JP5399274B2 - 薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタを備える平板表示装置 - Google Patents
薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタを備える平板表示装置 Download PDFInfo
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Description
11 バッファ層、
12 ゲート電極、
13 ゲート絶縁膜、
14(14a、14b、14c) 活性層(チャネル領域、ソース領域、ドレイン領域)、
15 保護層、
16a、16b ソース電極、ドレイン電極、
100、200 表示パネル、
130 液晶層、
220 画素領域、
230 非画素領域、
300 有機電界発光素子、
400 封止基板、
410 密封材。
Claims (21)
- 基板と、
前記基板上に形成されたゲート電極と、
ゲート絶縁膜により前記ゲート電極と絶縁され、前記ゲート電極を覆うように前記ゲート絶縁膜上に形成された、酸素を含む化合物半導体からなる活性層と、
前記活性層の上部に形成された保護層と、
前記活性層と接触するソース電極及びドレイン電極と、を備え、
前記保護層は、チタン酸窒化物(TiOxNy)からなり、直流反応性スパッタリング法で形成されたことを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記保護層が、前記活性層の上部に形成され、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が、前記保護層に形成されたコンタクトホールを介して前記活性層と接触することを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記化合物半導体が、酸化亜鉛(ZnO)を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記化合物半導体に、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、スズ(Sn)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、及びバナジウム(V)のうち少なくとも1つのイオンがドープされることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記基板と前記ゲート電極との間に形成されたバッファ層をさらに備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
- 基板上にゲート電極を形成するステップと、
前記ゲート電極の上部にゲート絶縁膜を形成するステップと、
前記ゲート絶縁膜上に、酸素を含む化合物半導体で活性層を形成するステップと、
前記活性層上に直流反応性スパッタリング法でチタン酸窒化物(TiOxNy)からなる保護層を形成するステップと、
前記活性層と接触するソース電極及びドレイン電極を形成するステップと、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記保護層を形成するステップは、
前記活性層の上部に前記保護層を形成するステップと、
前記保護層にコンタクトホールを形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項6に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成するステップは、
前記コンタクトホールが埋め込まれるように、前記保護層上に導電層を形成するステップと、
前記導電層をパターニングして、前記コンタクトホールを介して前記活性層と接触する前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項6または7に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記化合物半導体が、酸化亜鉛(ZnO)を含むことを特徴とする請求項6〜8のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記化合物半導体に、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、スズ(Sn)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、及びバナジウム(V)のうち少なくとも1つのイオンがドープされることを特徴とする請求項6〜9のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記保護層を、直流反応性スパッタリング法により形成することを特徴とする請求項6〜10のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成するステップにおいて、前記保護層をエッチング停止層として使用することを特徴とする請求項6〜11のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記基板上にバッファ層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項6〜12のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 複数の第1導電線及び第2導電線により複数の画素が画定され、各画素に供給される信号を制御する薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続された第1電極とが形成された第1基板と、
第2電極が形成された第2基板と、
前記第1電極と前記第2電極との間の密封された空間に注入された液晶層と、を備え、
前記薄膜トランジスタは、
前記第1基板上に形成されたゲート電極と、
ゲート絶縁膜により前記ゲート電極と絶縁され、前記ゲート電極を覆うように前記ゲート絶縁膜上に形成された、酸素を含む化合物半導体からなる活性層と、
前記活性層の上部に形成された保護層と、
前記活性層と接触するソース電極及びドレイン電極と、を備え、
前記保護層は、チタン酸窒化物(TiOxNy)からなり、直流反応性スパッタリング法で形成されたことを特徴とする平板表示装置。 - 前記保護層が、前記活性層の上部に形成され、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が、前記保護層に形成されたコンタクトホールを介して前記活性層と接触することを特徴とする請求項14に記載の平板表示装置。
- 前記化合物半導体が、酸化亜鉛(ZnO)を含むことを特徴とする請求項14または15に記載の平板表示装置。
- 前記化合物半導体に、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、スズ(Sn)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、及びバナジウム(V)のうち少なくとも1つのイオンがドープされることを特徴とする請求項14〜16のいずれか一項に記載の平板表示装置。
- 第1電極、有機薄膜層、及び第2電極からなる有機電界発光素子と、前記有機電界発光素子の動作を制御する薄膜トランジスタとが形成された第1基板と、
前記第1基板に対向するように配置された第2基板と、を備え、
前記薄膜トランジスタは、
前記第1基板上に形成されたゲート電極と、
ゲート絶縁膜により前記ゲート電極と絶縁され、前記ゲート電極を覆うように前記ゲート絶縁膜上に形成された、酸素を含む化合物半導体からなる活性層と、
前記活性層の上部に形成された保護層と、
前記活性層と接触するソース電極及びドレイン電極と、を備え、
前記保護層は、チタン酸窒化物(TiOxNy)からなり、直流反応性スパッタリング法で形成されたことを特徴とする平板表示装置。 - 前記保護層が、前記活性層の上部に形成され、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が、前記保護層に形成されたコンタクトホールを介して前記活性層と接触することを特徴とする請求項18に記載の平板表示装置。
- 前記化合物半導体が、酸化亜鉛(ZnO)を含むことを特徴とする請求項18または19に記載の平板表示装置。
- 前記化合物半導体に、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、スズ(Sn)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、及びバナジウム(V)のうち少なくとも1つのイオンがドープされることを特徴とする請求項18〜20のいずれか一項に記載の平板表示装置。
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