JP5383991B2 - 静電容量センサとその製造方法 - Google Patents

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本発明は、PDA、ハンディターミナルなど携帯情報端末、コピー機、ファクシミリなどOA機器、スマートフォン、携帯電話機、携帯ゲーム機器、電子辞書、カーナビシステム、小型PC、各種家電品等の用途に用いられ、精度よく極精細な電極群が形成された静電容量センサとその製造方法に関するものである。
従来より、静電容量方式でオペレーターの手指を接触させることによりXY座標が入力できるようにしたものが実用化されている。このような従来例としては、例えば、特許文献1には、フィルム体の表面に互いに平行に延びる複数本の第1の電極を設け、かつ当該フィルム体の裏面に前記第1の電極群に対して直交する方向に延びる互いに平行な複数本の第2の電極を設けて、これら第1の電極群と第2の電極群との間の静電容量に応じた電流値を出力する静電容量センサが開示されている。
しかし、静電容量センサ101の実際の量産においては、フィルム体単体の表裏面に第1の電極群及び第2の電極群を設けるのではなく、(1)片面に予め導電膜が形成された市販の透明フィルムを2枚用意し、第1の透明フィルム102について導電膜をエッチングによりパターン化して第1の電極群105を形成し、第2の透明フィルム104について導電膜をエッチングによりパターン化して第2の電極群106を形成した後、これらを電極形成面が同じ方向に向くように重ねて透明接着層103にて貼り合せたり(図10及び図11参照)、あるいは、(2)第1の電極群105が形成された第1の透明フィルム102と第2の電極群106が形成された第2の透明フィルム104とを、電極形成面を内側にして貼り合せたり(図12参照)していた。
特許第3426847号公報
しかしながら、片面に予め導電膜が形成された市販の透明フィルムを用いた、上記(1)(2)の構成の静電容量センサ101には以下のような課題があった。
第1の電極群105が形成された第1の透明フィルム102と第2の電極群106が形成された第2の透明フィルム104とを、圧着ロールやプレス機によって加圧することによって貼り合わせると、圧力によって第1の透明フィルム102及び第2の透明フィルム104が寸法変化するため、それらに形成された第1の電極群105の各電極間、第2の電極群106の各電極間それぞれの寸法に狂いが生じてしまうという問題がある。
また、第1の電極群105及び第2の電極群106としてITO膜を用いる場合には結晶化の目的で加熱を行なうが、上記(1)(2)のように貼り合わせた後に加熱するときには、露出していない第2の電極群106を十分に結晶させる必要があるため、加熱温度がどうしても高めになる。その結果、やはり第1の透明フィルム102及び第2の透明フィルム104が寸法変化し、第1の電極群105の各電極間、第2の電極群106の各電極間それぞれの寸法に狂いが生じてしまう。
また、第1の電極群105が形成された第1の透明フィルム102と第2の電極群106が形成された第2の透明フィルム104の貼り合わせ精度自体も、極めて低いという別の問題がある。
そのため、静電容量センサに極精細な電極群が要求された場合、作製が極めて困難であった。
したがって、本発明は、以上のような従来技術の課題を考慮し、精度よく極精細な電極群が形成された静電容量センサを提供するものである。
本発明の静電容量センサの製造方法は、材質がポリカーボネート系、ポリアミド系、ポリエーテルケトン系、アクリル系、ポリエチレンテレフタレート系、ポリブチレンテレフタレート系のいずれかの樹脂からなり片面に導電膜が形成された透明フィルムを一組用意し、前記透明フィルム同士を前記導電膜が外側になるように貼り合わせた後、前記一方の導電膜をエッチングによりパターン化して平行に複数本並べられた電極からなる第1の電極群を形成し、また前記他方の導電膜をエッチングによりパターン化して平行に複数本並べられた電極からなり且つ前記第1の電極群とは直交する第2の電極群を形成するように構成した。
