrode 5 in the manufacturing process, the oxidation of the first electrode can be prevented, Further, by increasing the arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the protective film 7, the external light entering the organic EL element can be efficiently scattered on the surface. In addition, arithmetic mean roughness (Ra) is based on JISB0601-2001.

図３は、表面粗さの異なるＡｌＮｄ合金の正反射率を示す図である。図３において、実線ＪＬは、算術平均粗さ（Ｒａ）の値がＲａ１＝１．８ｎｍであるＡｌＮｄ合金表面における正反射率を示し、破線ＨＬは、算術平均粗さ（Ｒａ）の値がＲａ２＝３．０ｎｍであるＡｌＮｄ合金表面における正反射率を示している。ここで、正反射率とは、物体表面の法線方向から入射した光が、当該物体表面において、法線方向（入射方向と反対方向）へと反射される光の割合（反射率）を表している。 FIG. 3 is a diagram showing the regular reflectance of AlNd alloys having different surface roughnesses. In FIG. 3, the solid line JL indicates the regular reflectance at the AlNd alloy surface where the value of arithmetic average roughness (Ra) is Ra1 = 1.8 nm, and the broken line HL indicates that the value of arithmetic average roughness (Ra) is Ra2 The specular reflectance on the surface of the AlNd alloy with = 3.0 nm is shown. Here, the regular reflectance represents the ratio (reflectance) of light that is incident from the normal direction of the object surface to the normal surface (direction opposite to the incident direction) on the object surface. ing.

物質表面における光の正反射率は、その物質表面の粗さに依存し、粗くない（なめらかな）表面における正反射率に比べて粗い表面における正反射率は低くなる。例えば、図３に示されるように、算術平均粗さ（Ｒａ）の値がＲａ２＝３．０ｎｍの表面と算術平均粗さ（Ｒａ）の値がＲａ１＝１．８ｎｍの表面とを比較すると、算術平均粗さ（Ｒａ）の値が大きい表面、すなわち粗い表面の正反射率（破線ＨＬ）は、粗くない表面の正反射率よりも可視光領域（波長が、約４００ｎｍから８００ｎｍ）において、約２パーセント低くなる。 The regular reflectance of light on a material surface depends on the roughness of the material surface, and the regular reflectance on a rough surface is lower than the regular reflectance on a non-rough (smooth) surface. For example, as shown in FIG. 3, when comparing a surface with an arithmetic average roughness (Ra) value of Ra2 = 3.0 nm and a surface with an arithmetic average roughness (Ra) value of Ra1 = 1.8 nm, The specular reflectance (dashed line HL) of a surface having a large arithmetic average roughness (Ra) value, that is, a rough surface is approximately equal in the visible light region (having a wavelength of about 400 nm to 800 nm) than the regular reflectance of a non-rough surface. 2 percent lower.

図３は、ＡｌＮｄ合金表面における正反射率を示しているが、他の物質、例えばモリブデンの表面においても、同様のことが言える。すなわち、モリブデンの表面を粗くすると、粗くしない場合に比べて、正反射率は低下する。したがって、モリブデンを材料とする保護膜７の表面を一般的な製造工程によって形成される表面よりも粗くすることによって、保護膜７の表面に入射する外光を散乱させ、正反射率を低下させることが可能となる。また、保護膜７に使用するモリブデンまたはタングステンは、第１電極に使用するアルミニウムまたは銀よりも可視光反射率が低いため、さらに外光の正反射率を低下させることが可能となる。 FIG. 3 shows the regular reflectance on the surface of the AlNd alloy, but the same can be said for the surface of another material, for example, molybdenum. That is, when the surface of molybdenum is roughened, the regular reflectance is reduced as compared with the case where the surface is not roughened. Accordingly, the surface of the protective film 7 made of molybdenum is made rougher than the surface formed by a general manufacturing process, whereby external light incident on the surface of the protective film 7 is scattered and the regular reflectance is lowered. It becomes possible. Moreover, since molybdenum or tungsten used for the protective film 7 has a lower visible light reflectance than aluminum or silver used for the first electrode, the regular reflectance of external light can be further reduced.

