JP5407648B2 - 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 51
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 28
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 49
- 239000010408 film Substances 0.000 description 48
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 13
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 10
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 5
- -1 aluminum quinolinol Chemical compound 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical compound N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical group C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000013500 performance material Substances 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005493 welding type Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
上記液晶表示装置は、駆動回路を備えた外部装置とコネクターとを接続することにより駆動される。
上記フレキシブル表示パネルとして、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、無機または有機ELディスプレイ、電気泳動ディスプレイ、エレクトロクロミックディスプレイなどが挙げられている。
しかしながら、上記フレキシブルドライバーICを特許文献1の液晶表示装置に適用して、液晶パネルの端子部に直接実装する所謂COG(Chip On Glass)実装を行う場合、予め厚みが100μm以下に薄くなったドライバーICを液晶パネルに位置精度よく平面実装することが難しいという課題がある。また、ドライバーICが薄いために実装工程における取り扱いが難しく、例えば破損してしまうなどの課題がある。
さらに、COG実装後に保護シートで挟み込んで一体化した場合、ドライバーICを流れる電流によって生ずる発熱を放熱させることが困難であるという課題もある。
さらには、薄型化された駆動用半導体チップを含めて電気光学パネルが保護フィルムで封着されるので、例えば温度、湿度、光など外部環境の変化による影響を受け難く、高い信頼性品質を有する薄型の電気光学装置を製造できる。
この方法によれば、電気光学装置に曲げ応力が加えられても、電気光学パネルが変形可能であると共に、実装された駆動用半導体チップも変形に追随可能となるため、接続信頼性が確保されたフレキシブルな電気光学装置を製造することができる。
この方法によれば、電気光学装置の駆動による駆動用半導体チップの発熱を放熱部材を経由して効率よく外部へ放熱することができる。
この方法によれば、有機ELパネルの駆動による駆動用半導体チップの発熱を放熱部材を経由して効率よく外部へ放熱することが可能な電気光学装置を製造することができる。
この構成によれば、駆動用半導体チップの接続信頼性が確保されたフレキシブルな電気光学装置を提供できる。
この構成によれば、電気光学装置の駆動による駆動用半導体チップの発熱を放熱部材を経由して効率よく外部へ放熱することが可能な電気光学装置を提供できる。
この構成によれば、有機ELパネルの駆動による駆動用半導体チップの発熱を放熱部材を経由して効率よく外部へ放熱することが可能な電気光学装置を提供できる。
この構成によれば、高い信頼性と環境性能とを兼ね備えた薄型の電子機器を提供できる。
<電気光学装置>
本実施形態は、電気光学装置として有機EL(エレクトロルミネッセンス)装置を例に、図1〜図4を参照して説明する。
図1は有機EL装置の構成を示す概略平面図、図2は有機EL装置の電気的な構成を示す等価回路図、図3は有機ELパネルの構造を示す概略断面図、図4は図1のA−A'線で切った概略断面図である。
電気光学パネルとしての有機ELパネル110は、赤(R)、緑(G)、青(B)の発光色がそれぞれ独立して得られる略矩形状の複数の画素6を有している。同一発光色の画素6が短辺方向に直線的に配列すると共に、短辺方向と交差する長辺方向に異なる発光色の画素6が配列する所謂ストライプ方式の画素配列で構成された発光領域110aを有する。なお、異なる発光色が得られる複数の画素6の配列は、これに限定されるものではない。
有機機能層25の構成は、これに限定されず、より効率的に発光を促すための中間層や電子注入層を含んでいてもよく、公知の構成を採用することができる。
素子基板10上には、上述した回路部10dと、回路部10dを覆う平坦化層21とが設けられている。有機EL素子20は、平坦化層21上において隔壁22により区画された領域に配置された反射層23上に設けられている。また、複数の有機EL素子20に亘る共通電極として配置された陰極26と平坦化層21とを覆うように、電極保護層27と、有機緩衝層28と、ガスバリア層29とが設けられている。
本実施形態における有機EL素子20は、有機機能層25において白色発光が得られるものである。
封止基板30は、画素6の配置に対応して設けられた3色の着色層32R,32G,32Bにより構成されるカラーフィルター32を有している。また、各着色層32R,32G,32Bを区画する遮光層31を有している。
素子基板10と封止基板30とは、封止樹脂層34を介して対向配置され、シール材33により封止されると共に接合されている。
このような有機ELパネル110は、有機機能層25から発した白色光が反射層23によって反射され、カラーフィルター32を透過して封止基板30側から射出されるトップエミッション型である。
陽極24は、例えば、ITOやIZO(Indium Zinc Oxide;登録商標)等の透明導電膜からなる。
陽極24に平面的に重なるように設けられた反射層23は、光反射性を有する金属材料等からなり、例えばアルミ合金等からなる。
