JP5381401B2

JP5381401B2 - 半導体装置およびその製造方法

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Publication number: JP5381401B2
Application number: JP2009153781A
Authority: JP
Inventors: 雅由西畑; 真光　　邦明
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2009-06-29
Filing date: 2009-06-29
Publication date: 2014-01-08
Anticipated expiration: 2029-06-29
Also published as: JP2011009632A

Description

本発明は、両面放熱型の半導体装置およびその製造方法に関する。

従来より、両面放熱型の半導体装置において、ブロック体と金属板とを接合しているはんだがブロック体の端面に濡れ広がるのを極力抑制する構造が、例えば特許文献１で提案されている。

具体的には、ブロック体とはんだ付けされる一方の金属板におけるはんだが設置される領域の外周に、はんだの広がりを防止するための環状の溝が設けられ、この溝の内面に、ブロック体の端面よりもはんだの濡れ性が大きいＡｕメッキ等の部材が設けられている。

これによると、金属板とブロック体との間の余剰はんだが溝に収納され、溝内に設けられたＡｕメッキ等の部材にはんだが濡れ広がるので、金属板の溝内のはんだがブロック体の端面に濡れ広がるのを極力抑制できるようになっている。これにより、はんだがブロック体の端面に濡れ広がって半導体素子まで伝わることはなく、短絡などの不具合が発生しないようになっている。

特開２００７−１０３９０９号公報

しかしながら、上記従来の技術では、金属板への溝加工と、溝内にＡｕメッキ等の部材を設けるための表面処理加工とが必要になっている。このため、金属板のコストが高くなってしまうという問題がある。特に、表面処理加工では、溝内面のみにメッキを設けることは困難であるので、金属板のうち表面処理加工を必要としない溝外面にもメッキを設け、この後、溝外面の不要なメッキを除去する工程が必要となってしまう。このため、不必要なコストがかかってしまう。

本発明は上記点に鑑み、金属板に対する加工を施さなくても、ブロック体にはんだが濡れ広がらないようにすることができる半導体装置の製造方法を提供することを第１の目的とする。また、金属板に対する加工が施されていなくても、ブロック体にはんだが濡れ広がらない構造を備えた半導体装置を提供することを第２の目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、第１金属板（１０）およびブロック体（２０）を用意する工程と、
第１接合面（１２）のうち最も第１金属板（１０）の側面（１３）側に位置するはんだ（６０）の端部を最外周部（６１）とし、最外周部（６１）が第１接合面（１２）のうちブロック体（２０）の側面（２３）と第１金属板（１０）の側面（１３）との間に位置するように、第１金属板（１０）の第１接合面（１２）に溶融したはんだ（６０）を濡れ広がらせる工程と、
最外周部（６１）が第１接合面（１２）のうちブロック体（２０）の側面（２３）と第１金属板（１０）の側面（１３）との間に位置するように、ブロック体（２０）の一端面（２１）を第１金属板（１０）の第１接合面（１２）に対向させる工程と、
ブロック体（２０）の一端面（２１）を第１金属板（１０）側に移動させて溶融したはんだ（６０）に押し付けると共に、溶融したはんだ（６０）のうち押し付けたことによる余剰分をブロック体（２０）の側面（２３）と最外周部（６１）との間に移動させることにより、ブロック体（２０）の側面（２３）と最外周部（６１）との間に位置する溶融したはんだ（６０）をブロック体（２０）の一端面（２１）よりも他端面（２２）側に盛り上がらせた状態で固める工程と、を含んでいることを特徴とする。

これによると、溶融したはんだ（６０）の最外周部（６１）が第１接合面（１２）のうちブロック体（２０）の側面（２３）と第１金属板（１０）の側面（１３）との間に位置するように予めはんだ（６０）を濡れ広がらせているので、ブロック体（２０）の側面（２３）のはんだ濡れ性よりも第１接合面（１２）のうち溶融したはんだ（６０）が濡れ広がった領域のはんだ濡れ性を良くすることができる。このため、溶融したはんだ（６０）にブロック体（２０）を押し付けたことによるはんだ（６０）の余剰分を第１接合面（１２）のうちのブロック体（２０）の側面（２３）と最外周部（６１）との間に逃がして盛り上がらせることができる。したがって、第１金属板（１０）の第１接合面（１２）に対する加工を施さなくても、ブロック体（２０）の側面（２３）へのはんだ（６０）の濡れ広がりを抑制することができる。

