JP5397989B2

JP5397989B2 - 液晶表示装置

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Publication number: JP5397989B2
Application number: JP2009059043A
Authority: JP
Inventors: 雅志三井; 徳夫小間
Original assignee: Japan Display Inc
Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2009-03-12
Filing date: 2009-03-12
Publication date: 2014-01-22
Anticipated expiration: 2026-09-19
Also published as: JP2009122716A

Description

本発明は、液晶表示装置に係り、より具体的には１つの画素内に透過表示を行う透過部
と反射表示を行う反射部とを有し液晶を配向制御するための２つの電極を一方の基板に備
える液晶表示装置に関する。

広視野角の液晶パネルとして、例えばＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式やＩＰＳ
（In-Plane Switching）方式の液晶パネルがある。これらの方式では、素子基板に画素電
極と共通電極との両方を設け、両電極間に生じる電界の制御によって液晶分子を回転させ
て配向状態を制御する。

液晶パネルは、バックライト光を利用して表示を行う透過型と、外光の反射を利用して
表示を行う反射型と、１つの画素内に透過型と反射型との両構造が作り込まれた半透過型
と、に大別される。

特開２００３−２７０６２７号公報特開２００４−１９８９２２号公報

従来よりあるＴＮ方式およびＥＣＢ方式の半透過型はコントラストが十分でなく、視野
角も狭い。また、ＶＡ方式の半透過型はコントラストが高く、視野角を広げることができ
るが、低視野角において色が変化するという問題がある。

上記のＴＮ方式およびＥＣＢ方式の場合に対して、ＦＦＳ方式やＩＰＳ方式の半透過型
の場合は、視野角特性は良好であり、ＶＡ方式で見られるような低視野角における色変化
が非常に少ない。しかし、透過表示と反射表示とを両立するために位相差フィルムまたは
位相差板を貼り付ける必要があり、それによってコントラストが低下するという問題があ
った。さらに、ＦＦＳ方式やＩＰＳ方式の透過型に比べて液晶表示装置が厚くなる問題が
あった。

本発明は、１つの画素内に透過表示を行う透過部と反射表示を行う反射部とを有し液晶
を配向制御するための２つの電極を一方の基板に備える液晶表示装置について良好な表示
を得ることを目的とする。

本発明に係る液晶表示装置は、第１基板と第２基板との間に液晶を挟持し、１つの画素内に透過表示を行う透過部と反射表示を行う反射部とを有し、第１電極と第２電極とを第１基板に備える液晶表示装置であって、第１基板の液晶とは反対側に第１偏光板を備え、第２基板の液晶とは反対側に第２偏光板を備え、第１基板と液晶を介して対向する第２基板に第３電極を備え、第１電極は、透過部と反射部とにわたって設けられ、第２電極は、第１基板の一方向に延在するスリットを有し、透過部内において絶縁膜を介して第１電極と対向して配置され、第３電極は、反射部内において液晶を介して第１電極と対向して配置され、液晶は、透過部および反射部内の液晶分子の長軸が第１電極の表面に略平行であって、かつ第２電極のスリットの延在方向に略平行に初期配向されるとともに、透過部では第１電極と第２電極との電界で配向制御され、反射部では第１電極と第３電極との電界で配向制御され、反射部に配置された位相差層は、１／２波長板であり、第１偏光板の透過軸は、第１電極と第２電極との電位差がオフ電圧となる透過部の暗表示において、第１偏光板に入射した光が液晶の液晶分子の長軸に対して略直交な偏光として液晶に入射するように配置される。

上記構成により、反射部を第１基板と第２基板とに設けられた第１電極と第３電極とに
より制御することができ、透過部を広い視野角を有したＦＦＳ方式等とした半透過型の液
晶表示装置を実現できる。その際、透過部に位相差層を配置しないため、その位相差層に
起因する透過部のコントラストの劣化を抑止できる。

