JP5117472B2 - Organic EL device - Google Patents
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Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(EL)装置に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescence (EL) device.
近年、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラストの特徴を有し、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス(EL)素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。 In recent years, active development of display devices using organic electroluminescence (EL) elements that are self-luminous, have high-speed response, wide viewing angle, high contrast, and can be made thinner and lighter. It has been broken.
この有機EL素子は、正孔注入電極(陽極)から正孔を注入するとともに、電子注入電極(陰極)から電子を注入し、発光層で正孔と電子とを再結合させて発光を得るものである。フルカラー表示を得るためには、赤(R)、緑(G)、青(B)にそれぞれ発光する画素を構成する必要がある。赤、緑、青の各画素を構成する有機EL素子の発光層には、赤色、緑色、青色といったそれぞれ異なる発光スペクトルで発光する発光材料を塗り分ける必要がある。このような発光材料を塗り分ける方法として、真空蒸着法がある。このような真空蒸着法によって低分子系の有機EL材料を成膜する場合、各色の画素毎に開口した金属性のファインマスクを用いてそれぞれ独立にマスク蒸着する方法がある(例えば、特許文献1参照)。 This organic EL device injects holes from a hole injection electrode (anode), injects electrons from an electron injection electrode (cathode), and recombines holes and electrons in a light emitting layer to obtain light emission. It is. In order to obtain a full color display, it is necessary to configure pixels that emit light in red (R), green (G), and blue (B). The light emitting layer of the organic EL element that constitutes each pixel of red, green, and blue needs to be separately coated with light emitting materials that emit light having different emission spectra such as red, green, and blue. As a method of separately coating such a light emitting material, there is a vacuum deposition method. When a low molecular weight organic EL material is formed by such a vacuum deposition method, there is a method of performing mask deposition independently using a metallic fine mask opened for each color pixel (for example, Patent Document 1). reference).
本発明は、有機EL素子の水分による劣化を抑制することを可能とする有機EL装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an organic EL device capable of suppressing deterioration of an organic EL element due to moisture.
本実施形態によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の上方に配置され、前記第1スイッチング素子に到達する第1コンタクトホール及び前記第2スイッチング素子に到達する第2コンタクトホールが形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され、前記第1コンタクトホール内に延在し前記第1スイッチング素子に電気的に接続された第1コンタクト部を有する第1画素電極と、前記絶縁膜の上において前記第1画素電極から離間して配置され、前記第2コンタクトホール内に延在し前記第2スイッチング素子に電気的に接続された第2コンタクト部を有する第2画素電極と、前記第1コンタクト部及び前記第2コンタクト部をそれぞれ個別にカバーする島状に形成されるとともに絶縁材料によって形成されたカバー部材と、前記第1画素電極、前記第2画素電極、前記カバー部材、及び、前記第1画素電極と前記第2画素電極との間の前記絶縁膜の上にそれぞれ延在した連続膜であり、前記第1画素電極上と前記第2画素電極上とで発光色が異なる有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機EL装置が提供される。
According to this embodiment,
An insulating substrate, a first switching element and a second switching element disposed above the insulating substrate, respectively, disposed above the first switching element and the second switching element, and reach the first switching element. An insulating film in which a first contact hole and a second contact hole reaching the second switching element are formed, and the insulating film is disposed on the insulating film and extends into the first contact hole and extends to the first switching element. A first pixel electrode having a first contact portion electrically connected; and a first pixel electrode disposed on the insulating film and spaced apart from the first pixel electrode, extending into the second contact hole and extending to the second switching hole. A second pixel electrode having a second contact portion electrically connected to the element; and the first contact portion and the second contact A cover member which is formed of an insulating material with a are formed in the respective island-like covering individually, the first pixel electrode, the second pixel electrode, wherein the cover member, and wherein the first pixel electrode and the second a continuous film extending respectively on the insulating film between the pixel electrode, and the emission color different organic layer and on the first pixel electrode and on the second pixel electrode, on the organic layer There is provided an organic EL device comprising: a counter electrode disposed.
本実施形態によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の上方に配置され、前記第1スイッチング素子に到達する第1コンタクトホール及び前記第2スイッチング素子に到達する第2コンタクトホールが形成された第1層間絶縁膜と、
前記第1層間絶縁膜の上に配置され、前記第1層間絶縁膜、前記第1コンタクトホール及び前記第2コンタクトホールを露出する枠状の溝によって囲まれた側面を有する島状の第2層間絶縁膜と、前記島状の第2層間絶縁膜の上に各々配置され、前記第2層間絶縁膜の前記側面から前記第1コンタクトホール内に延在し前記第1スイッチング素子に電気的に接続された第1コンタクト部を有する第1画素電極、及び、前記第2層間絶縁膜の前記側面から前記第2コンタクトホール内に延在し前記第2スイッチング素子に電気的に接続された第2コンタクト部を有する第2画素電極と、前記第1コンタクト部及び前記第2コンタクト部をそれぞれ個別にカバーする島状に形成されるとともに絶縁材料によって形成されたカバー部材と、前記第1画素電極、前記第2画素電極、前記カバー部材、及び、前記第1画素電極と前記第2画素電極との間の前記溝にそれぞれ延在した連続膜であり、前記第1画素電極上と前記第2画素電極上とで発光色が異なる有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機EL装置が提供される。
According to this embodiment,
An insulating substrate, wherein the first switching element and second switching element which are respectively disposed above the insulating substrate is disposed above the first switching element and the second switching element, reaches the first switching element A first interlayer insulating film in which a first contact hole and a second contact hole reaching the second switching element are formed;
An island-shaped second interlayer disposed on the first interlayer insulating film and having a side surface surrounded by a frame-shaped groove exposing the first interlayer insulating film, the first contact hole, and the second contact hole an insulating film, are respectively disposed on the island-shaped second interlayer insulating film, electrically connected from the side surface of the second interlayer insulating film extending Mashimashi the first switching element in the first contact hole A first pixel electrode having a first contact portion , and a second contact extending from the side surface of the second interlayer insulating film into the second contact hole and electrically connected to the second switching element. a second pixel electrode having a part, and a cover member which is formed of an insulating material while being formed with the first contact portion and the second contact portions, each island covering individually, the first Pixel electrodes, the second pixel electrode, wherein the cover member, and wherein a continuous film extending respectively into the groove between the first pixel electrode and the second pixel electrode, the a on the first pixel electrode There is provided an organic EL device comprising: an organic layer having a different emission color on the second pixel electrode; and a counter electrode disposed on the organic layer.
本発明によれば、有機EL素子の水分による劣化を抑制することを可能とする有機EL装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the organic EL apparatus which makes it possible to suppress deterioration by the water | moisture content of an organic EL element can be provided.
以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。 Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In each figure, the same reference numerals are given to components that exhibit the same or similar functions, and duplicate descriptions are omitted.
本実施形態では、有機EL装置の一例として、アクティブマトリクス駆動方式を採用した有機EL表示装置について説明する。 In the present embodiment, an organic EL display device adopting an active matrix driving method will be described as an example of the organic EL device.
図1は、第1実施形態における有機EL表示装置のスイッチング素子SW及び第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3を含む表示パネル1の断面図である。なお、ここに示した第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3は、封止基板200の側から光を放射するトップエミッションタイプであるが、本実施形態においては、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3は、アレイ基板100の側から光を放射するボトムエミッションタイプであっても良い。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a
アレイ基板100は、ガラス基板やプラスチック基板などの光透過性を有する絶縁基板101を備えている。スイッチング素子SW、及び、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3は、絶縁基板101の上方において、画像を表示するアクティブエリア102にそれぞれ配置されている。
The
絶縁基板101の上には、第1絶縁膜111が配置されている。このような第1絶縁膜111は、アクティブエリア102の概ね全体に亘って延在している。この第1絶縁膜111は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物によって形成されている。
A first
第1絶縁膜111の上には、スイッチング素子SWの半導体層SCが配置されている。この半導体層SCは、例えばポリシリコンによって形成されている。この半導体層SCには、チャネル領域SCCを挟んでソース領域SCS及びドレイン領域SCDが形成されている。
On the first
半導体層SCは、第2絶縁膜112によって被覆されている。また、この第2絶縁膜112は、第1絶縁膜111の上にも配置されている。このような第2絶縁膜112は、アクティブエリア102の概ね全体に亘って延在している。この第2絶縁膜112は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物によって形成されている。
The semiconductor layer SC is covered with the second
第2絶縁膜112の上には、チャネル領域SCCの直上にスイッチング素子SWのゲート電極Gが配置されている。この例では、スイッチング素子SWは、トップゲート型のpチャネル薄膜トランジスタ(TFT)である。ゲート電極Gは、第3絶縁膜113によって被覆されている。また、この第3絶縁膜113は、第2絶縁膜112の上にも配置されている。このような第3絶縁膜113は、アクティブエリア102の概ね全体に亘って延在している。この第3絶縁膜113は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物によって形成されている。
On the second
第3絶縁膜113の上には、スイッチング素子SWのソース電極S及びドレイン電極Dが配置されている。ソース電極Sは、半導体層SCのソース領域SCSにコンタクトしている。ドレイン電極Dは、半導体層SCのドレイン領域SCDにコンタクトしている。スイッチング素子SWのゲート電極G、ソース電極S、及び、ドレイン電極Dは、例えば、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)などの導電材料を用いて形成されている。
On the third
これらのソース電極S及びドレイン電極Dは、第1層間絶縁膜114によって被覆されている。また、この第1層間絶縁膜114は、第3絶縁膜113の上にも配置されている。このような第1層間絶縁膜114は、アクティブエリア102の概ね全体に亘って延在している。この第1層間絶縁膜114は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物によって形成されている。このような第1層間絶縁膜114は、スイッチング素子SWの上方に配置されたパッシベーション膜として機能する。
These source electrode S and drain electrode D are covered with a first
第1層間絶縁膜114の上には、第2層間絶縁膜115が配置されている。このような第2層間絶縁膜115は、アクティブエリア102の概ね全体に亘って延在している。この第2層間絶縁膜115は、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機化合物によって形成されている。
A second
これらの第1層間絶縁膜114及び第2層間絶縁膜115は、スイッチング素子SWの上方に配置された絶縁膜に相当する。つまり、第1層間絶縁膜114及び第2層間絶縁膜115は、スイッチング素子SWと第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3との間に配置されている。また、これらの第1層間絶縁膜114及び第2層間絶縁膜115には、スイッチング素子SWに到達するコンタクトホールCHが形成されている。つまり、スイッチング素子SWのドレイン電極Dの一部は、コンタクトホールCHから露出している。
The first
第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3を構成する各々の画素電極PEは、第2層間絶縁膜115の上に配置されている。第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3の各々の画素電極PEは、コンタクトホールCH内に延在し、コンタクトホールCHから露出していたスイッチング素子SWのドレイン電極Dに電気的に接続されている。これらの画素電極PEは、例えば陽極に相当する。各画素電極PEは互いに離間しており、隣接する画素電極PEの間から第2層間絶縁膜115が露出している。
Each pixel electrode PE constituting the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 is disposed on the second
各画素電極PEのうち、スイッチング素子SWと接続される部分については、カバー部材CVによって覆われている。すなわち、カバー部材CVは、各画素電極PEに対応して個別に配置され、島状に形成されている。つまり、第1有機EL素子OLED1の画素電極PEをカバーするカバー部材CVと、第2有機EL素子OLED2の画素電極PEをカバーするカバー部材CVと、第3有機EL素子OLED3の画素電極PEをカバーするカバー部材CVとは、互いに離間しており、接していない。 Of each pixel electrode PE, a portion connected to the switching element SW is covered with a cover member CV. That is, the cover member CV is individually arranged corresponding to each pixel electrode PE, and is formed in an island shape. That is, the cover member CV that covers the pixel electrode PE of the first organic EL element OLED1, the cover member CV that covers the pixel electrode PE of the second organic EL element OLED2, and the pixel electrode PE of the third organic EL element OLED3 are covered. And the cover member CV to be separated from each other and are not in contact with each other.