実際には、絶縁性を有するフレキシブルな基材42aの一方の面に放熱部材42cが貼り付けられ、他方の面に配線部42bが設けられたフレキシブル配線基板(FPC)42が端子部10aと保護フィルム41との間に挟まれている。放熱部材42cは基材42aから突出するように設けられており、突出した部分がドライバーIC120の表面120bと保護フィルム41との間に挟まれている。
FPC42は保護フィルム41の一方の辺部まで延在するように配置されており、配線部42bの少なくとも一部が露出するように2枚の保護フィルム41,44により有機ELパネル110が封着されている。露出した配線部42bが外部駆動回路との接続部となっている。したがって、ドライバーIC120からの発熱を放熱部材42cが設けられたFPC42を介して外部に放熱することが可能である。
樹脂フィルムとしては、例えばPET(ポリエチレンテレフタレート)やPEN(ポリエチレンナフタレート)などのポリエステル、PES(ポリエーテルスルホン)、PC(ポリカーボネート)、PE(ポリエチレン)などの樹脂からなるフィルムが挙げられる。その厚みは、およそ50μm程度である。
樹脂フィルムの有機ELパネル110を封着する側には接着剤が塗布されている。接着剤は、例えば熱硬化型のエポキシ樹脂を用いることができる。また、粘着性を有する粘着剤としてもよい。粘着剤を用いればリペア性を実現できる。
次に、電気光学装置としての有機EL装置の製造方法について、図5〜図8を参照して説明する。図5は有機EL装置の製造方法を示すフローチャート、図6(a)および(b)はIC実装工程を示す概略図、図7は(a)〜(d)はドライエッチング工程を示す概略図、図8(a)〜(c)はラミネート工程を示す概略図である。
なお、図示省略したが、実装後のドライバーIC120の周辺部に封止樹脂45を塗布して能動面120aを封着しておく。そして、ステップS2へ進む。
加圧ローラー51,52は、熱伝導性のエラストマーから構成されたローラー面を有し、80℃〜120℃の温度に熱せられる。
図8(b)の矢印で示す方向に、準備体における有機ELパネル110の端子部10aの反対側の一辺側から、一対の加圧ローラー51,52の間に準備体が挿入されて、ラミネート(封着)が行われる。加圧ローラー51,52に挟持された部分では、熱と圧力とによって有機ELパネル110と保護フィルム41,44とが相互に接着される。また、保護フィルム41,44同士も接着される。これによって有機ELパネル110と保護フィルム41,44とが一体化される。
準備体の一辺側から他端側に向かってラミネートが行われるため、各部材に気泡(空気)が残っていたとしても、気泡は他端側に押し出されることになる。
また、前述したようにラミネート後に空間が発生し易い有機ELパネル110の4辺に沿った部分および端子部10aには、封止樹脂45が予め塗布されている。したがって、上記空間を埋めた後の余分な封止樹脂45も保護フィルム41,44の端部へと押し出される。そして、図8(c)に示すように、ラミネートされた有機EL装置100が加圧ローラー51,52間から押し出されてラミネートが完了する。
ラミネートに用いられるラミネート装置は、一対の加圧ローラー51,52を備えたロールラミネート方式に限定されるものではない。例えば、1枚の板状加熱板(ホットプレート)上に準備体をセットし、変形するゴムシートを気圧差により当該準備体に押し当てて、加熱および加圧するダイアフラム方式による真空ラミネート装置を用いても良い。
また、ドライバーIC120が実装された有機ELパネル110を2枚の保護フィルム41,44で封着するので、有機EL装置100の取り扱いが容易となり、破損等の不良発生を防ぐことができる。
<電子機器>
次に、本実施形態の電子機器について図9を参照して説明する。図9(a)は電子機器の一例としてのディスプレイの概略構成図であり、図9(b)は電子機器の一例としての情報携帯端末の概略構成図である。
また、有機ELパネル110が保護フィルム41,44により封着されているので、例えば、携帯情報端末2000を誤って落としたとしても外部からの衝撃で有機ELパネル110が破損し難い。たとえ破損しても有機ELパネル110の破片が飛び散らない安全な携帯情報端末2000が実現される。
Claims (13)
- 10μm〜100μmの厚みを有する素子基板と、前記素子基板の第1の面上に設けられた端子部とを含む電気光学パネルの前記端子部に駆動用半導体チップを実装する実装工程と、
実装された前記駆動用半導体チップをドライエッチングして前記駆動用半導体チップの厚みを5μm〜50μmに薄型化するドライエッチング工程と、
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 前記駆動用半導体チップと透明性を有する第1保護フィルムとの間に放熱部材を挟み、前記駆動用半導体チップと前記第1保護フィルムとが重なるように前記電気光学パネルと前記第1保護フィルムとを張り合わせる工程を含む封着工程をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の製造方法。
- 前記端子部にフレキシブル配線基板を装着するFPC装着工程をさらに有し、
前記封着工程は、前記放熱部材が前記駆動用半導体チップと前記フレキシブル配線基板とに重なるように前記電気光学パネルと前記第1保護フィルムとを張り合わせる工程を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置の製造方法。 - 前記電気光学パネルが有機EL素子を有する有機ELパネルであることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
- 前記封着工程は、前記放熱部材の一部が前記電気光学パネルと重ならないように前記電気光学パネルと前記第1保護フィルムとを張り合わせることを特徴とする、請求項2から4のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
- 前記封着工程は、前記第1保護フィルムと第2保護フィルムとの間に前記光学パネルを挟み、前記第1保護フィルムと前記電気光学パネルと前記第2保護フィルムとを張り合わせる工程を含み、
前記第2保護フィルムの熱伝導性は、前記素子基板よりも高いことを特徴とする請求項2から5のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。 - 10μm〜100μmの厚みを有する素子基板と、前記素子基板の第1の面上に設けられた端子部とを含む電気光学パネルと、
前記電気光学パネルの前記端子部に実装された後にドライエッチングにより、5μm〜50μmの厚みに薄型化された駆動用半導体チップと、
