JP5380161B2 - 透明導電性膜およびそれを用いた電子デバイス - Google Patents

透明導電性膜およびそれを用いた電子デバイス Download PDF

Info

Publication number
JP5380161B2
JP5380161B2 JP2009132656A JP2009132656A JP5380161B2 JP 5380161 B2 JP5380161 B2 JP 5380161B2 JP 2009132656 A JP2009132656 A JP 2009132656A JP 2009132656 A JP2009132656 A JP 2009132656A JP 5380161 B2 JP5380161 B2 JP 5380161B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive film
transparent conductive
graphene
electronic device
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009132656A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010282729A5 (ja
JP2010282729A (ja
Inventor
誠 岡井
誠之 廣岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2009132656A priority Critical patent/JP5380161B2/ja
Priority to US12/791,336 priority patent/US7976950B2/en
Publication of JP2010282729A publication Critical patent/JP2010282729A/ja
Publication of JP2010282729A5 publication Critical patent/JP2010282729A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5380161B2 publication Critical patent/JP5380161B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/04—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of carbon-silicon compounds, carbon or silicon
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/184—Preparation
    • C01B32/186—Preparation by chemical vapour deposition [CVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00—Structure or properties of graphene
    • C01B2204/02—Single layer graphene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00—Structure or properties of graphene
    • C01B2204/04—Specific amount of layers or specific thickness
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00—Structure or properties of graphene
    • C01B2204/20—Graphene characterized by its properties
    • C01B2204/22—Electronic properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00—Structure or properties of graphene
    • C01B2204/20—Graphene characterized by its properties
    • C01B2204/32—Size or surface area
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/261—In terms of molecular thickness or light wave length
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer

Description

本発明は、グラフェンを用いた透明導電性膜と、それを用いたフラットパネルディスプレイ装置などの電子デバイスに関する。
透明導電性膜として、従来ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が広く用いられてきた（例えば特許文献１参照）。ＩＴＯは酸化スズに５〜１０ｗｔ％の酸化インジウムを混合した物質である。ＩＴＯにおいては、インジウムが希少金属であることから、それに替わる透明導電性膜の開発が必要であった。
特開平６−１７２９９５号公報
本発明の目的は、従来のＩＴＯが希少金属インジウムを使用しているのに対し、希少金属を用いず、炭素元素により透明導電性膜を実現することにある。
すなわち、本発明の透明導電性膜は、グラフェン小片が互いに重なり合った多層構造を形成し、前記グラフェン小片の平均サイズが５０ｎｍ以上であり、層数が１層以上９層以下であり、抵抗率が１×１０ -6 Ωｍ以下、５５０ｎｍの光に対する透過率が８０％以上である。
本発明によれば、希少金属を用いることなく、炭素のみで透明導電性膜およびそれを用いた電子デバイスを実現することができる。
本発明の課題を解決するための手段の説明図。 本発明の課題を解決するための手段の説明図。 本発明の第１の実施例の説明図。 本発明の第２の実施例の説明図。 本発明の第３の実施例の説明図。 本発明の第４の実施例の説明図。
本発明を図１および図２を用いて説明する。
図１にはグラフェンの電気伝導性を計算するためのモデルを示す。一辺の長さがＬ［μｍ］の正方形のグラフェン小片が、半分ずつ重なりながら、左から右への伝導チャンネルを形成すると仮定する。図１には、このようなチャネルが３本並行に形成されたモデルを示す。図１の構造により、１μｍ角の配線を形成した場合の電気抵抗率［Ωｍ］を計算する。グラフェン小片同士の接触抵抗Ｒggは、グラファイト間の界面抵抗をｒcggとすると、以下の式で与えられる。
Figure 0005380161
このＲggが直列に２／Ｌ個繋がって一つのチャネルを形成し、さらに１／Ｌ個のチャネルが並列になっているので、１μｍ角の電気抵抗Ｒtは次式で与えられる。
Figure 0005380161
さらに、Ｒtに配線の断面積を掛けて、長さで割ることにより、配線の電気抵抗率を求めることができる。ただし、上記の計算では、グラフェン自身の抵抗は、接触抵抗に比較して十分小さいため無視し、ｒcgg＝１０Ωμｍ2として計算した。また、グラフェン一層の膜厚を０.３４ｎｍとした。
以上がグラフェン層が２層の場合の計算式である。グラフェン層が９層の場合のＲtは、チャネルが縦方向に８層並列になると考えられるので、式（２）を１／８倍することにより求めることができる。以上の計算結果を図２に示す。
グラフェンの光吸収は波長５５０ｎｍにおいて、２.３％である。従って、２層の場合の光透過率は９５.５％、９層の場合の光透過率は８１.１％である。市販のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜の光透過率は８０％で、電気抵抗率が１.５×１０-6［Ωｍ］であることから、グラフェン小片サイズを５０ｎｍ以上に大きくすることができれば、ＩＴＯの代替としての性能を実現できると考えられる。
以上より、５０ｎｍ角以上の大きさのグラフェン小片９層を積層することにより、ＩＴＯと同等の性能である、透過率８０％、電気抵抗率１.０×１０-6［Ωｍ］を実現できる。
以下、本発明の一実施例を説明する。
本発明の第１の実施例を図３を用いて説明する。グラフェン小片３０１が互いに重なり合った多層構造を形成している。これにより、電気抵抗率の低い透明膜を実現することができる。グラフェン小片は様々な形状をしており、一様ではない。そこで、グラフェン小片の最も長い対角線と最も短い対角線の長さを足して２で割った値を平均サイズと定義する。グラフェン小片の平均サイズは、その薄膜を基板から剥がしとり、透過電子顕微項で観察することができる。あるいは、基板についたままの状態で、走査型トンネル顕微鏡で観察することも可能である。
このグラフェン透明電極の電気抵抗率は、グラフェン小片の平均サイズに依存し、平均サイズが大きくなるほど、電気抵抗率が小さくなる。また、透過率はグラフェン小片の層数に依存する。層数が少ないほど、透過率が高い。ＩＴＯの特性である電気抵抗率１.０×１０-6［Ωｍ］以下、５５０ｎｍの光に対する透過率８０％以上を実現するためには、グラフェン小片サイズが５０ｎｍ以上であり、層数が９層以下とする必要がある。
このようなグラフェン透明導電性膜は、アセチレンガスを原料とした気相成長法により、ガラス基板表面に製膜することが可能である。ガラス基板を反応管に設置し、５５０℃に加熱して、アセチレンガスを導入することにより、ガラス基板表面全面に、グラフェン透明導電性膜を製膜することができる。グラフェンの層数はアセチレンガスの流量と成長時間を調整することにより制御可能である。たとえば、アセチレンガスの流量を０.５ｓｃｃｍ、成長時間を１０分とすることで、層数７のグラフェン透明導電性膜を製膜することができた。気相成長法の原料ガスには、アセチレン以外に、いかなる炭化水素ガスを用いることが可能である。また、成長温度は４００℃以上であればグラフェン透明導電性膜を製膜することが可能である。
上記以外に、ポリビニルアルコールを揮発性溶媒で薄めた溶液をガラス基板にスピンナー塗布し、その後、窒素など不活性ガス雰囲気下５００℃で熱処理することにより、同様のグラフェン透明導電性膜を製膜することが可能である。熱処理温度は４００℃以上であれば、基板の熱耐性ぎりぎりの高い温度で処理した方が、電気抵抗率の低いグラフェン透明導電性膜を得ることができる。塗布する材料としては、ポリビニルアルコール以外に、ポリビニルクロライド，ポリビニルピロリドン，ポリアクリルアミド，ポリエチレンテレフタレート，ヒドロキシルプロピルセルロースを用いることが可能である。塗布方法は、スピンナー塗布以外に、浸漬法，印刷法等のいかなる方法を用いることも可能である。また、基板としては、４００℃の熱耐性のあるプラスチック基板等のいかなる基板を用いることも可能である。
本発明の第２の実施例を図４を用いて説明する。図４には、本発明のグラフェン透明導電性膜を用いた液晶ディスプレイ装置の原理図を示す。液晶ディスプレイ装置は、横方向の配線となる下部透明電極４０２を形成した下部ガラス基板と、縦方向の配線となる上部透明電極４０４、およびカラーフィルタ４０５を形成した上部ガラス基板４０６の間に液晶４０３が挟まれた構造となっている。下部からバックライト４０７を照射し、上部ガラス基板４０６側に、画像を表示する装置である。この液晶ディスプレイ装置において、下部透明電極４０２および上部透明電極４０４に、本発明のグラフェン透明導電性膜を使用した。このグラフェン透明導電性膜の電気抵抗率は１.０×１０-6［Ωｍ］、５５０ｎｍの光に対する透過率８０％であり、この構成により、液晶ディスプレイ装置を実現することができた。液晶ディスプレイ装置以外に、有機発光ディスプレイ，無機発光ディスプレイ等のあらゆるフラットパネルディスプレイにおいても、本発明のグラフェン透明導電性膜を用いて、ディスプレイ装置を実現することが可能である。
本発明の第３の実施例を図５を用いて説明する。図５には、本発明のグラフェン透明導電性膜を用いたタッチパネルを示す。タッチパネルは、横方向の配線となる下部透明電極５０２を形成した下部基板５０１と、縦報告の配線となる上部透明電極５０４を形成した上部基板５０３が対峙した構造になっている。下部透明電極５０２と上部透明電極５０４は、スペーサ等により、一定の間隔隔てて対峙しており、上部基板５０３の上からタッチした場合に、その部分の下部透明電極５０２と上部透明電極５０４が接触することにより、タッチ部位の位置を検出する装置である。このタッチパネルにおいて、下部透明電極５０２および上部透明電極５０４に、本発明のグラフェン透明導電性膜を使用した。このグラフェン透明導電性膜の電気抵抗率は１.０×１０-6［Ωｍ］、５５０ｎｍの光に対する透過率８０％であり、この構成により、タッチパネルを実現することができた。
本発明の第４の実施例を図６を用いて説明する。図６には、本発明のグラフェン透明導電性膜を用いた太陽電池を示す。太陽電池は、下部電極６０２を形成した下部基板６０１と上部透明電極６０４を形成した上部基板６０５の間に、光を吸収して電気を発生させる光吸収層６０３が挟まれた構造となっている。この太陽電池において、上部透明電極６０４に、本発明のグラフェン透明導電性膜を使用した。このグラフェン透明導電性膜の電気抵抗率は１.０×１０-6［Ωｍ］、５５０ｎｍの光に対する透過率８０％であり、この構成により、太陽電池を実現することができた。
３０１ グラフェン小片
４０１ 下部ガラス基板
４０２，５０２ 下部透明電極
４０３ 液晶
４０４，５０４ 上部透明電極
４０５ カラーフィルタ
４０６ 上部ガラス基板
４０７ バックライト
５０１，６０１ 下部基板
５０３，６０５ 上部基板
６０２ 下部電極
６０３ 光吸収層
６０４ 上部透明電極