なお、画素電極PEとスイッチング素子SWとの接続構造及びその周辺構造については後に詳述する。 The connection structure between the pixel electrode PE and the switching element SW and the peripheral structure will be described in detail later.
このような画素電極PEの構造については、特に制限はないが、ここに示した例では、画素電極PEは、反射層PER及び透過層PETが積層された2層構造である。反射層PERは、第2層間絶縁膜115の上に配置されている。透過層PETは、反射層PERの上に積層されている。反射層PERは、例えば、銀(Ag)、アルミニウム(Al)などの光反射性を有する導電材料によって形成されている。透過層PETは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド(ITO)、インジウム・ジンク・オキサイド(IZO)などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。
The structure of such a pixel electrode PE is not particularly limited, but in the example shown here, the pixel electrode PE has a two-layer structure in which a reflective layer PER and a transmissive layer PET are laminated. The reflective layer PER is disposed on the second
なお、画素電極PEは、反射層単層、あるいは、透過層単層であっても良いし、さらには、3層以上の積層構造であっても良い。第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3が封止基板200の側から光を放射するトップエミッションタイプの場合には、画素電極PEは少なくとも反射層PERを含んでいる。第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3が絶縁基板101の側から光を放射するボトムエミッションタイプの場合には、画素電極PEは、反射層PERを含んでいない。
Note that the pixel electrode PE may be a single reflective layer or a single transmissive layer, or may have a laminated structure of three or more layers. In the case of the top emission type in which the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 emit light from the sealing
第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3を構成する有機層ORGは、各画素電極PEの上に配置されている。この有機層ORGは、アクティブエリア102の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3に亘って延在している。つまり、有機層ORGは、各画素電極PE及び各カバー部材CVを被覆するとともに、画素電極PEの間から露出した第2層間絶縁膜115も被覆している。この有機層ORGは、少なくとも図示を省略した発光層を含んでいる。
The organic layer ORG constituting the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 is disposed on each pixel electrode PE. The organic layer ORG is a continuous film that extends over substantially the entire
なお、有機層ORGは、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などを含んでいても良い。また、有機層ORGを構成する発光層は、蛍光材料によって形成されていても良いし、燐光材料によって形成されていても良い。 The organic layer ORG may further include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, an electron transport layer, and the like. Further, the light emitting layer constituting the organic layer ORG may be formed of a fluorescent material or a phosphorescent material.
第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3を構成する対向電極CEは、有機層ORGの上に配置されている。この例では、対向電極CEは、陰極に相当する。この対向電極CEは、アクティブエリア102の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3に亘って延在し、有機層ORGを被覆している。
The counter electrodes CE constituting the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 are arranged on the organic layer ORG. In this example, the counter electrode CE corresponds to a cathode. The counter electrode CE is a continuous film extending over almost the entire
このような対向電極CEは、例えば半透過層によって形成されている。半透過層は、例えば、マグネシウム(Mg)・銀(Ag)などの導電材料によって形成されている。なお、対向電極CEは、半透過層及び透過層が積層された2層構造であっても良いし、透過層単層構造、または、半透過層単層構造であっても良い。透過層は、例えば、ITOやIZOなどの光透過性を有する導電材料によって形成可能である。第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3が絶縁基板101の側から光を放射する下面発光型の場合には、対向電極CEは少なくとも反射層あるいは半透過層を含んでいる。
Such a counter electrode CE is formed of, for example, a semi-transmissive layer. The semi-transmissive layer is made of, for example, a conductive material such as magnesium (Mg) / silver (Ag). The counter electrode CE may have a two-layer structure in which a semi-transmissive layer and a transmissive layer are stacked, a transmissive layer single-layer structure, or a semi-transmissive layer single-layer structure. The transmissive layer can be formed of a light-transmitting conductive material such as ITO or IZO. In the case where the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 are of the bottom emission type that emits light from the insulating
封止基板200は、アレイ基板100に形成された第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3の上方に配置されている。この封止基板200は、ガラス基板やプラスチック基板などの光透過性を有する絶縁基板である。
The sealing
図示した例では、アレイ基板100と封止基板200とが離間し、両者の間に空間が形成されているが、アレイ基板100と封止基板200との間には、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3を被覆する保護膜や樹脂層が配置されても良い。保護膜は、光透過性を有し且つ水分が浸透しにくい絶縁材料、例えば、シリコン窒化物やシリコン酸窒化物などの無機化合物によって形成され、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3を覆い、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3への水分の浸透を防止する水分バリア膜として機能する。樹脂層は、光透過性を有する熱硬化型樹脂あるいは紫外線硬化型樹脂などの有機化合物によって形成され、アレイ基板100と封止基板200との間に充填される充填層あるいはアレイ基板100と封止基板200とを接着する接着層として機能する。
In the illustrated example, the
本実施形態においては、発光層を含む有機層ORGが第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3に亘って延在した連続膜でありながら、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3の発光色は、互いに異なるように構成されている。ここに示した例では、第1有機EL素子OLED1の発光色は赤色であり、第2有機EL素子OLED2の発光色は緑色であり、第3有機EL素子OLED3の発光色は青色である。 In the present embodiment, the organic layer ORG including the light emitting layer is a continuous film extending over the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3, but the light emission of the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3. The colors are configured to be different from each other. In the example shown here, the emission color of the first organic EL element OLED1 is red, the emission color of the second organic EL element OLED2 is green, and the emission color of the third organic EL element OLED3 is blue.
ここでは、主波長が595nm乃至800nmの範囲を第1波長範囲と定義し、この第1波長範囲内にある色を赤色とする。また、主波長が490nmより長く且つ595nmよりも短い範囲を第2波長範囲と定義し、この第2波長範囲内にある色を緑色とする。さらに、主波長が400nm乃至490nmの範囲を第3波長範囲と定義し、この第3波長範囲内にある色を青色とする。 Here, the range where the dominant wavelength is 595 nm to 800 nm is defined as the first wavelength range, and the color within the first wavelength range is red. In addition, a range in which the dominant wavelength is longer than 490 nm and shorter than 595 nm is defined as a second wavelength range, and a color in the second wavelength range is green. Furthermore, a range where the dominant wavelength is 400 nm to 490 nm is defined as a third wavelength range, and a color within the third wavelength range is blue.
このような構成は、例えば、以下のような構成で実現可能である。すなわち、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3の有機層ORGは、例えば、発光色が赤色の第1ドーパント材料、発光色が緑色の第2ドーパント材料、及び、発光色が青色の第3ドーパント材料を含でいる。第1有機EL素子OLED1については、第1ドーパント材料が発光し、赤色を呈する。第2有機EL素子OLED2については、第1ドーパント材料が消光しており、第2ドーパント材料が発光し、緑色を呈する。第3有機EL素子OLED3については、第1ドーパント材料及び第2ドーパント材料が消光しており、第3ドーパント材料が発光し、青色を呈する。 Such a configuration can be realized by the following configuration, for example. That is, the organic layers ORG of the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 are, for example, a first dopant material whose emission color is red, a second dopant material whose emission color is green, and a third whose emission color is blue. Contains dopant material. About 1st organic EL element OLED1, a 1st dopant material light-emits and exhibits red. For the second organic EL element OLED2, the first dopant material is quenched, the second dopant material emits light, and exhibits a green color. Regarding the third organic EL element OLED3, the first dopant material and the second dopant material are quenched, and the third dopant material emits light and exhibits blue.
なお、有機層ORGの形態は、特に制限はなく、第1ドーパント材料を含む第1発光層、第2ドーパント材料を含む第2発光層、及び、第3ドーパント材料を含む第3発光層を積層した3層構造であっても良いし、第1発光層及び第2発光層を積層した2層構造であっても良いし、第1発光層のみからなる単層構造であっても良い。2層構造の場合、第1発光層は、第1ドーパント材料のみならず、第2ドーパント材料や第3ドーパント材料を含んでいても良いし、第2発光層は、第2ドーパント材料のみならず、第1ドーパント材料や第3ドーパント材料を含んでいても良い。単層構造の場合、第1発光層は、第1ドーパント材料、第2ドーパント材料、及び、第3ドーパント材料を含んでいても良い。 The form of the organic layer ORG is not particularly limited, and a first light emitting layer containing a first dopant material, a second light emitting layer containing a second dopant material, and a third light emitting layer containing a third dopant material are stacked. It may be a three-layer structure, a two-layer structure in which a first light-emitting layer and a second light-emitting layer are stacked, or a single-layer structure including only the first light-emitting layer. In the case of the two-layer structure, the first light emitting layer may contain not only the first dopant material but also the second dopant material and the third dopant material, and the second light emitting layer includes not only the second dopant material. The first dopant material or the third dopant material may be included. In the case of a single layer structure, the first light emitting layer may include a first dopant material, a second dopant material, and a third dopant material.
また、第1乃至第3ドーパント材料としては、光照射によって発光性能が変化する材料として、消光する材料を適用した場合について説明したが、消光に限らず、紫外線などの光照射によって発光色が変化するなどの発光性能が変化する材料が適用可能である。 In addition, as the first to third dopant materials, the case where a quenching material is applied as a material whose light emission performance is changed by light irradiation has been described. However, the emission color is not limited to quenching but is changed by light irradiation such as ultraviolet rays. For example, a material whose light-emitting performance changes can be applied.
例えば、光照射によって分子の立体構造が変化して発光色が変化するあるいは消光する材料が適用可能である。例えば、一方のドーパント材料が他方のドーパント材料の異性体である場合がこの例に相当する。異性体の一種として、シス体及びトランス体の例について簡単説明する。シス体とは、主骨格に対して2つの側鎖(あるいは原子団)が同じ側にある分子の立体構造を示し、トランス体とは、主骨格に対して2つの側鎖(あるいは原子団)が互いに反対側にある分子の立体構造を示している。このようなドーパント材料は、紫外光などの光照射により、シス体からトランス体に変化する、あるいは、トランス体からシス体に変化する材料から選択され、このような材料として、例えば、フォトクロミック材料が挙げられる。 For example, a material in which the three-dimensional structure of the molecule is changed by light irradiation and the emission color is changed or quenched can be applied. For example, the case where one dopant material is an isomer of the other dopant material corresponds to this example. Examples of cis isomers and trans isomers as types of isomers will be briefly described. The cis form refers to a three-dimensional structure of a molecule having two side chains (or atomic groups) on the same side with respect to the main skeleton, and the trans form refers to two side chains (or atomic groups) with respect to the main skeleton. Indicates the three-dimensional structure of molecules on opposite sides. Such a dopant material is selected from materials that change from a cis isomer to a trans isomer by light irradiation such as ultraviolet light, or change from a trans isomer to a cis isomer. As such a material, for example, a photochromic material is used. Can be mentioned.
また、他の異性体の例としては、光変換型タンパク質あるいは蛍光タンパク質などと称される材料も挙げられる。例えば、蛍光タンパク質の中には、紫外光の照射により、消光状態から活性化されて発光するようになる材料や、ある発光波長から別の発光波長に変換される材料などがあり、これらも本実施形態のドーパント材料として適用可能である。 Examples of other isomers include materials referred to as light-converted proteins or fluorescent proteins. For example, among fluorescent proteins, there are materials that are activated from a quenching state and emit light when irradiated with ultraviolet light, and materials that are converted from one emission wavelength to another emission wavelength. It can be applied as the dopant material of the embodiment.
また、光照射によって発光層に含まれるドーパント材料と添加剤あるいはホスト材料とが化学結合して発光色が変化するあるいは消光する材料も適用可能である。 In addition, a material in which the dopant material contained in the light emitting layer and the additive or the host material are chemically bonded to each other by light irradiation to change or quench the emission color is also applicable.
