JP5423554B2 - 溶銑の予備処理方法 - Google Patents
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Description
しかし、特許文献1で規定している酸素ガス量は、脱硫処理中におけるグラファイトの析出抑制のみを目的しており、出銑から転炉までの溶銑の状態変化や、脱珪、脱硫等の処理目的を考慮して総合的に判断されたものになっていない。そのため特許文献1の脱硫方法だけでは、実際上、溶銑の輸送中から転炉装入までのグラファイトの飛散防止効果を保証するものではない。
通常、出銑後の溶銑中珪素(Si)含有量が高い場合は、転炉での操業に支障が出ることを回避する目的や、あるいは、転炉での副材料削減の目的により、転炉処理を行うに先だってある程度Siを除去するための脱珪処理を行うことがある。
気体酸素量=脱珪処理のために溶銑1t当たりに投入する酸素ガス中の酸素量(kg /t)
固体酸素量=脱珪処理のために溶銑1t当たりに投入する酸化鉄等に含まれる酸素量 (kg/t)
―0.02×R+3 ≦ V ≦ 0.01×R+2.5
(但し、25≦R≦80)
を満足することを特徴とする(1)または(2)に記載の溶銑予備処理方法。
溶銑予備処理は、転炉、二次精錬での精錬負荷を軽減するために行われ、一般に珪素(Si)を除去する脱珪(Si)処理、硫黄(S)を除去する脱硫処理、リン(P)を処理する脱リン処理がある。
また、高炉出銑樋において溶銑に混入し、そのままトーピードカーに投入する方法もできる。固体酸素源を使用することにより、反応性を高めることが可能となり、操業性を悪化させることなく酸素供給速度を向上させることが可能となる。
脱リン処理は、一般に酸化鉄や石灰等の造滓剤を主成分とする脱リン剤を、窒素(N2)をキャリアガスとして溶銑中に吹き込み、スラグとして除去する。
本来は、脱硫処理では酸素は反応効率を低下させるため、酸素ガスを併用することはしないが、前述したようにグラファイトの生成抑制のためわざわざ投入する場合もある。
本発明は、最終的に溶銑を転炉に装入する時点で、溶銑中の飽和炭素濃度が、溶銑中の炭素濃度より大きければ、炭素(グラファイト)の析出がなく、そのためグラファイトの飛散を抑制できるものである。
転炉装入時の溶銑温度は、通常の伝熱計算式や経験値等から予測することができる。例えば、転炉装入までの予定経過時間による温度降下、容器移し替えに伴う温度降下、溶銑予備処理の各処理におけるランス等の浸漬に伴う温度降下、さらに溶銑予備処理の各処理に伴う反応熱等の温度変動を考慮して、予測することができる。当業者であれば通常の操業において行っている方法により予測することができるので、ここでは予測方法の詳細については言及しない。
シェンクの式:
飽和炭素濃度=1.34+0.00254×温度(℃)−0.4×[Si]
−0.33×[Mn]−0.33[P]
ここで、[Si],[Mn],[P]の単位は(%)である。
つまり、溶銑温度とSi、Mn、Pの濃度が分かれば、溶銑中飽和炭素濃度を予測することができる。
気酸比(R)=気体酸素量/(気体酸素量+固体酸素量)
ここで脱珪処理での投入酸素量は、一般に溶銑1t当たりの酸素原単位(Nm3/t)(以下、Vとして示す場合がある。)として表すことができる。
ΔC=(0.000104×R+0.038)×V
同様に珪素(Si)の濃度変化分(ΔSi)は、
ΔSi=(−0.00013×R+0.064)×V
マンガン(Mn)の濃度変化分(ΔMn)は、
ΔMn=(−0.000079×R+0.010)×V
リン(P)の濃度変化分(ΔP)は、
ΔP=(−0.000013×R+0.0016)×V
で表される。
また、脱珪処理は、転炉における負荷軽減のために珪素(Si)を除去するが、過度に除去しすぎると、転炉における熱源が低下するため、Si濃度は0.2%、望ましくは0.3%程度にした方がよい。そのため、溶銑の転炉装入時の珪素(Si)濃度が0.2%未満にならないよう、望ましくは0.3%未満にならないよう、珪素処理での酸素量、気酸比を決定することが望ましい。
実施例は、複数のトーピードカーに受けた同一出銑タイミングの溶銑を用いて行った。それぞれ、本発明に基づきグラファイトが発生せず、転炉装入時のSi濃度が0.3%未満とならないよう、珪素処理での酸素量と気酸比を決定して行った。グラファイトの飛散状況については、溶銑予備処理の各工程と、溶銑の転炉装入において、目視にて行った。
溶銑温度:1450℃
溶銑成分:C :4.65%(シェンクの式から求めた飽和炭素濃度)
Si:0.60%
Mn:0.30%
P :0.10%
本発明により求めた酸素原単位:3Nm3/min
本発明により求めた気酸比 :80%
転炉装入時の溶銑温度(予測) :1420℃
転炉装入時の飽和炭素濃度 :4.64%
転炉装入時の炭素濃度(予測) :4.51%
