JP5374748B2 - Insulating film forming method, computer-readable storage medium, and processing system - Google Patents
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Description
本発明は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相堆積）法により絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体および処理システムに関する。 The present invention relates to an insulating film forming method for forming an insulating film by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, a computer-readable storage medium, and a processing system.
ＣＶＤ法は、各種半導体装置の製造過程において酸化珪素膜や高誘電率絶縁膜などの絶縁膜を形成する目的で広く利用されている。ＣＶＤ法では、熱などのエネルギーを用いて成膜原料物質に気相反応を生じさせ、被処理体上に絶縁膜を形成する。 The CVD method is widely used for the purpose of forming an insulating film such as a silicon oxide film or a high dielectric constant insulating film in the manufacturing process of various semiconductor devices. In the CVD method, a gas phase reaction is caused in a film forming raw material using energy such as heat to form an insulating film on a target object.
ＣＶＤ法により絶縁膜を形成した場合、以下のような問題点が指摘されている。まず、第１の問題点として、ＣＶＤ法により堆積させた絶縁膜と下地膜との間の界面に微小な凹凸が形成されるため界面準位密度が大きくなる点が挙げられる。界面準位密度が大きくなると、下地膜（例えばシリコン基板）と絶縁膜との界面を移動するキャリアの移動度が低下し、デバイスの電気的性能を低下させてしまうことが懸念される。 When the insulating film is formed by the CVD method, the following problems are pointed out. First, the first problem is that the interface state density increases because minute irregularities are formed at the interface between the insulating film and the base film deposited by the CVD method. When the interface state density increases, there is a concern that the mobility of carriers moving at the interface between the base film (for example, a silicon substrate) and the insulating film is lowered, and the electrical performance of the device is lowered.
また、第２の問題点として、ＣＶＤ法によって成膜された絶縁膜（例えば酸化珪素膜）中には、多くのダングリングボンドが存在するとともに、成膜原料に由来する水分や塩素等の不純物が残留しており、膜質があまり良くないという点が挙げられる。このため、ＣＶＤ法により成膜された絶縁膜を例えば７００℃以上の高温でアニール処理して膜質を改善することが必要であった。しかし、熱によるエネルギー供給では、Ｓｉ−Ｏ結合の組み換えは不可能であるため、成膜後のアニール処理によって、基礎的な膜質の改善を行うことは困難である。また、アニール処理による改質効果を高めようとすると、高温での処理が必要になるが、高温でのアニールは、サーマルバジェットの増大につながる。サーマルバジェットが増大すると、シリコン層に拡散された不純物分布の制御が困難になり、半導体装置の品質に好ましくない影響を与えてしまうことが懸念される。 In addition, as a second problem, many dangling bonds exist in an insulating film (for example, a silicon oxide film) formed by a CVD method, and impurities such as moisture and chlorine derived from film forming materials However, the film quality is not so good. Therefore, it is necessary to improve the film quality by annealing the insulating film formed by the CVD method at a high temperature of, for example, 700 ° C. or higher. However, since it is impossible to recombine Si—O bonds by heat energy supply, it is difficult to improve the basic film quality by annealing after film formation. Further, in order to enhance the modification effect by the annealing treatment, a treatment at a high temperature is required, but the annealing at a high temperature leads to an increase in the thermal budget. When the thermal budget increases, it becomes difficult to control the distribution of impurities diffused in the silicon layer, which may cause an undesirable effect on the quality of the semiconductor device.
また、例えば液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイのようにガラス基板や合成樹脂製基板を用いる場合には、絶縁膜の改質処理に高温でのアニールを行うこと自体が不可能である。 In addition, when a glass substrate or a synthetic resin substrate is used as in a liquid crystal display or an organic EL display, for example, it is impossible to anneal the insulating film at a high temperature.
このため、酸化珪素膜をプラズマ処理することによって比較的低温で膜質を改質する技術が提案されている（例えば、特許文献１、２）。 For this reason, a technique for modifying the film quality at a relatively low temperature by plasma treatment of the silicon oxide film has been proposed (for example, Patent Documents 1 and 2).
上記特許文献１および特許文献２に記載された、ＣＶＤ法により形成された絶縁膜を希ガスと酸素ガスとのプラズマを用いて処理する絶縁膜の改質処理は、サーマルバジェットを低減しつつ良質な絶縁膜を製造できる点で優れた技術である。しかし、このようなプラズマ改質処理を行っても、シリコンと絶縁膜との界面を平坦化することはできない。すなわち、シリコン上にＣＶＤ法で絶縁膜を形成する際には、熱により、まずシリコンが酸化され、シリコン酸化膜が形成される。このシリコン酸化膜の形成過程では、微視的にはシリコンの（１００）面と（１１１）面とで酸化レートが異なるため、シリコン酸化膜が凹凸に形成される。そして、この凹凸のシリコン酸化膜の上に、ＣＶＤ法により絶縁膜を堆積させても界面の形状は変化しないため、このように形成された絶縁膜に対して、特許文献１、２の方法でプラズマ改質処理を行っても、界面は平坦化されず、その凹凸は改善されない。つまり、プラズマによる改質処理は、上記第１の問題点に対しては殆ど効果が期待できない。
The insulating film reforming process for processing the insulating film formed by the CVD method using the plasma of the rare gas and the oxygen gas described in Patent Document 1 and
本発明はかかる実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＣＶＤ法によって絶縁膜を形成する場合に、シリコンと絶縁膜との界面の形状を出来るだけ平坦化することが可能な絶縁膜の形成方法を提供することである。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide an insulating film capable of flattening the shape of the interface between silicon and the insulating film as much as possible when the insulating film is formed by the CVD method. It is to provide a forming method.
