JP2015511759A - 有機エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 91
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 81
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 67
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims abstract description 13
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 8
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 41
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 26
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 24
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 13
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 9
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical group [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 8
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 7
- YSZJKUDBYALHQE-UHFFFAOYSA-N rhenium trioxide Chemical compound O=[Re](=O)=O YSZJKUDBYALHQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 abstract 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 220
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 17
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 15
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 14
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 14
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 10
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 10
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 10
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 7
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 7
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 7
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 6
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 5
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical group C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- WHLNMCZCHNKKDQ-UHFFFAOYSA-N iridium;3-methylphenanthro[9,10-b]pyrazine Chemical compound [Ir].C1=CC=C2C3=NC(C)=CN=C3C3=CC=CC=C3C2=C1.C1=CC=C2C3=NC(C)=CN=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 WHLNMCZCHNKKDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 2-cyanoethenylideneazanide Chemical group [N-]=C=[C+]C#N POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003023 Mg-Al Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- LCAKAXJAQMMVTQ-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-2-phenylbenzene Chemical group C=1C=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LCAKAXJAQMMVTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXVLMYZRJAHEIS-UHFFFAOYSA-N 1-(2-phenylphenyl)naphthalene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 MXVLMYZRJAHEIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical group C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000590 4-methylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical group C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本発明は、有機エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法を提供する。有機エレクトロルミネッセンスデバイス(100、200)は、順番に積層される、基板(110)、陽極(130)、発光層(160)及び陰極(190)を備える。陽極(130)は、光学増透層(131)、導電層(132)及び正孔注入補助層(133)を備える。光学増透層(131)の材料は、可視光における透過率が400nm〜800nmで、屈折率が2.3を超える金属亜鉛の無機化合物であり、導電層(132)の材料はグラフェンである。多層陽極構造は、反射防止原理を利用し、可視光における透過率が高く、表面抵抗が低くなり、正孔の注入ポテンシャル障壁を低下させるように正孔注入能力のある無機材料を用いることで、発光性能が安定で、発光効率が高くなる。真空熱蒸着法及び浸漬被覆法で陽極を形成するので、製造プロセスが簡単で、量産に適する。【選択図】図2
