JP5379389B2 - チタン除去液及びチタン被膜の除去方法 - Google Patents
チタン除去液及びチタン被膜の除去方法 Download PDFInfo
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Description
本発明のチタン除去液は、フッ酸、防食剤、及び水溶性有機溶剤を含有する水溶液である。このチタン除去液は、タングステン又はタングステン合金を含む層(導体層)、絶縁層、及び窒化チタン層(バリア層)を有する半導体多層積層体にエッチングマスクとして形成されたチタン被膜を除去する際に、好適に用いることができる。以下、本発明のチタン除去液に含有される各成分について、詳細に説明する。
本発明のチタン除去液は、フッ酸を含有する。フッ酸を含有することにより、チタン被膜を効果的に除去することができる。
本発明のチタン除去液は、防食剤として、環内に窒素原子を2個有する含窒素5員環化合物を含有する。この含窒素5員環化合物を含有することにより、タングステン又はタングステン合金を含む層に対する浸食を有効に抑制することができる。
本発明のチタン除去液は、水溶性有機溶剤を含有する。この水溶性有機溶剤を含有することにより、上記含窒素5員環化合物をチタン除去液中に十分に溶解させることができる。
本発明のチタン除去液は、さらに無機酸を含有してもよい。この無機酸を含有することにより、タングステン又はタングステン合金を含む層に対する浸食をより抑制することができる。
本発明のチタン除去液は、さらに過酸化水素を含有してもよい。この過酸化水素を含有することにより、チタン被膜以外の有機物やエッチング残渣等を効果的に除去することができる。
本発明のチタン被膜の除去方法は、タングステン又はタングステン合金を含む層を有する半導体多層積層体に形成されているチタン被膜に、本発明のチタン除去液を接触させることにより、チタン被膜を除去するものである。上記のように、半導体多層積層体は、絶縁層や窒化チタン層を有していてもよい。
下記表1に示す組成で各成分を混合し、チタン除去液を調製した。括弧内の数値は質量%を表す。
[エッチングレートの測定]
実施例1〜6、比較例1〜3のチタン除去液を各種基板に接触させ、接触前後の膜厚の差を求めた。測定は次の方法により行った。チタン被膜を100nm成膜したウエハの抵抗値を測定し、チタン被膜の膜厚に換算する。窒化チタン被膜を100nm成膜したウエハの抵抗値を測定し、窒化チタン被膜の膜厚に換算する。タングステン層を100nm成膜したウエハの抵抗値を測定し、タングステン層の膜厚に換算する。上記の方法で、処理前後の膜厚を測定し、エッチングレートを算出した。測定した各材料のエッチングレート、並びにタングステンに対するチタンのエッチング選択比、及び窒化チタンに対するチタンのエッチング選択比を表2に示す。
Claims (8)
- 前記防食剤が2−エチル−4−メチルイミダゾール、アミノピラゾール、及びビニルイミダゾールの中から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1記載のチタン除去液。
- 前記防食剤の含有量が0.10〜10質量%であることを特徴とする請求項1又は2記載のチタン除去液。
- さらに、硫酸、硝酸、及び塩酸の中から選ばれる少なくとも1種の無機酸を含有することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載のチタン除去液。
- さらに、過酸化水素を含有し、
該過酸化水素の含有量が1.0質量%以下であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項記載のチタン除去液。 - タングステン又はタングステン合金を含む層を有する半導体多層積層体に形成されているチタン被膜を除去するために用いられることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項記載のチタン除去液。
- タングステン又はタングステン合金を含む層を有する半導体多層積層体に形成されているチタン被膜に、請求項1から6のいずれか1項記載のチタン除去液を接触させることにより、前記チタン被膜を除去することを特徴とするチタン被膜の除去方法。
- 前記半導体多層積層体が窒化チタン層をさらに有することを特徴とする請求項7記載のチタン被膜の除去方法。
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