また、第１偏光板の透過軸と第２偏光板の透過軸とは略直交に配置されることが好ましい。
また、位相差層は第２基板の液晶側に設けられ、第２偏光板より入射した直線偏光の偏光方向を４５°回転させることが好ましい。

また、第２電極と第３電極とに同一の電位が印加されることが好ましい。

上記構成により、１つの画素内に透過部と反射部とを有し液晶を配向制御するための２
つの電極を一方の基板に備える液晶表示装置について良好な表示を得ることができる。

本発明の実施の形態に係る液晶表示装置を説明する模式図である。本発明の実施の形態に係る液晶表示装置を説明する模式図である。本発明の実施の形態に係る他の液晶表示装置を説明する模式図である。

以下に図面を用いて本発明に係る実施の形態について詳細に説明する。

図１および図２に本発明の実施の形態に係る液晶表示装置５０を説明する模式図を示す
。液晶表示装置５０は、液晶パネル６０と、液晶パネル６０を駆動する駆動回路７０と、
液晶パネル６０に対向して配置された不図示のバックライト装置とを含んで構成されてい
る。なお、図１等では、液晶パネル６０の１つの画素（ドット、サブピクセル等とも呼ば
れる）を断面図で示し、図面の煩雑化を避けるために一部の要素にのみハッチングを施し
ている。

液晶パネル６０は、１つの画素内に透過表示を行う透過部６０Ｔと反射表示を行う反射
部６０Ｒとを含んだ半透過型の液晶パネルである。なお、透過部６０Ｔおよび反射部６０
Ｒはそれぞれ、画素の平面視における２次元領域だけでなく、当該２次元領域を液晶パネ
ル６０の厚さ方向すなわち後述の基板１００，２００の重ね合わせ方向に投影して規定さ
れる液晶パネル６０の３次元領域をも指すものとする。

ここでは、液晶パネル６０が、透過表示をＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式によ
って行い、反射表示をＥＣＢ（Electrically Controled Birefringence）方式によって行
う場合を例示する。

液晶パネル６０は、素子基板１００と、素子基板１００に対向する対向基板２００と、
両基板１００，２００間に設けられた液晶（または液晶層）３００とを含んで構成されて
いる。なお、液晶３００について液晶分子を模式的に図示している。

素子基板１００は、透光性基板１１２を含んで構成され、さらに、透光性基板１１２よ
りも内側すなわち当該基板１１２に対して液晶層３００の側に、回路層１１４と、平坦化
膜１１６と、反射膜１１８と、第１電極１２０と、絶縁膜１２２と、第２電極１２４と、
不図示の配向膜とを含んで構成されている。

透光性基板１１２は、例えば透明なガラス板で構成されている。

回路層１１４は、各種素子等が形成されて画素を駆動するための回路が形成された層で
あり、例えば画素ＴＦＴ（Thin Film Transistor）や各種配線を含んで構成されている。
ここでは当該回路の詳細は省略するが、各種の回路が適用可能である。回路層１１４は透
光性基板１１２上に透過部６０Ｔと反射部６０Ｒとにわたって配置されている。

平坦化膜１１６は、例えば絶縁性かつ透光性の樹脂で構成され、回路層１１４よりも液
晶層３００の側に位置し回路層１１４上に配置されている。平坦化膜１１６は、透過部６
０Ｔと反射部６０Ｒとにわたっている。平坦化膜１１６における対向基板２００側の表面
は、透過部６０Ｔ内では平坦であり、反射部６０Ｒ内では凹凸形状になっている。当該凹
凸形状は、各種方法によって形成可能であり、例えば平坦化膜１１６をフォトレジスト材
料で構成し当該フォトレジスト材料のパターン露光および現像によって形成可能である。

反射膜１１８は、反射表示のために外光（可視光）を反射可能な材料、例えばアルミニ
ウム等で構成されている。反射膜１１８は、反射部６０Ｒに配置され、平坦化膜１１６の
上記凹凸面上に配置されている。反射膜１１８の対向基板２００側の表面は平坦化膜１１
６の凹凸面と同様の凹凸形状になっている。