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法に関する。
有機エレクトロルミネッセンスダイオード(Organic Light Emission Diode)はOLEDと略し、有望な表示技術及び光源として、輝度が高く、選択可能な材料の範囲が広く、駆動電圧が低く、オールソリッドステートで自己発光するといった特性を有するとともに、明晰度が高く、視野が広く、さらに応答速度が速いといった利点も有している。また、OLEDは、情報化時代においてモバイル通信や情報表示の発展傾向、及びグリーン照明技術のニーズに合致するものとして、国内外の研究者からの注目を浴びている。
有機エレクトロルミネッセンスダイオードは、サンドイッチのような構造を有しており、その上下はそれぞれ陰極と陽極であるが、二つの電極の間には、単層又は多層の、異なる種類の材料と、異なる構造の有機材料機能層が挟まれている。有機エレクトロルミネッセンスダイオードは、キャリア注入型の発光デバイスであり、陽極と陰極とに作動電圧をかけると、正孔が陽極から、電子が陰極から、作動デバイスの有機材料層中にそれぞれ注入され、2種類のキャリアは有機発光材料中において電子−正孔対を形成して発光し、さらに、光が電極の片側から射出する。
通常、有機エレクトロルミネッセンスダイオードは、ポリマーフィルムを基板として用いて、基板の表面に陽極が形成されているが、これらの導電膜は、フレキシブルOLEDに適用されるときに解決し難い様々な問題が存在している。例えば、ITOフィルムの製造中に、インジウム(In)、スズ(Sn)などの各元素のドーピング比率、組成をコントロールしにくいので、ITOフィルムの形態、キャリア及び伝送性能を制御しにくくなっている。次に、フレキシブル基板でITOなどの導電膜を形成する場合、一般的に低温スパッタリング技術を使用するので、このように形成された導電膜は、表面抵抗が高く、フィルムと基板との結合力が低いので、フレキシブルOLEDは、繰り返される湾曲の過程で導電膜が基板から剥離される状況が発生し易いようになり、OLED発光装置の発光安定性に影響を与える。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、有機エレクトロルミネッセンスデバイスを提供することにある。
さらに、本発明は、上述した有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法を提供する。
有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、順番に積層される、基板と、陽極と、発光層と、陰極とを備え、当該陽極は、基板に順番に積層される、光学増透層と、導電層と、正孔注入補助層とを備え、当該光学増透層の材料は、可視光における透過率が400nm〜800nmで、屈折率が2.3を超える金属亜鉛の無機化合物であり、当該導電層の材料はグラフェンである。
好ましくは、正孔注入補助層の材料は、三酸化タングステン、三酸化モリブデン、五酸化バナジウム、及び三酸化レニウムから選ばれる1つである。
好ましくは、光学増透層の材料は、硫化亜鉛又はセレン化亜鉛である。
好ましくは、光学増透層の厚さは35nm〜80nmであり、正孔注入補助層の厚さは3nm〜10nmである。
好ましくは、上記基板と上記陽極との間には緩衝層をさらに備え、上記緩衝層は紫外線硬化型接着剤である。
好ましくは、緩衝層は、厚さが0.5μm〜10μmであり、表面硬度が2H〜3Hである。
有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法は、
基板を洗浄して、後工程のために用意しておくステップと、
圧力が5×10−4Paである真空蒸着システムにおいて、基板の表面に光学増透層を蒸着し、上記光学増透層が蒸着された基板を真空蒸着システムから取り出し、浸漬被覆プロセスによって上記光学増透層の表面に導電層を蒸着し、続いて、真空蒸着システムに移し、上記導電層の表面に正孔注入補助層を蒸着し、陽極を得て、基板に陽極を形成するステップと、
その後、陽極に発光層及び陰極を蒸着し、上記有機エレクトロルミネッセンスデバイスを得るステップと、
を含み、
ここで、上記光学増透層の材料は、可視光における透過率が400nm〜800nmで、屈折率が2.3を超える金属亜鉛の無機化合物であり、上記導電層の材料はグラフェンである。
基板を洗浄して、後工程のために用意しておくステップと、
圧力が5×10−4Paである真空蒸着システムにおいて、基板の表面に光学増透層を蒸着し、上記光学増透層が蒸着された基板を真空蒸着システムから取り出し、浸漬被覆プロセスによって上記光学増透層の表面に導電層を蒸着し、続いて、真空蒸着システムに移し、上記導電層の表面に正孔注入補助層を蒸着し、陽極を得て、基板に陽極を形成するステップと、
その後、陽極に発光層及び陰極を蒸着し、上記有機エレクトロルミネッセンスデバイスを得るステップと、
を含み、
ここで、上記光学増透層の材料は、可視光における透過率が400nm〜800nmで、屈折率が2.3を超える金属亜鉛の無機化合物であり、上記導電層の材料はグラフェンである。
好ましくは、上記浸漬被覆プロセスは、具体的に、光学増透層が蒸着された基板をグラフェンの懸濁液に浸漬し、0.1cm/s〜0.5cm/sの速度で上記光学増透層が蒸着された基板を懸濁液から引き上げて、乾燥するプロセスである。
好ましくは、スピンコーターで紫外線硬化型接着剤を上記基板にスピンコーティングし、紫外線ランプによって硬化させて緩衝層を形成する、上記基板と上記陽極との間で緩衝層を形成するステップを含み、ここで、スピンコーターの回転速度は1000rpm〜5000rpmであり、スピンコーティング時間は30秒〜120秒である。
好ましくは、正孔注入補助層の材料は、三酸化タングステン、三酸化モリブデン、五酸化バナジウム、及び三酸化レニウムから選ばれる1つであり、上記光学増透層の材料は、硫化亜鉛又はセレン化亜鉛である。
上述有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、真空熱蒸着法及び浸漬被覆の方法によって積層構造を有する陽極を形成でき、当該陽極積層構造は、基板に対する破壊が小さく、光透過性が良く、表面抵抗が低いとともに、陽極と基板との間に挿入した緩衝層によって、陽極と基板との間の結合力を強化させ、有機エレクトロルミネッセンスデバイスに安定した発光性能、高い発光効率を与える。
以下、具体的な実施形態によって、上述した有機エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法をさらに説明する。
図1に示すように、1つの実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンスデバイス100は、順番に積層される、基板110、陽極130、発光層160及び陰極190を備え、有機エレクトロルミネッセンスデバイス100の全体的性能を改善するために、必要に応じて、正孔注入層140、正孔輸送層150、電子輸送層170、電子注入層180をさらに備えてもよい。