請求項２に記載の発明では、はんだ（６０）を濡れ広がらせる工程では、溶融したはんだ（６０）に重り部材（７０）を押し付けることにより溶融したはんだ（６０）を濡れ広がらせることを特徴とする。

これにより、溶融したはんだ（６０）を濡れ広がらせる領域におけるはんだ（６０）の厚さを均一にすることができ、ブロック体（２０）の一端面（２１）に接触する溶融したはんだ（６０）の厚さを適正化することができる。すなわち、溶融したはんだ（６０）に重り部材（７０）を押し付けたことにより、はんだ（６０）の厚さを小さくすることができるので、ブロック体（２０）の側面（２３）へのはんだ（６０）の這い上がりをより防止することができる。また、溶融したはんだ（６０）に重り部材（７０）を押し付けることで、はんだ（６０）中のボイド発生も抑制できる。

請求項３に記載の発明では、ブロック体（２０）を用意する工程では、ブロック体（２０）として、当該ブロック体（２０）のうち一端面（２１）に予め溶融したはんだ（６０）を濡れ広がらせたものを用意し、固める工程では、予め溶融したはんだ（６０）を濡れ広がらせておいたブロック体（２０）の一端面（２１）を第１金属板（１０）側に移動させて、第１金属板（１０）に濡れ広がらせておいた溶融したはんだ（６０）に押し付けることを特徴とする。

これによると、ブロック体（２０）のうちの側面（２３）よりも一端面（２１）にはんだ（６０）が濡れ広がりやすくなるので、ブロック体（２０）の側面（２３）へのはんだ（６０）の濡れ広がりを抑制することができる。

請求項４に記載の発明では、ブロック体（２０）を用意する工程では、ブロック体（２０）として、ブロック体（２０）の側面（２３）に絶縁コーティング処理を施したものを用意することを特徴とする。

請求項５に記載の発明では、ブロック体（２０）を用意する工程では、ブロック体（２０）として、ブロック体（２０）の側面（２３）に酸化処理を施したものを用意することを特徴とする。

請求項６に記載の発明では、ブロック体（２０）を用意する工程では、ブロック体（２０）として、ブロック体（２０）の側面（２３）にレーザ照射処理を施したものを用意することを特徴とする。

請求項４、５、６に記載の発明のように、ブロック体（２０）の側面（２３）に各処理を施したことにより、ブロック体（２０）の側面（２３）のはんだ濡れ性が低下するので、ブロック体（２０）の側面（２３）へのはんだ（６０）の濡れ広がりを確実に防止することができる。

請求項７に記載の発明では、第１接合面（１２）のうち最も第１金属板（１０）の側面（１３）側に位置するはんだ（６０）の端部を最外周部（６１）とすると、第１接合面（１２）のうちブロック体（２０）の側面（２３）と最外周部（６１）との間のはんだ濡れ性は、ブロック体（２０）の側面（２３）のはんだ濡れ性よりも高くなっており、ブロック体（２０）の側面（２３）と最外周部（６１）との間に位置するはんだ（６０）は、ブロック体（２０）の一端面（２１）よりも他端面（２２）側に盛り上がった状態で固まっていることを特徴とする。

これによると、ブロック体（２０）の側面（２３）のはんだ濡れ性よりも第１接合面（１２）のうちブロック体（２０）の側面（２３）と最外周部（６１）との間のはんだ濡れ性が高いので、ブロック体（２０）の一端面（２１）と第１接合面（１２）との間のはんだ（６０）の余剰分を第１接合面（１２）のうちのブロック体（２０）の側面（２３）と最外周部（６１）との間に移動させて盛り上がらせることができる。したがって、第１金属板（１０）の第１接合面（１２）に対する加工を施さなくても、ブロック体（２０）の側面（２３）へのはんだ（６０）の濡れ広がりを抑制することができる。

請求項８に記載の発明では、ブロック体（２０）の側面（２３）には絶縁コーティング処理が施されていることを特徴とする。

請求項９に記載の発明では、ブロック体（２０）の側面（２３）には酸化処理が施されていることを特徴とする。

請求項１０に記載の発明では、ブロック体（２０）の側面（２３）には、レーザ照射処理が施されていることを特徴とする。

請求項８、９、１０に記載の発明のように、各処理がブロック体（２０）の側面（２３）に施されていることにより、ブロック体（２０）の側面（２３）のはんだ濡れ性が低下するので、ブロック体（２０）の側面（２３）へのはんだ（６０）の濡れ広がりを確実に防止することができる。