Claims (6)

  1. グラフェン小片が互いに重なり合った多層構造を形成し、
    前記グラフェン小片の最も長い対角線と最も短い対角線の長さの和の半分である平均サイズが５０ｎｍ以上であり、
    層数が１層以上９層以下であり、
    抵抗率が１×１０-6Ωｍ以下、５５０ｎｍの光に対する透過率が８０％以上であることを特徴とする透明導電性膜。
  2. ４００℃以上の成長温度で炭化水素ガスを用いた気相成長法により製膜したことを特徴とする請求項１に記載の透明導電性膜。
  3. ポリビニルアルコール，ポリビニルクロライド，ポリビニルピロリドン，ポリアクリルアミド，ポリエチレンテレフタレート及びヒドロキシルプロピルセルロースから選ばれる少なくとも１種を基板表面に塗布した後、４００℃以上の温度で不活性ガス雰囲気下で熱処理することにより製膜したことを特徴とする請求項１に記載の透明導電性膜。
  4. ガラス基板あるいはプラスチック基板上に製膜したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の透明導電性膜。
  5. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の透明導電性膜を用いた電子デバイス。
  6. 請求項５に記載の前記電子デバイスが、フラットパネルディスプレイ装置，タッチパネル，太陽電池であることを特徴とする電子デバイス。
JP2009132656A 2009-06-02 2009-06-02 透明導電性膜およびそれを用いた電子デバイス Expired - Fee Related JP5380161B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009132656A JP5380161B2 (ja) 2009-06-02 2009-06-02 透明導電性膜およびそれを用いた電子デバイス
US12/791,336 US7976950B2 (en) 2009-06-02 2010-06-01 Transparent conductive film and electronic device including same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009132656A JP5380161B2 (ja) 2009-06-02 2009-06-02 透明導電性膜およびそれを用いた電子デバイス