上記課題を解決するため、本発明の絶縁膜の形成方法は、被処理体の表面に露出したシリコンをプラズマ酸化処理して第１の絶縁膜としての酸化珪素膜を形成するプラズマ酸化処理工程と、
前記酸化珪素膜の上にＣＶＤ法によって第２の絶縁膜を形成するＣＶＤ工程と、
前記第２の絶縁膜に対し、酸素を含む処理ガスのプラズマを用いて改質処理を行うプラズマ改質処理工程と、
を備えている。
In order to solve the above problems, a method for forming an insulating film according to the present invention includes a plasma oxidation process step of forming a silicon oxide film as a first insulating film by performing plasma oxidation on silicon exposed on the surface of an object to be processed. ,
A CVD step of forming a second insulating film on the silicon oxide film by a CVD method;
A plasma reforming process for performing a reforming process on the second insulating film using a plasma of a processing gas containing oxygen;
It has.
本発明の絶縁膜の形成方法において、複数の孔を有する平面アンテナにより処理室内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置において、処理圧力が６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内であり、かつ前記処理ガスの全流量に対する酸素の流量比率が０．１％以上３０％以下の範囲内で行われるものであることが好ましい。さらに、本発明の絶縁膜の形成方法において、前記プラズマ酸化処理工程における前記処理圧力が６．７Ｐａ以上６７Ｐａ以下の範囲内であることが好ましい。 In the method for forming an insulating film of the present invention, in a plasma processing apparatus for introducing a microwave into a processing chamber by a planar antenna having a plurality of holes, a processing pressure is in a range of 6.7 Pa to 267 Pa, and the processing gas It is preferable that the flow rate ratio of oxygen to the total flow rate is within a range of 0.1% to 30%. Furthermore, in the method for forming an insulating film of the present invention, it is preferable that the processing pressure in the plasma oxidation processing step is in a range of 6.7 Pa to 67 Pa.
また、本発明の絶縁膜の形成方法において、前記プラズマ改質処理工程は、処理圧力が６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内であり、かつ前記処理ガスの全流量に対する酸素の流量比率が０．１％以上３０％以下の範囲内で行われることが好ましい。この場合、前記プラズマ改質処理工程における前記処理圧力が６．７Ｐａ以上６７Ｐａ以下の範囲内であることが好ましい。さらに、前記プラズマ改質工程は、複数の孔を有する平面アンテナにより処理室内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置により行われることが好ましい。 In the method for forming an insulating film according to the present invention, the plasma reforming treatment step has a treatment pressure in a range of 6.7 Pa to 267 Pa, and a flow rate ratio of oxygen to a total flow rate of the treatment gas is 0.00. It is preferably performed within a range of 1% or more and 30% or less. In this case, it is preferable that the processing pressure in the plasma reforming process is in a range of 6.7 Pa to 67 Pa. Furthermore, it is preferable that the plasma modification step is performed by a plasma processing apparatus that introduces microwaves into the processing chamber using a planar antenna having a plurality of holes.
また、本発明の絶縁膜の形成方法において、前記第２の絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法または熱ＣＶＤ法によって形成することが好ましい。 In the method for forming an insulating film of the present invention, it is preferable that the second insulating film is formed by a plasma CVD method or a thermal CVD method.
また、本発明の絶縁膜の形成方法では、前記ＣＶＤ工程と、前記プラズマ改質処理工程とを、複数回繰り返し行うことが好ましい。 In the method for forming an insulating film of the present invention, it is preferable that the CVD step and the plasma modification treatment step are repeated a plurality of times.
また、本発明の絶縁膜の形成方法では、前記プラズマ酸化処理工程および前記プラズマ改質処理工程における処理温度が、２００℃以上６００℃以下の範囲内であることが好ましい。 In the method for forming an insulating film of the present invention, it is preferable that the processing temperature in the plasma oxidation treatment step and the plasma modification treatment step is in a range of 200 ° C. or more and 600 ° C. or less.
また、本発明の絶縁膜の形成方法では、前記プラズマ酸化処理工程と前記プラズマ改質処理工程を同一チャンバ内で行うことが好ましい。 In the insulating film forming method of the present invention, it is preferable that the plasma oxidation treatment step and the plasma modification treatment step are performed in the same chamber.
また、本発明の絶縁膜の形成方法では、前記プラズマ酸化処理工程で形成される前記酸化珪素膜と前記シリコンとの界面が平坦であることが好ましい。 In the insulating film forming method of the present invention, it is preferable that an interface between the silicon oxide film and the silicon formed in the plasma oxidation treatment step is flat.
また、本発明の絶縁膜の形成方法では、前記第１の絶縁膜の膜厚が３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内であり、前記第２の絶縁膜の膜厚が３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。 In the method for forming an insulating film of the present invention, the thickness of the first insulating film is in the range of 3 nm to 10 nm, and the thickness of the second insulating film is in the range of 3 nm to 10 nm. Preferably there is.
また、本発明の絶縁膜の形成方法では、前記第２の絶縁膜が、原料ガスとしてジクロルシランとＮ２Ｏを用いるＣＶＤ法によって堆積させられた酸化珪素膜であることが好ましい。 In the insulating film forming method of the present invention, the second insulating film is preferably a silicon oxide film deposited by a CVD method using dichlorosilane and N 2 O as source gases.
本発明のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、被処理体に対して所定の処理を行うための複数の処理チャンバを有する処理システムにおいて、被処理体の表面に露出したシリコンをプラズマ酸化処理して第１の絶縁膜としての酸化珪素膜を形成するプラズマ酸化処理工程と、前記酸化珪素膜の上にＣＶＤ法によって第２の絶縁膜を形成するＣＶＤ工程と、前記第２の絶縁膜に対し、酸素を含む処理ガスのプラズマを用いて改質処理を行うプラズマ改質処理工程と、を含む絶縁膜の形成方法が行なわれるように、コンピュータに前記処理システムを制御させるものである。
The computer-readable storage medium of the present invention is a computer-readable storage medium storing a control program that runs on a computer,
In the processing system having a plurality of processing chambers for performing predetermined processing on the target object during execution, the control program performs plasma oxidation on the silicon exposed on the surface of the target object and performs first insulation A plasma oxidation process for forming a silicon oxide film as a film; a CVD process for forming a second insulating film on the silicon oxide film by a CVD method; and a process including oxygen for the second insulating film A computer controls the processing system so that a method for forming an insulating film including a plasma reforming process step of performing a reforming process using a plasma of gas is performed.