基板110は、ガラス基板又はポリマーフィルムなどであってもよい。ガラス基板は、比較的良い光透過率を有する一方、光透過率の向上を保証するために、その中、ポリマーフィルムの可視光における透過率が80%を超え、ポリマーフィルム材の厚さ0.1mm〜0.5mmの範囲から選ばれてもよく、より具体的に、ポリマーフィルムがポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、シクロオレフィンコポリマー(COC)、ポリカーボネート(PC)などの材料から選ばれる。
陽極130は、光学増透層131、導電層132及び正孔注入補助層133を備える。ここで、光学増透層131の材料は、可視光における透過率が400nm〜800nmで、屈折率が2.3を超える金属亜鉛の無機化合物であり、光学増透層131の材料は、具体的に、硫化亜鉛又はセレン化亜鉛であり、好ましくは光学増透層131の厚さが35nm〜80nmである。
導電層132の材料はグラフェンである。
正孔注入補助層133の材料は、三酸化タングステン、三酸化モリブデン、五酸化バナジウム、及び三酸化レニウムのうちの1つを含み、厚さが3nm〜10nmである。
フレキシブル基板を選択してその基板に形成される陽極は、フレキシブル基板陽極である。その多層フレキシブル陽極構造が熱レンズの反射防止原理を利用するので、形成された陽極は、可視光における透過率が高いと同時に、表面抵抗が低い。グラフェンの優れた電気特性を基にして、さらに陽極層の正孔注入性能を向上させるために、正孔注入能力のある正孔注入補助層を多層陽極の一部として正孔の注入ポテンシャル障壁を低下させるように用いることによって、発光性能が安定で、且つ発光効率が高いフレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスを製造できる。
正孔注入層140の材料は、例えば、4,4’,4’’−トリス(N−3−メチルフェニル−N−フェニル−アミノ)−トリフェニルアミン(m−MTDATA)などの当分野でよく使用される材料を用いて、厚さが40nmである。
正孔輸送層150の材料は、例えば、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(1−ナフタレニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(NPB)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD)、又は1,1−ビス[4−[ビス(4−メチルフェニル)アミノ]フェニル]シクロヘキサン(TAPC)などの当分野でよく使用される材料を用いて、厚さが30nmである。
発光層160の材料は、例えば、NPB:Ir(MDQ)2(acac)(ここで、NPB(N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(1−ナフタレニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン)はホスト材料であり、Ir(MDQ)2(acac)(イリジウムビス(2−メチルジベンゾ[f,h]キノキサリン)(アセチルアセトネート))はゲスト材料であり、ホスト材料におけるゲスト材料のドーピング質量比は5%である。)、TCTA:Ir(ppy)3(ここで、TCTA(4,4’,4’’−トリス(カルバゾール−9−イル)−トリフェニルアミン)はホスト材料であり、Ir(ppy)3(トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム)はゲスト材料であり、ホスト材料におけるゲスト材料のドーピング質量比は3%である。)、DCJTB:Alq3(ここで、Alq3(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム)はホスト材料であり、DCJTB(4,4−(ジシアノメチレン)−2−tert−ブチル−6−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジル−9−エニル)−4H−ピランはゲスト材料であり、ホスト材料におけるゲスト材料のドーピング質量比は2%である。)、又はDPVBi(4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)−1,1’―ビフェニル)などの当分野でよく使用される材料を用いて、厚さが15nmである。
電子輸送層170の材料は、例えば、トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(Alq3)、4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(Bphen)、又は1,3,5−トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール−2−イル)ベンゼン(TPBi)などの当分野でよく使用される材料を用いて、厚さが40nmである。
電子注入層180の材料は、例えば、LiF又はCsFなどの当分野でよく使用される材料を用いて、厚さが1nmである。
陰極190の材料は、例えば、Al、Ag又はMg−Al合金などの当分野でよく使用される材料を用いて、厚さが100nmである。
図2に示すように、別の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンスデバイス200は、順番に積層される、基板110、緩衝層120、陽極130、発光層160、及び陰極190を備え、有機エレクトロルミネッセンスデバイス100の全体的性能を改善するために、必要に応じて、正孔注入層140、正孔輸送層150、電子輸送層170、電子注入層180をさらに備えてもよい。
ここで、基板110、陽極130、発光層160、陰極190、正孔注入層140、正孔輸送層150、電子輸送層170、及び電子注入層180は、前に述べたような構造を有し、それらの説明を省略する。
緩衝層120は、紫外線硬化型接着剤からなり、緩衝層120の厚さが0.5μm〜10μmであってもよく、得られた緩衝層120の表面硬度が2H〜3Hの間(鉛筆硬度)に達する。
図3に示すように、有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法は、下記のステップを含む。
<ステップS110>基板を洗浄する。
本実施形態において、基板を洗浄剤含有の脱イオン水に入れて、超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、イソプロパノールとアセトンとの順で超音波処理し、さらに、窒素気流で乾燥させ、後工程のために用意しておく。
好ましくは、基板の材料はポリマーフィルムであり、可視光における透過率が80%を超え、厚さが0.1mm〜0.5mmの範囲から選ばれてもよく、より具体的に、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、シクロオレフィンコポリマー(COC)、ポリカーボネート(PC)などの材料から選ばれる。
<ステップS130>ステップS110における基板の表面に陽極を真空蒸着して形成する。
ここで、ステップS130は、ステップS131、ステップS132及びステップS133という陽極を形成するための3つのステップを含む。その詳しい説明は下記の通りである。
ステップS131には、圧力が5×10−4Paである真空蒸着システムにおいて、基板の表面に光学増透層を蒸着する。好ましくは、光学増透層の材料は、可視光における透過率が400nm〜800nmで、屈折率が2.3を超える金属亜鉛の無機化合物であり、より好ましくは、光学増透層の材料は、硫化亜鉛又はセレン化亜鉛であり、厚さが35nm〜80nmである。