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

本発明の第１実施形態に係る半導体装置の断面図である。図１のＡ部拡大図である。第１金属板の第１接合面にはんだを設けたときの平面図である。第１金属板の第１接合面にはんだを設けたときの一部断面図である。本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造工程を示した図である。他の実施形態において、第１金属板の第１接合面にはんだを設けたときのはんだの平面形状の一例を示した図である。他の実施形態において、ブロック体の側面に対する処理方法の一例を示した図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態で示される半導体装置は、例えばハイブリッド車のインバータ制御等に用いられるものである。

図１は、本実施形態に係る半導体装置の断面図である。また、図２は、図１のＡ部拡大図である。図１に示されるように、半導体装置１は、第１金属板１０、ブロック体２０、半導体素子３０、第２金属板４０、およびモールド樹脂５０を備えて構成されている。

このうち、第１金属板１０、ブロック体２０、半導体素子３０、および第２金属板４０は積層されている。そして、第１金属板１０とブロック体２０との間、ブロック体２０と半導体素子３０との間、半導体素子３０と第２金属板４０との間にはんだ６０がそれぞれ介在し、はんだ６０が両者をそれぞれ接続している。

半導体装置１のうちの第１金属板１０、ブロック体２０、および第２金属板４０は、半導体素子３０で発生した熱を半導体装置１の外部に放出するヒートシンクとしての役割と、半導体素子３０を外部と電気的に接続するための電極としての役割を果たすものである。これら第１金属板１０、ブロック体２０、および第２金属板４０は、例えばプレス加工等により形成される。

第１金属板１０および第２金属板４０は、半導体装置１の内部で発生した熱を半導体装置１の外部に放出するヒートシンクとしての役割と、外部と半導体装置１とを電気的に接続するための電極としての役割を果たすものである。

第１金属板１０は、第１放熱面１１と、この第１放熱面１１の反対側の第１接合面１２と、第１放熱面１１および第１接合面１２に垂直な側面１３と、を有している。一方、第２金属板４０は、第２放熱面４１と、この第２放熱面４１の反対側の第２接合面４２と、を有している。また、第２金属板４０のうち第２接合面４２がはんだ６０を介して半導体素子３０に電気的および熱的に接続されている。

これら第１金属板１０および第２金属板４０の材質は、少なくとも導電性および熱伝導性に優れた材料であれば良く、Ｃｕ、Ａｌ、またはそれらの合金系が採用される。さらに、はんだ６０が接合される第１金属板１０の第１接合面１２や第２金属板４０の第２接合面４２には、はんだ濡れ性を良くするためのＮｉ等のメッキが施されている。

なお、各金属板１０、４０の各放熱面１１、４１を外部と直接電気的に接続しても良いし、各金属板１０、４０から引き伸ばした端子を外部に電気的に接続するようにしても良い。この場合、当該端子はモールド樹脂５０から突出した状態とされる。

ブロック体２０は、半導体素子３０で発生した熱を第１金属板１０に伝達するための金属製のヒートシンクである。このようなブロック体２０は、一端面２１と、この一端面２１の反対側の他端面２２と、一端面２１および他端面２２に垂直な側面２３と、を有している。

ブロック体２０の一端面２１がはんだ６０を介して第１金属板１０の第１接合面１２と電気的および熱的に接続されている。また、ブロック体２０の他端面２２がはんだ６０を介して半導体素子３０に電気的および熱的に接続されている。

さらに、ブロック体２０の一端面２１および他端面２２にははんだ濡れ性を良くするためのＮｉ等のメッキが施されている。これにより、ブロック体２０の一端面２１および他端面２２のはんだ濡れ性は、側面２３のはんだ濡れ性よりも良く（高く）なっている。

半導体素子３０は、ＩＧＢＴ、ＭＯＳトランジスタ、ダイオード等が形成された半導体チップであり、半導体素子３０の表裏にはんだ付けされる電極が形成されたものである。半導体素子３０の一方の面ははんだ６０を介してブロック体２０の他端面２２に電気的および熱的に接続され、他方の面ははんだ６０を介して第２金属板４０の第２接合面４２に電気的および熱的に接続されている。

モールド樹脂５０は、半導体装置１の外観をなすものである。このモールド樹脂５０は、第１金属板１０の第１放熱面１１および第２金属板４０の第２放熱面４１が露出するように、第１金属板１０、はんだ６０、ブロック体２０、半導体素子３０、および第２金属板４０を封止している。モールド樹脂５０の材質として、例えばエポキシ系樹脂が採用される。

なお、半導体素子３０は図示しないワイヤを介して図示しないリードに接続される場合がある。この場合、リードの一端側はモールド樹脂５０に封止され、他端側はモールド樹脂５０から突出している。そして、例えば、このリードを介して外部から制御信号が入力されることで半導体素子３０が駆動制御されるようになっている。

次に、第１金属板１０とブロック体２０とを接合したはんだ６０の形状について説明する。図１に示されるように、第１接合面１２のうち最も第１金属板１０の側面１３側に位置するはんだ６０の端部を最外周部６１とすると、ブロック体２０の側面２３と最外周部６１との間に位置するはんだ６０は、ブロック体２０の一端面２１よりも他端面２２側に盛り上がった状態で固まっている。

具体的には、図２に示されるように、ブロック体２０の側面２３よりも外側に位置するはんだ６０は、第１接合面１２のうちブロック体２０の側面２３から最外周部６１までの領域Ｓの範囲に位置すると共に、ブロック体２０の一端面２１から他端面２２側に最大高さがＤとなるように盛り上がっている。

このように盛り上がった部分は、第１金属板１０の第１接合面１２の上にはんだ６０を設け、このはんだ６０にブロック体２０を押し付けて接合したときのはんだ６０の余剰分に相当する。すなわち、接合の際に、はんだ６０の余剰分がブロック体２０の側面２３と最外周部６１との間に位置するはんだ６０に吸収されると共に当該余剰分を吸収したはんだ６０が変形することにより盛り上がったものである。

このように、はんだ６０がブロック体２０の側面２３と最外周部６１との間に移動しやすくなっているのは、上述のように、第１接合面１２のうちブロック体２０の側面２３と最外周部６１との間のはんだ濡れ性は、ブロック体２０の側面２３のはんだ濡れ性よりも高くなっているからである。このため、ブロック体２０の側面２３にははんだ６０が濡れ広がっておらず、側面２３へのはんだ６０の這い上がりもない。以上が、本実施形態に係る半導体装置１の全体構成である。

次に、図１に示される半導体装置１の製造方法について、図３および図４を参照して説明する。図３は、第１金属板１０の第１接合面１２を示した平面図である。また、図４は、第１金属板１０にブロック体２０を接合する前のＡ部に相当する断面図である。

まず、金属板をプレス加工等することにより第１金属板１０、ブロック体２０、および第２金属板４０を用意する。

続いて、第２金属板４０の第２接合面４２にはんだ６０を介して半導体素子３０を接合し、半導体素子３０にはんだ６０を介してブロック体２０の他端面２２を接合する。

また、図３に示されるように、第１接合面１２に例えばはんだ６０を印刷し、印刷したはんだ６０を加熱して溶融させる。なお、シート状のはんだ６０を第１接合面１２に載せてはんだ６０を加熱しても良い。

そして、溶融したはんだ６０の最外周部６１が第１接合面１２のうちブロック体２０の側面２３と第１金属板１０の側面１３との間に位置するように、第１金属板１０の第１接合面１２に溶融したはんだ６０を濡れ広がらせる。なお、図３では、ブロック体２０の位置を破線で示してある。

これによると、領域Ｓには、予め溶融したはんだ６０が配置されているので、第１金属板１０にブロック体２０を接合する前の段階で、ブロック体２０の側面２３のはんだ濡れ性よりも領域Ｓのはんだ濡れ性が高くなる。つまり、この後の接合工程により、溶融状態のはんだ６０はブロック体２０よりも領域Ｓ側に移動しやすくなる。

続いて、図４に示されるように、最外周部６１が第１接合面１２のうちブロック体２０の側面２３と第１金属板１０の側面１３との間に位置するように、ブロック体２０の一端面２１を第１金属板１０の第１接合面１２に対向させる。このとき、図３に示されるように、予めはんだ６０を第１接合面１２に濡れ広がらせているので、ブロック体２０の側面２３の外側、すなわちブロック体２０の側面２３とはんだ６０の最外周部６１との間の領域Ｓにもはんだ６０が濡れ広がった状態になっている。