本実施形態における表示パネル1は、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3を区画するための隔壁を省略した構成を採用している。
The
図2は、図1に示した第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3の上面図である。なお、この図においては、有機層ORG及び対向電極CEについては第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3の共通層であるため図示を省略し、画素電極PE及びコンタクトホールCH周辺の構造を図示している。 FIG. 2 is a top view of the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 shown in FIG. In this figure, since the organic layer ORG and the counter electrode CE are common layers of the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3, illustration is omitted, and the structure around the pixel electrode PE and the contact hole CH is illustrated. Show.
第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3は、基本的には同一構造であり、X方向に並んでいる。第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3の各々の画素電極PEは、互いに離間して配置されている。第2層間絶縁膜115は、隣接する画素電極PEの間から露出している。各画素電極PEは、略長方形状の反射層PER及び透過層PETを有している。
The first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 have basically the same structure and are arranged in the X direction. The pixel electrodes PE of the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 are spaced apart from each other. The second
コンタクトホールCHは、図示しないスイッチング素子SWまで貫通している。このコンタクトホールCHは、略長方形状の画素電極PEの1つの角部付近に形成されている。コンタクトホールCH及びその周辺においては、反射層PERは欠落している。透過層PETは、反射層PERに重なるとともに、コンタクトホールCH及びその周辺に延在している。コンタクトホールCHの略全体は、透過層PETによって覆われている。この透過層PETは、図示しないスイッチング素子SWに接続されたコンタクト部PECを有している。 The contact hole CH penetrates to a switching element SW (not shown). The contact hole CH is formed in the vicinity of one corner of the substantially rectangular pixel electrode PE. The reflection layer PER is missing in the contact hole CH and its periphery. The transmissive layer PET overlaps the reflective layer PER and extends to the contact hole CH and its periphery. Nearly the entire contact hole CH is covered with the transmission layer PET. This transmission layer PET has a contact part PEC connected to a switching element SW (not shown).
カバー部材CVは、少なくとも画素電極PEのコンタクト部PECをカバーしている。図示した例では、カバー部材CVは、コンタクト部PECのみならず、コンタクトホールCHの直上に位置する透過層PET及びコンタクトホールCHの周辺に延在した透過層PETもカバーしており、画素電極PEの周辺で、第2層間絶縁膜115に重なっている。このカバー部材CVは、例えば、シリコン窒化物などの無機化合物からなる絶縁材料によって形成されている。
The cover member CV covers at least the contact part PEC of the pixel electrode PE. In the illustrated example, the cover member CV covers not only the contact portion PEC, but also the transmissive layer PET positioned immediately above the contact hole CH and the transmissive layer PET extending around the contact hole CH, and the pixel electrode PE The second
図3は、図2に示した第3有機EL素子OLED3をIII−III線で切断した構造を示す断面図である。なお、この図においては、説明に必要な主要部のみを図示している。 FIG. 3 is a cross-sectional view showing a structure in which the third organic EL element OLED3 shown in FIG. 2 is cut along line III-III. In this figure, only the main parts necessary for explanation are shown.
スイッチング素子のドレイン電極Dと画素電極PEとの間には、第1層間絶縁膜114及び第2層間絶縁膜115が積層されている。これらの第1層間絶縁膜114及び第2層間絶縁膜115には、ドレイン電極Dまで貫通したコンタクトホールCHが形成されている。
A first
第2層間絶縁膜115の上に配置された反射層PERは、コンタクトホールCHに到達していない。反射層PERの上に配置された透過層PETは、コンタクトホールCH内に延在し、第1層間絶縁膜114の側面114S及び第2層間絶縁膜115の側面115Sをそれぞれ覆うとともに、コンタクトホールCHから露出したドレイン電極Dにコンタクトしている。透過層PETのうち、ドレイン電極Dにコンタクトしている部分がコンタクト部PECに相当する。
The reflective layer PER disposed on the second
カバー部材CVは、透過層PETのうち、コンタクト部PECを覆っている。図示した例では、カバー部材CVは、透過層PETのコンタクトホールCH内に延在した部分の全体を覆っている。このようなカバー部材CVは、各画素電極PEのコンタクト部PECを個別に覆っている。 The cover member CV covers the contact part PEC in the transmissive layer PET. In the illustrated example, the cover member CV covers the entire portion of the transmission layer PET that extends into the contact hole CH. Such a cover member CV individually covers the contact portion PEC of each pixel electrode PE.
有機層ORGは、透過層PETの上及びカバー部材CVの上に配置されている。対向電極CEは、有機層ORGの上に配置されている。図示したように、コンタクトホールCHの近傍では、画素電極PEと対向電極CEとの間には、有機層ORGのみならず、カバー部材CVが介在している。 The organic layer ORG is disposed on the transmission layer PET and the cover member CV. The counter electrode CE is disposed on the organic layer ORG. As illustrated, in the vicinity of the contact hole CH, not only the organic layer ORG but also the cover member CV is interposed between the pixel electrode PE and the counter electrode CE.
このような第1実施形態によれば、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3を区画するための隔壁を省略したため、樹脂材料によって格子状に隔壁を形成した構成と比較して、水分の拡散を抑制することが可能となる。このため、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3の水分による劣化を抑制することができる。 According to the first embodiment, since the partition walls for partitioning the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 are omitted, the moisture content is reduced as compared with the configuration in which the partition walls are formed in a lattice shape with a resin material. It becomes possible to suppress diffusion. For this reason, it is possible to suppress deterioration of the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 due to moisture.
また、第1実施形態によれば、画素電極PEのうち、スイッチング素子SWと電気的に接続されるコンタクト部PECは、カバー部材CVによって覆われている。このため、コンタクトホールCHの段差の影響により、画素電極PEの上の有機層ORGが途切れたとしても、画素電極PEがカバー部材CVによって覆われているため、画素電極PEと対向電極CEとのショートを防止することができる。 According to the first embodiment, the contact part PEC electrically connected to the switching element SW in the pixel electrode PE is covered with the cover member CV. For this reason, even if the organic layer ORG on the pixel electrode PE is interrupted due to the effect of the level difference of the contact hole CH, the pixel electrode PE is covered with the cover member CV, so that the pixel electrode PE and the counter electrode CE Short circuit can be prevented.
さらに、第1実施形態によれば、画素電極PEの全体に有機層ORGが重なり、さらにこの有機層ORGの上に対向電極CEが配置されているため、画素電極PEの略全体が発光に寄与する領域となる。このため、画素電極PEの周縁の一部に重なるように配置され有機EL素子を区画する隔壁を形成した構成と比較して、発光に寄与する領域の面積(あるいは開口率)を向上することができる。 Furthermore, according to the first embodiment, since the organic layer ORG overlaps the entire pixel electrode PE, and the counter electrode CE is disposed on the organic layer ORG, substantially the entire pixel electrode PE contributes to light emission. It becomes an area to do. For this reason, the area (or aperture ratio) of the region contributing to light emission can be improved as compared with the configuration in which the partition wall is formed so as to overlap a part of the periphery of the pixel electrode PE and partition the organic EL element. it can.
また、第1実施形態によれば、有機層ORGが第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3に亘って延在した連続膜でありながら、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3の発光色は、互いに異なるように構成されている。このような構成によれば、発光層を塗り分けるための金属性のファインマスクが不要であり、このようなファインマスクを支持するための受けとしての隔壁、あるいは、発光層を塗り分ける際の混色を防止するための隔壁が不要となる。 Further, according to the first embodiment, the organic layer ORG is a continuous film extending over the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3, and the light emission of the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3. The colors are configured to be different from each other. According to such a configuration, a metallic fine mask for separately coating the light emitting layer is unnecessary, and the partition as a receiver for supporting such a fine mask, or a color mixture when separately coating the light emitting layer A partition wall for preventing this is not necessary.
さらに、第1実施形態によれば、カバー部材CVは、無機化合物の絶縁材料によって形成されているため、有機化合物によって形成された第2層間絶縁膜115と接していたとしても、カバー部材CVを介した水分拡散のパスが形成されない。このため、カバー部材CVは、必ずしも画素電極PEの上に留まっている必要はなく、十分に広いマージンで形成することが可能である。しかも、カバー部材CVと第2層間絶縁膜115との接触面積を拡大することにより、第2層間絶縁膜115と有機層ORGとの接触面積を低減することが可能であり、第2層間絶縁膜115を介した有機層ORGへの水分拡散のパスを低減することが可能である。このため、カバー部材CVは、隣接する画素電極PEの間で、露出した第2層間絶縁膜115の表面の略全体を覆っていても良い。
Furthermore, according to the first embodiment, since the cover member CV is formed of an insulating material of an inorganic compound, even if the cover member CV is in contact with the second
なお、第1実施形態においては、スイッチング素子SWと画素電極PEとの間に配置される絶縁膜のうち、第1層間絶縁膜114は省略しても良い。この場合、第2層間絶縁膜115がスイッチング素子SWと画素電極PEとの間に配置された絶縁膜に相当する。
In the first embodiment, the first
次に、第2実施形態について説明する。 Next, a second embodiment will be described.
図4は、第2実施形態における有機EL表示装置のスイッチング素子SW及び第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3を含む表示パネル1の断面図である。図4に示した例は、図1に示した例と比較して、カバー部材CVが画素電極PEよりも上方に向かって突出したドーム型である点で相違している。なお、図1に示した例と同一構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。
FIG. 4 is a cross-sectional view of the
アレイ基板100の絶縁基板101と第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3との間には、第1絶縁膜111、第2絶縁膜112、第3絶縁膜113、第1層間絶縁膜114、第2層間絶縁膜115、スイッチング素子SWなどが配置されている。これらの第1層間絶縁膜114及び第2層間絶縁膜115には、スイッチング素子SWのドレイン電極Dに到達するコンタクトホールCHが形成されている。
Between the insulating
第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3を構成する各々の画素電極PEは、第2層間絶縁膜115の上に配置されている。第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3の各々の画素電極PEは、コンタクトホールCH内に延在し、コンタクトホールCHから露出していたスイッチング素子SWのドレイン電極Dに電気的に接続されている。
Each pixel electrode PE constituting the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 is disposed on the second
各画素電極PEのうち、スイッチング素子SWと接続される部分については、カバー部材CVによって覆われている。すなわち、カバー部材CVは、各画素電極PEに対応して個別に配置され、島状に形成されている。このカバー部材CVは、画素電極PEの上に配置され、画素電極PEの周辺に露出した第2層間絶縁膜115には接していない。このようなカバー部材CVは、コンタクトホールCHによって形成された凹所に充填されるとともに、画素電極PEよりも上方つまり封止基板200の側に向かって突出したドーム型である。
Of each pixel electrode PE, a portion connected to the switching element SW is covered with a cover member CV. That is, the cover member CV is individually arranged corresponding to each pixel electrode PE, and is formed in an island shape. The cover member CV is disposed on the pixel electrode PE and is not in contact with the second
第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3を構成する有機層ORGは、各画素電極PEの上に配置されている。この有機層ORGは、アクティブエリア102の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3に亘って延在している。つまり、有機層ORGは、各画素電極PE及び各カバー部材CVを被覆するとともに、画素電極PEの間から露出した第2層間絶縁膜115も被覆している。
The organic layer ORG constituting the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 is disposed on each pixel electrode PE. The organic layer ORG is a continuous film that extends over substantially the entire
第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3を構成する対向電極CEは、有機層ORGの上に配置されている。この対向電極CEは、アクティブエリア102の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3に亘って延在し、有機層ORGを被覆している。
The counter electrodes CE constituting the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 are arranged on the organic layer ORG. The counter electrode CE is a continuous film extending over almost the entire
図5は、図4に示した第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3の上面図である。なお、この図においては、有機層ORG及び対向電極CEについては第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3の共通層であるため図示を省略し、画素電極PE及びコンタクトホールCH周辺の構造を図示している。 FIG. 5 is a top view of the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 shown in FIG. In this figure, since the organic layer ORG and the counter electrode CE are common layers of the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3, illustration is omitted, and the structure around the pixel electrode PE and the contact hole CH is illustrated. Show.