ステップS132には、ステップS131で処理された基板を真空蒸着システムから取り出し、浸漬被覆プロセスによって上記光学増透層の表面に導電層を蒸着する。ここで、浸漬被覆プロセスにおいて、具体的に、導電層材料を脱イオン水に分散させ、濃度が0.01mg/mL〜2.0mg/mLである懸濁液を形成する。
好ましくは、本実施例において、導電層材料は単層グラフェンであり、最後に0.01mg/mL〜2.0mg/mLのグラフェンの懸濁液を形成する。
ステップS131で処理された基板をグラフェン懸濁液に浸漬し、0.1cm/s〜0.5cm/sの速度で基板を懸濁液から引き上げて、その後乾燥する。所望の厚さによって、1回〜5回繰り返して引き上げることができる。
好ましくは、導電層の厚さは10nm〜25nmである。
<ステップS133>ステップS132で処理された基板を圧力が5×10−4Paである真空蒸着システムに移し、導電層の表面に正孔注入補助層を蒸着し、陽極を得る。
好ましくは、正孔注入補助層の材料は、三酸化タングステン、三酸化モリブデン、五酸化バナジウム及び三酸化レニウムから選ばれる1つである。
正孔注入補助層の厚さは3nm〜10nmである。
<ステップS140>陽極の表面に発光層を蒸着する。
発光層の材料は、例えば、NPB:Ir(MDQ)2(acac)(ここで、NPB(N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(1−ナフタレニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン)はホスト材料であり、Ir(MDQ)2(acac)(イリジウムビス(2−メチルジベンゾ[f,h]キノキサリン)(アセチルアセトネート))はゲスト材料であり、ホスト材料におけるゲスト材料のドーピング質量比は5%である。)、TCTA:Ir(ppy)3(ここで、TCTA(4,4’,4’’−トリス(カルバゾール−9−イル)−トリフェニルアミン)はホスト材料であり、Ir(ppy)3(トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム)はゲスト材料であり、ホスト材料におけるゲスト材料のドーピング質量比は3%である。)、DCJTB:Alq3(ここで、Alq3(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム)はホスト材料であり、DCJTB(4,4−(ジシアノメチレン)−2−tert−ブチル−6−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジル−9−エニル)−4H−ピランはゲスト材料であり、ホスト材料におけるゲスト材料のドーピング質量比は2%である。)、又はDPVBiなどの当分野でよく使用される材料を用いる。
<ステップS150>発光層の表面に陰極を蒸着する。
陰極の材料は、例えば、Al、Ag又はMg−Ag合金などの当分野でよく使用される材料を用いる。
有機エレクトロルミネッセンスデバイスの全体的性能を改善するために、陽極と発光層との間で正孔注入層及び/又は正孔輸送層を蒸着し、発光層と陰極との間で電子輸送層及び/又は電子注入層を蒸着してもよい。
本発明に用いられる真空蒸着システムは、当分野でよく使用されるものである。
図4に示すように、別の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法は、基板を洗浄するステップS110と、ステップS110における基板の表面に陽極を真空蒸着して形成するステップS130と、陽極の表面に発光層を蒸着するステップS140と、発光層の表面に陰極を蒸着するステップS150とを含み、さらに、緩衝層を形成するステップS120を含む。ステップS110、ステップS130、ステップS140及びステップS150は、前述と同様にして、それらの説明を省略する。
<ステップS120>緩衝層を形成する。
具体的に、ステップS110で処理された基板をスピンコーターに置き、紫外線硬化型接着剤を上記基板にスピンコーティングし、さらに、紫外線ランプによって硬化させて緩衝層を形成する。
好ましくは、スピンコーターの回転速度は1000rpm〜5000rpmであり、スピンコーティング時間は30秒〜120秒である。
好ましくは、緩衝層の厚さは0.5μm〜10μmである。
緩衝層の挿入によって、陽極と基板との間の結合力を強化させ、製造される有機エレクトロルミネッセンスデバイスに優れた曲げ特性、安定した発光性能、高い発光効率を与える。
以下、具体的な実施例で説明する。
(実施例1)
有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスは、以下に示す。
有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスは、以下に示す。
基板の形成は、厚さが0.1mmであるポリエチレンナフラレートフィルムを洗浄剤含有の脱イオン水に入れて、超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、イソプロパノールとアセトンとの順で超音波処理し、さらに、窒素気流で乾燥させた。
緩衝層の形成は、乾燥した基板をスピンコーターに置き、スピンコーターを駆動して、1000rpmのスピンコーター回転速度、120秒のスピンコーティング時間で、基板の表面に厚さが0.5μmである紫外線硬化型接着剤をスピンコーティングした後、紫外線ランプによって硬化させて緩衝層を形成した。形成された緩衝層の表面硬度は2Hである。
陽極の形成は、真空度が5×10−4Paである真空蒸着システムにおいて、緩衝層の表面に光学増透層を蒸着した後、真空蒸着システムから取り出した。本実施例において、厚さが45nmである硫化亜鉛層を光学増透層として用いた。
浸漬被覆プロセスにより光学増透層の表面に導電層を形成するステップは、本実施例において濃度が0.5mg/mLであるグラフェン懸濁液を用いて、0.2cm/sの速度でフィルムを形成するように基板を引き上げ、2回繰り返した後、乾燥して導電層を形成した。
その後、導電層の表面に正孔注入補助層を蒸着するステップは、上述の基板を真空蒸着システムに移し、導電層の表面に厚さ6nmである三酸化タングステンを正孔注入補助層として蒸着し、陽極を形成した。
最後に、陽極の表面に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、及び陰極を順番に蒸着した。
正孔注入層は、4,4’,4’’−トリス(N−3−メチルフェニル−N−フェニル−アミノ)−トリフェニルアミン(m―MTDATA)であり、厚さが40nmである。
正孔輸送層は、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(1−ナフタレニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(NPB)であり、厚さが30nmである。