本発明に係る処理システムは、被処理体に対して第１の処理を行う第１の処理チャンバと、被処理体に対して前記第１の処理とは異なる第２の処理を行う第２の処理チャンバと、被処理体に対して前記第２の処理とは異なる第３の処理を行う第３の処理チャンバと、を有する処理システムであって、第１の処理チャンバ内で、前記第１の処理として、被処理体の表面に露出したシリコンをプラズマ酸化処理して第１の絶縁膜としての酸化珪素膜を形成し、次に、第２の処理チャンバにおいて、前記第２の処理として前記酸化珪素膜の上にＣＶＤ法によって第２の絶縁膜を形成し、次に、第３の処理チャンバにおいて、前記第３の処理として、前記第２の絶縁膜に対し酸素を含む処理ガスのプラズマを用いてプラズマ改質処理を行うように各処理チャンバを制御する制御部を備えている。この場合、前記第１の処理チャンバと、前記第３の処理チャンバとが、同一の処理チャンバであることが好ましい。 A processing system according to the present invention includes a first processing chamber that performs a first process on a target object, and a second process that performs a second process different from the first process on the target object. A processing system having a processing chamber and a third processing chamber that performs a third processing different from the second processing on an object to be processed, wherein the first processing chamber includes the first processing chamber. In this process, silicon exposed on the surface of the object to be processed is subjected to plasma oxidation to form a silicon oxide film as a first insulating film. Next, in the second process chamber, the second process is performed as the second process. A second insulating film is formed on the silicon oxide film by a CVD method. Next, in the third processing chamber, as the third processing, a plasma of a processing gas containing oxygen with respect to the second insulating film. Each process is performed so that plasma reforming treatment is performed using And a control unit for controlling the chamber. In this case, it is preferable that the first processing chamber and the third processing chamber are the same processing chamber.
本発明の絶縁膜の形成方法によれば、ＣＶＤ工程に先立ち、シリコン表面をプラズマ酸化処理してシリコンとの界面が平坦になるように第１の絶縁膜としてのシリコン酸化膜を形成し、このシリコン酸化膜上にＣＶＤ法により第２の絶縁膜を成膜することによって、シリコン／絶縁膜界面付近での固定電荷の蓄積による界面準位密度の上昇を抑制できる。また、第２の絶縁膜をプラズマ改質処理することにより、第２の絶縁膜の膜質が緻密になり、不純物やダングリングボンドが少ない良質な絶縁膜にすることができる。したがって、本発明の絶縁膜の形成方法によれば、シリコン／絶縁膜界面付近でのキャリアの移動度を確保することが可能になり、例えばトランジスタの動作速度などデバイスの電気的特性を改善できるとともに、膜質の改善によって信頼性の高いデバイスを製造できる。 According to the insulating film forming method of the present invention, prior to the CVD process, the silicon surface is subjected to plasma oxidation to form a silicon oxide film as a first insulating film so that the interface with silicon becomes flat, By forming the second insulating film on the silicon oxide film by CVD, an increase in interface state density due to accumulation of fixed charges near the silicon / insulating film interface can be suppressed. In addition, by performing plasma modification treatment on the second insulating film, the film quality of the second insulating film becomes dense, and a high-quality insulating film with few impurities and dangling bonds can be obtained. Therefore, according to the method for forming an insulating film of the present invention, it becomes possible to secure carrier mobility in the vicinity of the silicon / insulating film interface, and improve the electrical characteristics of the device such as the operation speed of the transistor, for example. By improving the film quality, a highly reliable device can be manufactured.
［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。まず、図１を参照しながら本発明の実施の形態に係る絶縁膜の形成方法が行われる基板処理システムについて説明を行う。図１は、例えば基板としての半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」と記す）Ｗに対し、例えばプラズマ酸化処理、成膜処理、改質処理等の各種の処理を行なうように構成された基板処理システム２００を示す概略構成図である。この基板処理システム２００は、マルチチャンバ構造のクラスタツールとして構成されている。
[First Embodiment]