この後、ブロック体２０を第１金属板１０に接合する。具体的には、ブロック体２０の一端面２１を第１金属板１０側に移動させて溶融したはんだ６０に押し付ける。これによると、溶融したはんだ６０の厚さが小さくなるので、はんだ６０が薄くなった分のはんだ６０の体積が余剰分となる。

このようにして、溶融したはんだ６０のうちブロック体２０を押し付けたことによる余剰分をブロック体２０の側面２３と最外周部６１との間に移動させる。すなわち、図４に示されるように、ブロック体２０の側面２３と最外周部６１との間の領域Ｓに予めはんだ６０を濡れ広がらせており、当該領域Ｓのはんだ濡れ性がブロック体２０の側面２３のはんだ濡れ性よりも高くなっているので、はんだ６０の余剰分が領域Ｓ側に移動すると共に、領域Ｓに位置する溶融したはんだ６０が余剰分を吸収する。

こうして、ブロック体２０の側面２３と最外周部６１との間の領域Ｓに位置する溶融したはんだ６０を変形させて、ブロック体２０の一端面２１よりも他端面２２側に盛り上がらせる。この状態ではんだ６０を固める。

そして、上記積層物を金型に配置して該金型内に樹脂を流し込む。金型内に樹脂を流し込んだ後、該樹脂を固めることにより、モールド樹脂５０を形成する。こうして、図１に示される半導体装置１が完成する。

以上説明したように、本実施形態では、第１金属板１０の第１接合面１２にブロック体２０を接合する前に第１接合面１２に溶融したはんだ６０を濡れ広がらせておくことが特徴となっている。

これによると、ブロック体２０の側面２３のはんだ濡れ性よりも第１接合面１２のうち溶融したはんだ６０が濡れ広がった領域Ｓのはんだ濡れ性が良くなるので、溶融したはんだ６０にブロック体２０を押し付けたことによるはんだ６０の余剰分を領域Ｓに逃がしやすくすることができる。この結果、領域Ｓに位置するはんだ６０は、ブロック体２０の一端面２１よりも他端面２２側に盛り上がらせて固めることができる。

このように、第１金属板１０の第１接合面１２に対する加工を施さなくても、領域Ｓに位置するはんだ６０に接合の際のはんだ６０の余剰分を吸収させて変形させることができるので、ブロック体２０の側面２３へのはんだ６０の濡れ広がりや這い上がりを抑制することができる。

また、ブロック体２０の側面２３にはんだ６０が濡れ広がらないようにするための、第１金属板１０の第１接合面１２に対する加工は不要である。したがって、第１金属板１０を用意するためのコストがかからないようにすることができる。

（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図５は、本実施形態に係る半導体装置１の製造工程を示した図であり、図１のＡ部に相当する断面図である。

図５に示されるように、本実施形態では、溶融状態のはんだ６０を濡れ広がらせる際に、溶融したはんだ６０に重り部材７０を押し付けることにより溶融したはんだ６０を濡れ広がらせる。重り部材７０の材料としては、カーボン等のはんだ６０が接合されない材料が採用される。

このように、はんだ６０を濡れ広がらせるために溶融したはんだ６０に重り部材７０を押し付けることにより、溶融したはんだ６０の厚さを均一にすることができ、ブロック体２０の一端面２１に接触する溶融したはんだ６０の厚さを適正化することができる。この場合、重り部材７０の押し付け量を大きくすることで、溶融したはんだ６０の厚さが元々小さくなり、はんだ６０の余剰分も少なくなるので、領域Ｓのはんだ６０の盛り上がりも小さくすることができる。したがって、ブロック体２０の側面２３へのはんだ６０の這い上がりをより防止することができる。

さらに、溶融したはんだ６０に重り部材７０を押し付けることで、はんだ６０の濡れ広がりが良くなるので、はんだ６０中のボイド発生も抑制できる。

（他の実施形態）
上記各実施形態では、図３に示されるように、第１接合面１２に例えば溶融したはんだ６０を四角形状に濡れ広がらせていたが、これは一例であり、他の形状に濡れ広がらせても良い。図６に、はんだ６０の濡れ広がりの形状の例を示す。

例えば、図６（ａ）に示されるように、ブロック体２０よりも広い四角形状のはんだ６０にさらに当該四角形状の各辺中央から外側に突出する部分が設けられている。これは、はんだ６０がはみ出し易いブロック体２０の一端面２１の各辺中央部に予めはんだ６０を設け、広域にはんだ６０を濡れ広がらせることで、より効率的にブロック体２０の側面２３へのはんだ這い上がりの抑制を図ったものである。