第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3は、基本的には同一構造であり、X方向に並んでいる。第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3の各々の画素電極PEは、互いに離間して配置されている。第2層間絶縁膜115は、隣接する画素電極PEの間から露出している。各画素電極PEは、略長方形状の反射層PER及び透過層PETを有している。
The first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 have basically the same structure and are arranged in the X direction. The pixel electrodes PE of the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 are spaced apart from each other. The second
コンタクトホールCHは、図示しないスイッチング素子SWまで貫通している。このコンタクトホールCHは、略長方形状の画素電極PEの1つの角部よりも内側に形成されている。反射層PERは、コンタクトホールCH及びその周辺において欠落しており、略円形の開口PEHを有している。透過層PETは、反射層PER及び開口PEHに重なるとともに、コンタクトホールCH及びその周辺に延在している。コンタクトホールCHの略全体は、透過層PETによって覆われている。この透過層PETは、図示しないスイッチング素子SWに接続されたコンタクト部PECを有している。 The contact hole CH penetrates to a switching element SW (not shown). The contact hole CH is formed inside one corner of the substantially rectangular pixel electrode PE. The reflective layer PER is missing in the contact hole CH and its periphery, and has a substantially circular opening PEH. The transmissive layer PET overlaps the reflective layer PER and the opening PEH, and extends to the contact hole CH and its periphery. Nearly the entire contact hole CH is covered with the transmission layer PET. This transmission layer PET has a contact part PEC connected to a switching element SW (not shown).
カバー部材CVは、少なくとも画素電極PEのコンタクト部PECをカバーしている。図示した例では、カバー部材CVは、コンタクト部PECのみならず、コンタクトホールCHの直上に位置する透過層PET及びコンタクトホールCHの周辺に延在した透過層PETもカバーしているが、透過層PETのエッジよりも内側に配置され、透過層PETのエッジよりも外側の第2層間絶縁膜115には接していない。このようなカバー部材CVは、例えば、各種樹脂材料などの有機化合物からなる絶縁材料によって形成され、その製法としては、例えばフォトリソグラフィプロセスやインクジェット方式などの各種手法を適用可能である。
The cover member CV covers at least the contact part PEC of the pixel electrode PE. In the illustrated example, the cover member CV covers not only the contact portion PEC but also the transmissive layer PET positioned immediately above the contact hole CH and the transmissive layer PET extending around the contact hole CH. It is disposed inside the edge of the PET and does not contact the second
図6は、図5に示した第3有機EL素子OLED3をVI−VI線で切断した構造を示す断面図である。なお、この図においては、説明に必要な主要部のみを図示している。 FIG. 6 is a cross-sectional view showing a structure in which the third organic EL element OLED3 shown in FIG. 5 is cut along a VI-VI line. In this figure, only the main parts necessary for explanation are shown.
スイッチング素子のドレイン電極Dと画素電極PEとの間には、第1層間絶縁膜114及び第2層間絶縁膜115が積層されている。これらの第1層間絶縁膜114及び第2層間絶縁膜115には、ドレイン電極Dまで貫通したコンタクトホールCHが形成されている。
A first
第2層間絶縁膜115の上に配置された反射層PERは、コンタクトホールCHに到達していない。このコンタクトホールCHの直上には、反射層PERに形成された開口PEHが位置している。反射層PERの上に配置された透過層PETは、コンタクトホールCH内に延在し、第1層間絶縁膜114の側面114S及び第2層間絶縁膜115の側面115Sをそれぞれ覆うとともに、コンタクトホールCHから露出したドレイン電極Dにコンタクトしている。透過層PETのうち、ドレイン電極Dにコンタクトしている部分がコンタクト部PECに相当する。
The reflective layer PER disposed on the second
カバー部材CVは、透過層PETのうち、コンタクト部PECの上に充填されている。つまり、コンタクトホールCHによって形成された凹所は、カバー部材CVにより埋められている。また、このカバー部材CVは、コンタクトホールCHによって形成された凹所から溢れ、画素電極PEよりも上方に向かって突出している。カバー部材CVの表面CVSは、画素電極PEに接している近傍で略垂直に立ち上がり、滑らかに湾曲し、ドーム型をなしている。 The cover member CV is filled on the contact part PEC in the transmissive layer PET. That is, the recess formed by the contact hole CH is filled with the cover member CV. The cover member CV overflows from the recess formed by the contact hole CH and protrudes upward from the pixel electrode PE. The surface CVS of the cover member CV rises substantially vertically in the vicinity in contact with the pixel electrode PE, smoothly curves, and forms a dome shape.
有機層ORGは、透過層PETの上及びカバー部材CVの表面CVS上に配置されている。対向電極CEは、有機層ORGの上に配置されている。図示したように、コンタクトホールCHの近傍では、画素電極PEと対向電極CEとの間には、有機層ORGのみならず、カバー部材CVが介在している。 The organic layer ORG is disposed on the transmissive layer PET and on the surface CVS of the cover member CV. The counter electrode CE is disposed on the organic layer ORG. As illustrated, in the vicinity of the contact hole CH, not only the organic layer ORG but also the cover member CV is interposed between the pixel electrode PE and the counter electrode CE.
このような第2実施形態においても、第1実施形態と同様の効果が得られる。 In the second embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
加えて、この第2実施形態によれば、カバー部材CVは、有機化合物の絶縁材料によって形成されているが、有機化合物によって形成された第2層間絶縁膜115と接していないため、カバー部材CVを介した水分拡散のパスが形成されない。また、カバー部材CVの表面CVSが滑らかに湾曲したドーム型であるため、カバー部材CVの上に形成された有機層ORGのカバー部材CVへの密着性が向上し、有機層ORGの剥がれや、下地の凹凸の影響による有機層ORGの途切れなどを防止することが可能となる。
In addition, according to the second embodiment, the cover member CV is formed of an insulating material of an organic compound, but is not in contact with the second
なお、この第2実施形態においても、スイッチング素子SWと画素電極PEとの間に配置される絶縁膜のうち、第1層間絶縁膜114は省略しても良い。この場合、第2層間絶縁膜115がスイッチング素子SWと画素電極PEとの間に配置された絶縁膜に相当する。
Also in the second embodiment, the first
次に、第2実施形態の変形例について説明する。 Next, a modification of the second embodiment will be described.
図7は、第3有機EL素子OLED3の断面図である。この図7に示した例では、図6に示した例と比較して、カバー部材CVが第2層間絶縁膜115に接している点で相違している。なお、このような構成の上面図は、図2と同様であるので省略する。
FIG. 7 is a cross-sectional view of the third organic EL element OLED3. The example shown in FIG. 7 is different from the example shown in FIG. 6 in that the cover member CV is in contact with the second
すなわち、カバー部材CVは、透過層PETのうち、コンタクト部PECの上に充填され、コンタクトホールCHによって形成された凹所を埋めている。このようなカバー部材CVは、凹所から溢れ、画素電極PEよりも上方に向かって突出している。このカバー部材CVは、画素電極PEの外側で露出している第2層間絶縁膜115に接している。カバー部材CVの表面CVSは、画素電極PE及び第2層間絶縁膜115に接している近傍で略垂直に立ち上がり、滑らかに湾曲し、ドーム型をなしている。
That is, the cover member CV is filled on the contact part PEC in the transmissive layer PET and fills the recess formed by the contact hole CH. Such a cover member CV overflows from the recess and protrudes upward from the pixel electrode PE. The cover member CV is in contact with the second
このようなカバー部材CVは、例えば、各種樹脂材料などの有機化合物からなる絶縁材料によって形成され、その製法としては、例えばフォトリソグラフィプロセスやインクジェット方式などの各種手法を適用可能である。 Such a cover member CV is formed of, for example, an insulating material made of an organic compound such as various resin materials, and various methods such as a photolithography process and an ink jet method can be applied as a manufacturing method thereof.
このような変形例においても、上述した第2実施形態と同様の効果が得られる。なお、カバー部材CVが有機化合物の絶縁材料によって形成されているため、有機化合物によって形成された第2層間絶縁膜115と接している箇所で水分拡散のパスが形成されるおそれがあるが、カバー部材CVと第2層間絶縁膜115との接している面積は、極僅かであり、有機EL素子OLEDの劣化をもたらすほどの影響はない。
Also in such a modification, the same effect as the second embodiment described above can be obtained. Since the cover member CV is formed of an insulating material of an organic compound, there is a possibility that a moisture diffusion path may be formed at a location in contact with the second
なお、この第2実施形態の変形例においても、スイッチング素子SWと画素電極PEとの間に配置される絶縁膜のうち、第1層間絶縁膜114は省略しても良い。この場合、第2層間絶縁膜115がスイッチング素子SWと画素電極PEとの間に配置された絶縁膜に相当する。
Also in the modification of the second embodiment, the first
なお、この第2実施形態において、カバー部材CVは、ドーム型に限らず、テーパー状であっても良いし、コンタクトホールCHによって形成された凹所をカバーするすり鉢状であっても良い。 In the second embodiment, the cover member CV is not limited to a dome shape, and may be a tapered shape or a mortar shape that covers a recess formed by the contact hole CH.
次に、第3実施形態について説明する。 Next, a third embodiment will be described.
図8は、第3実施形態における有機EL表示装置のスイッチング素子SW及び第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3を含む表示パネル1の断面図である。図8に示した例は、図1に示した例と比較して、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3のそれぞれの下地となる第2層間絶縁膜115が島状に形成されている点で相違している。なお、図1に示した例と同一構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。
FIG. 8 is a cross-sectional view of the
アレイ基板100の絶縁基板101と第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3との間には、第1絶縁膜111、第2絶縁膜112、第3絶縁膜113、第1層間絶縁膜114、第2層間絶縁膜115、スイッチング素子SWなどが配置されている。第1層間絶縁膜114には、スイッチング素子SWのドレイン電極Dに到達するコンタクトホールCHが形成されている。
Between the insulating
第2層間絶縁膜115は、第1層間絶縁膜114の上に配置されている。この第2層間絶縁膜115には、第1層間絶縁膜114及びコンタクトホールCHを露出する溝GRが形成されている。この溝GRは、図中のY方向に延出しており、しかも、この図では示されていないが、X方向にも延出し、格子状に形成されている。このため、第2層間絶縁膜115の側面115Sは、詳細な図示を省略するが、Y方向のみならずX方向にも延出している。
The second
第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3を構成する各々の画素電極PEは、島状の第2層間絶縁膜115の各々の上に配置されている。つまり、第1有機EL素子OLED1の画素電極PEが配置された第2層間絶縁膜115と、第2有機EL素子OLED2の画素電極PEが配置された第2層間絶縁膜115と、第3有機EL素子OLED3の画素電極PEが配置された第2層間絶縁膜115とは、溝GRを挟んで離間しており、互いに分離されている。
Each of the pixel electrodes PE constituting the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 is disposed on each of the island-like second
第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3の各々の画素電極PEは、溝GRに向かって延在し、第2層間絶縁膜115の側面115Sを経由して第1層間絶縁膜114に形成されたコンタクトホールCH内に延在し、コンタクトホールCHから露出していたスイッチング素子SWのドレイン電極Dに電気的に接続されている。
Each pixel electrode PE of the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 extends toward the trench GR, and is formed on the first
各画素電極PEのうち、スイッチング素子SWと接続される部分については、カバー部材CVによって覆われている。すなわち、カバー部材CVは、各画素電極PEに対応して個別に配置され、島状に形成されている。このカバー部材CVは、画素電極PEの上に配置されている。図示した例では、カバー部材CVは、溝GRにより露出した第1層間絶縁膜114には接しているが、第1層間絶縁膜114が無機化合物によって形成されたパッシベーション膜である場合には、カバー部材CVは第1層間絶縁膜114に接していても水分拡散のパスを形成することはない。なお、カバー部材CVは、第1層間絶縁膜114に接していなくても良い。
Of each pixel electrode PE, a portion connected to the switching element SW is covered with a cover member CV. That is, the cover member CV is individually arranged corresponding to each pixel electrode PE, and is formed in an island shape. The cover member CV is disposed on the pixel electrode PE. In the illustrated example, the cover member CV is in contact with the first
このようなカバー部材CVは、第1実施形態と同様に無機化合物からなる絶縁材料によって形成されても良いし、第2実施形態と同様に有機化合物からなる絶縁材料によって形成されても良い。 Such a cover member CV may be formed of an insulating material made of an inorganic compound as in the first embodiment, or may be formed of an insulating material made of an organic compound as in the second embodiment.