以上のように、本実施形態に係るＥＬ表示装置１は、第１電極５を被覆し、第１電極５の上面と比較して表面粗さの大きい上面を有する保護膜７を備えている。このため、保護膜７においては、入射する外光を散乱させることが可能となるので、コントラストを向上させることが可能になる。また、本実施形態に係るＥＬ表示装置１は、発光領域２３における第１電極５の表面を比較的なめらかに形成し、その表面に有機層９と第２電極１０とを順次積層することによって、発光領域２３における有機層９の膜厚を略一定にすることができる。その結果、有機層９全体に略均一に電圧を印可することができ、有機層９の膜厚の薄い領域に電界集中が発生するのを低減することができ、さらには有機ＥＬ素子の輝度が低下するのを効果的に抑制することができる。 As described above, the EL display device 1 according to this embodiment includes the protective film 7 that covers the first electrode 5 and has an upper surface that has a larger surface roughness than the upper surface of the first electrode 5. For this reason, in the protective film 7, incident external light can be scattered, so that the contrast can be improved. In addition, the EL display device 1 according to the present embodiment relatively smoothly forms the surface of the first electrode 5 in the light emitting region 23, and sequentially stacks the organic layer 9 and the second electrode 10 on the surface. The film thickness of the organic layer 9 in the light emitting region 23 can be made substantially constant. As a result, it is possible to apply a voltage to the entire organic layer 9 substantially uniformly, reduce the occurrence of electric field concentration in a thin region of the organic layer 9, and further reduce the luminance of the organic EL element. It can suppress effectively that it falls.

なお、第１電極５と保護膜７とは、スパッタターゲット（単に「ターゲット」とも称する）をＡｌＮｄ合金からモリブデンに変更する以外は、同一条件で行われるスパッタリング法（スパッタリング）によって形成されると仮定すると、第１電極５と保護膜７とにおける表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は略等しくなってしまう。そこで、本実施形態では、保護膜７を成膜する際に実行するスパッタリングを、第１電極５を成膜する際に実行するスパッタリングとは、意図的に異なる条件で行うことによって、第１電極５の表面粗さ（Ｒａ）よりも保護膜７の表面を粗さ（Ｒａ）を大きく（粗く）する。詳細は、後述する。 It is assumed that the first electrode 5 and the protective film 7 are formed by sputtering (sputtering) performed under the same conditions except that the sputter target (also simply referred to as “target”) is changed from an AlNd alloy to molybdenum. Then, the arithmetic average roughness (Ra) of the surface in the 1st electrode 5 and the protective film 7 will become substantially equal. Therefore, in the present embodiment, the first electrode is formed by performing sputtering performed when the protective film 7 is formed under intentionally different conditions from sputtering performed when forming the first electrode 5. The surface roughness (Ra) of the protective film 7 is made larger (rougher) than the surface roughness (Ra) of 5. Details will be described later.

また、ＥＬ表示装置１では、保護膜７は、導電層６の上面においても形成されるので、第１電極の存在領域以外の領域に入射した外光を有効に減退させることができる。 In the EL display device 1, the protective film 7 is also formed on the upper surface of the conductive layer 6, so that external light incident on a region other than the region where the first electrode is present can be effectively reduced.

＜製法＞
次に、ＥＬ表示装置１の製造工程について説明する。図４〜図８は、各製造段階において備える有機ＥＬ素子２０の構成を示す図である。図９および図１０は、ターゲット３０と被成膜部位ＨＳとの相対位置を示す概念図である。図１１は、被成膜部位とターゲットとの相対位置を変更して形成された各膜の表面粗さ（Ｒａ）の実測値を示す図である。 <Production method>
Next, a manufacturing process of the EL display device 1 will be described. 4-8 is a figure which shows the structure of the organic EL element 20 with which it comprises in each manufacturing stage. 9 and 10 are conceptual diagrams showing the relative positions of the target 30 and the deposition target site HS. FIG. 11 is a diagram showing actual measurement values of the surface roughness (Ra) of each film formed by changing the relative position between the deposition site and the target.

ＥＬ表示装置１の製造工程は、主として以下の工程ＳＰ１〜ＳＰ６を備えている。 The manufacturing process of the EL display device 1 mainly includes the following processes SP1 to SP6.

（ＳＰ１）基板２上に回路層３が形成される（図４参照）。回路層３は、ＣＶＤまたはスパッタリング等の薄膜形成技術やフォトリソグラフィー等の薄膜加工技術を採用することにより形成される。そして、回路層３上には、スルーホール６ａを設けた平坦化膜４が形成される（図４）。平坦化膜４は、スピンコート法、ＣＶＤ等の薄膜形成技術やフォトリソグラフィー等の薄膜加工技術を用いて形成される。 (SP1) The circuit layer 3 is formed on the substrate 2 (see FIG. 4). The circuit layer 3 is formed by employing a thin film forming technique such as CVD or sputtering or a thin film processing technique such as photolithography. Then, a planarizing film 4 provided with a through hole 6a is formed on the circuit layer 3 (FIG. 4). The planarizing film 4 is formed by using a thin film forming technique such as spin coating or CVD, or a thin film processing technique such as photolithography.