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. First, a substrate processing system in which an insulating film forming method according to an embodiment of the present invention is performed will be described with reference to FIG. FIG. 1 shows, for example, a substrate process configured to perform various processes such as a plasma oxidation process, a film forming process, and a modification process on a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”) W as a substrate. 1 is a schematic configuration diagram showing a
基板処理システム２００は、主要な構成として、ウエハＷに対して各種の処理を行う４つのプロセスモジュール１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃ，１０１ｄと、これらのプロセスモジュール１０１ａ〜１０１ｄに対してゲートバルブＧ１を介して接続された真空側搬送室１０３と、この真空側搬送室１０３にゲートバルブＧ２を介して接続された２つのロードロック室１０５ａ，１０５ｂと、これら２つのロードロック室１０５ａ，１０５ｂに対してゲートバルブＧ３を介して接続されたローダーユニット１０７とを備えている。
The
４つのプロセスモジュール１０１ａ〜１０１ｄは、ウエハＷに対して例えばプラズマ酸化処理、ＣＶＤ処理、プラズマ改質処理などの処理を行う処理装置である。プロセスモジュール１０１ａ〜１０１ｄは、ウエハＷに対して同じ内容の処理を行うものであってもよいし、あるいはそれぞれ異なる内容の処理を行うものであってもよい。本実施の形態では、少なくとも、プロセスモジュール１０１ａ〜１０１ｄにおいて、ウエハＷのシリコンを酸化して酸化珪素膜を形成するプラズマ酸化処理と、ＣＶＤ法による成膜処理と、該成膜処理によって形成された酸化珪素膜に対してプラズマを作用させて改質を行うプラズマ改質処理と、を行うことができるように構成されている。
The four
真空引き可能に構成された真空側搬送室１０３には、プロセスモジュール１０１ａ〜１０１ｄやロードロック室１０５ａ，１０５ｂに対してウエハＷの受け渡しを行う第１の基板搬送装置としての搬送装置１０９が設けられている。この搬送装置１０９は、互いに対向するように配置された一対の搬送アーム部１１１ａ，１１１ｂを有している。各搬送アーム部１１１ａ，１１１ｂは同一の回転軸を中心として、屈伸及び旋回可能に構成されている。また、各搬送アーム部１１１ａ，１１１ｂの先端には、それぞれウエハＷを載置して保持するためのフォーク１１３ａ，１１３ｂが設けられている。搬送装置１０９は、これらのフォーク１１３ａ，１１３ｂ上にウエハＷを載置した状態で、プロセスモジュール１０１ａ〜１０１ｄ間、あるいはプロセスモジュール１０１ａ〜１０１ｄとロードロック室１０５ａ，１０５ｂとの間でウエハＷの搬送を行う。
The vacuum-
ロードロック室１０５ａ，１０５ｂ内には、それぞれウエハＷを載置する載置台１０６ａ，１０６ｂが設けられている。ロードロック室１０５ａ，１０５ｂは、真空状態と大気開放状態を切り替えられるように構成されている。このロードロック室１０５ａ，１０５ｂの載置台１０６ａ，１０６ｂを介して、真空側搬送室１０３と大気側搬送室１１９（後述）との間でウエハＷの受け渡しが行われる。
In the
ローダーユニット１０７は、ウエハＷの搬送を行う第２の基板搬送装置としての搬送装置１１７が設けられた大気側搬送室１１９と、この大気側搬送室１１９に隣接配備された３つのロードポートＬＰと、大気側搬送室１１９の他の側面に隣接配備され、ウエハＷの位置測定を行なう位置測定装置としてのオリエンタ１２１とを有している。
The
大気側搬送室１１９は、例えば窒素ガスや清浄空気がダウンフローしてクリーンな環境を形成する循環設備（図示省略）を備え、クリーンな環境が維持されている。大気側搬送室１１９は、平面視矩形形状をなしており、その長手方向に沿ってガイドレール１２３が設けられている。このガイドレール１２３に搬送装置１１７がスライド移動可能に支持されている。つまり、搬送装置１１７は図示しない駆動機構により、ガイドレール１２３に沿ってＸ方向へ移動可能に構成されている。この搬送装置１１７は、上下２段に配置された一対の搬送アーム部１２５ａ，１２５ｂを有している。各搬送アーム部１２５ａ，１２５ｂは屈伸及び旋回可能に構成されている。各搬送アーム部１２５ａ，１２５ｂの先端には、それぞれウエハＷを載置して保持する保持部材としてのフォーク１２７ａ，１２７ｂが設けられている。搬送装置１１７は、これらのフォーク１２７ａ，１２７ｂ上にウエハＷを載置した状態で、ロードポートＬＰのウエハカセットＣＲと、ロードロック室１０５ａ，１０５ｂと、オリエンタ１２１との間でウエハＷの搬送を行う。
The atmosphere-
ロードポートＬＰは、ウエハカセットＣＲを載置できるようになっている。ウエハカセットＣＲは、複数枚のウエハＷを同じ間隔で多段に載置して収容できるように構成されている。 The load port LP can mount the wafer cassette CR. The wafer cassette CR is configured so that a plurality of wafers W can be placed and accommodated in multiple stages at the same interval.
オリエンタ１２１は、図示しない駆動モータによって回転される回転板１３３と、この回転板１３３の外周位置に設けられ、ウエハＷの周縁部を検出するための光学センサ１３５とを備えている。
The
以上のような構成を有する基板処理システム２００においては、以下の手順でウエハＷに対するプラズマ酸化処理、ＣＶＤ処理およびプラズマ改質処理が行われる。まず、大気側搬送室１１９の搬送装置１１７のフォーク１２７を用い、ロードポートＬＰのウエハカセットＣＲより１枚のウエハＷが取り出され、オリエンタ１２１で位置合わせされた後、ロードロック室１０５ａ（または１０５ｂ）に搬入される。ウエハＷが載置台１０６ａ（または１０６ｂ）に載置された状態のロードロック室１０５ａ（または１０５ｂ）では、ゲートバルブＧ３が閉じられ、内部が真空状態に減圧排気される。その後、ゲートバルブＧ２が開放され、真空側搬送室１０３内の搬送装置１０９のフォーク１１３によってウエハＷがロードロック室１０５ａ（または１０５ｂ）から運び出され、プロセスモジュール１０１ａ〜１０１ｄのいずれかに搬入される。
In the
本実施の形態では、例えばプロセスモジュール１０１ａでは、ウエハＷ表面のシリコンを酸化するプラズマ酸化処理を行なうことができるように構成されている。また、プロセスモジュール１０１ｂ，１０１ｃでは、ウエハＷ上に絶縁膜例えば酸化珪素膜などを形成するＣＶＤ処理を行なうことができるように構成されている。また、プロセスモジュール１０１ｄでは、前記絶縁膜を形成した後にその絶縁膜を改質するプラズマ改質処理を行なうことができるように構成されている。なお、プロセスモジュール１０１ａおよび１０１ｄにおいて、それぞれプラズマ酸化処理とプラズマ改質処理の両方の処理を行えるようにしてもよい。
In the present embodiment, for example, the
搬送装置１０９によりロードロック室１０５ａ（または１０５ｂ）から運び出されたウエハＷは、まず、プロセスモジュール１０１ａに搬入され、ゲートバルブＧ１を閉じた後でウエハＷに対してプラズマ酸化処理が行われる。
The wafer W carried out of the