第１電極１２０は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性導電材料で構成され
ている。第１電極１２０は、反射膜１１８を覆って平坦化膜１１６上に配置されている。
第１電極１２０は、透過部６０Ｔと反射部６０Ｒとにわたっており、すなわち透過部６０
Ｔと反射部６０Ｒとに共通の電極である。第１電極１２０の対向基板２００側の表面は、
透過部６０Ｔ内では平坦であり、反射部６０Ｒ内では反射膜１１８および平坦化膜１１６
の凹凸面と同様の凹凸形状になっている。

なお、上記の反射膜１１８が導電性を有する場合、第１電極１２０は反射膜１１８に接
続されている限り反射膜１１８の全体を覆わない形態でもよい。すなわち、第１電極１２
０の反射部６０Ｒ内の部分を反射膜１１８によって構成することも可能である。

なお、図１等では説明のために第１電極１２０と駆動回路７０との接続を模式的に図示
しているが、第１電極１２０への電位の印加は例えば回路層１１４内の上記画素ＴＦＴ等
を介して行われる。

絶縁膜１２２は、例えば酸化シリコン、窒素シリコン等で構成されている。絶縁膜１２
２は、透過部６０Ｔ内において第１電極１２０の上記平坦面上に配置されている。絶縁膜
１２２の対向基板２００側の表面は平坦である。

第２電極１２４は、例えばＩＴＯ等の透光性導電材料で構成されている。第２電極１２
４は、透過部６０Ｔ内において絶縁膜１２２上に配置されており、絶縁膜１２２を介して
第１電極１２０に対向している。すなわち、第１電極１２０と絶縁膜１２２と第２電極１
２４とがこの順序で積層されている。両電極１２４，１２０は、素子基板１００に設けら
れているので、液晶層３００に対して同じ側に位置している。第２電極１２４には第１電
極１２０に対向する部分にスリット１２６が設けられており、ここではスリット１２６は
図面の略垂直方向に延在している場合を例示する。第１電極１２０と第２電極１２４との
電位差に起因した電界ＥＴがスリット１２６および絶縁膜１２２を介して発生する（図２
参照）。当該電界ＥＴによって液晶３００の透過部６０Ｔ内での配向状態が制御される。

なお、図１等では説明のために第２電極１２４と駆動回路７０との接続を模式的に図示
しているが、第２電極１２４への電位の印加は例えば回路層１１４内の配線等を介して行
われる。

不図示の配向膜は、第２電極１２４と絶縁膜１２２と第１電極１２０とを覆って配置さ
れ、液晶３００に接している。

対向基板２００は、透光性基板２１２を含んで構成され、さらに、透光性基板２１２よ
りも内側すなわち当該基板２１２に対して液晶３００の側に、カラーフィルタ２１４と、
位相差層２１６と、第３電極２１８と、不図示の配向膜とを含んで構成されている。

透光性基板２１２は、例えば透明なガラス板で構成されている。

カラーフィルタ２１４は、例えば染色された樹脂で構成され、透過部６０Ｔと反射部６
０Ｒとにわたって透光性基板２１２上に配置されている。カラーフィルタ２１４によって
、素子基板１００側から入射したバックライト光および対向基板２００側から入射した外
光が着色されて画素が所定の色に点灯する。カラーフィルタ２１４の色は各画素の表示色
（単色）に応じて設定されている。なお、近接する複数色の画素で構成される１単位はピ
クセル等と呼ばれ、当該１単位を画素と呼ぶ場合もある。