発光層は、TCTA:Ir(ppy)3であり、ここで、TCTA(4,4’,4’’−トリス(カルバゾール−9−イル)−トリフェニルアミン)はホスト材料であり、Ir(ppy)3(トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム)はゲスト材料であり、ホスト材料におけるゲスト材料のドーピング質量比は3%であり、発光層の厚さが15nmである。
電子輸送層は、1,3,5−トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール−2−イル)ベンゼン(TPBi)であり、厚さが40nmである。
電子注入層は、フッ化リチウム(LiF)であり、厚さが1nmである。
陰極は、アルミニウムを用いて、厚さが100nmである。
当該有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造は、順番に、PEN/UVグルー/ZnS/グラフェン/WO3/m−MTDATA/NPB/TCTA:Ir(ppy)3/TPBi/LiF/Alである。
表面硬度の測定は、中国国家標準GB−T6739−1996(被膜硬度鉛筆測定法)によって、中国国家標準鉛筆硬度計で行い、以下の実施例も同じようにして、その説明を省略する。
(実施例2)
有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスは、以下に示す。
有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスは、以下に示す。
基板の形成は、厚さが0.175mmであるポリエチレンテレフタレートフィルムを洗浄剤含有の脱イオン水に入れて、超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、イソプロパノールとアセトンの順で超音波処理し、さらに、窒素気流で乾燥させた。
緩衝層の形成は、乾燥した基板をスピンコーターに置き、スピンコーターを駆動して、5000rpmのスピンコーター回転速度、30秒のスピンコーティング時間で、基板の表面に厚さが5μmである紫外線硬化型接着剤をスピンコーティングした後、紫外線ランプによって硬化させて緩衝層を形成した。形成された緩衝層の表面硬度は3Hである。
陽極の形成は、真空度が5×10−4Paである真空蒸着システムにおいて、緩衝層の表面に光学増透層を蒸着した後、真空蒸着システムから取り出した。本実施例において、厚さが35nmである硫化亜鉛層を光学増透層として用いた。
浸漬被覆プロセスにより光学増透層の表面に導電層を形成するステップは、本実施例において濃度が0.01mg/mLであるグラフェン懸濁液を用いて、0.1cm/sの速度でフィルムを形成するように基板を引き上げ、1回繰り返した後、乾燥して導電層を形成した。
その後、導電層の表面に正孔注入補助層を蒸着するステップは、上述の基板を真空蒸着システムに移し、導電層の表面に厚さが3nmである三酸化モリブデンを正孔注入補助層として蒸着し、陽極を形成した。
最後に、陽極の表面に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、及び陰極を順番に蒸着した。
正孔注入層は、4,4’,4’’−トリス(N−3−メチルフェニル−N−フェニル−アミノ)−トリフェニルアミン(m−MTDATA)であり、厚さが40nmである。
正孔輸送層は、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(1−ナフタレニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(NPB)であり、厚さが30nmである。
発光層は、NPB:Ir(MDQ)2(acac)であり、ここで、NPB(N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(1−ナフタレニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミンはホスト材料であり、Ir(MDQ)2(acac)(イリジウムビス(2−メチルジベンゾ[f,h]キノキサリン)(アセチルアセトネート)はゲスト材料であり、ホスト材料におけるゲスト材料のドーピング質量比は5%であり、発光層の厚さが15nmである。
電子輸送層は、4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(Bphen)であり、厚さが40nmである。
電子注入層は、フッ化セシウム(CsF)であり、厚さが1nmである。
陰極は、Mg−Al合金であり、厚さが100nmである。
当該有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造は、順番に、PET/UVグルー/ZnS/Ag/MoO3/m−MTDATA/NPB/NPB:Ir(MDQ)2(acac)/Bphen/CsF/Mg−Agである。
(実施例3)
有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスは、以下に示す。
有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスは、以下に示す。
基板の形成は、厚さが0.2mmであるポリエーテルスルホンフィルムを洗浄剤含有の脱イオン水に入れて、超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、イソプロパノールとアセトンの順で超音波処理し、さらに、窒素気流で乾燥させた。
緩衝層の形成は、乾燥した基板をスピンコーターに置き、スピンコーターを駆動して、4000rpmのスピンコーター回転速度、70秒のスピンコーティング時間で、基板の表面に厚さが1μmである紫外線硬化型接着剤をスピンコーティングした後、紫外線ランプによって硬化させて緩衝層を形成した。形成された緩衝層の表面硬度は2Hである。
陽極の形成は、真空度が5×10-4Paである真空蒸着システムにおいて、緩衝層の表面に光学増透層を蒸着した後、真空蒸着システムから取り出した。本実施例において、厚さが80nmである硫化亜鉛層を光学増透層として用いた。
浸漬被覆プロセスにより光学増透層の表面に導電層を形成するステップは、本実施例において濃度が0.1mg/mLであるグラフェン懸濁液を用いて、0.5cm/sの速度でフィルムを形成するように基板を引き上げ、5回繰り返した後、乾燥して導電層を形成した。
その後、導電層の表面に正孔注入補助層を蒸着するステップは、上述の基板を真空蒸着システムに移し、導電層の表面に厚さが5nmである三酸化レニウムを正孔注入補助層として蒸着し、陽極を形成した。
最後に、陽極の表面に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、及び陰極を順番に蒸着した。
正孔注入層は、4,4’,4’’−トリス(N−3−メチルフェニル−N−フェニル−アミノ)−トリフェニルアミン(m−MTDATA)であり、厚さが40nmである。
正孔輸送層は、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD)であり、厚さが30nmである。
発光層は、DCJTB:Alq3であり、ここで、Alq3(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム)はホスト材料であり、DCJTB(4,4−(ジシアノメチレン)−2−tert−ブチル−6−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジル−9−エニル)−4H−ピラン)はゲスト材料であり、ホスト材料におけるゲスト材料のドーピング質量比は2%であり、発光層の厚さが15nmである。