本発明に従えば、材質が上記した樹脂からなり片面に導電膜が形成された透明フィルム同士を貼り合わせた後に、前記導電膜をパターニングして前記第1の電極群5及び前記第2の電極群6を得るという工程順なので、従来技術のような問題が発生せず、精度よく極精細な電極群を形成された静電容量センサを得ることができる。
以下、図面に示した実施の形態に基づいて本発明に係る静電容量センサ1の構成を詳細に説明する。
図1は、本発明に係る静電容量センサの一実施例を示す断面図である。同図において、静電容量センサ1は、第1の透明フィルム2と、前記第1の透明フィルム2の裏面に透明接着層3にて全面的に貼り合わされた第2の透明フィルム4と、前記第1の透明フィルム2の表面に平行に複数本並べられた電極からなる第1の電極群5と、前記第2の透明フィルム4の裏面に平行に複数本並べられた電極からなり、前記第1の電極群5と直交する第2の電極群6とを備えている。
前記第1の透明フィルム2及び前記第2の透明フィルム4の材質としては、透明性があるものであればよく、例えば、ポリカーボネート(PC)系、ポリアミド系、若しくはポリエーテルケトン系などのエンジニアリングプラスチック、アクリル系、ポリエチレンテレフタレート(PET)系、又は、ポリブチレンテレフタレート系などのフィルムを用いることができる。前記第1の透明フィルム2及び前記第2の透明フィルム4の厚みは特に限定はないが、静電容量センサの薄型化のためには安定した量産が可能な範囲でできるだけ薄いものを選ぶとよい。
前記透明接着層3は透明で密着信頼性のある材料が選ばれ、例えばアクリル酸系感圧粘着剤、UV接着剤、熱可塑接着剤、熱硬化接着剤等がある。
前記第1の電極群5及び前記第2の電極群6は導電膜により構成される。当該導電膜の材料としては、酸化錫、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸化亜鉛、酸化カドミウム、インジウムチンオキサイド(ITO)若しくは、アンチモンドープ酸化錫(ATO)などの金属酸化物膜、又は、これらの金属酸化物を主体とする複合膜、又は、金、銀、銅、錫、ニッケル、アルミニウム、若しくは、パラジウムなどの金属、導電フィラー入り透明高分子、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)などの導電性ポリマーの薄膜がある。前記導電膜の形成方法としては、例えば真空蒸着法、スパッタリング、イオンプレーティング、CVD法、ロールコーター法などを用いることができる。また、前記第1の電極群5及び前記第2の電極群6は、後述するように不要な部分のみエッチング除去して電極パターンに形成される。
前記第1の電極群5及び前記第2の電極群6の電極パターンは、図2に示すように、それぞれ平行に。最小電極幅10〜200μmの帯状電極が複数本並べられたものであり、前記第1の電極群5と前記第2の電極群6とが互いに直交するように形成される。なお、図2においては帯状電極は等幅に描かれているが、この形状に限定されず、公知の電極形状が可能である。例えば、図9に示すような菱形を連続させたような帯状電極を形成することもできる。
本発明の特徴は、前記第1の電極群5及び前記第2の電極群6が、前記第1の透明フィルム2及び前記第2の透明フィルム4のそれぞれ外側に位置することにある。このような積層順をとることにより、片面に前記導電膜が形成された前記透明フィルムを貼り合わせた後に、前記導電膜をパターニングして前記第1の電極群5及び前記第2の電極群6を得ることができる。すなわち、貼り合わせによって前記第1の電極群24の各電極間及び前記第2の電極群25の各電極間、また前記第1の電極群24と前記第2の電極群25との間で位置ズレを生ずることはない。