位相差層２１６は、ここでは半波長板（または１／２波長（２分の１波長）板）に相当
する場合を例示する。この場合、位相差層２１６によって直線偏光の偏光方向を右回りに
（または左回りに）４５°回転させることが可能である。位相差層２１６は、カラーフィ
ルタ２１４よりも液晶層３００の側に位置し、反射部６０Ｒ内においてカラーフィルタ２
１４上に配置されている。この場合、位相差層２１６は液晶パネル６０に内蔵されている
。ここで、内蔵とは、透光性基板１１２，２１２間に配置された配置形態を言うものとす
る。このとき、例えば上記の画素ＴＦＴ等も液晶パネル６０に内蔵されていると捉えられ
る。

位相差層２１６は、例えばＵＶ（紫外線）キュアラブル液晶（紫外線で硬化可能な液晶
）を利用して形成可能である。より具体的には、カラーフィルタ２１４上に配向膜（図示
せず）を形成し、当該配向膜上に液体状のＵＶキュアラブル液晶を塗布等し紫外線（ＵＶ
）を照射して硬化することによって、位相差層２１６を形成可能である。この場合、位相
差層２１６は、ＵＶキュアラブル液晶を含んで構成され、あるいはさらに上記配向膜を含
んで構成される。なお、上記配向膜はＵＶキュアラブル液晶の配向を制御するものであり
、液晶３００の配向を規定するものではない。ＵＶキュアラブル液晶用の上記配向膜とし
て、各種の配向膜が利用可能である。例えば光照射によって液晶配向能を生じる光配向膜
を利用可能であり、当該光配向膜によればラビングが不要である。ＵＶキュアラブル液晶
は、ＵＶキュアを施す（ＵＶを照射して硬化する）ことによって、位相差板として機能す
る。その位相差は、ＵＶキュアラブル液晶の厚さを変えることで調整可能である。

第３電極２１８は、例えばＩＴＯ等の透光性導電材料で構成されている。第３電極２１
８は、位相差層２１６よりも液晶層３００の側に位置し反射部６０Ｒ内において位相差層
２１６上に配置され、液晶層３００を介して第１電極１２０に対向している。すなわち、
第３電極２１８は、液晶３００に対して第１電極１２０とは反対側に位置している。第３
電極２１８と第１電極１２０との電位差に起因した電界ＥＲによって液晶３００の反射部
６０Ｒ内の配向状態が制御される（図２参照）。

第３電極２１８には、第２電極１２４と同じ電位が印加される。この電位印加の形態を
、図１等では駆動回路７０からの配線が分岐して両電極２１８，１２４に至る場合を模式
的に例示している。この例示に代えて、分岐を液晶パネル６０内に設けて両電極１２４，
２１８に同電位が印加可能な状態に構成してもよい。例えば、導電性粒子等を利用して液
晶パネル６０内において両電極２１８，１２４を接続し電極１２４，２１８の一方へ駆動
回路７０からの電位を印加するように構成してもよい。また、駆動回路７０からの配線を
両電極２１８，１２４に対してそれぞれ設け各配線へ駆動回路７０から同電位を出力する
ように構成してもよい。

不図示の配向膜は、第３電極２１８と位相差層２１６とカラーフィルタ２１４とを覆っ
て配置され、液晶３００に接している。

液晶パネル６０は、さらに偏光板１２８，２２０を含んで構成されている。偏光板１２
８は素子基板１００の外側すなわち透光性基板１１２に対して液晶層３００とは反対の側
に配置されている。偏光板２２０は対向基板２００の外側すなわち透光性基板２１２に対
して液晶層３００とは反対の側に配置されている。

駆動回路７０は、電極１２０，１２４，２１８に接続されて電極１２０，１２４，２１
８への印加電位を生成、伝達等するための各種要素を含んで構成されている。当該各種要
素は、液晶パネル６０に外付けされ、または内蔵され、または実装されており、例えば回
路層１１４内の画素ＴＦＴ等も含まれるものとする。駆動回路７０は、上記印加電位を生
成し所定のタイミングで電極１２０，１２４，２１８へ印加する。