電子輸送層は、8−ヒドロキシキノリン(Alq3)であり、厚さが40nmである。
電子注入層は、フッ化リチウム(LiF)であり、厚さが1nmである。
陰極は、銀であり、厚さが100nmである。
当該有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造は、順番に、PES/UVグルー/ZnS/Ag/ReO3/m−MTDATA/TPD/DCJTB:Alq3/Alq3/LiF/Agである。
(実施例4)
有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスは、以下に示す。
有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスは、以下に示す。
基板の形成は、厚さが0.5mmであるシクロオレフィンコポリマーフィルムを洗浄剤含有の脱イオン水に入れて、超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、イソプロパノールとアセトンとの順で超音波処理し、さらに、窒素気流で乾燥させた。
緩衝層の形成は、乾燥した基板をスピンコーターに置き、スピンコーターを駆動して、3000rpmのスピンコーター回転速度、80秒のスピンコーティング時間で、基板の表面に厚さが10μmである紫外線硬化型接着剤をスピンコーティングした後、紫外線ランプによって硬化させて緩衝層を形成した。形成された緩衝層の表面硬度は3Hである。
陽極の形成は、真空度が5×10-4Paである真空蒸着システムにおいて、緩衝層の表面に光学増透層を蒸着した後、真空蒸着システムから取り出した。本実施例において、厚さが60nmであるセレン化亜鉛を光学増透層として用いた。
浸漬被覆プロセスにより光学増透層の表面に導電層を形成するステップは、本実施例において濃度が0.1mg/mLであるグラフェン懸濁液を用いて、0.2cm/sの速度でフィルムを形成するように基板を引き上げ、3回繰り返した後、乾燥して導電層を形成した。その後、導電層の表面に正孔注入補助層を蒸着するステップは、上述の基板を真空蒸着システムに移し、導電層の表面に厚さが10nmである五酸化バナジウムを蒸着し、陽極を形成した。
最後に、陽極の表面に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、及び陰極を順番に蒸着した。
正孔注入層は、4,4’,4’’−トリス(N−3−メチルフェニル−N−フェニル−アミノ)−トリフェニルアミン(m−MTDATA)であり、厚さが40nmである。
正孔輸送層は、1,1−ビス[4−[ビス(4−メチルフェニル)アミノ]フェニル]シクロヘキサン(TAPC)であり、厚さが30nmである。
発光層は、DPVBi(4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)−1,1’―ビフェニル)であり、厚さが15nmである。
電子輸送層は、1,3,5−トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール−2−イル)ベンゼン(TPBi)であり、厚さが40nmである。
電子注入層は、フッ化セシウム(CsF)であり、厚さが1nmである。
陰極は、Mg−Ag合金であり、厚さが100nmである。
フレキシブル有機エレクトロルミネッセンスデバイスの層状構造は、順番に、COC/UVグルー/ZnSe/Ag/V2O5/m−MTDATA/TAPC/DPVBi/TPBi/CsF/Mg−Agである。
(実施例5)
有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスは、以下に示す。
有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造プロセスは、以下に示す。
基板の形成は、厚さが0.4mmであるポリカーボネートフィルムを洗浄剤含有の脱イオン水に入れて、超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、イソプロパノールとアセトンの順で超音波処理し、さらに、窒素気流で乾燥させた。
緩衝層の形成は、乾燥した基板をスピンコーターに置き、スピンコーターを駆動して、2000rpmのスピンコーター回転速度、50秒のスピンコーティング時間で、基板の表面に厚さが7μmである紫外線硬化型接着剤をスピンコーティングした後、紫外線ランプによって硬化させて緩衝層を形成した。形成された緩衝層の表面硬度は2Hである。
陽極の形成は、真空度が5×10-4Paである真空蒸着システムにおいて、緩衝層の表面に光学増透層を蒸着した後、真空蒸着システムから取り出した。本実施例において、厚さが80nmであるセレン化亜鉛を光学増透層として用いた。
浸漬被覆プロセスにより光学増透層の表面に導電層を形成するステップは、本実施例において濃度が2.0mg/mLであるグラフェン懸濁液を用いて、0.2cm/sの速度でフィルムを形成するように基板を引き上げ、1回行った後、乾燥して導電層を形成した。
その後、導電層の表面に正孔注入補助層を蒸着するステップは、上述の基板を真空蒸着システムに移し、導電層の表面に厚さが8nmである三酸化モリブデンを正孔注入補助層として蒸着し、陽極を形成した。
最後に、陽極の表面に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、及び陰極を順番に蒸着した。
正孔注入層は、4,4’,4’’−トリス(N−3−メチルフェニル−N−フェニル−アミノ)−トリフェニルアミン(m−MTDATA)であり、厚さが40nmである。
正孔輸送層は、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD)であり、厚さが30nmである。
発光層は、DCJTB:Alq3であり、ここで、Alq3(トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム)はホスト材料であり、DCJTB(4,4−(ジシアノメチレン)−2−tert−ブチル−6−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジル−9−エニル)−4H−ピランはゲスト材料であり、ホスト材料におけるゲスト材料のドーピング質量比は2%であり、厚さが15nmである。
電子輸送層は、1,3,5−トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール−2−イル)ベンゼン(TPBi)であり、厚さが40nmである。
電子注入層は、フッ化リチウム(LiF)であり、厚さが1nmである。
陰極は銀であり、厚さが100nmである。
当該有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造は、順番に、PC/UVグルー/ZnSe/グラフェン/MoO3/m−MTDATA/TPD/DCJTB:Alq3/TPBi/LiF/Agである。
(比較例1)