次いで、前記ゲートバルブＧ１が開放され、酸化珪素膜が形成されたウエハＷが搬送装置１０９によりプロセスモジュール１０１ａから真空状態のままプロセスモジュール１０１ｂ，１０１ｃのいずれか片方に搬入される。そして、ゲートバルブＧ１を閉じた後でウエハＷに対してＣＶＤ処理が行われる。ＣＶＤ処理によって、前記酸化珪素膜の上に絶縁膜が堆積形成される。
Next, the gate valve G1 is opened, and the wafer W on which the silicon oxide film is formed is carried into one of the
次いで、前記ゲートバルブＧ１が開放され、ＣＶＤ法による絶縁膜が形成されたウエハＷが搬送装置１０９によりプロセスモジュール１０１ｂ（または１０１ｃ）から真空状態のままプロセスモジュール１０１ｄに搬入される。そして、ゲートバルブＧ１が閉じられた後で前記絶縁膜に対してプラズマ改質処理が行われる。次に、プロセスモジュール１０１ｄのゲートバルブＧ１が開放され、プラズマ改質処理されたウエハＷが、搬送装置１０９により取り出され、ロードロック室１０５ａ（または１０５ｂ）に搬入される。そして、前記とは逆の手順でロードポートＬＰのウエハカセットＣＲに処理済みのウエハＷが収納され、基板処理システム２００における１枚のウエハＷに対する処理が完了する。なお、基板処理システム２００における各処理装置の配置は、効率的に処理を行うことができる配置であれば、いかなる配置構成でもよい。さらに、基板処理システム２００におけるプロセスモジュールの数は４つに限らず、５つ以上であってもよい。
Next, the gate valve G1 is opened, and the wafer W on which an insulating film is formed by CVD is transferred from the
図２は、基板処理システム２００において行われるプラズマ酸化処理およびプラズマ改質処理に共通して利用可能なプラズマ処理装置１００の概略構成を模式的に示す断面図である。また、図３は、図２のプラズマ処理装置１００の平面アンテナを示す平面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a schematic configuration of a
プラズマ処理装置１００は、複数のスロット状の孔を有する平面アンテナ、特にＲＬＳＡ（Ｒａｄｉａｌ Ｌｉｎｅ Ｓｌｏｔ Ａｎｔｅｎｎａ；ラジアルラインスロットアンテナ）にて処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを発生させることにより、高密度かつ低電子温度のマイクロ波励起プラズマを発生させ得るＲＬＳＡマイクロ波プラズマ処理装置として構成されている。プラズマ処理装置１００では、１×１０１０〜５×１０１２／ｃｍ３のプラズマ密度で、かつ０．７〜２ｅＶ（特にウエハＷの近傍では１．１ｅＶ以下）の低電子温度を有するプラズマにより、ウエハＷへのダメージを与えない処理が可能である。従って、プラズマ処理装置１００は、各種半導体装置の製造過程において、シリコンを酸化して酸化珪素膜（例えばＳｉＯ２膜）を形成するプラズマ酸化処理や、ＣＶＤ法によって形成された酸化珪素膜（例えばＳｉＯ２膜）をプラズマダメージなく改質する目的で好適に利用できる。
The
プラズマ処理装置１００は、主要な構成として、気密に構成されたチャンバ（処理室）１と、チャンバ１内にガスを供給するガス供給機構１８と、チャンバ１内を減圧排気するための排気機構としての排気装置２４と、チャンバ１の上部に設けられ、チャンバ１内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入機構２７と、これらプラズマ処理装置１００の各構成部を制御する制御部５０と、を備えている。
The
チャンバ１は、接地された略円筒状の容器により形成されている。なお、チャンバ１は角筒形状の容器により形成してもよい。チャンバ１は、アルミニウム等の材質からなる底壁１ａと側壁１ｂとを有している。
The chamber 1 is formed of a substantially cylindrical container that is grounded. The chamber 1 may be formed by a rectangular tube-shaped container. The chamber 1 has a
チャンバ１の内部には、被処理体であるウエハＷを水平に支持するための載置台２が設けられている。載置台２は、熱伝導性の高い材質例えばＡｌＮ等のセラミックスにより構成されている。この載置台２は、排気室１１の底部中央から上方に延びる円筒状の支持部材３により支持されている。支持部材３は、例えばＡｌＮ等のセラミックスにより構成されている。
Inside the chamber 1 is provided a mounting table 2 for horizontally supporting a wafer W as an object to be processed. The mounting table 2 is made of a material having high thermal conductivity, such as ceramics such as AlN. The mounting table 2 is supported by a cylindrical support member 3 extending upward from the center of the bottom of the
また、載置台２には、その外縁部をカバーし、ウエハＷをガイドするためのカバーリング４が設けられている。このカバーリング４は、例えば石英、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＮ等の材質で構成された環状部材である。 Further, the mounting table 2 is provided with a cover ring 4 that covers the outer edge portion thereof and guides the wafer W. The cover ring 4 is an annular member made of a material such as quartz, AlN, Al 2 O 3 , or SiN.
また、載置台２には、温度調節機構としての抵抗加熱型のヒータ５が埋め込まれている。このヒータ５は、ヒータ電源５ａから給電されることにより載置台２を加熱して、その熱で被処理基板であるウエハＷを均一に加熱する。
In addition, a resistance heating type heater 5 as a temperature adjusting mechanism is embedded in the mounting table 2. The heater 5 is heated by the
また、載置台２には、熱電対（ＴＣ）６が配備されている。この熱電対６によって温度計測を行うことにより、ウエハＷの加熱温度を例えば室温から９００℃までの範囲で制御可能となっている。
The mounting table 2 is provided with a thermocouple (TC) 6. By measuring the temperature with the
また、載置台２には、ウエハＷを支持して昇降させるためのウエハ支持ピン（図示せず）が設けられている。各ウエハ支持ピンは、載置台２の表面に対して突没可能に設けられている。 The mounting table 2 is provided with wafer support pins (not shown) for supporting the wafer W and raising and lowering it. Each wafer support pin is provided so as to protrude and retract with respect to the surface of the mounting table 2.
チャンバ１の内周には、石英からなる円筒状のライナー７が設けられている。また、載置台２の外周側には、チャンバ１内を均一排気するため、多数の排気孔８ａを有する石英製のバッフルプレート８が環状に設けられている。このバッフルプレート８は、複数の支柱９により支持されている。
A
チャンバ１の底壁１ａの略中央部には、円形の開口部１０が形成されている。底壁１ａにはこの開口部１０と連通し、下方に向けて突出する排気室１１が設けられている。この排気室１１には、排気管１２が接続されており、この排気管１２を介して排気装置２４に接続されている。
A
チャンバ１の上部には、環状のアッパープレート１３が接合されている。アッパープレート１３の内周は、内側（チャンバ内空間）へ向けて突出し、環状の支持部１３ａを形成している。
An annular
チャンバ１の側壁１ｂには、環状をなすガス導入部１５が設けられている。このガス導入部１５は、酸素含有ガスやプラズマ励起用ガスを供給するガス供給機構１８に接続されている。なお、ガス導入部１５はノズル状またはシャワー状に設けてもよい。
An
また、チャンバ１の側壁１ｂには、プラズマ処理装置１００と、これに隣接する搬送室１０３（図１参照）との間で、ウエハＷの搬入出を行うための搬入出口１６と、この搬入出口１６を開閉するゲートバルブＧ１とが設けられている。
Further, on the
ガス供給機構１８は、例えば不活性ガス供給源１９ａ、酸素含有ガス供給源１９ｂおよび水素ガス供給源１９ｃを有している。なお、ガス供給機構１８は、上記以外の図示しないガス供給源として、例えばチャンバ１内雰囲気を置換する際に用いるパージガス供給源、チャンバ１内をクリーニングする際に用いるクリーニングガス供給源等を有していてもよい。
The
不活性ガスとしては、例えばＮ２ガスや希ガスなどを用いることができる。希ガスとしては、例えばＡｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガス、Ｈｅガスなどを用いることができる。これらの中でも、経済性に優れている点でＡｒガスを用いることが特に好ましい。また、酸素含有ガスとしては、例えば酸素ガス（Ｏ２）、水蒸気（Ｈ２Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）、一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）などを用いることができる。 As the inert gas, for example, N 2 gas or rare gas can be used. As the rare gas, for example, Ar gas, Kr gas, Xe gas, He gas, or the like can be used. Among these, it is particularly preferable to use Ar gas because it is economical. As the oxygen-containing gas, for example, oxygen gas (O 2 ), water vapor (H 2 O), nitrogen monoxide (NO), dinitrogen monoxide (N 2 O), or the like can be used.
不活性ガス、酸素含有ガスおよび水素ガスは、ガス供給機構１８の不活性ガス供給源１９ａ、酸素含有ガス供給源１９ｂおよび水素ガス供給源１９ｃから、ガスライン２０を介してガス導入部１５に至り、ガス導入部１５からチャンバ１内に導入される。各ガス供給源に接続する各々のガスライン２０には、マスフローコントローラ２１およびその前後の開閉バルブ２２が設けられている。このようなガス供給機構１８の構成により、供給されるガスの切替えや流量等の制御が出来るようになっている。
The inert gas, oxygen-containing gas, and hydrogen gas reach the
排気機構としての排気装置２４は、例えばターボ分子ポンプなどの高速真空ポンプを備えている。前記のように、排気装置２４は、排気管１２を介してチャンバ１の排気室１１に接続されている。チャンバ１内のガスは、排気室１１の空間１１ａ内へ均一に流れ、さらに空間１１ａから排気装置２４を作動させることにより、排気管１２を介して外部へ排気される。これにより、チャンバ１内を所定の真空度、例えば０．１３３Ｐａまで高速に減圧することが可能となっている。
The exhaust device 24 as an exhaust mechanism includes a high-speed vacuum pump such as a turbo molecular pump. As described above, the exhaust device 24 is connected to the
次に、マイクロ波導入機構２７の構成について説明する。マイクロ波導入機構２７は、主要な構成として、透過板２８、平面アンテナ３１、遅波材３３、カバー３４、導波管３７、マッチング回路３８およびマイクロ波発生装置３９を備えている。
Next, the configuration of the
マイクロ波を透過させる透過板２８は、アッパープレート１３において内周側に張り出した支持部１３ａ上に配備されている。透過板２８は、誘電体、例えば石英やＡｌ２Ｏ３、ＡｌＮ等のセラミックスから構成されている。この透過板２８と支持部１３ａとの間は、シール部材２９を介して気密にシールされている。したがって、チャンバ１内は気密に保持される。
The
平面アンテナ３１は、透過板２８の上方において、載置台２と対向するように設けられている。平面アンテナ３１は、円板状をなしている。なお、平面アンテナ３１の形状は、円板状に限らず、例えば四角板状でもよい。この平面アンテナ３１は、アッパープレート１３の上端に係止されている。
The
平面アンテナ３１は、例えば表面が金または銀メッキされた銅板、アルミニウム板もしくはニッケル板またはこれら金属の合金の板から構成されている。平面アンテナ３１は、マイクロ波を放射する多数のスロット状のマイクロ波放射孔３２を有している。マイクロ波放射孔３２は、所定のパターンで平面アンテナ３１を貫通して形成されている。
The
個々のマイクロ波放射孔３２は、例えば図３に示すように、細長い長方形状（スロット状）をなしている。そして、典型的には隣接するマイクロ波放射孔３２が「Ｔ」字状に配置されている。また、このように所定の形状（例えばＴ字状）に組み合わせて配置されたマイクロ波放射孔３２は、さらに全体として同心円状に配置されている。
Each
マイクロ波放射孔３２の長さや配列間隔は、マイクロ波の波長（λｇ）に応じて決定される。例えば、マイクロ波放射孔３２の間隔は、λｇ／４、λｇ／２またはλｇとなるように配置される。なお、図３においては、同心円状に形成された隣接するマイクロ波放射孔３２どうしの間隔をΔｒで示している。なお、マイクロ波放射孔３２の形状は、円形状、円弧状等の他の形状であってもよい。さらに、マイクロ波放射孔３２の配置形態は特に限定されず、同心円状のほか、例えば、螺旋状、放射状等に配置することもできる。
The length and arrangement interval of the microwave radiation holes 32 are determined according to the wavelength (λg) of the microwave. For example, the interval between the microwave radiation holes 32 is arranged to be λg / 4, λg / 2, or λg. In FIG. 3, the interval between adjacent microwave radiation holes 32 formed concentrically is indicated by Δr. Note that the
平面アンテナ３１の上面には、真空よりも大きい誘電率を有する遅波材３３が設けられている。この遅波材３３は、真空中ではマイクロ波の波長が長くなることから、マイクロ波の波長を短く調整する機能を有し、マイクロ波を効率良くマイクロ波放射孔３２からチャンバ１内へ導入できるように構成されている。遅波材３３の材質としては、例えば石英、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリイミド樹脂などを用いることができる。
A
なお、平面アンテナ３１と透過板２８との間、また、遅波材３３と平面アンテナ３１との間は、それぞれ接触させても離間させてもよいが、マイクロ波を効率よくチャンバ１内へ導入する上で、接触させることが好ましい。
Note that the microwave can be efficiently introduced into the chamber 1, although the
チャンバ１の上部には、これら平面アンテナ３１および遅波材３３を覆うように、カバー３４が設けられ、平面アンテナ３１と偏平導波路を構成する。カバー３４は、例えばアルミニウムやステンレス鋼等の金属材料によって形成されている。アッパープレート１３の上端とカバー３４とは、シール部材３５によりシールされている。また、カバー３４の内部には、冷却水流路３４ａが形成されている。この冷却水流路３４ａに冷却水を通流させることにより、カバー３４、遅波材３３、平面アンテナ３１および透過板２８を冷却できるようになっている。なお、カバー３４は接地されている。
A
カバー３４の上壁（天井部）の中央には、開口部３６が形成されており、この開口部３６には導波管３７が接続されている。導波管３７の他端側には、マッチング回路３８を介してマイクロ波を発生するマイクロ波発生装置３９が接続されている。
An
導波管３７は、上記カバー３４の開口部３６から上方へ延出する断面円形状の同軸導波管３７ａと、この同軸導波管３７ａの上端部にモード変換器４０を介して接続された水平方向に延びる矩形導波管３７ｂとを有している。モード変換器４０は、矩形導波管３７ｂ内をＴＥモードで伝播するマイクロ波をＴＥＭモードに変換する機能を有している。
The
同軸導波管３７ａの中心には内導体４１が延在している。この内導体４１は、その下端部において平面アンテナ３１の中心に接続固定されている。このような構造により、マイクロ波は、同軸導波管３７ａの内導体４１を介して平面アンテナ３１へ放射状に効率よく均一に伝播される。
An
以上のような構成のマイクロ波導入機構２７により、マイクロ波発生装置３９で発生したマイクロ波が導波管３７を介して平面アンテナ３１へ伝搬され、さらに透過板２８を介してチャンバ１内に導入されるようになっている。なお、マイクロ波の周波数としては、例えば２．４５ＧＨｚが好ましく用いられ、他に８．３５ＧＨｚ、１．９８ＧＨｚ等を用いることもできる。
With the
プラズマ処理装置１００の各構成部は、制御部５０に接続されて制御される構成となっている。制御部５０は、コンピュータを有しており、例えば図４に示したように、ＣＰＵを備えたプロセスコントローラ５１と、このプロセスコントローラ５１に接続されたユーザーインターフェース５２および記憶部５３を備えている。プロセスコントローラ５１は、プラズマ処理装置１００において、例えば温度、圧力、ガス流量、マイクロ波出力などのプロセス条件に関係する各構成部（例えば、ヒータ電源５ａ、ガス供給機構１８、排気装置２４、マイクロ波発生装置３９など）を統括して制御する制御手段である。
Each component of the
ユーザーインターフェース５２は、工程管理者がプラズマ処理装置１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、プラズマ処理装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を有している。また、記憶部５３には、プラズマ処理装置１００で実行される各種処理をプロセスコントローラ５１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記録されたレシピが保存されている。
The
そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース５２からの指示等にて任意のレシピを記憶部５３から呼び出してプロセスコントローラ５１に実行させることで、プロセスコントローラ５１の制御下、プラズマ処理装置１００のチャンバ１内で所望の処理が行われる。また、前記制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体、例えばＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリ、ＤＶＤ、ブルーレイディスクなどに格納された状態のものを利用したり、あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
If necessary, an arbitrary recipe is called from the
このように構成されたプラズマ処理装置１００では、６００℃以下、好ましくは５００℃以下の低温で下地膜等へのダメージフリーでサーマルバジェットの少ないプラズマ処理を行うことができる。また、プラズマ処理装置１００は、プラズマの均一性に優れていることから、大口径のウエハＷに対しても、その面内で処理の均一性を実現できる。
In the
図５に、プロセスモジュール１０１ｂ，１０１ｃとして適用可能な枚葉ＣＶＤ成膜装置３００の概略の構成例を示した。この枚葉ＣＶＤ成膜装置３００は、気密に構成された略円筒状の処理容器３０１を有している。処理容器３０１の中には被処理体であるウエハＷを水平に支持するためのサセプタ３０３が配備されている。サセプタ３０３は、円筒状の支持部材３０５により支持されている。また、サセプタ３０３には，ヒータ３０７が埋め込まれている。このヒータ３０７はヒータ電源３０９から給電されることにより、ウエハＷを所定の温度に加熱する。
FIG. 5 shows a schematic configuration example of a single wafer CVD film forming apparatus 300 applicable as the
処理容器３０１の開閉天壁３０１ａには、シャワーヘッド３１１が設けられている。このシャワーヘッド３１１は、内部にガス拡散空間３１１ａを有している。また、シャワーヘッド３１１の下面には、ガス拡散空間３１１ａに連通する多数のガス吐出孔３１３が形成されている。また、シャワーヘッド３１１の中央部には、ガス拡散空間３１１ａに連通するガス供給配管３１５が接続されている。このガス供給配管３１５は、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）３１７と、その前後に配備されたバルブ３１８ａ，３１８ｂを介して、例えばジクロルシラン、一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）などの成膜原料ガスや処理容器３０１内の雰囲気置換をするためのパージガスなどを供給するガス供給源３１９に接続されている。そして、ガス供給源３１９から、ガス供給配管３１５、マスフローコントローラ３１７を介して、前記成膜原料ガスなどがシャワーヘッド３１１へ供給される。
A
処理容器３０１の底壁３０１ｂには、排気孔３３１が形成されており、この排気孔３３１には排気管３３３を介して排気装置３３５が接続されている。そしてこの排気装置３３５を作動させることにより処理容器３０１内を所定の真空度まで減圧できるように構成されている。なお、シャワーヘッド３１１に、図示しない高周波電源から高周波電力を供給することにより、シャワーヘッド３１１を介して処理容器３０１内に供給された原料ガスをプラズマ化して成膜することもできる。
An
また、処理容器３０１の側壁３０１ｃには、ウエハＷを搬入、搬出するための搬入出口３３７が設けられており、この搬入出口３３７を介してウエハＷの搬入出が行われる。搬入出口３３７は、ゲートバルブＧ１によって開閉される。
Further, a loading / unloading
以上のような構成の枚葉ＣＶＤ成膜装置３００では、サセプタ３０３にウエハＷを載置した状態で、ヒータ３０７によりウエハＷを加熱しつつ、シャワーヘッド３１１からウエハＷへ向けて原料ガスを供給することにより、ウエハＷの表面に例えばＳｉＯ２膜の薄膜をＣＶＤ法により成膜することができる。
In the single wafer CVD film forming apparatus 300 configured as described above, the source gas is supplied from the
以上の構成を有する枚葉ＣＶＤ成膜装置３００も、制御部５０（図４参照）によって制御される。なお、ＣＶＤ成膜装置としては、枚葉式に限らず、バッチ式のＬＰ（Ｌｏｗ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ）ＣＶＤ成膜装置を使用することも可能である。 The single wafer CVD film forming apparatus 300 having the above configuration is also controlled by the control unit 50 (see FIG. 4). The CVD film forming apparatus is not limited to a single wafer type, and a batch type LP (Low Pressure) CVD film forming apparatus can also be used.