（ＳＰ２）平坦化膜４上に下部電極１５（詳細には第１電極５および導電層６）が形成される（図５）。下部電極１５は、スパッタリング或いはＣＶＤ等の薄膜形成技術またはフォトリソグラフィー等の薄膜加工技術によって形成可能である。本実施形態では、下部電極１５は、スパッタリングによって形成される。 (SP2) The lower electrode 15 (specifically, the first electrode 5 and the conductive layer 6) is formed on the planarizing film 4 (FIG. 5). The lower electrode 15 can be formed by a thin film forming technique such as sputtering or CVD, or a thin film processing technique such as photolithography. In the present embodiment, the lower electrode 15 is formed by sputtering.

そして、下部電極１５の表面に、当該下部電極１５の酸化を抑制可能な保護膜７が形成される（図５）。保護膜７は、スパッタリング或いはＣＶＤ等の薄膜形成技術またはフォトリソグラフィー等の薄膜加工技術によって形成可能である。本実施形態では、保護膜７は、下部電極１５を形成する際に実行されるスパッタリングとは異なる条件で行われるスパッタリングによって形成される。 And the protective film 7 which can suppress the oxidation of the said lower electrode 15 is formed in the surface of the lower electrode 15 (FIG. 5). The protective film 7 can be formed by a thin film forming technique such as sputtering or CVD, or a thin film processing technique such as photolithography. In the present embodiment, the protective film 7 is formed by sputtering performed under conditions different from the sputtering performed when the lower electrode 15 is formed.

（ＳＰ３）保護膜７上にＣＶＤ等の薄膜形成技術およびエッチング等の薄膜加工技術を採用することにより、層間絶縁膜８が形成されるとともに、層間絶縁膜８上に隔壁１２が形成される（図６参照）。 (SP3) By adopting a thin film forming technique such as CVD and a thin film processing technique such as etching on the protective film 7, the interlayer insulating film 8 is formed and the partition 12 is formed on the interlayer insulating film 8 ( (See FIG. 6).

（ＳＰ４）層間絶縁膜８の開口部において露出されている保護膜７、換言すれば保護膜７のうち層間絶縁膜８で被覆されていない露出部分（具体的には、発光領域２３およびコンタクト領域２４）が、エッチング液により除去される。これにより、第１電極５および導電層６の一部がそれぞれ露出される（図７参照）。そして、残存した保護膜７は、開口部の縁に沿って、開口部の周囲を取り囲むように第１電極５と層間絶縁膜８との間に介在する。 (SP4) The protective film 7 exposed in the opening of the interlayer insulating film 8, in other words, the exposed portion of the protective film 7 not covered with the interlayer insulating film 8 (specifically, the light emitting region 23 and the contact region) 24) is removed by the etching solution. Thereby, a part of 1st electrode 5 and the conductive layer 6 is exposed, respectively (refer FIG. 7). The remaining protective film 7 is interposed between the first electrode 5 and the interlayer insulating film 8 so as to surround the periphery of the opening along the edge of the opening.

（ＳＰ５）有機材料物質の蒸着によって発光領域２３に有機層９が形成される（図８参照）。そして、有機層９およびコンタクト領域２４を覆うように蒸着によって第２電極１０が形成される。これによって、第２電極１０の一部は、コンタクト領域２４において導電層６と電気的に接続される。 (SP5) The organic layer 9 is formed in the light emission area | region 23 by vapor deposition of an organic material substance (refer FIG. 8). Then, the second electrode 10 is formed by vapor deposition so as to cover the organic layer 9 and the contact region 24. Thereby, a part of the second electrode 10 is electrically connected to the conductive layer 6 in the contact region 24.

（ＳＰ６）封止膜１１および封止基板１３を用いた封止が行われる（図２参照）。これにより、有機層９においてダークスポット（滅点）の発生が抑制される。 (SP6) Sealing using the sealing film 11 and the sealing substrate 13 is performed (see FIG. 2). Thereby, generation | occurrence | production of a dark spot (dark spot) in the organic layer 9 is suppressed.

ここで、工程ＳＰ２について詳述する。 Here, the process SP2 will be described in detail.