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010282729A JP2010282729A (ja) 2010-12-16
JP2010282729A5 JP2010282729A5 (ja) 2011-08-04
JP5380161B2 true JP5380161B2 (ja) 2014-01-08

Family

ID=43220569

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009132656A Expired - Fee Related JP5380161B2 (ja) 2009-06-02 2009-06-02 透明導電性膜およびそれを用いた電子デバイス

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7976950B2 (ja)
JP (1) JP5380161B2 (ja)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101060463B1 (ko) * 2010-10-22 2011-08-29 인제대학교 산학협력단 그래핀을 전기영동법으로 증착시켜 제조하는 상대전극의 제조방법, 그 방법에 의하여 제조된 상대전극 및 이를 포함하는 염료감응형 태양전지
US10040683B2 (en) 2010-11-17 2018-08-07 Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration Multi-layered graphene sheet and method of fabricating the same
KR101459307B1 (ko) * 2010-12-24 2014-11-07 그래핀스퀘어 주식회사 그래핀을 이용한 압력 및 위치 동시감지 터치센서
CN102053738B (zh) * 2010-12-27 2013-03-20 清华大学 触摸屏输入指套
US9575598B2 (en) 2010-12-27 2017-02-21 Tsinghua University Inputting fingertip sleeve
KR20120108233A (ko) * 2011-03-23 2012-10-05 삼성전자주식회사 능동 광학 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
JP5566935B2 (ja) * 2011-03-25 2014-08-06 株式会社東芝 発光装置
IL220677A (en) 2011-06-30 2017-02-28 Rohm & Haas Elect Mat Transparent conductive items
KR101304163B1 (ko) * 2011-07-04 2013-09-04 (주)엘지하우시스 시인성이 개선된 정전용량방식 터치패널
KR101366396B1 (ko) * 2011-07-11 2014-02-24 주식회사 두산 그라핀과 ｉｔｏ를 함유하는 투명전극
US8878157B2 (en) 2011-10-20 2014-11-04 University Of Kansas Semiconductor-graphene hybrids formed using solution growth
US9285332B2 (en) 2011-12-12 2016-03-15 Korea Institute Of Science And Technology Low power consumption type gas sensor and method for manufacturing the same
KR101344738B1 (ko) * 2011-12-12 2013-12-26 한국과학기술연구원 고감도 투명 가스 센서 및 그 제조방법
KR101882516B1 (ko) * 2012-01-13 2018-07-26 가부시키가이샤 가네카 그래핀에 기초한 복합체, 그 제조 방법 및 이를 이용한 전자 장치
WO2013109446A1 (en) * 2012-01-18 2013-07-25 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Optoelectronic devices and methods of fabricating same
GB201201649D0 (en) * 2012-01-31 2012-03-14 Univ Manchester Graphene polymer composite
JP2015511759A (ja) * 2012-03-31 2015-04-20 オーシャンズ キング ライティング サイエンスアンドテクノロジー カンパニー リミテッド 有機エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法
US8691324B2 (en) * 2012-04-03 2014-04-08 Xerox Corporation Dry coating processes for substrates
TWI450821B (zh) * 2012-05-03 2014-09-01 Taiwan Textile Res Inst 具可撓性的透明電極及其製造方法
CN102737786B (zh) * 2012-06-28 2014-07-09 北京理工大学 一种纤维素纳米纤维基柔性透明导电膜的制备方法
JP6147542B2 (ja) * 2013-04-01 2017-06-14 株式会社東芝 透明導電フィルムおよび電気素子
TWI530965B (zh) * 2013-05-20 2016-04-21 Graphene transparent conductive film
CN104183300A (zh) * 2013-05-23 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 一种导电石墨烯薄膜及其制备方法和应用
TWI493739B (zh) * 2013-06-05 2015-07-21 Univ Nat Taiwan 熱載子光電轉換裝置及其方法
CN103970351A (zh) * 2014-04-24 2014-08-06 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板、显示面板和触摸显示装置
KR102293981B1 (ko) * 2014-10-13 2021-08-26 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시패널 및 그 제조방법
US10049784B2 (en) 2015-10-07 2018-08-14 King Fahd University Of Petroleum And Minerals Nanocomposite films with conducting and insulating surfaces
US10090078B2 (en) 2015-10-07 2018-10-02 King Fahd University Of Petroleum And Minerals Nanocomposite films and methods of preparation thereof
TW201723140A (zh) * 2015-12-31 2017-07-01 安炬科技股份有限公司 透明抗靜電膜