転炉装入時のSi濃度(予測):0.44%
転炉装入時のSi濃度(実測):0.42%
グラファイト発生は非常に軽微であり粉塵も少なく、本発明の効果を確認した。
本発明により求めた酸素原単位:3Nm3/min
本発明により求めた気酸比 :25%
転炉装入時の溶銑温度(予測) :1385℃
転炉装入時の飽和炭素濃度 :4.57%
転炉装入時の炭素濃度(予測) :4.53%
転炉装入時のSi濃度(予測):0.42%
転炉装入時のSi濃度(実測):0.41%
グラファイト発生は非常に軽微であり粉塵も少なく、本発明の効果を確認した。
本発明により求めた酸素原単位:1.5Nm3/min
本発明により求めた気酸比 :80%
転炉装入時の溶銑温度(予測) :1410℃
転炉装入時の飽和炭素濃度 :4.58%
転炉装入時の炭素濃度(予測) :4.57%
転炉装入時のSi濃度(予測):0.52%
転炉装入時のSi濃度(実測):0.53%
グラファイト発生は非常に軽微であり粉塵も少なく、本発明の効果を確認した。
本発明により求めた酸素原単位:2Nm3/min
本発明により求めた気酸比 :50%
転炉装入時の溶銑温度(予測) :1400℃
転炉装入時の飽和炭素濃度 :4.58%
転炉装入時の炭素濃度(予測) :4.56%
転炉装入時のSi濃度(予測):0.48%
転炉装入時のSi濃度(実測):0.47%
グラファイト発生は非常に軽微であり粉塵も少なく、本発明の効果を確認した。
本発明により求めた酸素原単位:3.5Nm3/min
本発明により求めた気酸比 :80%
転炉装入時の溶銑温度(予測) :1423℃
転炉装入時の飽和炭素濃度 :4.66%
転炉装入時の炭素濃度(予測) :4.49%
転炉装入時のSi濃度(予測):0.41%
転炉装入時のSi濃度(実測):0.42%
グラファイト発生は非常に軽微であり粉塵も少なく、本発明の効果を確認した。
図2から、グラファイト析出を抑制するには、
−R/50+3 ≦ V
であり、Si濃度過少を回避するためには、
V ≦ R/100+2.5
である。従って、一般的な溶銑においては、
−R/50+3 ≦ V ≦ R/100+2.5
となるような酸素原単位(V)と気酸比(R)の関係であれば、グラファイトの析出を抑制した溶銑予備処理が可能となる。
Claims (3)
- 溶銑予備処理方法において、脱珪処理のために溶銑に投入する溶銑1t当たりの酸素量である酸素原単位、および下記式で定義する気酸比、さらに溶銑が転炉に装入されるまでの予定時間から、溶銑の転炉装入時における温度と炭素濃度を予測し、前記予測した転炉装入時の溶銑温度に基づく溶銑の飽和炭素濃度が、予測した転炉装入時の溶銑の炭素濃度より大きくなるよう気酸比を決定することを特徴とする溶銑予備処理方法。
気酸比=気体酸素量/(気体酸素量+固体酸素量)
気体酸素量=脱珪処理のために溶銑1t当たりに投入する酸素ガス中の酸素量(kg)
固体酸素量=脱珪処理のために溶銑1t当たりに投入する酸化鉄等に含まれる酸素量(kg)
- 前記溶銑の転炉装入時におけるSi濃度を予測し、当該予測した転炉装入時の溶銑Si濃度が0.3%以上になるように気酸比を決定することを特徴とする請求項1に記載の溶銑予備処理方法。
- 前記酸素原単位(V)と前記気酸比(R)との関係において
―0.02×R+3 ≦ V ≦ 0.01×R+2.5
(但し、25≦R≦80)
を満足することを特徴とする請求項1または2に記載の溶銑予備処理方法。
Priority Applications (1)
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JP2010094866A JP5423554B2 (ja) | 2010-04-16 | 2010-04-16 | 溶銑の予備処理方法 |
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JP2010094866A JP5423554B2 (ja) | 2010-04-16 | 2010-04-16 | 溶銑の予備処理方法 |
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JP2011225917A JP2011225917A (ja) | 2011-11-10 |
JP5423554B2 true JP5423554B2 (ja) | 2014-02-19 |
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JP2010094866A Active JP5423554B2 (ja) | 2010-04-16 | 2010-04-16 | 溶銑の予備処理方法 |
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