上述のように、工程ＳＰ２においては、スパッタリングにより例えばＡｌＮｄ合金からなる第１のターゲットから飛散した材料によって、基板２上の成膜予定領域（「被成膜部位」とも称する）に下部電極１５を成膜する。そして、下部電極１５を形成する際に実行されるスパッタリングとは異なる条件で行われるスパッタリングにより、例えばモリブデンからなる第２のターゲットから飛散した材料によって、下部電極１５の表面に保護膜７が形成される。具体的には、下部電極１５を形成する際のスパッタリングと保護膜７を形成する際のスパッタリングとにおいて、ターゲットと基板上の成膜予定領域との相対位置を変更して行う。 As described above, in the process SP2, the lower electrode 15 is formed in a film formation scheduled region (also referred to as “film formation site”) on the substrate 2 by a material scattered from a first target made of, for example, an AlNd alloy by sputtering. Form a film. Then, the protective film 7 is formed on the surface of the lower electrode 15 by sputtering performed under conditions different from the sputtering performed when the lower electrode 15 is formed, for example, by a material scattered from the second target made of molybdenum. The Specifically, in the sputtering for forming the lower electrode 15 and the sputtering for forming the protective film 7, the relative position between the target and the film formation scheduled region on the substrate is changed.

より詳細には、下部電極１５を成膜する場合は、被成膜部位ＨＳ１の所定位置（図９では、被成膜部位ＨＳ１の中心位置ＣＰ１）とターゲット３０ａにおいて、中心位置ＣＰ１からの距離が最小となる第１至近部位ＴＰ１とを結ぶ直線ＣＬ１と、ターゲット３０ａの表面ＦＴ１とのなす角の大きさが所定の角度α１（例えば、９０度）になるように設定して行う。 More specifically, when the lower electrode 15 is formed, the distance between the predetermined position of the film formation site HS1 (the center position CP1 of the film formation site HS1 in FIG. 9) and the target 30a is different from the center position CP1. This is performed by setting the angle formed by the straight line CL1 connecting the minimum first closest part TP1 and the surface FT1 of the target 30a to be a predetermined angle α1 (for example, 90 degrees).

一方、保護膜７を成膜する場合は、下部電極１５を成膜する場合に比べて、被成膜部位ＨＳ２の所定位置（図１０では、被成膜部位ＨＳ２の中心位置ＣＰ２）とターゲット３０ｂにおいて被成膜部位ＨＳ２からの距離が最小となる第２至近部位ＴＰ２とを結ぶ直線ＣＬ２と、ターゲット３０ｂの表面ＦＴ２とのなす角の角度（仰角）α２が小さくなるように、ターゲット３０ｂと基板２とを配置する。なお、α２は、α１よりも小さい角度とする。 On the other hand, in the case where the protective film 7 is formed, compared with the case where the lower electrode 15 is formed, the predetermined position of the film formation site HS2 (in FIG. 10, the center position CP2 of the film formation site HS2) and the target 30b. , The target 30b and the substrate so that the angle (elevation angle) α2 formed between the straight line CL2 connecting the second closest site TP2 that minimizes the distance from the deposition target site HS2 and the surface FT2 of the target 30b is small. 2 are arranged. Α2 is an angle smaller than α1.

また、下部電極１５をスパッタリングによって成膜する場合の、ターゲット表面ＦＴ１と基板２においてターゲット表面ＦＴ１と対向する面との鉛直方向間の距離ＢＬ１は、保護膜７をスパッタリングによって成膜する場合の、ターゲット表面ＦＴ２と基板２においてターゲット表面ＦＴ２と対向する面との鉛直方向間の距離ＢＬ２とを、同じ長さとする。 Further, when the lower electrode 15 is formed by sputtering, the distance BL1 between the target surface FT1 and the surface of the substrate 2 facing the target surface FT1 in the vertical direction is equal to the distance BL1 when the protective film 7 is formed by sputtering. The distance BL2 between the vertical direction between the target surface FT2 and the surface of the substrate 2 facing the target surface FT2 is set to the same length.

これによって、下部電極１５をスパッタリングによって形成する場合は、図９に示すように、基板２において下部電極１５が形成されるべき被成膜部位ＨＳ１は、ターゲット（例えばＡｌＮｄ合金）３０ａのターゲット表面ＦＴ１に対して正面に対峙する位置（正対位置）に配置される。一方、保護膜７をスパッタリングによって形成する場合は、図１０に示されるように、保護膜７が形成されるべき被成膜部位ＨＳ２は、ターゲット（例えばモリブデン）３０ｂのターゲット表面ＦＴ２に対して正対しない位置（非正対位置）に配置される。 Thus, when the lower electrode 15 is formed by sputtering, as shown in FIG. 9, the deposition site HS1 where the lower electrode 15 is to be formed on the substrate 2 is the target surface FT1 of the target (eg, AlNd alloy) 30a. Is disposed at a position facing the front (facing position). On the other hand, when the protective film 7 is formed by sputtering, as shown in FIG. 10, the deposition site HS2 on which the protective film 7 is to be formed is normal to the target surface FT2 of the target (for example, molybdenum) 30b. It is arranged at a position not facing (non-facing position).

このように、ターゲット３０ｂ上に形成されるプラズマから外れた位置に、被成膜部位を配置したスパッタリング（「斜めスパッタ」または「斜方スパッタ」とも称する）を行うことにより、算術平均粗さ（Ｒａ）の大きい膜（層）を成膜することが可能になる。具体的には、非正対位置に配置された被成膜部位では、スパッタされた粒子のうち被成膜部位に対して斜め方向から飛来する粒子によって成膜される確率が増加する。そのため、被成膜部位において、斜め方向から粒子が多く飛来することによって、特定の方向に膜が成長し易く、膜表面において柱状構造が発達することとなる。このため、斜方スパッタによって成膜された膜表面の表面粗さは、通常のスパッタリングによって成膜された膜表面の表面粗さよりも粗くなる。 In this way, by performing sputtering (also referred to as “oblique sputtering” or “oblique sputtering”) in which the film formation site is disposed at a position deviated from the plasma formed on the target 30b, the arithmetic average roughness ( A film (layer) having a large Ra) can be formed. Specifically, in the film formation site arranged at the non-facing position, the probability that the sputtered particles are formed by particles flying from an oblique direction with respect to the film formation site increases. For this reason, when a large number of particles fly from an oblique direction at the film formation site, the film easily grows in a specific direction, and a columnar structure develops on the film surface. For this reason, the surface roughness of the film surface formed by oblique sputtering becomes rougher than the surface roughness of the film surface formed by normal sputtering.

例えば、図１１に示されるように、ターゲット３０ｂにおける至近部位ＴＰ２から被成膜部位ＨＳ２を見上げた仰角α２が７５°から４９°に変更されると、成膜されたＡｌＮｄ合金膜の算術平均粗さ（Ｒａ）の値は、３．６ｎｍから３．９ｎｍへと大きくなる。また、仰角α２が７５°から４９°に変更されると、成膜されたＡｌＮｄ合金膜の最大高さ（Ｒｚ）の値は、３２．５ｎｍから４４．０ｎｍへと大きくなる。このように、仰角α２が小さくなるにつれて、成膜される膜の表面粗さは大きくなる。なお、本発明の実施形態における最大高さ（Ｒｚ）は、ＪＩＳＢ０６０１−２００１に準ずる。 For example, as shown in FIG. 11, when the elevation angle α2 looking up at the deposition target site HS2 from the nearest site TP2 in the target 30b is changed from 75 ° to 49 °, the arithmetic average roughness of the deposited AlNd alloy film The value of (Ra) increases from 3.6 nm to 3.9 nm. When the elevation angle α2 is changed from 75 ° to 49 °, the maximum height (Rz) of the deposited AlNd alloy film increases from 32.5 nm to 44.0 nm. Thus, as the elevation angle α2 decreases, the surface roughness of the deposited film increases. In addition, the maximum height (Rz) in the embodiment of the present invention conforms to JISB0601-2001.

なお、ターゲット表面ＦＴ２に代えて、被成膜部位ＨＳ２が存在する基板２の表面（「基板表面」とも称する）を基準にすると、保護膜７を成膜する場合は、下部電極１５を成膜する場合に比べて、被成膜部位ＨＳ２の位置（図１０では、被成膜部位ＨＳ２の中心位置ＣＰ２）とターゲット３０ｂにおける至近部位ＴＰ２とを結ぶ直線ＣＬ２と、基板２とのなす角の大きさ（角度）β２が小さくなるように、設定する（ターゲット３０ｂと被成膜部位ＨＳ２とを配置する）とも表現することができる。 In place of the target surface FT2, the lower electrode 15 is formed when the protective film 7 is formed on the basis of the surface of the substrate 2 where the film formation site HS2 exists (also referred to as “substrate surface”). Compared to the case, the angle formed by the substrate 2 and the straight line CL2 connecting the position of the film formation site HS2 (in FIG. 10, the center position CP2 of the film formation site HS2) and the closest site TP2 of the target 30b is larger. It can also be expressed as setting (an arrangement of the target 30b and the deposition target site HS2) such that the angle (angle) β2 becomes small.