第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3を構成する有機層ORGは、各画素電極PEの上に配置されている。この有機層ORGは、アクティブエリア102の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3に亘って延在している。つまり、有機層ORGは、各画素電極PE及び各カバー部材CVを被覆するとともに、溝GRにも延在し、画素電極PEの間から露出した第1層間絶縁膜114も被覆している。
The organic layer ORG constituting the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 is disposed on each pixel electrode PE. The organic layer ORG is a continuous film that extends over substantially the entire
第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3を構成する対向電極CEは、有機層ORGの上に配置されている。この対向電極CEは、アクティブエリア102の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3に亘って延在し、有機層ORGを被覆している。
The counter electrodes CE constituting the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 are arranged on the organic layer ORG. The counter electrode CE is a continuous film extending over almost the entire
図9は、図8に示した第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3の上面図である。なお、この図においては、有機層ORG及び対向電極CEについては第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3の共通層であるため図示を省略し、画素電極PE及びコンタクトホールCH周辺の構造を図示している。 FIG. 9 is a top view of the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 shown in FIG. In this figure, since the organic layer ORG and the counter electrode CE are common layers of the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3, illustration is omitted, and the structure around the pixel electrode PE and the contact hole CH is illustrated. Show.
第1層間絶縁膜114には、図示しないスイッチング素子SWまで貫通したコンタクトホールCHが形成されている。このような第1層間絶縁膜114の上には、島状の第2層間絶縁膜115が配置されている。第2層間絶縁膜115の各々は、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3の下地となる。
In the first
すなわち、第2層間絶縁膜115には、第1層間絶縁膜114及びコンタクトホールCHを露出する溝GRが形成されている。溝GRは、X方向及びY方向に延出し、格子状に形成されている。第2有機EL素子OLED2の下地となる第2層間絶縁膜115に着目すると、四方に延出した枠状の溝GRによって囲まれている。このような第2層間絶縁膜115は、溝GRによって囲まれた四方に側面115Sを有している。このような側面115Sは、X方向及びY方向にそれぞれ延在している。
That is, the second
このような島状の第2層間絶縁膜115は、第1層間絶縁膜114の上において、X方向及びY方向にマトリクス状に配置されている。隣接する第2層間絶縁膜115の間からは、第1層間絶縁膜114及びコンタクトホールCHが露出している。
The island-shaped second
第2層間絶縁膜115の上に配置された第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3は、基本的には同一構造であり、X方向に並んでいる。第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3の各々の画素電極PEは、島状の第2層間絶縁膜115の上に個別に配置され、互いに離間している。
The first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 disposed on the second
各画素電極PEは、略長方形状の反射層PER及び透過層PETを有している。反射層PERは、第2層間絶縁膜115の上に配置され、側面115Sには延在していない。透過層PETは、反射層PERに重なるとともに、その一部が側面115Sを経由してコンタクトホールCH及びその周辺に延在している。コンタクトホールCHの略全体は、透過層PETによって覆われている。この透過層PETは、図示しないスイッチング素子SWに接続されたコンタクト部PECを有している。
Each pixel electrode PE includes a substantially rectangular reflective layer PER and transmissive layer PET. The reflective layer PER is disposed on the second
カバー部材CVは、少なくとも画素電極PEのコンタクト部PECをカバーしている。図示した例では、カバー部材CVは、コンタクト部PECのみならず、コンタクトホールCHの直上に位置する透過層PET及びコンタクトホールCHの周辺に延在した透過層PETもカバーしており、さらに、透過層PETよりも外側の第1層間絶縁膜114に接している。
The cover member CV covers at least the contact part PEC of the pixel electrode PE. In the illustrated example, the cover member CV covers not only the contact portion PEC but also the transmission layer PET located immediately above the contact hole CH and the transmission layer PET extending around the contact hole CH. The first
このような第3実施形態においても、第1実施形態と同様の効果が得られる。 In the third embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
加えて、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3の各々の下地となる第2層間絶縁膜115は、溝GRによって分離されている。溝GRは、第2層間絶縁膜115の下地である第1層間絶縁膜114まで貫通している。第1層間絶縁膜114は、無機化合物の絶縁材料によって形成されている。このため、第2層間絶縁膜115を介した水分拡散のパスが形成されないため、第1実施形態及び第2実施形態よりもさらに水分の拡散を抑制することが可能となる。これにより、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3の水分による劣化を抑制することができる。
In addition, the second
次に、この第3実施形態の変形例について説明する。 Next, a modification of the third embodiment will be described.
図8に示した例では、画素電極PEを構成する反射層PERは第2層間絶縁膜115の上にのみ配置され、透過層PETは反射層PERの上に配置されるとともに透過層PETの一部が側面115Sを経由してコンタクトホールCHまで延在していたが、以下に説明する変形例では、画素電極PEは、第2層間絶縁膜115の側面115Sをカバーし、溝GRにおいて第1層間絶縁膜114に接している。なお、図1に示した例と同一構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。
In the example shown in FIG. 8, the reflective layer PER constituting the pixel electrode PE is disposed only on the second
図10は、第3実施形態の第1変形例における有機EL表示装置のスイッチング素子SW及び第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3を含む表示パネル1の断面図である。図10に示した例は、図8に示した例と比較して、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3のそれぞれの下地となる第2層間絶縁膜115が画素電極PEを構成する反射層PERによって被覆されている点で相違している。
FIG. 10 is a cross-sectional view of the
すなわち、画素電極PEを構成する反射層PERは、第2層間絶縁膜115の上に配置されるとともに側面115Sも覆っている。図示した例では、第2層間絶縁膜115の側面115Sのうち、Y方向に延出した側面115Sのみが反射層PERによって覆われているが、図示しないX方向に延出した側面115Sについても反射層PERによって覆われている。側面115Sを覆った反射層PERは、溝GRから露出した第1層間絶縁膜114に接している。
That is, the reflective layer PER constituting the pixel electrode PE is disposed on the second
画素電極PEを構成する透過層PETは、第2層間絶縁膜115の直上に位置する反射層PERの上に配置され、その一部のみがコンタクトホールCHまで延在し、スイッチング素子SWのドレイン電極Dに電気的に接続されている。
The transmissive layer PET constituting the pixel electrode PE is disposed on the reflective layer PER located immediately above the second
有機層ORGは、透過層PET及びカバー部材CVの上に配置されるとともに、溝GRから露出した第1層間絶縁膜114の上にも配置されている。この有機層ORGは、第2層間絶縁膜115の側面115Sには接していない。すなわち、有機層ORGと側面115Sとの間には、反射層PERが介在している。対向電極CEは、有機層ORGの上に配置されている。
The organic layer ORG is disposed on the transmissive layer PET and the cover member CV, and is also disposed on the first
図11は、第3実施形態の第2変形例における有機EL表示装置のスイッチング素子SW及び第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3を含む表示パネル1の断面図である。図11に示した例は、図8に示した例と比較して、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3のそれぞれの下地となる第2層間絶縁膜115が画素電極PEを構成する透過層PETによって被覆されている点で相違している。
FIG. 11 is a cross-sectional view of the
すなわち、画素電極PEを構成する反射層PERは、第2層間絶縁膜115の上に配置されている。画素電極PEを構成する透過層PETは、第2層間絶縁膜115の直上に位置する反射層PERの上に配置されるとともに第2層間絶縁膜115の側面115Sも覆っている。図示した例では、第2層間絶縁膜115の側面115Sのうち、Y方向に延出した側面115Sのみが透過層PETによって覆われているが、図示しないX方向に延出した側面115Sについても透過層PETによって覆われている。側面115Sを覆った透過層PETは、溝GRから露出した第1層間絶縁膜114に接している。この透過層PETは、さらにその一部がコンタクトホールCHまで延在し、スイッチング素子SWのドレイン電極Dに電気的に接続されている。
That is, the reflective layer PER constituting the pixel electrode PE is disposed on the second
有機層ORGは、透過層PET及びカバー部材CVの上に配置されるとともに、溝GRから露出した第1層間絶縁膜114の上にも配置されている。この有機層ORGと側面115Sとの間には透過層PETが介在し、有機層ORGが第2層間絶縁膜115の側面115Sに接することはない。対向電極CEは、有機層ORGの上に配置されている。
The organic layer ORG is disposed on the transmissive layer PET and the cover member CV, and is also disposed on the first
図12は、第3実施形態の第3変形例における有機EL表示装置のスイッチング素子SW及び第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3を含む表示パネル1の断面図である。図12に示した例は、図8に示した例と比較して、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3のそれぞれの下地となる第2層間絶縁膜115が画素電極PEを構成する反射層PERによって被覆されるとともにこの反射層PERがさらに透過層PETによって被覆されている点で相違している。
FIG. 12 is a cross-sectional view of the
すなわち、画素電極PEを構成する反射層PERは、第2層間絶縁膜115の上に配置されるとともに側面115Sも覆っている。図示した例では、第2層間絶縁膜115の側面115Sのうち、Y方向に延出した側面115Sのみが反射層PERによって覆われているが、図示しないX方向に延出した側面115Sについても反射層PERによって覆われている。側面115Sを覆った反射層PERは、溝GRから露出した第1層間絶縁膜114に接している。
That is, the reflective layer PER constituting the pixel electrode PE is disposed on the second
画素電極PEを構成する透過層PETは、第2層間絶縁膜115の直上に位置する反射層PERの上に配置されるとともに側面115Sを覆っている反射層PERもカバーし、その一部がコンタクトホールCHまで延在して、スイッチング素子SWのドレイン電極Dに電気的に接続されている。
The transmissive layer PET constituting the pixel electrode PE covers the reflective layer PER that is disposed on the reflective layer PER located immediately above the second
有機層ORGは、透過層PET及びカバー部材CVの上に配置されるとともに、溝GRから露出した第1層間絶縁膜114の上にも配置されている。この有機層ORGと側面115Sとの間には、反射層PER及び透過層PETが介在しており、有機層ORGが第2層間絶縁膜115の側面115Sに接することはない。対向電極CEは、有機層ORGの上に配置されている。
The organic layer ORG is disposed on the transmissive layer PET and the cover member CV, and is also disposed on the first
このような第1乃至第3変形例においても、上述した第3実施形態と同様の効果が得られる。 Also in the first to third modified examples, the same effects as those of the third embodiment described above can be obtained.
さらに、これらの第1乃至第3変形例によれば、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3の各々の下地となる第2層間絶縁膜115は、その側面115Sが画素電極PEを構成する反射層PER及び透過層PETの少なくとも一方によって覆われている。このため、第2層間絶縁膜115と有機層ORGとが接することはない。これにより、第2層間絶縁膜115への水分の拡散、あるいは、第2層間絶縁膜115から有機層ORGへの水分の拡散を抑制することができる。
Further, according to these first to third modifications, the
次に、本実施形態における有機EL表示装置について、有機EL素子OLEDの水分による耐久性を比較する実験を行った。 Next, an experiment for comparing the durability of the organic EL element OLED with moisture was performed on the organic EL display device according to the present embodiment.