を備えたことを特徴とする電気光学装置。 - 前記第1の面と対向して配置され、透明性を有する第1保護フィルムをさらに備え、
前記電気光学パネルに実装された前記駆動用半導体チップと前記第1保護フィルムとの間に放熱部材が挟まれていることを特徴とする請求項7に記載の電気光学装置。 - 前記端子部に実装されたフレキシブル配線基板をさらに備え、
前記放熱部材は前記前記駆動用半導体チップと前記フレキシブル配線基板とに重なることを特徴とする請求項7または8に記載の電気光学装置。 - 前記電気光学パネルが有機EL素子を有する有機ELパネルであることを特徴とする請求項7から9のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記放熱部材の一部は前記電気光学パネルと重ならないように配置されていることを特徴とする請求項8から10のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記素子基板よりも熱伝導性が高い第2保護フィルムをさらに備え、
前記素子基板は前記第1の面と対向する第2の面を有し、
前記第2保護フィルムは前記第2の面上に配置されていることを特徴とする請求項7から11のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法によって製造された電気光学装置、または請求項7乃至12のいずれか一項に記載の電気光学装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009186307A JP5407648B2 (ja) | 2009-08-11 | 2009-08-11 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 |
US12/848,365 US8450838B2 (en) | 2009-08-11 | 2010-08-02 | Electro-optic apparatus, electronic device, and method for manufacturing electro-optic apparatus |
CN2010102514092A CN101997023A (zh) | 2009-08-11 | 2010-08-10 | 电光学装置、电子设备、电光学装置的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009186307A JP5407648B2 (ja) | 2009-08-11 | 2009-08-11 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011040268A JP2011040268A (ja) | 2011-02-24 |
JP5407648B2 true JP5407648B2 (ja) | 2014-02-05 |
Family
ID=43767829
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009186307A Expired - Fee Related JP5407648B2 (ja) | 2009-08-11 | 2009-08-11 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5407648B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015118825A (ja) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | 日本精機株式会社 | 有機elパネル |
JP6315237B2 (ja) * | 2013-12-26 | 2018-04-25 | 日本精機株式会社 | 有機elパネル |
JPWO2016117439A1 (ja) * | 2015-01-20 | 2017-10-26 | コニカミノルタ株式会社 | 面発光モジュール |
JP2017102333A (ja) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | 凸版印刷株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
JP2020155417A (ja) * | 2020-06-24 | 2020-09-24 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3656455B2 (ja) * | 1999-04-13 | 2005-06-08 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | ドライバーモジュール構造 |
JP4255643B2 (ja) * | 2001-02-21 | 2009-04-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
JP2003337543A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-28 | Toshiba Corp | 表示装置 |
JP4046645B2 (ja) * | 2003-05-23 | 2008-02-13 | シャープ株式会社 | 半導体デバイス及びその製造方法 |
JP2006113436A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Citizen Watch Co Ltd | 表示装置 |
JP2007025200A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示素子及びその製造方法 |
JP4973268B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2012-07-11 | セイコーエプソン株式会社 | 電子機器、電子機器の防湿構造、および電子機器の製造方法 |
-
2009
- 2009-08-11 JP JP2009186307A patent/JP5407648B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011040268A (ja) | 2011-02-24 |
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