JP5379066B2 - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
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Description
(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)硬化促進剤、(D)無機充填材を含有し、(A)エポキシ樹脂として、下記一般式(1)
で表される(Aa)フェノールアラルキル型エポキシ樹脂と、(Ab)O−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂が、各々、(A)エポキシ樹脂全体量の20〜80質量%の範囲内において配合され、(B)硬化剤として、ビフェニル型フェノール樹脂が、(B)硬化剤全体量の40〜100質量%の範囲内において配合され、(C)硬化促進剤として、ホスフィン化合物およびホスフィン化合物の塩のうちの1種以上が、エポキシ樹脂組成物全体量の0.1〜0.2質量%の範囲内において含有され、(D)無機充填材が、エポキシ樹脂組成物全体量の80〜88質量%の範囲内において含有されていることを特徴とする。
で表わされるフェノールアラルキル型エポキシ樹脂が挙げられる。式(1)において、ベンゼン環には本発明の所定の効果を阻害しない限り、アルキル基などの炭化水素基が1以上置換されていてもよい。この式(1)で表わされるフェノールアラルキル型エポキシ樹脂は、常法に従って合成されたものでも、あるいは市販品として利用可能なものであってもよい。
で表わされるビフェニルアラルキル型フェノール樹脂が挙げられる。この式(2)においても、ビフェニル環やベンゼン環には本発明の所定の効果を阻害しない限り、アルキル基などの炭化水素基が1以上置換されていてもよい。この式(2)で表わされるビフェニル型フェノール樹脂は、常法に従って合成されたものでも、あるいは市販品であってもよい。
表1に示した次の各成分を所定量(質量部)計量し、混合・分散した後に80〜120℃の温度で溶融混練した。次いで冷却後に粉砕した。
O−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂:住友化学EOCN−1020
ビフェニル型エポキシ樹脂:ジャパンエポキシレジンYX4000
ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂:式(2)で表わされる、明和化成MEH7851M
フェノールノボラック樹脂:明和化成H−1
トリフェニルホスフィン:北興化学TPP
テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート:北興化学TPP−K
得られたエポキシ樹脂組成物について、次の評価を行った。
<流動性の評価>
スパイラルフロー(SF)を測定
<Tgの測定>
材料を175℃の金型で所定の形状に成形後、175℃×6h後硬化。TMAにより測定。
<燃焼試験>
3.2mm厚の試験片を成形後、175℃×6h後硬化。UL−94の試験法に則って5枚の試料を評価。
B:最大の残炎時間が10秒以下
C:最大の残炎時間が10秒を超える
その結果も表1に示した。
Claims (3)
- (A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)硬化促進剤、(D)無機充填材を含有するエポキシ樹脂組成物であって、
(A)エポキシ樹脂として、下記一般式(1)
で表される(Aa)フェノールアラルキル型エポキシ樹脂と、(Ab)O−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂が、各々、(A)エポキシ樹脂全体量の20〜80質量%の範囲内において配合され、
(B)硬化剤として、ビフェニル型フェノール樹脂が、(B)硬化剤全体量の40〜100質量%の範囲内において配合され、
(C)硬化促進剤として、ホスフィン化合物およびホスフィン化合物の塩のうちの1種以上が、エポキシ樹脂組成物全体量の0.1〜0.2質量%の範囲内において含有され、
(D)無機充填材が、エポキシ樹脂組成物全体量の80〜88質量%の範囲内において含有されていることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - (D)無機充填材として、結晶シリカが(D)無機充填材の全体量の60質量%以上含有されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1または2に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で封止されていることを特徴とする半導体装置。
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