また、本実験の成膜条件は、ターゲット：ＡｌＮｄ合金、ターゲット表面と基板面との鉛直方向間の距離ＢＬ２＝２５０ｍｍ、スパッタ装置の消費電力ＤＰ＝１ｋＷ、チャンバー内の圧力ＰＲ＝０．５Ｐａである。また、本実験の実測値は、デジタルインスツルメンツ社製の走査型プローブ顕微鏡「NanoScope」を用いて、所定条件（Integral Gain：０．４１−０．４８、Proportional Gain：０．６７、Leak Ahead Gain：１．５２Ｖ、Drive Frequency：２１７．７９ｋＨｚ、Drive Amplitude：３３．７８ｍＶ、Measurement Area：２．５μｍ）下で測定されている。 The film forming conditions of this experiment are: target: AlNd alloy, distance BL2 = 250 mm between the target surface and the substrate surface in the vertical direction, power consumption DP = 1 kW of the sputtering apparatus, and pressure PR in the chamber = 0.5 Pa. is there. Moreover, the actual measurement value of this experiment was measured using a scanning probe microscope “NanoScope” manufactured by Digital Instruments, Inc. under predetermined conditions (Integral Gain: 0.41-0.48, Proportional Gain: 0.67, Leak Ahead Gain: 1.52 V, Drive Frequency: 217.79 kHz, Drive Amplitude: 33.78 mV, Measurement Area: 2.5 μm).

以上のように、本実施形態に係る有機ＥＬ素子を使用したＥＬ表示装置１では、外光散乱機能を有する保護膜７が、層間絶縁層８の開口部の縁に沿って、当該開口部の周囲を取り囲むように配置されることによって、発光領域２３の外縁部分において外光の正反射率が低下するので、コントラストを向上させることが可能となる。 As described above, in the EL display device 1 using the organic EL element according to the present embodiment, the protective film 7 having the external light scattering function is formed along the edge of the opening of the interlayer insulating layer 8. By arranging so as to surround the periphery, the regular reflectance of the external light is reduced at the outer edge portion of the light emitting region 23, so that the contrast can be improved.

＜変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記説明した内容のものに限定されるものではない。 <Modification>
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the contents described above.

例えば、上記実施形態では、第１電極５の表面に比べて、保護膜７の表面を粗く成膜していたがこれに限定されない。 For example, in the above embodiment, the surface of the protective film 7 is formed to be rougher than the surface of the first electrode 5, but the present invention is not limited to this.

具体的には、保護膜７として光透過性を有する材料を採用し、第１電極５の表面のうち発光領域２３に含まれる領域に比べて、発光領域２３以外の非発光領域に含まれる領域を粗く成膜してもよい。なお、このような第１電極５は、基板に対しターゲットを正対位置に配置してスパッタリングする方法（正面スパッタ）と、基板に対しターゲットを非正対位置に配置してスパッタリングする方法（斜めスパッタ）とを使い分けることで、形成することができる。例えば、平坦化膜４上に正面スパッタを用いて第１電極５を形成し、その後、発光領域２３に対応する第１電極５の直上をマスクで覆い、非発光領域に第１電極５を構成する材料を斜めスパッタで成膜することで、第１電極５の表面粗さを発光領域２３と非発光領域とで相異させることができる。 Specifically, a material having optical transparency is used as the protective film 7, and a region included in a non-light emitting region other than the light emitting region 23 than a region included in the light emitting region 23 on the surface of the first electrode 5. A rough film may be formed. In addition, such a 1st electrode 5 has the method of arrange | positioning and sputtering a target in a directly-facing position with respect to a board | substrate (front sputtering), and the method of arrange | positioning and sputtering a target in a non-facing position with respect to a board | substrate (oblique It can be formed by properly using (sputtering). For example, the first electrode 5 is formed on the planarizing film 4 using front sputtering, and then the first electrode 5 corresponding to the light emitting region 23 is covered with a mask, and the first electrode 5 is configured in the non-light emitting region. By forming the material to be formed by oblique sputtering, the surface roughness of the first electrode 5 can be made different between the light emitting region 23 and the non-light emitting region.

このように、第１電極５の表面を選択的に粗くすることよって、発光光を発光領域２３における比較的なめらかな表面において反射させる一方で、非発光領域に入射した外光を非発光領域における比較的粗い表面において散乱させることが可能になる。これによれば、発光光を有効に利用して輝度を向上させるとともに、コントラストを向上させることが可能となる。また、発光領域２３における比較的なめらかな表面においては、膜厚に影響を与えることなく有機層９を形成することが可能になるとともに、非発光領域における比較的粗い表面においては、外光を散乱させることが可能になる。 In this way, by selectively roughening the surface of the first electrode 5, the emitted light is reflected on a relatively smooth surface in the light emitting region 23, while the external light incident on the non-emitting region is reflected in the non-emitting region. It is possible to scatter on a relatively rough surface. According to this, it is possible to improve luminance by effectively using emitted light and improve contrast. In addition, the organic layer 9 can be formed on the relatively smooth surface in the light emitting region 23 without affecting the film thickness, and external light is scattered on the relatively rough surface in the non-light emitting region. It becomes possible to make it.