また、ブロック体２０の一端面２１の各辺から外側に向かってはんだ６０の余剰分が移動するので、図６（ｂ）に示されるように、ブロック体２０の一端面２１の各辺に対応させて十字状にはんだ６０を濡れ広がらせても良い。

さらに、はんだ６０の濡れ広がりの形状は四角形状だけではなく、図６（ｃ）に示されるように楕円形状でも良い。もちろん、楕円形状に限らず円形でも良い。また、図６（ｃ）では最外周部６１とブロック体２０の一端面２１の角部とが接しているが、これも一例であり、最外周部６１がブロック体２０の一端面２１の角部よりも外側に位置していても良い。

ブロック体２０の側面２３に溶融したはんだ６０が濡れ広がらないようにするために、ブロック体２０として、当該ブロック体２０のうち一端面２１に溶融したはんだ６０を濡れ広がらせたものを用意しても良い。これにより、ブロック体２０のうちの側面２３よりも一端面２１にはんだ６０が濡れ広がりやすくなる。したがって、ブロック体２０の側面２３へのはんだ６０の濡れ広がりを抑制することができる。

一方、ブロック体２０の側面２３に溶融したはんだ６０が濡れ広がらないようにするために、ブロック体２０の側面２３のはんだ濡れ性を悪くする処理を施すこともできる。例えば、ブロック体２０の側面２３に絶縁コーティング処理を施しても良い。樹脂コーティングとしては、樹脂部材や接着剤等である。また、ブロック体２０の側面２３に酸化処理を施しても良い。さらに、ブロック体２０の側面２３にレーザ照射処理を施しても良い。このレーザ照射処理は、ブロック体２０の側面２３を酸化させる作用があるので、当該側面２３のはんだ濡れ性を悪化させることができる。

このような各処理をブロック体２０の側面２３に施すことにより、ブロック体２０の側面２３のはんだ濡れ性が低下するので、ブロック体２０の側面２３へのはんだ６０の濡れ広がりを確実に防止することができる。

このように、ブロック体２０の側面２３にはんだ濡れ性を悪くする処理を施す場合、図７に示されるように、複数のブロック体２０を積層し、各ブロック体２０の側面２３をまとめて処理するようにしても良い。なお、図７では、ブロック体２０の一端面２１および他端面２２に施されたＮｉ等のメッキ層は省略してある。

１０第１金属板
１１第１放熱面
１２第１接合面
１３第１金属板の側面
２０ブロック体
２１ブロック体の一端面
２２ブロック体の他端面
２３ブロック体の側面
３０半導体素子
４０第２金属板
４１第２放熱面
５０モールド樹脂
６０はんだ
６１最外周部
７０重り部材