また、前記第1の電極群5及び前記第2の電極群6としてITO膜を用いる場合には、いずれの電極群も露出しているため、結晶化に高温は必要ない。よって、結晶化によって第1の透明フィルム2及び第2の透明フィルム4が寸法変化することなく、前記第1の電極群24の各電極間及び前記第2の電極群25の各電極間で位置ズレが生じない。
なお、図1に示す構成の静電容量センサ1の場合、露出した前記第1の電極群5及び前記第2の電極群6を保護するために最外面に保護層32,33を設けてもよい(図3参照)。前記保護層32,33の材質は透明な物質が選ばれる。例えば透明プラスチックフィルムを貼り合せたり、透明高分子を塗布してもよい。また、ウインドウパネルやLCDパネルに実装するための透明接着層が前記保護層32,33の役割を兼ねてもよい。また、前記保護層32,33は、それぞれ接続端子部を露出させるように形成される。図3中の34は前記第2の電極群6の接続端子部である。
また、前記第1の透明フィルム2と前記第2の透明フィルム4との間に厚さ調節層30を設けてもよい。前述したように、フィルムを基材とする静電容量センサに実施においては、従来から片面にあらかじめ導電膜が形成された市販の透明フィルムを使用する。そのため、静電容量センサの厚さの自由度は低い。前記厚さ調節層30を設けることにより、静電容量センサの厚さを任意に設定できる。前記厚さ調節層30の材質は透明な物質が選ばれる。例えば、前記第1の透明フィルム2及び前記第2の透明フィルム4の少なくとも一方に対して所望の厚みが得られるような透明プラスチックフィルムを貼り合せたり、透明高分子を塗布したりすることができる。
また、前記第1の透明フィルム2と前記第2の透明フィルム4との間に誘電率調節層31を設けてもよい。前述したように、フィルムを基材とする静電容量センサの実施においては、従来から片面にあらかじめ導電膜が形成された市販の透明フィルムを使用する。そのため、静電容量センサの基材の誘電率の自由度は低い。前記に誘電率調節層31を設けることにより、静電容量センサの基材の誘電率を任意に設定できる。前記誘電率調節層31の材質は透明な物質が選ばれる。例えば、前記第1の透明フィルム2及び前記第2の透明フィルム4の少なくとも一方に対して所望の誘電率が得られるような透明プラスチックフィルムを貼り合せたり、透明高分子を塗布したりすることができる。
また、本発明の静電容量センサ1は、センサの周辺にさらに低抵抗の引き回し回路を形成することもあり、その場合、素材として、銀ペースト、カーボンペースト等の導電ペースト印刷層、導電層へのめっきによる金属層、金属薄膜のパターンエッチング層等が用いられる。
以下、図面に示した実施の形態に基づいて本発明に係る静電容量センサの製造方法を詳細に説明する。
図6は図1の静電容量センサの第1の電極群を形成する過程を示す断面図、図7は図1の静電容量センサの第2の電極群を形成する過程を示す断面図である。これらの図において、静電容量センサ1の製造方法は、片面に導電膜10,11が形成された透明フィルム12,13を一組用意し(図6a参照)、前記透明フィルム12,13同士を前記導電膜10,11が外側になるように貼り合わせた後(図6b参照)、前記一方の導電膜10をエッチングによりパターン化して平行に複数本並べられた電極からなる第1の電極群24を形成し(図6c〜図6h参照)、さらに前記他方の導電膜11をエッチングによりパターン化して平行に複数本並べられた電極からなり且つ前記第1の電極群24とは直交する第2の電極群25を形成する(図7参照)ものである。
図6a及び図6bに示すように、前記透明フィルム12,13同士を貼り合わせた段階では、前記透明フィルム12,13に形成された前記導電膜10,11は未だパターン化されていない。当然ながら、貼り合わせは前記第1の電極群24の各電極間及び前記第2の電極群25の各電極間、また前記第1の電極群24と前記第2の電極群25との間の位置精度には何の影響を及ぼさない。