厚さが0.1mmであるポリエチレンナフタレートフィルムを洗浄剤含有の脱イオン水に入れて、超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、イソプロパノールとアセトンとの順で超音波処理し、さらに、窒素気流で乾燥させた。続いて、マグネトロンスパッタリングシステムで、ポリエチレンナフタレートフィルムの表面に厚さが125nmであるインジウムスズ酸化物導電膜を陽極としてスパッタリングして形成し、その後、真空度が5×10-4Paである真空蒸着システムにおいて、その表面に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、及び陰極を順番に蒸着した。
厚さが0.1mmであるポリエチレンナフタレートフィルムを洗浄剤含有の脱イオン水に入れて、超音波洗浄を行い、脱イオン水で洗浄した後、イソプロパノールとアセトンとの順で超音波処理し、さらに、窒素気流で乾燥させた。続いて、マグネトロンスパッタリングシステムで、ポリエチレンナフタレートフィルムの表面に厚さが125nmであるインジウムスズ酸化物導電膜を陽極としてスパッタリングして形成し、その後、真空度が5×10-4Paである真空蒸着システムにおいて、その表面に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、及び陰極を順番に蒸着した。
正孔注入層は、4,4’,4’’−トリス(N−3−メチルフェニル−N−フェニル−アミノ)−トリフェニルアミン(m−MTDATA)であり、厚さが40nmである。
正孔輸送層は、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(1−ナフタレニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(NPB)であり、厚さが30nmである。
発光層は、TCTA:Ir(ppy)3であり、ここで、TCTA(4,4’,4’’−トリス(カルバゾール−9−イル)−トリフェニルアミン)はホスト材料であり、Ir(ppy)3(トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム)はゲスト材料であり、ホスト材料におけるゲスト材料のドーピング質量比は3%であり、厚さが15nmである。
電子輸送層は、1,3,5−トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール−2−イル)ベンゼン(TPBi)であり、厚さが40nmである。
電子注入層は、フッ化リチウム(LiF)であり、厚さが1nmである。
陰極は、アルミニウムを用いて、厚さが100nmである。
当該有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造は、順番に、PEN/ITO/m−MTDATA/NPB/TCTA:Ir(ppy)3/TPBi/LiF/Alである。ここで、当該デバイスには、緩衝層を有しておらず、且つ陽極がインジウムスズ酸化物導電膜である以外、他の各機能層は実施例1と同じである。
表1は、実施例1〜5及び比較例に係る有機エレクトロルミネッセンスデバイスの透光性及び導電性の測定結果である。光学透過性は、PerkinElmerlambda25型の紫外線可視分光光度計によって測定され、導電性は、CN61M230827型(中西遠大社製)の四探針法による抵抗率測定装置によって測定され、本発明の実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスの透過率は、ITO陽極を用いる比較例1で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスの80.2%の透過率と比べて大差がないので、本発明の実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスの陽極は、優れた透過率を有することが分かる一方、本発明の実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスの表面シート抵抗が大幅に低下することから、本発明の実施例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスの陽極は優れた導電性を有することが明らかに分かる。高導電性の陽極は、キャリアの伝送効率及び注入効率を向上できるので、さらに、有機エレクトロルミネッセンスデバイスの発光効率の向上に有利である。
表1:実施例1〜5及び比較例に係る有機エレクトロルミネッセンスデバイスの透光性及び導電性
図5は、本発明の実施例及び比較例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスが90°湾曲した後の輝度対比値と湾曲回数との関係曲線図であり、図5から、実施例1で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスの陽極は、基板との優れた結合力を有しており、繰り返して90°湾曲した後、発光性能が比較的安定であることに対して、比較例で形成された陽極は、繰り返し90°湾曲した後、基板から剥離され易く、発光性能が低下することが分かる。例えば、1000回湾曲した後、実施例1に係る有機エレクトロルミネッセンスデバイスの輝度は、初期輝度の87%を維持できるが、比較例に係る有機エレクトロルミネッセンスデバイスの輝度は、初期輝度の29%まで低下した。
図6は、本発明の実施例及び比較例で製造される有機エレクトロルミネッセンスデバイスの電圧と電流密度との関係曲線図である。図6から、実施例1で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、比較例で製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスと比べて、同じ駆動電圧において、より高い電流密度を有することが分かる。それで、本発明による陽極は、より良い正孔注入性能を有するので、優れた電界発光効果が得られることが証明できる。
上述した実施例は、具体的、かつ詳細に説明しており、本発明のいくつかの実施形態を示すものであるが、本発明の特許請求の範囲を限定するものではないものと理解されるべきである。本発明の思想を逸脱しないことを前提とする場合、当業者が、複数の変形及び変更をしても、本発明の保護範囲に属するものであると理解されるべきである。したがって、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲に基づくものである。
Claims (10)
- 順番に積層される、基板と、陽極と、発光層と、陰極とを備える有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、
前記陽極は、基板に順番に積層される、光学増透層と、導電層と、正孔注入補助層とを備え、前記光学増透層の材料は、可視光における透過率が400nm〜800nmで、屈折率が2.3を超える金属亜鉛の無機化合物であり、前記導電層の材料はグラフェンである、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイス。 - 前記正孔注入補助層の材料は、三酸化タングステン、三酸化モリブデン、五酸化バナジウム、及び三酸化レニウムから選ばれる1つである、
ことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。 - 前記光学増透層の材料は、硫化亜鉛又はセレン化亜鉛である、
ことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。 - 前記光学増透層の厚さは35nm〜80nmであり、前記正孔注入補助層の厚さは3nm〜10nmである、
ことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。 - 前記基板と前記陽極との間には緩衝層をさらに備え、前記緩衝層は紫外線硬化型接着剤である、
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。 - 前記緩衝層は、厚さが0.5μm〜10μmであり、表面硬度が2H〜3Hである、
ことを特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。 - 有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法であって、
基板を洗浄して、後工程のために用意しておくステップと、
圧力が5×10−4Paである真空蒸着システムにおいて、基板の表面に光学増透層を蒸着し、前記光学増透層が蒸着された基板を真空蒸着システムから取り出し、浸漬被覆プロセスによって前記光学増透層の表面に導電層を蒸着し、続いて、真空蒸着システムに移し、前記導電層の表面に正孔注入補助層を蒸着し陽極を得て、基板に陽極を形成するステップと、
その後、陽極に発光層及び陰極を蒸着し、前記有機エレクトロルミネッセンスデバイスを得るステップと、
を含み、
ここで、前記光学増透層の材料は、可視光における透過率が400nm〜800nmで、屈折率が2.3を超える金属亜鉛の無機化合物であり、前記導電層の材料はグラフェンである、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。 - 前記浸漬被覆プロセスは、具体的に、前記光学増透層が蒸着された基板をグラフェンの懸濁液に浸漬し、0.1cm/s〜0.5cm/sの速度で前記光学増透層が蒸着された基板を懸濁液から引き上げて、乾燥するプロセスである、
ことを特徴とする請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。 - 前記基板にスピンコーターで紫外線硬化型接着剤をスピンコーティングし、紫外線ランプによって硬化させて緩衝層を形成して、前記基板と前記陽極との間で緩衝層を形成するステップを含み、
ここで、スピンコーターの回転速度は1000rpm〜5000rpmであり、スピンコーティング時間は30秒〜120秒である、
ことを特徴とする請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。 - 前記正孔注入補助層の材料は、三酸化タングステン、三酸化モリブデン、五酸化バナジウム、及び三酸化レニウムから選ばれる1つであり、前記光学増透層の材料は、硫化亜鉛又はセレン化亜鉛である、
ことを特徴とする請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2012/073418 WO2013143146A1 (zh) | 2012-03-31 | 2012-03-31 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015511759A true JP2015511759A (ja) | 2015-04-20 |
Family
ID=49258123
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015502047A Pending JP2015511759A (ja) | 2012-03-31 | 2012-03-31 | 有機エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140332796A1 (ja) |
EP (1) | EP2833428A4 (ja) |
JP (1) | JP2015511759A (ja) |
CN (1) | CN104040748A (ja) |
WO (1) | WO2013143146A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101849360B1 (ko) * | 2016-01-29 | 2018-04-16 | 한화테크윈 주식회사 | 그래핀 기반 적층체 및 이의 제조방법 |
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FR2946799B1 (fr) * | 2009-06-15 | 2012-03-02 | Astron Fiamm Safety | Diode et procede de realisation d'une diode electroluminescente organique incluant une couche de planarisation du substrat |
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CN102208556B (zh) * | 2011-04-18 | 2014-03-05 | 电子科技大学 | 一种柔性发光器件用基板及其制备方法 |
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-
2012
- 2012-03-31 EP EP12873428.2A patent/EP2833428A4/en not_active Withdrawn
- 2012-03-31 CN CN201280066470.7A patent/CN104040748A/zh active Pending
- 2012-03-31 WO PCT/CN2012/073418 patent/WO2013143146A1/zh active Application Filing
- 2012-03-31 JP JP2015502047A patent/JP2015511759A/ja active Pending
- 2012-03-31 US US14/372,214 patent/US20140332796A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013143146A1 (zh) | 2013-10-03 |
CN104040748A (zh) | 2014-09-10 |
US20140332796A1 (en) | 2014-11-13 |
EP2833428A4 (en) | 2015-11-25 |
EP2833428A1 (en) | 2015-02-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140925 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150820 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150901 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160426 |