また、上記実施形態における保護膜７は、その表面を粗くすることによって、保護膜７の表面に入射する外光を反射散乱させて、正反射する外光を減退させる外光減退機能を有しているとも表現することができる。外光減退機能という観点からは、保護膜７は、反射機能を有しない別部材によって構成されていてもよい。例えば、保護膜７として光透過性を有する材料を採用した場合は、当該部材の表面を粗くすることによって、外光を当該表面において散乱させ、正反射する外光を減退させてもよい。 Further, the protective film 7 in the above embodiment has a function of reducing external light that causes the external light incident on the surface of the protective film 7 to be reflected and scattered by reducing the surface, thereby reducing the external light that is regularly reflected. Can also be expressed. From the viewpoint of the external light reduction function, the protective film 7 may be configured by another member that does not have a reflection function. For example, when a light-transmitting material is employed as the protective film 7, the surface of the member may be roughened to scatter external light on the surface and reduce externally reflected external light.

また、本実施形態に係る有機ＥＬ素子２０では、保護膜７の表面粗さ（Ｒａ）を大きくすることによって、アンカー効果により保護膜７と層間絶縁膜８との接着性（密着性）を高めることができる。これによれば、層間絶縁膜８の開口部において発生する層間絶縁膜８のエッジ（図６において実線で囲まれる領域Ｒ１〜Ｒ４）の保護膜７に対する浮きを防止し、点灯不良を回避することが可能となる。 Further, in the organic EL element 20 according to the present embodiment, by increasing the surface roughness (Ra) of the protective film 7, the adhesion (adhesion) between the protective film 7 and the interlayer insulating film 8 is enhanced by the anchor effect. be able to. According to this, floating of the edge of the interlayer insulating film 8 (regions R1 to R4 surrounded by a solid line in FIG. 6) generated in the opening of the interlayer insulating film 8 with respect to the protective film 7 is prevented, and lighting failure is avoided. Is possible.

点灯不良の具体例としては、以下のような態様が考えられる。図１２および図１３は、層間絶縁膜のエッジ部分において発生するエッジの浮きを示す図である。 As specific examples of the lighting failure, the following modes can be considered. 12 and 13 are diagrams showing edge floating that occurs at the edge portion of the interlayer insulating film.

具体的には、図１２に示されるように、発光領域２３における層間絶縁膜８のエッジＥＧ１において浮きが発生し、保護膜７と層間絶縁膜８とが剥離する場合が想定される。この場合、剥離した状態で第２電極１０の生成が行われると、第２電極１０と第１電極５とは電気的にショートし、有機ＥＬ素子２０は点灯不良となる。また、図１３に示されるように、コンタクト領域２４における層間絶縁膜８のエッジＥＧ３，ＥＧ４において浮きが発生し、保護膜７と層間絶縁膜８とが剥離した場合は、第２電極１０の段切れが発生し、有機ＥＬ素子２０は点灯不良となる。 Specifically, as shown in FIG. 12, it is assumed that floating occurs at the edge EG <b> 1 of the interlayer insulating film 8 in the light emitting region 23 and the protective film 7 and the interlayer insulating film 8 are separated. In this case, when the second electrode 10 is generated in the peeled state, the second electrode 10 and the first electrode 5 are electrically short-circuited, and the organic EL element 20 becomes defective in lighting. As shown in FIG. 13, when floating occurs at the edges EG 3 and EG 4 of the interlayer insulating film 8 in the contact region 24, and the protective film 7 and the interlayer insulating film 8 are separated, the step of the second electrode 10 is performed. Cutting occurs, and the organic EL element 20 becomes poorly lit.

本実施形態に係る有機ＥＬ素子２０は、表面粗さ（Ｒａ）の大きい保護膜７を有しているので、保護膜７と層間絶縁膜８との接着性を高めることができ、上記のような層間絶縁膜８のエッジの浮きを防止することが可能となる。 Since the organic EL element 20 according to the present embodiment has the protective film 7 having a large surface roughness (Ra), the adhesion between the protective film 7 and the interlayer insulating film 8 can be improved, as described above. It is possible to prevent floating of the edge of the interlayer insulating film 8.