400mm×500mmの長方形状のガラス基板からなる第1マザー基板の上にスイッチング素子SW、第1絶縁膜111、第2絶縁膜112、第3絶縁膜113などを形成した。この第1マザー基板には、アクティブエリア102の対角寸法が3.5型となるアレイ基板100を形成するための領域が24箇所形成される。なお、スイッチング素子SWは、半導体層としてポリシリコン薄膜を備えた低温ポリシリコンTFTとして構成されている。このような第1マザー基板を11枚(A、B、C、D、E、F、G、H、I、J、K)準備した。
A switching element SW, a first
続いて、A、B、D、E、H、I、J、Kの各第1マザー基板については、第3絶縁膜113の上にパッシベーション膜である第1層間絶縁膜114を形成し、さらに、この第1層間絶縁膜114の上に第2層間絶縁膜115を形成した。一方、C、F、Gの各第1マザー基板については、第3絶縁膜113の上には、パッシベーション膜を形成することなく第2層間絶縁膜115を形成した。なお、第1層間絶縁膜114は無機化合物によって形成し、第2層間絶縁膜115は有機化合物によって形成した。
Subsequently, for each of the first mother substrates A, B, D, E, H, I, J, and K, a first
A、B、D、Eの各第1マザー基板については、第1層間絶縁膜114及び第2層間絶縁膜115には、スイッチング素子SWまで貫通したコンタクトホールCHが形成されている。H、I、J、Kの各第1マザー基板については、第1層間絶縁膜114には、スイッチング素子SWまで貫通したコンタクトホールCHが形成されており、第2層間絶縁膜115には、コンタクトホールCH及び第1層間絶縁膜114を露出する溝GRが格子状に形成され、第2層間絶縁膜115が島状に分離されている。C、F、Gの各第1マザー基板については、第2層間絶縁膜115には、スイッチング素子SWまで貫通したコンタクトホールCHが形成されている。
For each of the first mother substrates A, B, D, and E, a contact hole CH penetrating to the switching element SW is formed in the first
続いて、A乃至Kの11枚の各第1マザー基板について、第2層間絶縁膜115の上に画素電極PEを形成した。画素電極PEは、2層積層構造であり、第2層間絶縁膜115の上に反射層PERを形成し、この反射層PERの上にITOからなる透過層PETを積層した。各透過層PETは、コンタクトホールCH内に延在し、スイッチング素子SWと画素電極PEとが電気的に接続されている。
Subsequently, a pixel electrode PE was formed on the second
Hの第1マザー基板については、反射層PERは、第2層間絶縁膜115の外周よりも内側に配置され、透過層PETは、スイッチング素子SWと導通する部分を除いて第2層間絶縁膜115の外周よりも内側に配置されている(図8に示した構成例に相当する)。
For the first mother substrate of H, the reflective layer PER is disposed on the inner side of the outer periphery of the second
Iの第1マザー基板については、反射層PERは、第2層間絶縁膜115の外周よりも外側まで延在し側面115Sをカバーするように配置され、透過層PETは、スイッチング素子SWと導通する部分を除いて第2層間絶縁膜115の外周よりも内側に配置されている(図10に示した構成例に相当する)。
With respect to the first mother substrate of I, the reflective layer PER is arranged to extend outside the outer periphery of the second
Jの第1マザー基板については、反射層PERは、第2層間絶縁膜115の外周よりも内側に配置され、透過層PETは、スイッチング素子SWと導通する部分のみならず第2層間絶縁膜115の外周よりも外側まで延在し側面115Sをカバーするように配置されている(図11に示した構成例に相当する)。
For the first mother substrate of J, the reflective layer PER is disposed on the inner side of the outer periphery of the second
Kの第1マザー基板については、反射層PERは、第2層間絶縁膜115の外周よりも外側まで延在し側面115Sをカバーするように配置され、透過層PETも同様に、スイッチング素子SWと導通する部分のみならず第2層間絶縁膜115の外周よりも外側まで延在し側面115Sをカバーするように配置されている(図12に示した構成例に相当する)。
For the first mother substrate of K, the reflective layer PER is disposed so as to extend outside the outer periphery of the second
続いて、Aの第1マザー基板には、画素電極PEの周囲を取り囲むように格子状に厚さ2μmの隔壁を形成した。この隔壁は、樹脂材料によって形成され、画素電極PEとスイッチング素子SWとが導通する画素電極PEのコンタクト部PECを覆っている。 Subsequently, a partition wall having a thickness of 2 μm was formed on the first mother substrate of A so as to surround the periphery of the pixel electrode PE. This partition is made of a resin material and covers the contact portion PEC of the pixel electrode PE where the pixel electrode PE and the switching element SW are electrically connected.
一方、B乃至Kの10枚の第1マザー基板については、隔壁を形成することなく、画素電極PEとスイッチング素子SWとが導通する画素電極PEのコンタクト部PECは、カバー部材CVによってカバーした。 On the other hand, for the ten first mother substrates B to K, the contact portion PEC of the pixel electrode PE in which the pixel electrode PE and the switching element SW are electrically connected was covered with the cover member CV without forming a partition wall.
B及びCの各第1マザー基板については、プラズマCVD法により窒化シリコン(SiN)の薄膜を形成した後に、フォトリソグラフィプロセスを経て薄膜を島状にパターニングし、コンタクト部PECをカバーするカバー部材CVを形成した(第1層間絶縁膜114を有するBが図1に示した構成例に相当する)。
For each of the first mother substrates B and C, after forming a silicon nitride (SiN) thin film by a plasma CVD method, the thin film is patterned into an island shape through a photolithography process, and a cover member CV that covers the contact portion PEC (B having the first
D、E、F、Gの各第1マザー基板については、インクジェット方式によりコンタクトホールCHによって形成された凹所を樹脂材料により穴埋めし、コンタクト部PECをカバーするカバー部材CVを形成した。なお、D及びFの各第1マザー基板については、カバー部材CVは、画素電極PEの外周よりも外側に広がり、第2層間絶縁膜115と接している(第1層間絶縁膜114を有するDが図7に示した構成例に相当する)。また、E及びGの各第1マザー基板については、カバー部材CVは、画素電極PEの外周よりも内側に留まり、第2層間絶縁膜115とは接していない(第1層間絶縁膜114を有するDが図4及び図6に示した構成例に相当する)。 About each 1st mother board | substrate of D, E, F, and G, the recessed part formed of the contact hole CH was filled with the resin material by the inkjet system, and the cover member CV which covers the contact part PEC was formed. For each of the first mother substrates D and F, the cover member CV extends outward from the outer periphery of the pixel electrode PE and is in contact with the second interlayer insulating film 115 (D having the first interlayer insulating film 114). Corresponds to the configuration example shown in FIG. For each of the first mother substrates E and G, the cover member CV stays inside the outer periphery of the pixel electrode PE and does not contact the second interlayer insulating film 115 (having the first interlayer insulating film 114). D corresponds to the configuration example shown in FIGS. 4 and 6).
H、I、J、Kの各第1マザー基板については、インクジェット方式によりコンタクトホールCHによって形成された凹所を樹脂材料により穴埋めし、コンタクト部PECをカバーするカバー部材CVを形成した。 About each 1st mother board | substrate of H, I, J, and K, the recessed part formed of the contact hole CH was filled with the resin material by the inkjet system, and the cover member CV which covers the contact part PEC was formed.
続いて、Aの第1マザー基板を抵抗加熱方式の有機EL成膜装置にセットし、画素電極PEの上に有機EL材料として、ホール輸送層を形成し、このホール輸送層の上に発光層を形成し、発光層の上に電子輸送層を形成し、さらに、電子輸送層の上に電子注入層を形成し、この電子注入層の上にマグネシウム・銀を用いて対向電極CEを形成した。なお、発光層を形成する際には、高精度のメタルマスクを用いて、塗りわけを行い、第1有機EL素子OLED1については赤色に発光する赤色発光層を形成し、第2有機EL素子OLED2については緑色に発光する赤色発光層を形成し、第3有機EL素子OLED3については青色に発光する赤色発光層を形成した。 Subsequently, the first mother substrate of A is set in a resistance heating type organic EL film forming apparatus, a hole transport layer is formed as an organic EL material on the pixel electrode PE, and a light emitting layer is formed on the hole transport layer. The electron transport layer was formed on the light emitting layer, the electron injection layer was formed on the electron transport layer, and the counter electrode CE was formed on the electron injection layer using magnesium / silver. . In addition, when forming a light emitting layer, it coats using a high precision metal mask, forms the red light emitting layer which light-emits red light about 1st organic EL element OLED1, and forms 2nd organic EL element OLED2. A red light emitting layer that emits green light was formed, and a red light emitting layer that emitted blue light was formed for the third organic EL element OLED3.
一方で、B乃至Kの10枚の第1マザー基板については、それぞれ抵抗加熱方式の有機EL成膜装置にセットし、画素電極PEの上に有機EL材料として、ホール輸送層を形成し、このホール輸送層の上に、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3が各々形成される領域の全面に亘って赤色に発光する第1ドーパント材料を含む赤色発光層を形成した後、一旦有機EL成膜装置から取り出し、フォトマスクを介して第2有機EL素子OLED2及び第3有機EL素子OLED3が形成される領域に主波長が365nmの紫外光を照射し、これらの領域に形成された赤色発光層に含まれる第1ドーパント材料が発光しないようにした。 On the other hand, the 10 first mother substrates B to K are respectively set in a resistance heating type organic EL film forming apparatus, and a hole transport layer is formed as an organic EL material on the pixel electrode PE. On the hole transport layer, after forming a red light emitting layer containing a first dopant material that emits red light over the entire surface of each of the regions where the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 are formed, once the organic EL Take out from the film forming apparatus, irradiate the region where the second organic EL element OLED2 and the third organic EL element OLED3 are formed through a photomask with ultraviolet light having a main wavelength of 365 nm, and emit red light formed in these regions The first dopant material contained in the layer was prevented from emitting light.
その後、B乃至Kの10枚の第1マザー基板のそれぞれを再び有機EL成膜装置にセットして、赤色発光層の上に、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3が各々形成される領域の全面に亘って緑色に発光する第2ドーパント材料を含む緑色発光層を形成した後、一旦有機EL成膜装置から取り出し、フォトマスクを介して第3有機EL素子OLED3が形成される領域に主波長が365nmの紫外光を照射し、この領域に形成された緑色発光層に含まれる第2ドーパント材料が発光しないようにした。 Thereafter, each of the ten first mother substrates B to K is set again in the organic EL film forming apparatus, and the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 are formed on the red light emitting layer, respectively. After forming the green light emitting layer containing the second dopant material that emits green light over the entire surface of the region, the green light emitting layer is once taken out from the organic EL film forming apparatus, and is formed in the region where the third organic EL element OLED3 is formed through the photomask. Ultraviolet light having a dominant wavelength of 365 nm was irradiated so that the second dopant material contained in the green light emitting layer formed in this region did not emit light.
さらに、B乃至Kの10枚の第1マザー基板のそれぞれを再び有機EL成膜装置にセットして、緑色発光層の上に、第1乃至第3有機EL素子OLED1乃至3が各々形成される領域の全面に亘って青色に発光する第3ドーパント材料を含む青色発光層を形成した後、青色発光層の上に電子輸送層を形成し、さらに、電子輸送層の上に電子注入層を形成し、その後、この電子注入層の上にマグネシウム・銀を用いて対向電極CEを形成した。 Further, each of the ten first mother substrates B to K is set again in the organic EL film forming apparatus, and the first to third organic EL elements OLED1 to OLED3 are formed on the green light emitting layer, respectively. After forming a blue light-emitting layer containing a third dopant material that emits blue light over the entire surface, an electron transport layer is formed on the blue light-emitting layer, and an electron injection layer is further formed on the electron transport layer Thereafter, a counter electrode CE was formed on the electron injection layer using magnesium / silver.
