JP5422942B2 - 金属酸化物膜の形成方法 - Google Patents
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Description
まず、銅(Cu)板(無酸素銅板)に、有機金属気相成長(MOCVD)法によって酸化チタン(TiO2)膜を形成した。表1には、酸化チタン膜の成膜条件を示す。
まず、銅(Cu)板(無酸素銅板)に有機金属気相成長(MOCVD)法によって酸化チタン(TiO2)膜を形成した。実施例1と異なる点としては、酸化チタン膜の成膜温度を700℃とした。その他の成膜条件は、実施例1と同様であった。
まず、ニッケル(Ni)板に、有機金属気相成長(MOCVD)法によって酸化チタン(TiO2)膜を形成した。酸化チタン膜の成膜温度を700℃とした。その他の成膜条件は、実施例1と同様であった。
Claims (2)
- 基材上に、前記基材の一部表面を選択的に露出させるために銅を主成分とする金属膜を形成するステップと、
前記金属膜上と前記露出された基材の一部表面上とに化学気相成長法によって酸素雰囲気中において500℃〜700℃の範囲内の温度で金属酸化物膜を形成するステップと、
前記金属膜上に形成された前記金属酸化物膜を剥離によって除去するステップと、
前記金属酸化物膜を剥離した後、前記金属膜を除去するステップとを備える、金属酸化物膜の形成方法。 - 前記金属酸化物膜は、酸化チタン膜である、請求項1に記載の金属酸化物膜の形成方法。
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