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3094050B2 (ja) 1992-12-09 2000-10-03 東京エレクトロン株式会社 マグネトロンスパッタリング装置及びスパッタリングガン
JP2003081699A (ja) * 2001-09-06 2003-03-19 Canon Inc 炭素を主成分とするファイバーの製造方法および製造装置、並びに該ファイバーを用いた電子放出素子
US7449133B2 (en) * 2006-06-13 2008-11-11 Unidym, Inc. Graphene film as transparent and electrically conducting material
KR101344493B1 (ko) * 2007-12-17 2013-12-24 삼성전자주식회사 단결정 그라펜 시트 및 그의 제조방법
EP2234930A2 (en) * 2008-01-07 2010-10-06 Wisys Technology Foundation, Inc. Method and apparatus for identifying and characterizing material solvents and composite matrices and methods of using same
US8163205B2 (en) * 2008-08-12 2012-04-24 The Boeing Company Durable transparent conductors on polymeric substrates
JP2010120819A (ja) * 2008-11-20 2010-06-03 Nec Corp 炭素膜を有する半導体装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7976950B2 (en) 2011-07-12
JP2010282729A (ja) 2010-12-16
US20100304131A1 (en) 2010-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5380161B2 (ja) 透明導電性膜およびそれを用いた電子デバイス
Park et al. Flash‐induced self‐limited plasmonic welding of silver nanowire network for transparent flexible energy harvester
JP2010282729A5 (ja)
CN105190496B (zh) 包含石墨烯层的触摸屏
CN103345963B (zh) 一种石墨烯复合材料透明电极及其制备方法和应用
Lee et al. Low resistive transparent and flexible ZnO/Ag/ZnO/Ag/WO3 electrode for organic light-emitting diodes
TW201303905A (zh) 透明導電膜、加熱器、觸控面板、太陽電池、有機ｅｌ裝置、液晶裝置及電子紙
Kim et al. Thermally evaporated indium-free, transparent, flexible SnO2/AgPdCu/SnO2 electrodes for flexible and transparent thin film heaters
JP2008204683A (ja) 透明導電性フィルム
JP2009265629A (ja) 表示用基板及びその製造方法並びに表示装置
CN104854542A (zh) 导电膜,制造该导电膜的方法以及包含该导电膜的显示设备
JP4944167B2 (ja) タッチパネルの製造方法
US20160043343A1 (en) Oled display device and fabrication method thereof
Kim et al. Flexible IZO/Ag/IZO/Ag multilayer electrode grown on a polyethylene terephthalate substrate using roll-to-roll sputtering
TW201535190A (zh) 導電結構體前驅物、導電結構體及其製造方法、及觸控式螢幕面板
CN104656996B (zh) 触控单元、触控基板及其制作方法和柔性触控显示装置
KR20140075502A (ko) 적층 구조의 복합 전극 제조방법
KR20150105798A (ko) 투명전극 및 그 제조방법
KR102203771B1 (ko) 전도성 패턴의 제조방법
WO2019148608A1 (zh) 液晶显示面板、液晶显示面板制备方法及显示装置
US10338752B2 (en) Touch panel, manufacturing method thereof and display device
Kim et al. Characteristics of graphene embedded indium tin oxide (ITO-graphene-ITO) transparent conductive films
US8646175B2 (en) Method for making a conductive film/plate exibiting electric anisotropy
US10036912B2 (en) Display substrate, method for manufacturing the display substrate, liquid crystal display device and OLED display device
CN103295667A (zh) 复合导电结构及其制造方法与具有其的显示及触控面板

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110620

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110620

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130611

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130801

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130903

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130930

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees