JP5386837B2 - 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 149
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims description 118
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims description 33
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 153
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 81
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 81
- -1 aldehyde compound Chemical class 0.000 claims description 68
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 67
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 64
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 47
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 44
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 41
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 39
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 37
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 35
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 34
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 claims description 33
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 32
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 31
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 25
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 20
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical group C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 claims description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 15
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 claims description 15
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 13
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 13
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 claims description 11
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 claims description 9
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 claims description 9
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 8
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 8
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 8
- 239000013522 chelant Substances 0.000 claims description 8
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 8
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 6
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 6
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- VWGKEVWFBOUAND-UHFFFAOYSA-N 4,4'-thiodiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1SC1=CC=C(O)C=C1 VWGKEVWFBOUAND-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 claims description 4
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 4
- 125000004400 (C1-C12) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000006273 (C1-C3) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Natural products P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 21
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 17
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 15
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 14
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N para-benzoquinone Natural products O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 12
- 239000000047 product Substances 0.000 description 11
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 8
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N salicylaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=O SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 7
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 7
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006735 epoxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diol Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(O)=CC=C21 NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JRNGUTKWMSBIBF-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,3-diol Chemical compound C1=CC=C2C=C(O)C(O)=CC2=C1 JRNGUTKWMSBIBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 229950011260 betanaphthol Drugs 0.000 description 4
- LLEMOWNGBBNAJR-UHFFFAOYSA-N biphenyl-2-ol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 LLEMOWNGBBNAJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 4
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 3
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 3
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 229940064639 minipress Drugs 0.000 description 3
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 3
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 description 3
- WFXFYZULCQKPIP-UHFFFAOYSA-N prazosin hydrochloride Chemical compound [H+].[Cl-].N=1C(N)=C2C=C(OC)C(OC)=CC2=NC=1N(CC1)CCN1C(=O)C1=CC=CO1 WFXFYZULCQKPIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 3
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 3
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PGJSDFUVXOTTJX-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(methoxymethyl)naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=C(COC)C(COC)=CC=C21 PGJSDFUVXOTTJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 1-(chloromethyl)-4-[4-(chloromethyl)phenyl]benzene Chemical group C1=CC(CCl)=CC=C1C1=CC=C(CCl)C=C1 INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CQOZJDNCADWEKH-UHFFFAOYSA-N 2-[3,3-bis(2-hydroxyphenyl)propyl]phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1CCC(C=1C(=CC=CC=1)O)C1=CC=CC=C1O CQOZJDNCADWEKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Chemical group 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- IMHDGJOMLMDPJN-UHFFFAOYSA-N biphenyl-2,2'-diol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1O IMHDGJOMLMDPJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4-ol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1=CC=CC=C1 YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 239000004203 carnauba wax Substances 0.000 description 2
- 235000013869 carnauba wax Nutrition 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- PFURGBBHAOXLIO-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2-diol Chemical compound OC1CCCCC1O PFURGBBHAOXLIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 2
- 150000001989 diazonium salts Chemical class 0.000 description 2
- DENRZWYUOJLTMF-UHFFFAOYSA-N diethyl sulfate Chemical compound CCOS(=O)(=O)OCC DENRZWYUOJLTMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940008406 diethyl sulfate Drugs 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 2
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000004464 hydroxyphenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 2
- GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)phosphinimyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)P(=N)(N(C)C)N(C)C GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- CQRYARSYNCAZFO-UHFFFAOYSA-N salicyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1O CQRYARSYNCAZFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- IYMSIPPWHNIMGE-UHFFFAOYSA-N silylurea Chemical compound NC(=O)N[SiH3] IYMSIPPWHNIMGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N sulfanylsilane Chemical compound S[SiH3] TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YWWDBCBWQNCYNR-UHFFFAOYSA-N trimethylphosphine Chemical compound CP(C)C YWWDBCBWQNCYNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N trizinc;diborate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 2
- XAEWLETZEZXLHR-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(dioxo)molybdenum Chemical compound [Zn+2].[O-][Mo]([O-])(=O)=O XAEWLETZEZXLHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 description 1
- PPTXVXKCQZKFBN-UHFFFAOYSA-N (S)-(-)-1,1'-Bi-2-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(C3=C4C=CC=CC4=CC=C3O)=C(O)C=CC2=C1 PPTXVXKCQZKFBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 0 *c(c(*)c1*)c(*)c(*)c1O Chemical compound *c(c(*)c1*)c(*)c(*)c1O 0.000 description 1
- WOAHJDHKFWSLKE-UHFFFAOYSA-N 1,2-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC=CC1=O WOAHJDHKFWSLKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTWHNPHXSILERV-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydroanthracene-9,10-dione Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CCC2 YTWHNPHXSILERV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940005561 1,4-benzoquinone Drugs 0.000 description 1
- MODAACUAXYPNJH-UHFFFAOYSA-N 1-(methoxymethyl)-4-[4-(methoxymethyl)phenyl]benzene Chemical group C1=CC(COC)=CC=C1C1=CC=C(COC)C=C1 MODAACUAXYPNJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 1-O-galloyl-3,6-(R)-HHDP-beta-D-glucose Natural products OC1C(O2)COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC1C(O)C2OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJJCQDRGABAVBB-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxy-2-naphthoic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(C(=O)O)=CC=C21 SJJCQDRGABAVBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- VXHYVVAUHMGCEX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyphenoxy)phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1OC1=CC=CC=C1O VXHYVVAUHMGCEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALKYHXVLJMQRLQ-UHFFFAOYSA-N 3-Hydroxy-2-naphthoate Chemical compound C1=CC=C2C=C(O)C(C(=O)O)=CC2=C1 ALKYHXVLJMQRLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropylurea Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC(N)=O LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010893 Bischofia javanica Nutrition 0.000 description 1
- 240000005220 Bischofia javanica Species 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001263 FEMA 3042 Substances 0.000 description 1
- RMXQRHVIUMSGLJ-UHFFFAOYSA-N O.[Bi]=O Chemical compound O.[Bi]=O RMXQRHVIUMSGLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNYHOHIFYSHAAM-UHFFFAOYSA-N OC1=C(C=CC2=CC=CC=C12)O.SCCC[Si](OC)(OC)OC Chemical compound OC1=C(C=CC2=CC=CC=C12)O.SCCC[Si](OC)(OC)OC QNYHOHIFYSHAAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N Penta-digallate-beta-D-glucose Natural products OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N acetaldehyde Chemical compound [14CH]([14CH3])=O IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N 0.000 description 1
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005036 alkoxyphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- IPPWILKGXFOXHO-UHFFFAOYSA-N chloranilic acid Chemical compound OC1=C(Cl)C(=O)C(O)=C(Cl)C1=O IPPWILKGXFOXHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O diazynium Chemical group [NH+]#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOCC1CO1 WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YOTZYFSGUCFUKA-UHFFFAOYSA-N dimethylphosphine Chemical compound CPC YOTZYFSGUCFUKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N diphenylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC1=CC=CC=C1 CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphine Chemical compound C=1C=CC=CC=1PC1=CC=CC=C1 GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000006266 etherification reaction Methods 0.000 description 1
- JLHMVTORNNQCRM-UHFFFAOYSA-N ethylphosphine Chemical compound CCP JLHMVTORNNQCRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- LRBQNJMCXXYXIU-QWKBTXIPSA-N gallotannic acid Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-QWKBTXIPSA-N 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910001410 inorganic ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical group 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIBWSLLLJZULCP-UHFFFAOYSA-N n-(3-triethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC1=CC=CC=C1 LIBWSLLLJZULCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N phenylphosphine Chemical compound PC1=CC=CC=C1 RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 1
- 150000004053 quinones Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- SUBJHSREKVAVAR-UHFFFAOYSA-N sodium;methanol;methanolate Chemical compound [Na+].OC.[O-]C SUBJHSREKVAVAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 235000015523 tannic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940033123 tannic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920002258 tannic acid Polymers 0.000 description 1
- BRKFQVAOMSWFDU-UHFFFAOYSA-M tetraphenylphosphanium;bromide Chemical compound [Br-].C1=CC=CC=C1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 BRKFQVAOMSWFDU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- IFXORIIYQORRMJ-UHFFFAOYSA-N tribenzylphosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CP(CC=1C=CC=CC=1)CC1=CC=CC=C1 IFXORIIYQORRMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXJKFRMDXUJTEX-UHFFFAOYSA-N triethylphosphine Chemical compound CCP(CC)CC RXJKFRMDXUJTEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMEUUKUNSVFYAA-UHFFFAOYSA-N trinaphthalen-1-ylphosphane Chemical compound C1=CC=C2C(P(C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 DMEUUKUNSVFYAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
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Description
しかしながら、上述した要求が高度化し、さらなる耐半田性、耐燃性の向上が望まれている。その対策としては無機充填剤の配合量を高めることで解決できると考えられるが、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型硬化剤は溶融粘度が低くなく、流動性が低下する。近年の半導体装置のI/O数が格段の上昇により、シリコンチップと基板の回路を電気的接合させているボンディングワイヤーのピッチ間が狭まる傾向にあり、従来以上の流動性を要求されるようになってきており、その点で上記樹脂系は不利である。
そこで樹脂の分子量を小さくすることで溶融粘度を下げる手法がよく使用されるが、それにより硬化性が損なわれる可能性が高い。
以上から、半導体装置においては、流動性と硬化性を損なうことなく、高度化した耐半田性、耐燃性の要求を満たすことができる技術が求められていた。
[1] グリシジルエーテル基を2個以上含む化合物(A)と、硬化剤と、を含む半導体封止用樹脂組成物であって、前記半導体封止用樹脂組成物が、誘電分析装置にて測定温度175℃、測定周波数100Hzの条件にて測定した際の、最低イオン粘度が測定開始から5秒以上、40秒以内にあり、且つその値が4.0以上、7.0以下であり、さらに最大スロープが測定開始から10秒以上、60秒以内にあり、且つその値が2.0以上、6.0以下であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物、
[2] 前記グリシジルエーテル基を2個以上含む化合物(A)及び前記硬化剤の全炭素数に対する芳香環を構成する炭素数の割合が70%以上、95%以下の範囲であり、
さらにハロゲン系難燃剤、重金属系難燃剤を含まずに、硬化物のUL−94垂直法による耐燃性がV−0規格に適合することことを特徴とする第[1]項に記載の半導体封止用樹脂組成物、
[3] 前記硬化剤が、150℃でのICI粘度が0.10dPa・s以上、2.0dPa・s以下であり、軟化点が50℃以上、90℃以下であるフェノール性水酸基を2個以上有する化合物を含むことを特徴とする第[1]項又は第[2]項に記載の半導体封止用樹脂組成物、
[4] 前記硬化剤が、150℃でのICI粘度が0.10dPa・s以上、0.65dPa・s以下であり、軟化点が50℃以上、65℃以下であるフェノール性水酸基を2個以上有する化合物を含むことを特徴とする第[1]項ないし第[3]項のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物、
、−Ar2−がビフェニレン基であり、Xが水素原子又は炭素数6〜20の芳香族基であることを特徴とする第[5]項に記載の半導体封止用樹脂組成物、
[7] 前記一般式(1)で表される化合物(B)が、m≠0、n≠0である成分の化合物(B)全体に対するGPCチャートでの面積比率が5%以上、55%以下であり、かつm=0、n=0である成分の化合物(B)全体に対するGPCチャートでの面積比率が0.1%以上、40%以下であることを特徴とする第[5]項又は第[6]項に記載の半導体封止用樹脂組成物、
[8] 前記硬化剤が、更に前記化合物(B)以外のフェノール性水酸基を2個以上有する化合物(C)を含み、該化合物(C)がノボラック型フェノール樹脂、フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂及びジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂から選ばれる少なくとも1つを含むことを特徴とする第[5]項ないし第[7]項のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物、
[9] グリシジルエーテル基を2個以上含む化合物(A)が、ビフェノールのエポキシ化樹脂、ビスフェノールFのエポキシ化樹脂、チオビスフェノールのエポキシ化樹脂、フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂、フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂、ノボラック型フェノール樹脂のエポキシ化樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂のエポキシ化樹脂及びジヒドロアントラヒドロキノンのグリシジルエーテル化エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも1つを含むことを特徴とする第[1]項ないし第[8]項のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物、
[10] 更に硬化促進剤(D)を含むことを特徴とする第[1]項ないし第[9]項のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物、
いし第[11]項のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物、
[13] 前記化合物(F)が、芳香環を構成する2個の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物であることを特徴とする第[12]項に記載の半導体封止用樹脂組成物、
[14] 前記化合物(F)が、ナフタレン環を構成する2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物であることを特徴とする第[12]項に記載の半導体封止用樹脂組成物、
[15] 前記化合物(F)が、ナフタレン環を構成する2個の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物であることを特徴とする第[12]項に記載の半導体封止用樹脂組成物、
[16] 前記化合物(F)を当該樹脂組成物全体の0.01重量%以上、1重量%以下の割合で含むことを特徴とする第[12]項ないし第[15]項のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物、
[17] 前記シランカップリング剤(E)を当該樹脂組成物全体の0.01重量%以上、1重量%以下の割合で含むことを特徴とする第[12]項ないし第[16]項のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物、
[18] 更に無機充填剤(G)を当該樹脂組成物全体の80重量%以上、92重量%以下の割合で含むことを特徴とする第[1]項ないし第[17]項のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物、
[19] 前記第[1]項ないし第[18]項のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置、
である。
以下、各成分について詳細に説明する。
図1は、本発明に係る半導体封止用樹脂組成物を誘電分析装置にて測定した際のイオン
粘度及びスロープのプロファイルを示した図である。樹脂全体が溶けた状態になった段階でイオン粘度が最低値となり、硬化が進行していくのに伴ってイオン粘度は上昇していく。スロープはイオン粘度の微分値であり、イオン粘度の上昇スピードが速くなるのに伴って上昇していき、イオン粘度の上昇スピードが最も速くなるポイントで最大スロープ値を示す。最低イオン粘度の出現時間は樹脂系としての溶け易さを表すものであり、最低イオン粘度の値は樹脂系として最低粘度を表すものである。また、最大スロープの出現時間は樹脂系として硬化の立ち上がりのタイミングを表すものであり、最大スロープの値は樹脂系としての硬化の立ち上がり速度を表すものである。
また、本発明の半導体封止用樹脂組成物を誘電分析装置にて測定温度175℃、測定周波数100Hzの条件にて測定した際の最大スロープは、測定開始から10秒以上、60秒以内に現れ、且つその値が2.0以上、6.0以下であることが好ましく、測定開始から15以上、55秒以内に現れ、且つその値が2.3以上、5.5以下であることがより好ましく、測定開始から20秒以上、50秒以内に現れ、且つその値が2.5以上、5.0以下であることが特に好ましい。最大スロープの出現時間が上記下限値を下回ると硬化が速過ぎるために粘度上昇が早期に進むことで半導体封止用樹脂組成物の成形時において半導体素子に接続された金線ワイヤーの流れ性を悪化させる恐れがあり、最大スロープの出現時間が上記上限値を超えると半導体封止用樹脂組成物の成形時における硬化性が悪化する恐れがある。また、最大スロープの値が上記下限値を下回ると硬化性が不充分となり半導体装置の連続生産性が低下する恐れがあり、最大スロープの値が上記上限値を超えると粘度上昇が早期に進むことで半導体封止用樹脂組成物の成形時において半導体素子に接続された金線ワイヤーの流れ性を悪化させる恐れがある。
尚、誘電分析装置本体としてはNETZSCH社製のDEA231/1 cure analyzerを、プレスとしてはNETZSCH社製のMP235 Mini−Pressを使用することができる。また、測定方法としては、ASTM E2039に準拠して測定することができる。
半導体封止用樹脂組成物としての耐湿信頼性を考慮すると、イオン性不純物であるNaイオンやClイオンが極力少ない方が好ましく、硬化性の点からエポキシ当量としては100g/eq以上、500g/eq以下のものが好ましい。
化剤としては、150℃でのICI粘度が0.10dPa・s以上、0.65dPa・s以下であるものを用いることがより好ましく、0.20dPa・s以上、0.55dPa・s以下であるものを用いることが特に好ましい。グリシジルエーテル基を2個以上含む化合物(A)や硬化促進剤(D)等の他の成分が同一であれば、150℃でのICI粘度が低い硬化剤を用いるほど、半導体封止用樹脂組成物を誘電分析装置にて測定した際の最低イオン粘度を低くすることができ、結果として流動性に優れる半導体封止用樹脂組成物を得ることができる。また本発明で用いられる硬化剤としては、軟化点が50℃以上、65℃以下であるものを用いることがより好ましく、52℃以上、65℃以下であるものを用いることが特に好ましい。
−Ar2−に導入される置換基R2は炭素数1〜4のアルキル基であり、互いに同一であっても異なっていてもよいが、より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、tert−ブチル基等から選ばれる炭素数1〜4のアルキル基が好ましい。中でも溶融粘度、硬化性等のバランスの観点から置換基R2がメチル基であること、あるいは置換基R2が導入されないことがより好ましい。
一般式(1)の−Ar1−に導入される置換基R1の個数であるkは0〜7の整数であり、−Ar2−に導入される置換基R2の個数であるlは0〜8の整数である。中でも溶融粘度、硬化性等のバランスの観点から、k、lともに0〜3が好ましく、0〜1がより
好ましい。
トール類とジメトキシパラキシリレン、ジクロロパラキシリレンやビス(メトキシメチル)ビフェニル、ビス(クロロメチル)ビフェニル等を酸性触媒下で反応させて得られるフェニレン骨格及び/又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン骨格及び/又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂;テルペン変性フェノール樹脂;ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂;ビスフェノール化合物、等が挙げられ、これらのうち、硬化性の点から水酸基当量は90g/eq以上、300g/eq以下のものが好ましい。
これらのうち、粘度や硬化性の観点からはノボラック型フェノール樹脂、フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂が好ましく、反り性の観点からフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂が好ましく、耐半田性の観点からはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂が好ましく、耐燃性の観点からはフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂が好ましい。これらは1種類を単独で用いても2種類以上を併用してもよい。
ル性水酸基との反応を促進するものであればよく、一般の半導体封止用樹脂組成物に使用されているものを利用することができる。具体例としては、有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物;1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、ベンジルジメチルアミン、2−メチルイミダゾール等の窒素原子含有化合物等が挙げられる。これらのうち、リン原子含有化合物が好ましく、特に半導体封止用樹脂組成物の最低イオン粘度を低くすることにより流動性を向上させることができること、さらに硬化立ち上がり速度という点を考慮するとテトラ置換ホスホニウム化合物が好ましく、また半導体封止用樹脂組成物の硬化物の熱時低弾性率という点を考慮するとホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物が好ましく、また潜伏的硬化性という点を考慮すると、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が好ましい。
またホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるキノン化合物としては、o−ベンゾキノン、p−ベンゾキノン、アントラキノン類が挙げられ、中でもp−ベンゾキノンが保存安定性の点から好ましい。
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物の製造方法としては、有機第三ホスフィンとベンゾキノン類の両者が溶解することができる溶媒中で接触、混合させることにより付加物を得ることができる。溶媒としてはアセトンやメチルエチルケトン等のケトン類で付加物への溶解性が低いものがよい。しかしこれに限定されるものではない。
一般式(4)で表される化合物において、リン原子に結合するR7、R8及びR9がフェニル基であり、かつR10、R11及びR12が水素原子である化合物、すなわち1,4−ベンゾキノンとトリフェニルホスフィンを付加させた化合物が半導体封止用樹脂組成
物の硬化物熱時弾性率を低下させる点で好ましい。
また、一般式(5)において、X2は、Y2及びY3と結合する有機基である。同様に、X3は、基Y4及びY5と結合する有機基である。Y2及びY3はプロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Y2及びY3が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。同様にY4及びY5はプロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Y4及びY5が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。基X2及びX3は互いに同一でも異なっていてもよく、基Y2、Y3、Y4、及びY5は互いに同一であっても異なっていてもよい。
このような一般式(5)中の−Y2−X2−Y3−、及び−Y4−X3−Y5−で表される基は、プロトン供与体が、プロトンを2個放出してなる基で構成されるものであり、プロトン供与体としては、例えば、カテコール、ピロガロール、1,2−ジヒドロキシナフタレン、2,3−ジヒドロキシナフタレン、2,2’−ビフェノール、1,1’−ビ−2−ナフトール、サリチル酸、1−ヒドロキシ−2−ナフトエ酸、3−ヒドロキシ−2−ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、2−ヒドロキシベンジルアルコール、1,2−シクロヘキサンジオール、1,2−プロパンジオール及びグリセリン等が挙げられるが、これらの中でも、カテコール、1,2−ジヒドロキシナフタレン、2,3−ジヒドロキシナフタレンがより好ましい。
基及びオクチル基等の脂肪族基;フェニル基、ベンジル基、ナフチル基及びビフェニル基等の芳香族基;グリシジルオキシプロピル基、メルカプトプロピル基、アミノプロピル基及びビニル基等の反応性置換基を有する有機基などが挙げられるが、これらの中でも、メチル基、エチル基、フェニル基、ナフチル基及びビフェニル基が熱安定性の面からより好ましい。
上限値が上記範囲内であれば、半導体封止用樹脂組成物の硬化物の吸水性が増大することによる耐半田性の低下も引き起こす恐れが少ない。
以下、特に好ましくは0.05重量%以上、0.5重量%以下である。化合物(F)の配合量の下限値が上記範囲内であると、シランカップリング剤(E)との相乗効果により、半導体封止用樹脂組成物の充分な低粘度化と流動性向上効果を得ることができる。また、化合物(F)の配合量の上限値が上記範囲内であると、半導体封止用樹脂組成物の硬化性の低下や硬化物物性の低下を引き起こす恐れが少ない。
本発明の半導体装置の形態としては、特に限定されないが、例えば、デュアル・インライン・パッケージ(DIP)、プラスチック・リード付きチップ・キャリヤ(PLCC)、クワッド・フラット・パッケージ(QFP)、スモール・アウトライン・パッケージ(SOP)、スモール・アウトライン・Jリード・パッケージ(SOJ)、薄型スモール・アウトライン・パッケージ(TSOP)、薄型クワッド・フラット・パッケージ(TQFP)、テープ・キャリア・パッケージ(TCP)、ボール・グリッド・アレイ(BGA)、チップ・サイズ・パッケージ(CSP)等が挙げられる。
上記トランスファーモールドなどの成形方法で封止された半導体装置は、そのまま、或いは120℃から200℃程度の温度で、10分から10時間程度の時間をかけて完全硬
化させた後、電子機器等に搭載される。
本発明で使用する一般式(1)で表される化合物(B)の合成法の例として、化合物B2及び化合物B6の合成法を以下に示すが、他の一般式(1)で表される化合物(B)も同様にして製造することができる。
撹拌機、温度計、冷却器を備えた反応器に、フェノール940g(10モル)とビス(メトキシメチル)ビフェニル581g(2.4モル)を仕込み、ジエチル硫酸0.9gを加えた後、反応温度を175℃に保ちながら2時間反応させた。その間、生成するメタノールを留去した。その後、蓚酸を0.9g加えた後ホルムアルデヒド30%水溶液を60g(ホルムアルデヒドとして0.6モル)加え更に1.5時間還流反応を行った。反応終了後冷却し、水洗を3回行った。油層を分離し、減圧蒸留により未反応のフェノールを留去することにより化合物B2を550g得た。GPC及びNMRにより分析した結果、得られた化合物B2は、一般式(1)において−Ar1−:フェニレン基、−Ar2−:ビフェニレン基、X:水素原子、k:0、l:0の化合物であり、m≠0、n≠0である成分の化合物(B)全体に対するGPCチャートでの面積比率が10%であり、m=0、n=0である成分の化合物(B)全体に対するGPCチャートでの面積比率が4%の化合物であった。また、得られた化合物B2の水酸基当量は190g/eq、軟化点は62℃、150℃でのICI粘度は0.5dPa・sであった。
撹拌機、温度計、冷却器を備えた反応器に、p−フェニルフェノール1700g(10モル)とパラキシリレングリコールジメチルエーテル398g(2.34モル)を仕込み、ジエチル硫酸1.7gを加えた後、反応温度を175℃に保ちながら2時間反応させた。その間、生成するメタノールを留去した。その後、蓚酸を1.7g加えた後ホルムアルデヒド30%水溶液を60g(ホルムアルデヒドとして0.6モル)加え更に1.5時間還流反応を行った。反応終了後冷却し、水洗を3回行った。油層を分離し、減圧蒸留により未反応のp−フェニルフェノールを留去することにより化合物B6を1000g得た。GPC及びNMRにより分析した結果、得られた化合物B6は、一般式(1)において−Ar1−:フェニルフェニレン基、−Ar2−:フェニレン基、X:水素原子、k:0、l:0の化合物であり、m≠0、n≠0である成分の化合物(B)全体に対するGPCチャートでの面積比率が30%であり、m=0、n=0である成分の化合物(B)全体に対するGPCチャートでの面積比率が10%の化合物であった。また、得られた化合物B6の水酸基当量は250g/eq、軟化点は85℃、150℃でのICI粘度は2.0dPa・sであった。
・化合物(B)及び化合物(C)のブロッキング性:口径7.5cm、高さ8.0cmのポリプロピレン製カップに顆粒状の化合物(B)及び化合物(C)を100g入れ、25℃1時間放置する。その後に化合物(B)及び化合物(C)を取り出し、もとの顆粒状に戻れば◎、カップの形状を残すが手で容易にほぐれる場合は○、カップの形状のままほぐれない場合は×とした。
7.57重量部
硬化促進剤1:トリフェニルホスフィン 0.20重量部
シランカップリング剤1:γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
0.30重量部
2,3−ジヒドロキシナフタレン 0.20重量部
溶融球状シリカ(平均粒径30μm) 87.00重量部
カルナバワックス 0.20重量部
カーボンブラック 0.30重量部
をミキサーにて常温混合し、80℃以上、100℃以下の加熱ロールで溶融混練し、冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を用いて以下の方法で評価した。評価結果を表2に示す。
測定方法としてはASTM E2039に準拠し、測定温度175℃、測定周波数100Hzにて粉末状の半導体封止用樹脂組成物約3gをプレス内の電極部上面に導入し、プレスし、測定した。その際の最低イオン粘度値を表した。最低イオン粘度は、流動性に係るパラメータであり、数値が小さい方が、流動性が良好となる。単位は無し。
analyzer、プレスはNETZSCH社製のMP235 Mini−Pressを使用した。
測定方法としてはASTM E2039に準拠し、測定温度175℃、測定周波数100Hzにて粉末状の半導体封止用樹脂組成物約3gをプレス内の電極部上面に導入し、プレスし、測定した。その際の最大スロープ値を表した。最大スロープは、硬化性に係るパラメータであり、数値が大きい方が、硬化性が良好となる。単位は無し。
件で、エポキシ樹脂組成物を注入成形して、3.2mm厚及び1.6mm厚の耐燃試験片を作製した。作製した試験片を175℃、8時間、後硬化した後、UL94垂直法の規格に則り耐燃試験を行い、耐燃性を判断した。表には、判定後の耐燃ランクを示した。
表2、表3の配合に従い、実施例1と同様にしてエポキシ樹脂組成物を製造し、実施例1と同様にして評価した。評価結果を表2、表3に示す。
実施例1以外で用いた成分について、以下に示す。
エポキシ樹脂2:ビフェニル型結晶性エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、YX4000K。エポキシ当量185、融点105℃。)
エポキシ樹脂3:ジヒドロアントラキノン型結晶性エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン株式会社製、YX8800。エポキシ当量181、融点109℃。)
エポキシ樹脂4:トリフェノールメタン型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、E−1032H60。エポキシ当量171、軟化点60℃。)
硬化促進剤2:1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7
1,2−ジヒドロキシナフタレン
カテコール
ピロガロール
4.0以上、7.0以下であり、さらに最大スロープが測定開始から10秒以上、60秒以内にあり、且つその値が2.0以上、6.0以下である樹脂組成物であることで、いずれも、流動性(スパイラルフロー、最低イオン粘度)と硬化性(最大スロープ)とのバランスに優れ、良好な金線流れ率が得られた。また、実施例〜5、7〜24では、良好な耐燃性と耐半田性も得られた。
2 ダイボンド材硬化体
3 ダイパッド
4 金線
5 リードフレーム
6 封止用樹脂組成物の硬化体
Claims (19)
- グリシジルエーテル基を2個以上含む化合物(A)と、硬化剤と、を含む半導体封止用樹脂組成物であって、
前記硬化剤が、150℃でのICI粘度が0.10dPa・s以上、0.65dPa・s以下であり、軟化点が50℃以上、73℃以下であるフェノール性水酸基を2個以上有する化合物でフェノールノボラック樹脂以外の化合物を含み、
前記半導体封止用樹脂組成物が、誘電分析装置にて測定温度175℃、測定周波数100Hzの条件にて測定した際の、最低イオン粘度が測定開始から5秒以上、40秒以内にあり、且つその値が4.0以上、7.0以下であり、さらに最大スロープが測定開始から10秒以上、60秒以内にあり、且つその値が2.0以上、6.0以下であることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。 - 前記グリシジルエーテル基を2個以上含む化合物(A)及び前記硬化剤の全炭素数に対する芳香環を構成する炭素数の割合が70%以上、95%以下の範囲であり、
さらにハロゲン系難燃剤、重金属系難燃剤を含まずに、硬化物のUL−94垂直法による耐燃性がV−0規格に適合することを特徴とする請求項1に記載の半導体封止用樹脂組成物。 - 前記硬化剤がフェノール性水酸基含有芳香族化合物と、2官能性アルコキシアルキル基含有芳香族化合物又は2官能性ハロゲノアルキル基含有芳香族化合物と、アルデヒド化合物と、を酸性触媒下で反応させて得られたものである請求項1又は請求項2に記載の半導体封止用樹脂組成物
- 前記硬化剤がフェノール性水酸基含有芳香族化合物と、2官能性アルコキシアルキル基含有芳香族化合物又は2官能性ハロゲノアルキル基含有芳香族化合物と、を予め酸性触媒下で反応させて反応生成物を得たのち、更に、フェノール性水酸基含有芳香族化合物と、アルデヒド化合物と、を酸性触媒下で反応させることによって得られたものである請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物
- 前記硬化剤が、下記一般式(1)で表される化合物(B)を含むことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
- 前記一般式(1)で表される化合物(B)の−Ar1−がフェニレン基であり、−Ar2−がビフェニレン基であり、Xが水素原子又は炭素数6〜20の芳香族基であることを特徴とする請求項5に記載の半導体封止用樹脂組成物。
- 前記一般式(1)で表される化合物(B)が、m≠0、n≠0である成分の化合物(B)全体に対するGPCチャートでの面積比率が5%以上、55%以下であり、かつm=0、n=0である成分の化合物(B)全体に対するGPCチャートでの面積比率が0.1%以上、40%以下であることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の半導体封止用樹脂組成物。
- 更に前記硬化剤が、前記化合物(B)以外のフェノール性水酸基を2個以上有する化合物(C)を含み、該化合物(C)がノボラック型フェノール樹脂、フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂及びジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂から選ばれる少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項5ないし請求項7のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
- グリシジルエーテル基を2個以上含む化合物(A)が、ビフェノールのエポキシ化樹脂、ビスフェノールFのエポキシ化樹脂、チオビスフェノールのエポキシ化樹脂、フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂、フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂、ノボラック型フェノール樹脂のエポキシ化樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂のエポキシ化樹脂及びジヒドロアントラヒドロキノンのグリシジルエーテル化エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
- 更に硬化促進剤(D)を含むことを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
- 前記硬化促進剤(D)が、下記一般式(2)で表される化合物、下記一般式(3)で表される化合物、下記一般式(4)で表される化合物及び下記一般式(5)で表される化合物から選ばれる少なくとも1つであることを特徴とする請求項10に記載の半導体封止用
樹脂組成物。
基Y2及びY3と結合する有機基である。X3は、基Y4及びY5と結合する有機基である。Y2及びY3は、プロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、それらは互いに同一であっても異なっていてもよく、同一分子内の基Y2、及びY3が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Y4及びY5は、プロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Y4及びY5が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。X2、及びX3は互いに同一であっても異なっていてもよく、Y2、Y3、Y4、及びY5は互いに同一であっても異なっていてもよい。Z1は芳香環又は複素環を有する有機基或いは脂肪族基である。) - 更にシランカップリング剤(E)と、芳香環を構成する2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物(F)を含むことを特徴とする請求項1ないし請求項11のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
- 前記化合物(F)が、芳香環を構成する2個の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物であることを特徴とする請求項12に記載の半導体封止用樹脂組成物。
- 前記化合物(F)が、ナフタレン環を構成する2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物であることを特徴とする請求項12に記載の半導体封止用樹脂組成物。
- 前記化合物(F)が、ナフタレン環を構成する2個の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物であることを特徴とする請求項12に記載の半導体封止用樹脂組成物。
- 前記化合物(F)を当該樹脂組成物全体の0.01重量%以上、1重量%以下の割合で含むことを特徴とする請求項12ないし請求項15のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
- 前記シランカップリング剤(E)を当該樹脂組成物全体の0.01重量%以上、1重量%以下の割合で含むことを特徴とする請求項12ないし請求項16のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
- 更に無機充填剤(G)を当該樹脂組成物全体の80重量%以上、92重量%以下の割合で含むことを特徴とする請求項1ないし請求項17のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物。
- 請求項1ないし請求項18のいずれかに記載の半導体封止用樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008072845A JP5386837B2 (ja) | 2007-03-23 | 2008-03-21 | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007076052 | 2007-03-23 | ||
JP2007076052 | 2007-03-23 | ||
JP2008072845A JP5386837B2 (ja) | 2007-03-23 | 2008-03-21 | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008266611A JP2008266611A (ja) | 2008-11-06 |
JP5386837B2 true JP5386837B2 (ja) | 2014-01-15 |
Family
ID=40046518
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008072845A Expired - Fee Related JP5386837B2 (ja) | 2007-03-23 | 2008-03-21 | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5386837B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG172036A1 (en) * | 2008-12-10 | 2011-07-28 | Sumitomo Bakelite Co | Resin composition for encapsulating semiconductor, method for producing semiconductor device and semiconductor device |
JP6044096B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2016-12-14 | 住友ベークライト株式会社 | 封止用エポキシ樹脂組成物および電子機器の製造方法 |
JP6375634B2 (ja) * | 2014-02-13 | 2018-08-22 | 住友ベークライト株式会社 | 封止用樹脂組成物、半導体装置、および構造体 |
WO2016043265A1 (ja) * | 2014-09-18 | 2016-03-24 | 積水化学工業株式会社 | 導電ペースト、接続構造体及び接続構造体の製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7431990B2 (en) * | 2004-05-27 | 2008-10-07 | Sumitomo Bakelite Co | Resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device therewith |
US7956136B2 (en) * | 2004-07-22 | 2011-06-07 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device |
-
2008
- 2008-03-21 JP JP2008072845A patent/JP5386837B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008266611A (ja) | 2008-11-06 |
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