Claims

第１放熱面（１１）と、この第１放熱面（１１）の反対側の第１接合面（１２）と、前記第１放熱面（１１）および前記第１接合面（１２）に垂直な側面（１３）と、を有する第１金属板（１０）と、
一端面（２１）と、この一端面（２１）の反対側の他端面（２２）と、前記一端面（２１）および前記他端面（２２）に垂直な側面（２３）と、を有する金属製のブロック体（２０）と、
前記第１金属板（１０）の第１接合面（１２）と前記ブロック体（２０）の一端面（２１）とを電気的および熱的に接続したはんだ（６０）と、
前記ブロック体（２０）の他端面（２２）に電気的および熱的に接続された半導体素子（３０）と、
第２放熱面（４１）を有し、前記第２放熱面（４１）とは反対側が前記半導体素子（３０）に電気的および熱的に接続された第２金属板（４０）と、
前記第１放熱面（１１）および前記第２放熱面（４１）が露出するように、前記第１金属板（１０）、前記はんだ（６０）、前記ブロック体（２０）、前記半導体素子（３０）、および前記第２金属板（４０）を封止したモールド樹脂（５０）と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記第１金属板（１０）および前記ブロック体（２０）を用意する工程と、
前記第１接合面（１２）のうち最も前記第１金属板（１０）の側面（１３）側に位置する前記はんだ（６０）の端部を最外周部（６１）とし、前記最外周部（６１）が前記第１接合面（１２）のうち前記ブロック体（２０）の側面（２３）と前記第１金属板（１０）の側面（１３）との間に位置するように、前記第１金属板（１０）の第１接合面（１２）に溶融した前記はんだ（６０）を濡れ広がらせる工程と、
前記最外周部（６１）が前記第１接合面（１２）のうち前記ブロック体（２０）の側面（２３）と前記第１金属板（１０）の側面（１３）との間に位置するように、前記ブロック体（２０）の一端面（２１）を前記第１金属板（１０）の第１接合面（１２）に対向させる工程と、
前記ブロック体（２０）の一端面（２１）を前記第１金属板（１０）側に移動させて溶融した前記はんだ（６０）に押し付けると共に、溶融した前記はんだ（６０）のうち前記押し付けたことによる余剰分を前記ブロック体（２０）の側面（２３）と前記最外周部（６１）との間に移動させることにより、前記ブロック体（２０）の側面（２３）と前記最外周部（６１）との間に位置する溶融した前記はんだ（６０）を前記ブロック体（２０）の一端面（２１）よりも他端面（２２）側に盛り上がらせた状態で固める工程と、を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記はんだ（６０）を濡れ広がらせる工程では、溶融した前記はんだ（６０）に重り部材（７０）を押し付けることにより溶融した前記はんだ（６０）を濡れ広がらせることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記ブロック体（２０）を用意する工程では、前記ブロック体（２０）として、当該ブロック体（２０）のうち前記一端面（２１）に予め溶融したはんだ（６０）を濡れ広がらせたものを用意し、
前記固める工程では、前記予め溶融したはんだ（６０）を濡れ広がらせておいた前記ブロック体（２０）の一端面（２１）を前記第１金属板（１０）側に移動させて、前記第１金属板（１０）に濡れ広がらせておいた溶融した前記はんだ（６０）に押し付けることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
前記ブロック体（２０）を用意する工程では、前記ブロック体（２０）として、前記ブロック体（２０）の側面（２３）に絶縁コーティング処理を施したものを用意することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
前記ブロック体（２０）を用意する工程では、前記ブロック体（２０）として、前記ブロック体（２０）の側面（２３）に酸化処理を施したものを用意することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
前記ブロック体（２０）を用意する工程では、前記ブロック体（２０）として、前記ブロック体（２０）の側面（２３）にレーザ照射処理を施したものを用意することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
第１放熱面（１１）と、この第１放熱面（１１）の反対側の第１接合面（１２）と、前記第１放熱面（１１）および前記第１接合面（１２）に垂直な側面（１３）と、を有する第１金属板（１０）と、
一端面（２１）と、この一端面（２１）の反対側の他端面（２２）と、前記一端面（２１）および前記他端面（２２）に垂直な側面（２３）と、を有する金属製のブロック体（２０）と、
前記第１金属板（１０）の第１接合面（１２）と前記ブロック体（２０）の一端面（２１）とを電気的および熱的に接続したはんだ（６０）と、
前記ブロック体（２０）の他端面（２２）に電気的および熱的に接続された半導体素子（３０）と、
第２放熱面（４１）を有し、前記第２放熱面（４１）とは反対側が前記半導体素子（３０）に電気的および熱的に接続された第２金属板（４０）と、
前記第１放熱面（１１）および前記第２放熱面（４１）が露出するように、前記第１金属板（１０）、前記はんだ（６０）、前記ブロック体（２０）、前記半導体素子（３０）、および前記第２金属板（４０）を封止したモールド樹脂（５０）と、を備えた半導体装置であって、
前記第１接合面（１２）のうち最も前記第１金属板（１０）の側面（１３）側に位置する前記はんだ（６０）の端部を最外周部（６１）とすると、
前記第１接合面（１２）のうち前記ブロック体（２０）の側面（２３）と前記最外周部（６１）との間のはんだ濡れ性は、前記ブロック体（２０）の側面（２３）のはんだ濡れ性よりも高くなっており、
前記ブロック体（２０）の側面（２３）と前記最外周部（６１）との間に位置する前記はんだ（６０）は、前記ブロック体（２０）の一端面（２１）よりも他端面（２２）側に盛り上がった状態で固まっていることを特徴とする半導体装置。
前記ブロック体（２０）の側面（２３）には絶縁コーティング処理が施されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
前記ブロック体（２０）の側面（２３）には酸化処理が施されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
前記ブロック体（２０）の側面（２３）には、レーザ照射処理が施されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。