前記第1の電極群24を形成するには、まず前記一方の導電膜10全面にレジスト膜14を形成する(図6c参照)。前記レジスト膜14としては、導電膜10に光硬化型または光分解型の感光性レジスト液を塗装することにより形成される。前記感光性のレジスト膜14の材料としては、たとえばアクリル系、ポリビニルシンナメート系、合成ゴム系、ノボラック系などの光硬化型または光分解型の感光性レジスト材料を用いる。なお、図6b中、前記他方の導電膜11が再剥離可能な保護フィルム22で被覆されているが、前記レジスト膜14を形成した後の被覆は不可のため、前記レジスト膜14を形成するより前にあらかじめ被覆しておく。当該保護フィルム22は、後述する現像以降の各工程において前記他方の導電膜11を保護するものである。
次に、フォトマスク16の非マスク部分に露光光18を透過させて、前記レジスト膜14を所望のパターンに露光する(図6d参照)。この場合、フォトマスク16は、前記レジスト膜14に光硬化型の材料を用いるときには、形成したい前記第1の電極群24のパターンに相当する部分が光を透過するものとする。また、フォトマスク16は、前記レジスト膜14に光分解型の材料を用いるときには、形成したい前記第1の電極群24のパターンに相当する部分が光を遮蔽するものとする。また、露光のために使用する露光光18は、太陽光、水銀灯、キセノンランプ、アーク灯あるいはアルゴンレーザー等を光源する光などを用いる。
次に、前記感光したレジスト膜14を現像し、感光した(あるいはしなかった)部分のレジスト膜(図6e参照)を除去し、レジストパターン20を得る(図6f参照)。現像は、前記レジスト膜14が光硬化型の場合、炭酸ソーダなどを現像液として使用することにより未硬化部分を選択的に除去することにより行なわれる。また前記レジスト膜14が光分解型の場合、メタケイ酸ソーダなどを現像液として使用することにより分解されている部分を選択的に除去することにより行なわれる。フォトプロセスによって得られる前記レジストパターン20は、極めて微細に形成可能であるため、最小電極幅10〜200μmの電極群パターンに対応した寸法とすることができる。
次に、前記導電膜10をエッチングする。このとき前記レジストパターン20で被覆された部分の前記導電膜10はエッチングされずに残り(図6g参照)、当該パターニング化された前記導電膜10が前記第1の電極群24となる。エッチング剤としては、たとえば過硫酸アンモニウム、アンモニウム、塩化アンモニウムなどのアルカリエッチング液または塩化第二銅、塩化第二鉄、クロム酸/硫酸混液、過酸化水素水/硫酸混液などの酸性エッチング液などを用いる。
次に、前記第1の電極群24を被覆する前記レジストパターン20を除去し、さらに前記他方の導電膜11を被覆する保護フィルム22を剥離する(図6h参照)。前記レジストパターン20の除去には、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウムの水溶液などを用いる。
次に、前記第1の電極群24に続き、当該第1の電極群24と直交する前記第2の電極群25を形成する。まず、既に形成された前記第1の電極群24を保護フィルム23で被覆した後、前記他方の導電膜11全面にレジスト膜15を形成する(図7a,b参照)。なお、図7bは図7aをAA線で切断した断面図であり、以下の工程(図7c〜g)はこのAA線断面で説明する。また、前記レジスト膜15の材料及び形成方法は、先に説明したレジスト膜14の場合と同様である。前記保護フィルム23は、先に説明した保護フィルム22の場合と同様である。
次に、フォトマスク17の非マスク部分に露光光19を透過させて、前記レジスト膜15を所望のパターンに露光する(図7c参照)。このとき、前記フォトマスク17は既に形成済みの前記第1の電極群24に対して容易に位置決めされる。したがって、最終的に得られる静電容量センサ1は前記第1の電極群24と前記第2の電極群25との間の位置精度に優れたものになる。また、前記フォトマスク17及び露光光19は、先に説明した前記フォトマスク16及び露光光18の場合と同様である。
次に、前記感光したレジスト膜15を現像し、感光した(あるいはしなかった)部分のレジスト膜を除去し、レジストパターン21を得る(図7e参照)。レジスト膜15の現像に用いる現像液は、先に説明した前記レジスト膜14の現像の場合と同様である。