本発明の実施形態に係るＥＬ表示装置の平面図である。1 is a plan view of an EL display device according to an embodiment of the present invention. 図１のＡ−Ａ断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 表面粗さの異なるＡｌＮｄ合金の正反射率を示す図である。It is a figure which shows the regular reflectance of the AlNd alloy from which surface roughness differs. 製造段階における有機ＥＬ素子の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the organic EL element in a manufacture stage. 製造段階における有機ＥＬ素子の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the organic EL element in a manufacture stage. 製造段階における有機ＥＬ素子の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the organic EL element in a manufacture stage. 製造段階における有機ＥＬ素子の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the organic EL element in a manufacture stage. 製造段階における有機ＥＬ素子の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the organic EL element in a manufacture stage. ターゲットと被成膜部位との相対位置を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the relative position of a target and a film-forming site | part. ターゲットと被成膜部位との相対位置を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the relative position of a target and a film-forming site | part. 被成膜部位とターゲットとの相対位置を変更して形成された各膜の表面粗さの実測値を示す図である。It is a figure which shows the measured value of the surface roughness of each film | membrane formed by changing the relative position of a film-forming site | part and a target. 層間絶縁膜のエッジ部分において発生するエッジの浮きを示す図である。It is a figure which shows the floating of the edge which generate | occur | produces in the edge part of an interlayer insulation film. 層間絶縁膜のエッジ部分において発生するエッジの浮きを示す図である。It is a figure which shows the floating of the edge which generate | occur | produces in the edge part of an interlayer insulation film.

符号の説明Explanation of symbols

１ＥＬ表示装置
２基板
３回路層
４平坦化膜
５第１電極
６導電層
７保護膜
８層間絶縁膜
９有機層
１０第２電極
１３封止基板
２１画素領域
２３発光領域
２４コンタクト領域 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 EL display apparatus 2 Board | substrate 3 Circuit layer 4 Planarization film | membrane 5 1st electrode 6 Conductive layer 7 Protective film 8 Interlayer insulation film 9 Organic layer 10 2nd electrode 13 Sealing substrate 21 Pixel area | region 23 Light emission area | region 24 Contact area | region

Claims

有機ＥＬ素子であって、
第１電極と、
前記第１電極と間を空けて形成された導電層と、
前記第１電極上に形成され、開口を有する絶縁層と、
前記絶縁層の開口を被覆して、前記第１電極上に形成される有機発光層と、
前記有機発光層上に形成された第２電極と、
前記第１電極と前記絶縁層との間に介在された、前記有機発光層のうちの前記第１電極と接している部分と同一平面上に配されている外光減退膜と、
前記第１電極の下方に設けられた薄膜トランジスタと、
を備え、
前記導電層は、前記第２電極から延在された前記第２電極の一部と接続され、前記外光減退膜によって被覆されており、
前記外光減退膜は、前記絶縁層と接する表面の算術平均粗さが、前記第１電極の上面の算術平均粗さよりも大きく、
前記薄膜トランジスタは、平面視して前記外光減退膜の直下に配置され、該外光減退膜により上方を覆われていることを特徴とする有機ＥＬ素子。 An organic EL element,
A first electrode;
A conductive layer formed spaced apart from the first electrode;
An insulating layer formed on the first electrode and having an opening;
An organic light emitting layer formed on the first electrode, covering the opening of the insulating layer;
A second electrode formed on the organic light emitting layer;
An external light-reducing film disposed between the first electrode and the insulating layer and disposed on the same plane as a portion of the organic light emitting layer that is in contact with the first electrode;
A thin film transistor provided below the first electrode;
With
The conductive layer is connected to a part of the second electrode extending from the second electrode, and is covered with the external light reducing film,
The external light decline film has an arithmetic average roughness of the surface in contact with the insulating layer, much larger than the arithmetic mean roughness of the top surface of the first electrode,
The organic EL element , wherein the thin film transistor is disposed immediately below the external light-reducing film in plan view and is covered with the external light-reducing film .

請求項１に記載の有機ＥＬ素子において、
前記外光減退膜は、前記開口の周囲を取り囲むように形成されていることを特徴とする有機ＥＬ素子。 The organic EL device according to claim 1,
The organic EL element, wherein the external light reducing film is formed so as to surround the periphery of the opening.

請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ素子において、
前記外光減退膜は、クロム、モリブデン又はタングステンからなることを特徴とする有機ＥＬ素子。 The organic EL device according to claim 1 or 2 ,
The organic EL element, wherein the external light reducing film is made of chromium, molybdenum, or tungsten.

請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の前記有機ＥＬ素子を備えるＥＬ表示装置。 An EL display device comprising the organic EL element according to any one of claims 1 to 3 .