一方、封止基板200として、ガラス基板からなる第2マザー基板を用意した。この第2マザー基板の上には、シール材としてディスペンサーを用いて紫外線硬化型樹脂を塗布した。この第2マザー基板は、第1マザー基板に貼りあわせられる。その後、シール材となる紫外線硬化型樹脂に紫外線が照射され、紫外線硬化型樹脂を硬化させた。なお、第1マザー基板と第2マザー基板との間には、乾燥剤は設置していない。
On the other hand, a second mother substrate made of a glass substrate was prepared as the sealing
そして、第1マザー基板と第2マザー基板とが貼り合わせられた基板対について、24個の表示パネル1に割断した後、各表示パネル1に信号供給源を実装した。
Then, the substrate pair in which the first mother substrate and the second mother substrate were bonded together was cleaved into 24
Aの第1マザー基板から取り出された24個の表示パネル1をAグループとし、同様に、B乃至Kの各第1マザー基板から取り出された各々24個の表示パネル1をそれぞれB乃至Kグループとした。
Twenty-four
続いて、A乃至Kの各グループの全ての表示パネルを高温高湿槽(温度;85℃、相対湿度;85%)の中に投入して放置し、所定時間が経過する毎に取り出して点灯検査を施した。点灯検査としては、これらの各表示パネルに電源を供給して点灯させ、それぞれの点灯状態を目視にて観察して、ダークスポットが発生したパネル枚数を計数した。この結果を図13に示す。 Subsequently, all the display panels of each group A to K are put in a high-temperature and high-humidity tank (temperature: 85 ° C., relative humidity: 85%) and left to stand and taken out every predetermined time. Inspected. As a lighting test, power was supplied to each of these display panels to light them, and each lighting state was visually observed to count the number of panels in which dark spots were generated. The result is shown in FIG.
第1層間絶縁膜114を有し、カバー部材を形成する代わりに画素電極PEを囲む格子状の隔壁を備えたAグループについては、20時間経過後に24枚のうちの7枚の表示パネルでダークスポットが発生し、25時間経過後には24枚のうちの23枚の表示パネルでダークスポットが発生し、30時間経過後には24枚すべての表示パネルでダークスポットが発生した。
For the A group having the first
隔壁を省略し、無機化合物によって形成したカバー部材CVを備えたBグループ及びCグループについては、Aグループよりも水分拡散が抑制され、ダークスポットの成長の抑制が可能であることを確認できた。 With respect to the B group and the C group provided with the cover member CV formed of an inorganic compound with the partition walls omitted, it was confirmed that moisture diffusion was suppressed more than the A group, and the growth of dark spots was possible.
すなわち、第1層間絶縁膜114を有し、無機化合物からなるカバー部材CVがコンタクトホールCHの上をカバーするBグループについては、30時間経過後に24枚のうちの1枚の表示パネルでダークスポットが発生し、35時間経過後に24枚のうちの4枚、40時間経過後に24枚のうちの10枚、45時間経過後に24枚のうちの20枚、50時間経過後に24枚すべての表示パネルでダークスポットが発生した。
That is, for the B group having the first
また、第1層間絶縁膜114を省略し、無機化合物からなるカバー部材CVがコンタクトホールCHの上をカバーするCグループについては、30時間経過後に24枚のうちの1枚の表示パネルでダークスポットが発生し、35時間経過後に24枚のうちの5枚、40時間経過後に24枚のうちの13枚、45時間経過後に24枚のうちの21枚、50時間経過後に24枚すべての表示パネルでダークスポットが発生した。このように、隔壁を省略し、無機化合物からなるカバー部材CVを備えたことにより、パッシベーション膜である第1層間絶縁膜114の有無にかかわらず、有機EL素子の水分による劣化が抑制できた。
For the C group in which the first
隔壁を省略し、有機化合物によって形成したカバー部材CVを備えたDグループ、Eグループ、Fグループ、及び、Gグループの各々についても、Aグループよりも水分拡散が抑制され、ダークスポットの成長の抑制が可能であることを確認できた。 In each of the D group, the E group, the F group, and the G group provided with the cover member CV formed of an organic compound, with the partition walls omitted, moisture diffusion is suppressed more than the A group, and the growth of dark spots is suppressed. Was confirmed to be possible.
すなわち、第1層間絶縁膜114を有し、有機化合物からなるカバー部材CVがコンタクトホールCHの上をカバーするとともにカバー部材CVの一部が第2層間絶縁膜115に接触しているDグループについては、30時間経過後に24枚のうちの2枚の表示パネルでダークスポットが発生し、35時間経過後に24枚のうちの7枚、40時間経過後に24枚のうちの15枚、45時間経過後に24枚のうちの22枚、50時間経過後に24枚すべての表示パネルでダークスポットが発生した。
That is, for the D group having the first
また、第1層間絶縁膜114を有し、有機化合物からなるカバー部材CVがコンタクトホールCHの上をカバーするとともにカバー部材CVが第2層間絶縁膜115に非接触のEグループについては、35時間経過後に24枚のうちの2枚の表示パネルでダークスポットが発生し、45時間経過後に24枚のうちの7枚、50時間経過後に24枚のうちの16枚の表示パネルでダークスポットが発生した。
Further, for the E group in which the first
また、第1層間絶縁膜114を省略し、有機化合物からなるカバー部材CVがコンタクトホールCHの上をカバーするとともにカバー部材CVの一部が第2層間絶縁膜115に接触しているFグループについては、30時間経過後に24枚のうちの1枚の表示パネルでダークスポットが発生し、35時間経過後に24枚のうちの6枚、40時間経過後に24枚のうちの13枚、45時間経過後に24枚のうちの22枚、50時間経過後に24枚すべての表示パネルでダークスポットが発生した。
Further, regarding the F group in which the first
また、第1層間絶縁膜114を省略し、有機化合物からなるカバー部材CVがコンタクトホールCHの上をカバーするとともにカバー部材CVが第2層間絶縁膜115に非接触のGグループについては、35時間経過後に24枚のうちの1枚の表示パネルでダークスポットが発生し、40時間経過後に24枚のうちの2枚、45時間経過後に24枚のうちの6枚、50時間経過後に24枚のうちの15枚の表示パネルでダークスポットが発生した。
Further, the first
このように、隔壁を省略し、有機化合物からなるカバー部材CVを備えたことにより、パッシベーション膜である第1層間絶縁膜114の有無にかかわらず、有機EL素子の水分による劣化が抑制できた。また、特に、カバー部材CVが第2層間絶縁膜115と接していないEグループ及びGグループについては、カバー部材CVが第2層間絶縁膜115と接しているDグループ及びFグループよりも、水分の拡散が抑制され、より有機EL素子の劣化が抑制できることが確認された。
Thus, by omitting the partition and providing the cover member CV made of an organic compound, deterioration of the organic EL element due to moisture can be suppressed regardless of the presence or absence of the first
隔壁を省略し、第1層間絶縁膜114を有するとともに第2層間絶縁膜115を溝GRによって分離し、有機化合物によって形成したカバー部材CVを備えたHグループ、Iグループ、Jグループ、及び、Kグループの各々についても、Aグループよりも水分拡散が抑制され、ダークスポットの成長の抑制が可能であることを確認できた。
The partition walls are omitted, the first
すなわち、反射層PER及び透過層PETが第2層間絶縁膜115の外周よりも内側に配置されたHグループについては、40時間経過後に24枚のうちの3枚の表示パネルでダークスポットが発生し、45時間経過後に24枚のうちの5枚、50時間経過後に24枚うちの7枚の表示パネルでダークスポットが発生した。
That is, with respect to the H group in which the reflective layer PER and the transmissive layer PET are disposed on the inner side of the outer periphery of the second
また、反射層PERが第2層間絶縁膜115をカバーし、透過層PETが第2層間絶縁膜115の外周よりも内側に配置されたIグループについては、45時間経過後に24枚のうちの2枚の表示パネルでダークスポットが発生し、50時間経過後に24枚のうちの5枚の表示パネルでダークスポットが発生した。
For the I group in which the reflective layer PER covers the second
また、反射層PERが第2層間絶縁膜115の外周よりも内側に配置され、透過層PETが第2層間絶縁膜115をカバーするJグループについては、45時間経過後に24枚のうちの2枚の表示パネルでダークスポットが発生し、50時間経過後に24枚のうちの4枚の表示パネルでダークスポットが発生した。
Further, for the J group in which the reflective layer PER is disposed on the inner side of the outer periphery of the second
また、反射層PER及び透過層PETが第2層間絶縁膜115をカバーするKグループについては、45時間経過後に24枚のうちの1枚の表示パネルでダークスポットが発生し、50時間経過後に24枚のうちの3枚の表示パネルでダークスポットが発生した。
Further, for the K group in which the reflective layer PER and the transmissive layer PET cover the second
このように、隔壁を省略し、第2層間絶縁膜115を溝GRによって分離し、有機化合物からなるカバー部材CVを備えたことにより、水分の拡散経路が遮断され、第2層間絶縁膜115を溝によって分離していないA乃至Gの各グループよりも、水分の拡散が抑制され、より有機EL素子の劣化が抑制できることが確認された。
As described above, the partition wall is omitted, the second
また、特に、画素電極PEを構成する反射層PER及び透過層PETの少なくとも一方により島状の第2層間絶縁膜115の側面115SまでカバーしたI乃至Kの各グループについては、第2層間絶縁膜115の側面115Sが画素電極PEによってカバーされることなく有機層ORGが接するHグループと比較して、さらに水分の拡散が抑制され、より有機EL素子の劣化が抑制できることが確認された。
In particular, for each of groups I to K covered up to the
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。 Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the spirit of the invention in the stage of implementation. Further, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, you may combine suitably the component covering different embodiment.
本実施形態は、有機EL装置として、有機EL表示装置について説明したが、有機EL照明や有機ELプリンターヘッドなどにも利用可能である。 In the present embodiment, the organic EL display device has been described as the organic EL device, but the present invention can also be used for organic EL lighting, an organic EL printer head, and the like.
また、本実施形態では、有機EL素子OLEDが反射層PERを含むトップエミッションタイプである場合について説明したが、反射層を含まない画素電極PEを備えたボトムエミッションタイプの有機EL素子OLEDを適用しても良い。 In this embodiment, the case where the organic EL element OLED is a top emission type including the reflective layer PER has been described. However, a bottom emission type organic EL element OLED including a pixel electrode PE not including the reflective layer is applied. May be.