次に、前記導電膜11をエッチングする。このとき前記レジストパターン21で被覆された部分の前記導電膜11はエッチングされずに残り(図7f参照)、当該パターン化された前記導電膜11が前記第2の電極群25となる。当該導電膜11のエッチングに用いるエッチング液は、先に説明した前記導電膜10のエッチングの場合と同様である。
次に、前記第2の電極群25を被覆する前記レジストパターン21を除去し、最後に前記第1の電極群24を被覆する前記保護フィルム23を剥離する(図7g参照)ことにより、図1に示すような静電容量センサ1が得られる。
なお、図6及び図7では、前記レジストパターン20,21はフォトプロセスにて形成しているが、印刷レジスト材料を用いて印刷形成してもよい。また、フォトプロセスによって形成したレジストパターンと印刷形成したレジストパターンを併用してもよい。
また、図6及び図7では、前記第1の電極群24を形成した後、前記第2の電極群25を形成しているが、本発明に係る静電容量センサ1の製造過程はこれに限定されない。例えば、光硬化型のフォトレジスト材料を用いたり、前記したようにレジストパターンを印刷形成する場合、図8に示すように、片面に前記導電膜10,11が形成された前記透明フィルム12,13同士を貼り合わせた後、両面の前記導電膜10,11をそれぞれ前記レジストパターン20,21で被覆し、その後、両面の前記導電膜10,11をまとめてエッチングすることにより静電容量センサ1の前記第1の電極群24及び前記第2の電極群25を同時に形成するもでき、工程数を少なく抑えることができる(図8参照)。
<実施例1>
片面にITOからなる導電膜がスパッタリング法にて形成された市販のPETフィルム(厚さ38μm)を一組用意し、前記透明フィルム同士を前記導電膜が外側になるように厚さ25μmの透明アクリル酸系粘着剤にて貼り合わせた。
次に、前記一方の導電膜をエッチングによりパターン化して平行に複数本並べられた電極からなる第1の電極群を形成した。すなわち、まず前記他方の導電膜全面を保護フィルムで被覆した後、前記一方の導電膜全面に光硬化型のドライフィルムレジストを貼合し、次に、フォトマスクの非マスク部分に紫外線を透過させて、前記ドライフィルムレジストの前記第1の電極群のパターンに相当する部分を露光する。次に、前記感光したドライフィルムレジストを炭酸ソーダで現像し、感光しなかった部分のドライフィルムレジストを除去し、レジストパターンを得る。次に、前記導電膜を塩化第二鉄でエッチングする。このとき前記レジストパターンで被覆された部分の前記導電膜はエッチングされずに残る。次に、パターニングされた前記導電膜を被覆する前記レジストパターンを3%水酸化ナトリウムで除去し、さらに前記他方の導電膜を被覆する保護フィルムを剥離することにより、幅が最細部で20μmの電極が、50μmの等ピッチで形成された第1の電極群を得た。
次いで、前記他方の導電膜をエッチングによりパターン化して平行に複数本並べられた電極からなり且つ前記第1の電極群とは直交する別の電極群を形成した。すなわち、まず既に形成された前記第1の電極群を保護フィルムで被覆した後、前記他方の導電膜全面に光硬化型のドライフィルムレジストを貼合し、次いでフォトマスクの非マスク部分に紫外線を透過させて、前記ドライフィルムレジストの第2の電極群のパターンに相当する部分を露光する。次に、前記感光したドライフィルムレジストを炭酸ソーダで現像し、感光しなかった部分のドライフィルムレジストを除去し、レジストパターンを得る。次に、前記導電膜を塩化第二鉄でエッチングする。このとき前記レジストパターンで被覆された部分の前記導電膜はエッチングされずに残る。次に、パターニングされた前記導電膜を被覆する前記レジストパターンを3%水酸化ナトリウムで除去し、最後に前記第1の電極群を被覆する前記保護フィルムを剥離することにより幅が最細部で20μmの電極が形成された第2の電極群を得た。
