JP5424299B2 - イオン注入装置、イオン注入方法、及び半導体装置 - Google Patents
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Description
前記RF電力の周波数が4MHz以上であり、かつRF電力をパルスで印加することで、複数回に分けてイオン注入を行うことを特徴とするイオン注入装置が得られる。
前記保持台の周辺に、前記空間から漏れた前記ガスをプラズマ励起領域へ侵入させないための遮蔽プレートが設けられていることを特徴とする、第1または2の態様に記載のイオン注入装置が得られる。
本発明の第一の実施形態を示す。図1(a)及び1(b)は、それぞれ、本発明によりシリコン基板にBF2 +イオンをプラズマドーピングにより注入し、p+−Siのソース・ドレイン層を形成した際の注入イオンのエネルギー分布、注入イオン密度の深さ方向依存性である。
(例えば M. A. Lieberman and A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and Materials Processing Second Edition, Wiley Interscience, 2005)
次に、n+−Siソース・ドレイン領域を形成するためのPF2 +イオンの打ち込みについて述べる。なお、第一実施例と重複する部分は説明を省略する。図5(a)及び5(b)はそれぞれ、PF3ガスによりプラズマ励起を行いPF2 +イオンの打ち込みを行った際の入射イオンのエネルギー分布、入射イオンの打ち込み分布である。RF電力周波数は4MHzであり、セルフバイアス電圧とパルス印加回数は下記の通り順番に変化させた。
2番目 −3kV 2.2万回
3番目 −0.3kV 3.3万回
図7に、本発明の第三の実施形態を示す。なお、第一、第二の実施形態と重複する部分は説明を省略する。図7は、SOI(Silicon on Insulator)基板上に製作されたMOSFETである。701はシリコンのバルク基板、702は埋め込み酸化膜層、703はSOI層のソース・ドレイン領域、704はSOI層のチャネル領域、705はゲート絶縁膜、706はゲート電極である。チャネル領域のSOI層の厚みは25nmである。ソース・ドレインの直列抵抗を下げるためにはソース・ドレイン層のSOI層の厚みは同じ25nm程度必要となるが、プラズマドーピングによりBF2 +イオンやPF2 +イオンを注入し、BやPの濃度をその領域内において2×1020cm-3以上にすると、注入の打ち込みフロントは60nm程度まで達してしまう。ゆえに、ソース・ドレイン領域703のシリコンがチャネル領域と同じ25nmであると、埋め込み酸化膜層702までイオンが注入されてしまい、作成したデバイスに雑音が発生してしまう等、特性劣化が起こってしまう。
図8を用いて本発明の第四の実施形態を示す。図8は、図2における基板電極ステージ周辺の詳細図である。801はHeガス制御板、802はHeガス導入部、803はシリコンウェーハ、804は静電チャック及びRF電力を印加するための基板電極、805はHeガス制御板の内側の排気ポート、806はHeガス制御板の外側の排気ポート、807はRF電源、808は静電チャック用DC電源(片方は正電圧、もう一方は負電圧を出力)、809は並列共振フィルタ、810はブロッキングコンデンサ、811は導電性セラミックス、812は絶縁性セラミックス、813はグランド板である。
202 保持台(基板電極ステージ)
203 RF電力発生部
204 励起されたプラズマ 表面波(金属表面波)
205 導体表面波(金属表面波)プラズマ励起部
206 シリコン基板
Claims (12)
- 減圧可能な処理室と、該処理室内にプラズマを励起するプラズマ励起手段と、前記処理室内に設けられ処理基板を保持する保持台と、前記保持台にRF電力を印加して処理基板表面にセルフバイアス電圧を発生させ、前記プラズマ内の正イオンを加速して処理基板へ打ち込むイオン注入装置であり、
前記RF電力の周波数が4MHz以上であり、かつRF電力をパルスで印加することで、複数回に分けてイオン注入を行うことを特徴とするイオン注入装置。 - 前記プラズマ励起手段が、100MHzから3GHzの範囲から選ばれる周波数をもつ電磁波を金属表面波として前記処理室内へ伝搬させる手段と前記処理室内にプラズマ励起用ガスを導入する手段とを有することを特徴とする請求項1に記載のイオン注入装置。
- 前記保持台に静電チャック機能を有し、前記静電チャック機能により前記保持台と前記処理基板との間の空間にガスを充填し、イオン注入時に、前記ガスの充填圧力を前記処理室内の圧力より高い圧力に設定することを特徴とし、
前記保持台の周辺に、前記空間から漏れた前記ガスをプラズマ励起領域へ侵入させないための遮蔽プレートが設けられていることを特徴とする、請求項1または2に記載のイオン注入装置。 - 請求項1から3のどれか一つに記載のイオン注入装置を用いてイオン注入を行うイオン注入方法。
- 保持台に印加する前記RF電力を変化させることにより、少なくとも複数のセルフバイアス電圧によりイオン注入を行うことを特徴とする請求項4に記載のイオン注入方法。
- 処理基板表面がシリコンを含む半導体結晶からなり、少なくとも第1のセルフバイアス電圧により、半導体結晶をアモルファス化しながらイオン注入を行う工程と、第2のセルフバイアス電圧により半導体結晶の最表面のイオン注入密度を少なくとも1×1020cm-3以上にする工程とを含むことを特徴とする請求項5に記載のイオン注入方法。
- プラズマ励起ガスが、注入原子のフッ化物のガスであることを特徴とする請求項4から6の一に記載のイオン注入方法。
- プラズマ励起ガスが、BF3、PF3、AsF3より選ばれるガスであることを特徴とする請求項4から7の一に記載のイオン注入方法。
- 請求項1から請求項3の一に記載のイオン注入装置を用いて製造した半導体装置。
- 請求項4から請求項8の一に記載のイオン注入方法を用いて製造した半導体装置。
- 請求項4から請求項8の一に記載のイオン注入方法によってイオン注入を行う工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1において、前記RF電力のパルス幅は、前記RF電力のパルス停止期間よりも短いことを特徴とするイオン注入装置。
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CN101151711A (zh) * | 2005-03-31 | 2008-03-26 | 松下电器产业株式会社 | 等离子体掺杂方法和设备 |
WO2006107044A1 (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマ処理方法及び装置 |
JP4664777B2 (ja) * | 2005-09-07 | 2011-04-06 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
KR101357421B1 (ko) * | 2006-07-13 | 2014-02-03 | 고에키자이단호진 고쿠사이카가쿠 신고우자이단 | 트랜지스터 및 반도체 장치 |
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JP5252613B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2013-07-31 | 国立大学法人東北大学 | イオン注入装置およびイオン注入方法 |
JP2008300687A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Tokyo Electron Ltd | プラズマドーピング方法及びその装置 |
US8089055B2 (en) * | 2008-02-05 | 2012-01-03 | Adam Alexander Brailove | Ion beam processing apparatus |
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