次に、図１および図２を参照しつつ、液晶表示装置５０の動作の一例を説明する。ここ
では上記のように透過表示をＦＦＳ方式によって行い反射表示をＥＣＢ方式によって行う
場合を例示する。なお、液晶３００は、例えば、誘電異方性が正であり、屈折率異方性（
複屈折性とも呼ばれる）Δｎは０．１である。

液晶パネル６０は、第１電極１２０と第２電極１２４との電位差がオフ（ＯＦＦ）電圧
の場合に透過表示が輝度の最も低い状態である暗表示になるように構成されているととも
に、第１電極１２０と第３電極２１８との電位差がオフ電圧の場合に反射表示が暗表示に
なるように構成されている（図１参照）。なお、透過表示についての輝度は透過率に対応
し、反射表示についての輝度は反射率に対応する。また、暗表示は暗状態、黒表示等とも
呼ばれる。また、最も輝度の高い状態を明表示とよぶことにする。明表示は明状態、白表
示等とも呼ばれる。また、暗表示または明表示を実現する電圧であって電界ＥＴ，ＥＲを
ほとんど発生させない電圧をオフ電圧と呼び、これに対して暗表示または明表示を実現す
る電圧であってオフ電圧印加時に比べて大きな電界ＥＴ，ＥＲが発生する電圧をオン（Ｏ
Ｎ）電圧と呼ぶことにする。

このため、ここでは、透過部６０Ｔおよび反射部６０Ｒの両方がノーマリブラック方式
（Normaly Black Type）に構成され、画素全体としてもノーマリブラック方式に構成され
ている。このような構成は、液晶３００の材料、オフ電圧印加時における液晶３００の配
向状態（いわゆる初期配向状態）、配向膜のラビング方向、偏光板１２８，２２０および
位相差層２１６の特性や配置、等の調整によって可能である。

液晶表示装置５０では、第２電極１２４と第３電極２１８とに同電位が印加されるので
、オフ電圧の印加によって透過部６０Ｔおよび反射部６０Ｒは同時に暗表示になる。すな
わち画素全体が暗表示になる。他方、オン電圧の印加によって透過部６０Ｔおよび反射部
６０Ｒを同時に明表示にすることが可能であり、このとき画素全体が明表示になる（図２
参照）。

より具体的な一例を以下に説明する。

例えば、オフ電圧印加時において、透過部６０Ｔ内および反射部６０Ｒ内で液晶３００
を液晶分子の長軸が電極１２０，１２４，２１８の表面に略平行になるようにかつスリッ
ト１２６の延在方向に略平行に初期配向させる（したがって図面の略垂直方向に配向させ
る）。なお、透過部６０Ｔと反射部６０Ｒとでラビング方向は同じに設定されている。ま
た、偏光板１２８を透過軸が初期配向状態の液晶分子の長軸に略直交するように配置する
。また、偏光板１２８の透過軸と透過軸を略直交させて偏光板２２０を配置する（いわゆ
る直交配置）。

この場合、透過表示について、素子基板１００側から入射したバックライト光は、偏光
板１２８によって液晶分子の長軸に略直交する直線偏光になる。当該直線偏光の偏光方向
と液晶分子の配向方向との関係によれば液晶３００の複屈折効果をほとんど受けないので
、当該直線偏光は偏光状態を保ったまま偏光板２２０へ到達する。しかし、当該直線偏光
は偏光板２２０の透過軸と略直交する方向に偏光しているので、偏光板２２０を透過する
ことができず、その結果、透過表示は暗表示になる。

反射表示については、対向基板２００側から入射した外光は、偏光板２２０によって液
晶分子の長軸に略平行な直線偏光になり、位相差層２１６の上記作用によって偏光方向が
４５°回転し、その偏光状態で液晶層３００へ進入する。反射部６０Ｒの液晶層３００は
その複屈折性を利用して１／４波長（４分の１波長）板と同様に作用するように調整され
ている。この場合、液晶層３００によって直線偏光が右回り（または左回り）の略円偏光
に変換される。液晶層３００によって略円偏光とされた外光は、反射膜１１８で反射し、
液晶層３００を通過して位相差層２１６から液晶層３００に入射した直線偏光に対して９
０°回転した直線偏光になり、位相差層２１６によって偏光方向が−４５°回転して、偏
光板２２０へ到達する。しかし、偏光板２２０へ戻ってきた直線偏光は偏光板２２０の透
過軸と略直交する方向に偏光している。したがって、偏光板２２０を透過することができ
ず、その結果、反射表示は暗表示になる。

他方、オフ電圧からオン電圧へ変化させると、透過表示は暗表示を脱し、反射表示も暗
表示を脱する（図２参照）。なお、印加電圧の増大に伴って透過表示および反射表示の輝
度が上昇する。

透過部６０Ｔでは、オン電圧の印加によって、素子基板１００付近の液晶分子は、電極
１２０，１２４の表面に略平行にかつスリット１２６の延在方向に略直交する方向に液晶
分子が配向する。その一方で、対向基板２００付近の液晶分子は初期配向状態のままであ
る。このため、透過部６０Ｔ内の液晶分子は全体として電極１２４，１２０の法線回りに
９０°ねじれた状態に配向する。この場合、偏光板１２８によって直線偏光になったバッ
クライト光は、素子基板１００付近の液晶分子の長軸に略平行な方向に偏光しており、液
晶分子の上記ねじれた配向状態に従って旋光（回転）し、偏光板２２０へ到達した時点で
は対向基板２００付近の液晶分子の長軸に略平行な直線偏光になる。当該直線偏光は、偏
光板２２０の透過軸と略平行に偏光しているので、その結果、透過表示は明表示になる。

反射部６０Ｒでは、オン電圧の印加によって、液晶分子は電極１２０，２１８の表面に
略直交する方向に配向する。対向基板２００側から入射した外光は、暗表示時と同様の経
路（光路）を辿って偏光板２２０へ戻ってくるが、上記配向状態によれば液晶３００の複
屈折効果の影響をほとんど受ない。このため、偏光板２２０へ戻ってきた外光は、位相差
層２１６における偏光方向の回転作用を往復で合計２回受けた結果、偏光板２２０の透過
軸に略平行な直線偏光になっている。したがって、偏光板２２０を透過し、その結果、反
射表示は明表示になる。

上記では暗表示および明表示の場合を説明したが、印加電圧の大きさの制御によって暗
表示と明表示との間のレベルの輝度、いわゆる中間調表示を行うことも可能である。

上記構成によれば、透過部６０ＴがＦＦＳ方式であり、反射部６０ＲがＥＣＢ方式であ
るため、反射表示および透過表示の両方において、良好な表示を得ることができる。また
、内面の反射部に位相差層を形成する構成とすると、位相差板を外面に貼る必要がなく、
他の方式の半透過型に比べて液晶パネルを薄くすることが可能となる。さらに、位相差層
２１６が透過部６０Ｔのセルギャップより反射部６０Ｒのセルギャップを狭くするための
層を兼ねることにより、製造工程を減らすことができる。

また、反射部６０ＲをＦＦＳ方式よりも反射率の高いＥＣＢ方式で構成しているので、
透過部６０Ｔと反射部６０Ｒとの両方をＦＦＳ方式で構成する場合に比べて、高輝度の反
射表示を得ることができる。

さらに、反射部６０ＲにＦＦＳ方式を採用していないので、平坦化膜１１６に上記凹凸
面を形成する場合であっても、スリット１２６を有した電極１２４を当該凹凸面上に形成
する必要がない。このため、凹凸面上におけるスリットのパターニング不具合が発生せず
、良好な反射表示が得られる。また、透過表示についてはＦＦＳ方式によって広視野角、
高コントラスト等が実現される。

また、ＦＦＳ方式では一般的に対向基板の外面にＩＴＯ膜等を形成して外部からの電界
をシールドすることが多いが、上記構成によればシールド構造を外部に設ける必要がない
。なぜならば、対向基板２００の第３電極２１８がシールド作用を奏するからである。な
お、対向基板２００の全面にすきま無く設けられていなくても第３電極２１８によってシ
ールド作用を得ることは可能である。

また、位相差層２１６は透過部６０Ｔには設けられていないので、透過部６０Ｔと反射
部６０Ｒとを区別することなく全面的に外付けした場合とは異なり、透過表示についてＦ
ＦＳ方式による広視野角、高コントラスト等が確保される。

また、位相差層２１６によって反射部６０Ｒでのセルギャップが透過部６０Ｔでのセル
ギャップよりも狭められている（いわゆるマルチギャップ構造）。例えば、透過部６０Ｔ
のセルギャップは３．０μｍであり、反射部６０Ｒのセルギャップは１．４μｍである。
このため、別途のトップコート層を用いなくても、透過部６０Ｔと反射部６０Ｒとでセル
ギャップを調整することができる。例えば、反射部６０ＲのセルギャップをＥＣＢ方式に
適した値に調整することができる。

なお、上記では透過表示をＦＦＳ方式によって行う場合を例示したが、透過表示をＩＰ
Ｓ（In-Plane Switching）方式によって行う構成にすることも可能である。ＩＰＳ方式の
場合、図３に示すように、透過部６０Ｔにおいて第１電極１２０と第２電極１２４とは平
坦化膜１１６上に、すなわち同層に配置される。なお、図３には画素全体が明表示時の状
態を例示している。

また、偏光板１２８，２２０を互いの透過軸を略平行にして配置することによって、ノ
ーマリホワイト方式（Normaly White Type）を構成することも可能である。

５０…液晶表示装置、６０Ｔ…透過部、６０Ｒ…反射部、１００…素子基板、１２０…
第１電極、１２４…第２電極、２００…対向基板、２１６…位相差層、２１８…第３電極
、３００…液晶、ＥＴ，ＥＲ…電界。

Claims

第１基板と第２基板との間に液晶を挟持し、１つの画素内に透過表示を行う透過部と反射表示を行う反射部とを有し、第１電極と第２電極とを前記第１基板に備える液晶表示装置であって、
前記第１基板の前記液晶とは反対側に第１偏光板を備え、
前記第２基板の前記液晶とは反対側に第２偏光板を備え、
前記第１基板と前記液晶を介して対向する前記第２基板に第３電極を備え、
前記第１電極は、前記透過部と前記反射部とにわたって設けられ、前記第２電極は、前記第１基板の一方向に延在するスリットを有し、前記透過部内において絶縁膜を介して前記第１電極と対向して配置され、前記第３電極は、前記反射部内において前記液晶を介して前記第１電極と対向して配置され、
前記液晶は、前記透過部および前記反射部内の液晶分子の長軸が前記第１電極の表面に略平行であって、かつ前記第２電極の前記スリットの延在方向に略平行に初期配向されるとともに、前記透過部では前記第１電極と前記第２電極との電界で配向制御され、前記反射部では前記第１電極と前記第３電極との電界で配向制御され、
前記反射部に配置された位相差層は、１／２波長板であり、
前記第１偏光板の透過軸は、前記第１電極と前記第２電極との電位差がオフ電圧となる前記透過部の暗表示において、前記第１偏光板に入射した光が前記液晶の液晶分子の長軸に対して略直交な偏光として前記液晶に入射するように配置される、液晶表示装置。
請求項１に記載の液晶表示装置であって、
前記第１偏光板の透過軸と前記第２偏光板の透過軸とは略直交に配置される、液晶表示装置。
請求項１または２に記載の液晶表示装置であって、
前記位相差層は前記第２基板の前記液晶側に設けられ、前記第２偏光板より入射した直線偏光の偏光方向を４５°回転させる、液晶表示装置。
請求項１ないし請求項３のいずれか一つに記載の液晶表示装置であって、
前記第２電極と前記第３電極とに同一の電位が印加される、液晶表示装置。