さらに、加熱して前記第1の電極群及び前記第2の電極群を結晶化を済ませた後、前記第1の電極群を有する面に保護層として厚さ50μmの透明シリコン系自己粘着ゴム層を、接続端子部のみ露出するように形成し、また前記第2の電極群を有する面に保護層として透明アクリル系UV硬化樹脂を、接続端子部のみ露出するように塗布し、UV照射で硬化させた。その後、所定のサイズに外形カットし、静電容量センサを得た。
<比較例1>
実施例1と同じ市販のITO膜付透明フィルム2枚を用い、それぞれのITO膜をパターニングした後にフィルムの貼り合わせを行ない、従来技術(1)のような積層構成としたこと以外は、実施例1と同様とした。
<比較例2>
実施例1と同じ市販のITO膜付透明フィルム2枚を用い、それぞれのITO膜をパターニングした後にフィルムの貼り合わせを行ない、従来技術(2)のような積層構成としたこと以外は、実施例1と同様とした。
実施例1の静電容量センサは、前記第1の電極群の各電極間及び前記第2の電極群の各電極間が50μmの等ピッチで、また前記第1の電極群と前記第2の電極群との間の位置精度が20μmであった。これに対して、比較例1及び比較例の静電容量センサは、前記第1の電極群の各電極間及び前記第2の電極群の各電極間のピッチがバラバラであり、また前記第1の電極群と前記第2の電極群との間の位置精度が400μmと極めて粗かった。
なお、前記様々な実施形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。本発明は、添付図面を参照しながら好ましい実施形態に関連して充分に記載されているが、この技術の熟練した人々にとっては種々の変形や修正は明白である。そのような変形や修正は、請求の範囲による本発明の範囲から外れない限りにおいて、その中に含まれると理解されるべきである。
本発明に係る静電容量センサの一実施例を示す断面図である。 本発明に係る示す静電容量センサの一実施例を示す斜視分解図である。 本発明に係る静電容量センサの一実施例を示す断面図である。 本発明に係る静電容量センサの一実施例を示す断面図である。 本発明に係る静電容量センサの一実施例を示す断面図である。 図1の静電容量センサの一方の電極群を形成する過程を示す断面図である。 図1の静電容量センサの他方の電極群を形成する過程を示す断面図である。 図1の静電容量センサの両方の電極群を同時に形成する過程を示す断面図である。 本発明に係る静電容量センサの電極形状の一実施例を示す部分拡大平面図である。 従来技術に係る静電容量センサの例を示す断面図である。 従来技術に係る静電容量センサの別の例を示す断面図である。 図10の静電容量センサの斜視分解図である。
符号の説明
1,101 静電容量センサ
2,102 第1の透明フィルム
3,103 透明接着層
4,104 第2の透明フィルム
5,105 第1の電極群
6,106 第2の電極群
10,11 導電膜
12,13 透明フィルム
14,15 レジスト膜
16,17 フォトマスク
18,19 露光光
20,21 レジストパターン
22,23 保護フィルム
24,25 電極群
30 厚さ調節層
31 誘電率調節層
32,33 保護層
34 接続端子部

Claims (1)

  1. 材質がポリカーボネート系、ポリアミド系、ポリエーテルケトン系、アクリル系、ポリエチレンテレフタレート系、ポリブチレンテレフタレート系のいずれかの樹脂からなり片面に導電膜が形成された透明フィルムを一組用意し、前記透明フィルム同士を前記導電膜が外側になるように貼り合わせた後、前記一方の導電膜をエッチングによりパターン化して平行に複数本並べられた電極からなる第1の電極群を形成し、また前記他方の導電膜をエッチングによりパターン化して平行に複数本並べられた電極からなり且つ前記第1の電極群とは直交する第2の電極群を形成することを特徴とする静電容量センサの製造方法。
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