1…表示パネル
OLED1…第1有機EL素子
OLED2…第2有機EL素子
OLED3…第3有機EL素子
101…絶縁基板
111…第1絶縁膜 112…第2絶縁膜 113…第3絶縁膜
114…第1層間絶縁膜 115…第2層間絶縁膜 CH…コンタクトホール
SW…スイッチング素子
PE…画素電極 PEC…コンタクト部 PER…反射層 PET…透過層
ORG…有機層 CE…対向電極
CV…カバー部材
DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の上方に配置され、前記第1スイッチング素子に到達する第1コンタクトホール及び前記第2スイッチング素子に到達する第2コンタクトホールが形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に配置され、前記第1コンタクトホール内に延在し前記第1スイッチング素子に電気的に接続された第1コンタクト部を有する第1画素電極と、
前記絶縁膜の上において前記第1画素電極から離間して配置され、前記第2コンタクトホール内に延在し前記第2スイッチング素子に電気的に接続された第2コンタクト部を有する第2画素電極と、
前記第1コンタクト部及び前記第2コンタクト部をそれぞれ個別にカバーする島状に形成されるとともに絶縁材料によって形成されたカバー部材と、
前記第1画素電極の上、前記第2画素電極の上、前記カバー部材の上、及び、前記第1画素電極と前記第2画素電極との間の前記絶縁膜の上にそれぞれ延在した連続膜であり、前記第1画素電極上と前記第2画素電極上とで発光色が異なる有機層と、
前記有機層の上に配置された対向電極と、
を備えたことを特徴とする有機EL装置。 An insulating substrate;
A first switching element and a second switching element respectively disposed above the insulating substrate;
An insulating film disposed above the first switching element and the second switching element and having a first contact hole reaching the first switching element and a second contact hole reaching the second switching element;
A first pixel electrode disposed on the insulating film, having a first contact portion extending into the first contact hole and electrically connected to the first switching element;
A second pixel electrode having a second contact portion disposed on the insulating film and spaced apart from the first pixel electrode, extending into the second contact hole and electrically connected to the second switching element. When,
A cover member that is formed in an island shape that individually covers the first contact portion and the second contact portion and is formed of an insulating material;
Continuously extending on the first pixel electrode , on the second pixel electrode , on the cover member, and on the insulating film between the first pixel electrode and the second pixel electrode. An organic layer having a light emission color different between the first pixel electrode and the second pixel electrode;
A counter electrode disposed on the organic layer;
An organic EL device comprising:
前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の上方に配置され、前記第1スイッチング素子に到達する第1コンタクトホール及び前記第2スイッチング素子に到達する第2コンタクトホールが形成された第1層間絶縁膜と、
前記第1層間絶縁膜の上に配置され、前記第1層間絶縁膜、前記第1コンタクトホール及び前記第2コンタクトホールを露出する枠状の溝によって囲まれた側面を有する島状の第2層間絶縁膜と、
前記島状の第2層間絶縁膜の上に各々配置され、前記第2層間絶縁膜の前記側面から前記第1コンタクトホール内に延在し前記第1スイッチング素子に電気的に接続された第1コンタクト部を有する第1画素電極、及び、前記第2層間絶縁膜の前記側面から前記第2コンタクトホール内に延在し前記第2スイッチング素子に電気的に接続された第2コンタクト部を有する第2画素電極と、
前記第1コンタクト部及び前記第2コンタクト部をそれぞれ個別にカバーする島状に形成されるとともに絶縁材料によって形成されたカバー部材と、
前記第1画素電極の上、前記第2画素電極の上、前記カバー部材の上、及び、前記第1画素電極と前記第2画素電極との間の前記溝にそれぞれ延在した連続膜であり、前記第1画素電極上と前記第2画素電極上とで発光色が異なる有機層と、
前記有機層の上に配置された対向電極と、
を備えたことを特徴とする有機EL装置。 An insulating substrate;
A first switching element and a second switching element respectively disposed above the insulating substrate;
A first interlayer insulating layer disposed above the first switching element and the second switching element, wherein a first contact hole reaching the first switching element and a second contact hole reaching the second switching element are formed. A membrane,
An island-shaped second interlayer disposed on the first interlayer insulating film and having a side surface surrounded by a frame-shaped groove exposing the first interlayer insulating film, the first contact hole, and the second contact hole An insulating film;
First disposed on the island-shaped second interlayer insulating film, extending from the side surface of the second interlayer insulating film into the first contact hole and electrically connected to the first switching element. A first pixel electrode having a contact portion; and a second contact portion extending from the side surface of the second interlayer insulating film into the second contact hole and electrically connected to the second switching element. Two pixel electrodes;
A cover member that is formed in an island shape that individually covers the first contact portion and the second contact portion and is formed of an insulating material;
On the first pixel electrode, on the second pixel electrode, on the cover member, and, it is a continuous film extending respectively into the groove between the first pixel electrode and the second pixel electrode , Organic layers having different emission colors on the first pixel electrode and the second pixel electrode,
A counter electrode disposed on the organic layer;
An organic EL device comprising:
前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置された第1スイッチング素子、第2スイッチング素子、及び、第3スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子、前記第2スイッチング素子、及び、前記第3スイッチング素子の上方に配置され、前記第1スイッチング素子に到達する第1コンタクトホール、前記第2スイッチング素子に到達する第2コンタクトホール、及び、前記第3スイッチング素子に到達する第3コンタクトホールが形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に配置され、前記第1コンタクトホール内に延在し前記第1スイッチング素子に電気的に接続された第1コンタクト部を有する第1画素電極と、
前記絶縁膜の上において前記第1画素電極から離間して配置され、前記第2コンタクトホール内に延在し前記第2スイッチング素子に電気的に接続された第2コンタクト部を有する第2画素電極と、
前記絶縁膜の上において前記第1画素電極及び前記第2画素電極から離間して配置され、前記第3コンタクトホール内に延在し前記第3スイッチング素子に電気的に接続された第3コンタクト部を有する第3画素電極と、
前記第1コンタクト部、前記第2コンタクト部、及び、前記第3コンタクト部をそれぞれ個別にカバーする島状に形成されるとともに絶縁材料によって形成されたカバー部材と、
前記第1画素電極の上、前記第2画素電極の上、前記第3画素電極の上、前記カバー部材の上、前記第1画素電極と前記第2画素電極との間の前記絶縁膜の上、及び、前記第2画素電極と前記第3画素電極との間の前記絶縁膜の上にそれぞれ延在した連続膜であり、発光色が赤色の第1ドーパント材料、発光色が緑色の第2ドーパント材料、及び、発光色が青色の第3ドーパント材料を含む有機層と、
前記有機層の上に配置された対向電極と、を備え、
前記第1画素電極と前記対向電極との間の前記有機層は前記第1ドーパント材料が発光し、前記第2画素電極と前記対向電極との間の前記有機層は前記第1ドーパント材料が消光し前記第2ドーパント材料が発光し、前記第3画素電極と前記対向電極との間の前記有機層は前記第1ドーパント材料及び前記第2ドーパント材料が消光し前記第3ドーパント材料が発光することを特徴とする有機EL装置。 An insulating substrate;
A first switching element, a second switching element, and a third switching element respectively disposed above the insulating substrate;
A first contact hole that is disposed above the first switching element, the second switching element, and the third switching element and that reaches the first switching element, and a second contact hole that reaches the second switching element And an insulating film in which a third contact hole reaching the third switching element is formed;
A first pixel electrode disposed on the insulating film, having a first contact portion extending into the first contact hole and electrically connected to the first switching element;
A second pixel electrode having a second contact portion disposed on the insulating film and spaced apart from the first pixel electrode, extending into the second contact hole and electrically connected to the second switching element. When,
A third contact portion disposed on the insulating film and spaced apart from the first pixel electrode and the second pixel electrode, extending into the third contact hole and electrically connected to the third switching element. A third pixel electrode having
A cover member formed of an insulating material and formed in an island shape that individually covers the first contact portion, the second contact portion, and the third contact portion;
On the first pixel electrode, on the second pixel electrode, on the third pixel electrode, on the cover member, on the insulating film between the first pixel electrode and the second pixel electrode And a continuous film extending on the insulating film between the second pixel electrode and the third pixel electrode, the first dopant material having a red emission color, and the second having a green emission color. An organic layer containing a dopant material and a third dopant material whose emission color is blue;
A counter electrode disposed on the organic layer,
In the organic layer between the first pixel electrode and the counter electrode, the first dopant material emits light, and in the organic layer between the second pixel electrode and the counter electrode, the first dopant material is quenched. The second dopant material emits light, and the organic layer between the third pixel electrode and the counter electrode is extinguished by the first dopant material and the second dopant material, and the third dopant material emits light. An organic EL device characterized by the above.
前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置された第1スイッチング素子、第2スイッチング素子、及び、第3スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子、前記第2スイッチング素子、及び、前記第3スイッチング素子の上方に配置され、前記第1スイッチング素子に到達する第1コンタクトホール、前記第2スイッチング素子に到達する第2コンタクトホール、及び、前記第3スイッチング素子に到達する第3コンタクトホールが形成された第1層間絶縁膜と、
前記第1層間絶縁膜の上に配置され、前記第1層間絶縁膜、前記第1コンタクトホール、前記第2コンタクトホール、及び、前記第3コンタクトホールを露出する枠状の溝によって囲まれた側面を有する島状の第2層間絶縁膜と、
前記島状の第2層間絶縁膜の上に各々配置され、前記第2層間絶縁膜の前記側面から前記第1コンタクトホール内に延在し前記第1スイッチング素子に電気的に接続された第1コンタクト部を有する第1画素電極、前記第2層間絶縁膜の前記側面から前記第2コンタクトホール内に延在し前記第2スイッチング素子に電気的に接続された第2コンタクト部を有する第2画素電極、及び、前記第2層間絶縁膜の前記側面から前記第3コンタクトホール内に延在し前記第3スイッチング素子に電気的に接続された第3コンタクト部を有する第3画素電極と、
前記第1コンタクト部、前記第2コンタクト部、及び、前記第3コンタクト部をそれぞれ個別にカバーする島状に形成されるとともに絶縁材料によって形成されたカバー部材と、
前記第1画素電極の上、前記第2画素電極の上、前記第3画素電極の上、前記カバー部材の上、前記第1画素電極と前記第2画素電極との間の前記溝、及び、前記第2画素電極と前記第3画素電極との間の前記溝にそれぞれ延在した連続膜であり、発光色が赤色の第1ドーパント材料、発光色が緑色の第2ドーパント材料、及び、発光色が青色の第3ドーパント材料を含む有機層と、
前記有機層の上に配置された対向電極と、を備え、
前記第1画素電極と前記対向電極との間の前記有機層は前記第1ドーパント材料が発光し、前記第2画素電極と前記対向電極との間の前記有機層は前記第1ドーパント材料が消光し前記第2ドーパント材料が発光し、前記第3画素電極と前記対向電極との間の前記有機層は前記第1ドーパント材料及び前記第2ドーパント材料が消光し前記第3ドーパント材料が発光することを特徴とする有機EL装置。 An insulating substrate;
A first switching element, a second switching element, and a third switching element respectively disposed above the insulating substrate;
A first contact hole that is disposed above the first switching element, the second switching element, and the third switching element and that reaches the first switching element, and a second contact hole that reaches the second switching element And a first interlayer insulating film in which a third contact hole reaching the third switching element is formed;
A side surface disposed on the first interlayer insulating film and surrounded by a frame-like groove exposing the first interlayer insulating film, the first contact hole, the second contact hole, and the third contact hole An island-shaped second interlayer insulating film having:
First disposed on the island-shaped second interlayer insulating film, extending from the side surface of the second interlayer insulating film into the first contact hole and electrically connected to the first switching element. A first pixel electrode having a contact portion; a second pixel having a second contact portion extending from the side surface of the second interlayer insulating film into the second contact hole and electrically connected to the second switching element; An electrode and a third pixel electrode having a third contact portion extending from the side surface of the second interlayer insulating film into the third contact hole and electrically connected to the third switching element;
A cover member formed of an insulating material and formed in an island shape that individually covers the first contact portion, the second contact portion, and the third contact portion;
On the first pixel electrode , on the second pixel electrode , on the third pixel electrode , on the cover member , the groove between the first pixel electrode and the second pixel electrode, and A continuous film extending in the groove between the second pixel electrode and the third pixel electrode, a first dopant material whose emission color is red, a second dopant material whose emission color is green, and light emission An organic layer comprising a third dopant material having a blue color;
A counter electrode disposed on the organic layer,
In the organic layer between the first pixel electrode and the counter electrode, the first dopant material emits light, and in the organic layer between the second pixel electrode and the counter electrode, the first dopant material is quenched. The second dopant material emits light, and the organic layer between the third pixel electrode and the counter electrode is extinguished by the first dopant material and the second dopant material, and the third dopant material emits light. An organic EL device characterized by the above.
前記第2画素電極は、前記第2コンタクトホールにおいて欠落した第2反射層と、前記第2反射層に重なり前記第2コンタクトホールに延在した第2透過層との2層構造であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。 The first pixel electrode has a two-layer structure of a first reflective layer that is missing in the first contact hole and a first transmission layer that overlaps the first reflective layer and extends to the first contact hole.
The second pixel electrode has a two-layer structure including a second reflective layer missing in the second contact hole and a second transmissive layer that overlaps the second reflective layer and extends to the second contact hole. The organic EL device according to claim 1.
前記第2画素電極は、前記第2層間絶縁膜の上に配置された第2反射層と、前記第2反射層に重なるとともにその一部が前記側面を経由して前記第2コンタクトホールに延在した第2透過層との2層構造であることを特徴とする請求項4に記載の有機EL装置。 The first pixel electrode overlaps the first reflective layer disposed on the second interlayer insulating film and the first reflective layer, and a part thereof extends to the first contact hole via the side surface. It is a two-layer structure with the existing first transmission layer,
The second pixel electrode overlaps the second reflective layer disposed on the second interlayer insulating film and the second reflective layer, and a part thereof extends to the second contact hole via the side surface. The organic EL device according to claim 4, wherein the organic EL device has a two-layer structure with the existing second transmissive layer.
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