次に、基板処理システム２００において行われる、プラズマ酸化処理、プラズマ改質処理を含む絶縁膜の形成方法について図６および図７を参照しながら説明する。図６は、シリコンをプラズマ酸化処理して第１の絶縁膜を形成する工程と、この第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を成膜する工程と、この第２の絶縁膜を改質する工程と、を含む絶縁膜の形成方法の流れを示すフロー図であり、図７は、その主要な工程を説明する図面である。
Next, a method for forming an insulating film including a plasma oxidation process and a plasma modification process performed in the
本実施の形態の絶縁膜の形成方法は、例えば図６に示したステップＳ１からステップＳ７の手順により実施される。まず、図６のステップＳ１では、真空側搬送室１０３内の搬送装置１０９により、処理対象のウエハＷを前記の手順でプラズマ処理装置１００（プロセスモジュール１０１ａ）に搬入する。次に、ステップＳ２では、図７（ａ）に示したように、ウエハＷの表面に露出したシリコン層２０１に対してプラズマ酸化処理を行う。このプラズマ酸化処理によって、図７（ｂ）に示したように、シリコン層２０１の表面を酸化して所定膜厚で第１の絶縁膜としての酸化珪素膜２０２を形成する。プラズマ酸化処理は、以下に示す手順および条件で実施される。
The insulating film forming method of the present embodiment is performed by the procedure from step S1 to step S7 shown in FIG. 6, for example. First, in step S1 of FIG. 6, the wafer W to be processed is loaded into the plasma processing apparatus 100 (
［プラズマ酸化処理の手順］
まず、プラズマ処理装置１００のチャンバ１内を減圧排気しながら、ガス供給機構１８の不活性ガス供給源１９ａおよび酸素含有ガス供給源１９ｂから、希ガスおよび酸素含有ガスを所定の流量でそれぞれガス導入部１５を介してチャンバ１内に導入する。このようにして、チャンバ１内を所定の圧力に調節する。
[Plasma oxidation treatment procedure]
First, while evacuating the chamber 1 of the
次に、マイクロ波発生装置３９で発生させた所定周波数例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を、マッチング回路３８を介して導波管３７に導く。導波管３７に導かれたマイクロ波は、矩形導波管３７ｂおよび同軸導波管３７ａを順次通過し、内導体４１を介して平面アンテナ３１に供給される。つまり、マイクロ波は、矩形導波管３７ｂ内ではＴＥモードで伝搬し、このＴＥモードのマイクロ波はモード変換器４０でＴＥＭモードに変換されて、同軸導波管３７ａ内を平面アンテナ３１に向けて伝搬されていく。そして、マイクロ波は、平面アンテナ３１に貫通形成されたスロット状のマイクロ波放射孔３２から透過板２８を介してチャンバ１内におけるウエハＷの上方空間に放射される。この際のマイクロ波出力は、例えば２００ｍｍ径以上のウエハＷを処理する場合には、２０００Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲内から目的に応じて選択することができる。
Next, a microwave having a predetermined frequency, for example, 2.45 GHz, generated by the
平面アンテナ３１から透過板２８を経てチャンバ１に放射されたマイクロ波により、チャンバ１内で電磁界が形成され、不活性ガスおよび酸素含有ガスがそれぞれプラズマ化する。このマイクロ波励起プラズマは、マイクロ波が平面アンテナ３１の多数のマイクロ波放射孔３２から放射されることにより、略１×１０１０〜５×１０１２／ｃｍ３の高密度で、かつウエハＷ近傍では、略１．１ｅＶ以下の低電子温度プラズマとなる。このようにして形成されるマイクロ波励起高密度プラズマは、プラズマ中の活性種として例えばＯ（１Ｄ２）ラジカルやＯ２ ＋イオンが主体のプラズマであり、該プラズマの作用によりウエハＷ表面のシリコン層２０１が酸化されてイオン等によるプラズマダメージが少ない酸化珪素膜２０２が形成される。
An electromagnetic field is formed in the chamber 1 by the microwave radiated from the
［プラズマ酸化処理条件］
プラズマ酸化処理の処理ガスとしては、希ガスと酸素含有ガスとを含むガスを用いることが好ましい。希ガスとしてはＡｒガスを、酸素含有ガスとしてはＯ２ガスを用いることが好ましい。この場合、全処理ガスに対するＯ２ガスの体積流量比率（Ｏ２ガス流量／全処理ガス流量の百分率）は、プラズマ中の活性種としてＯ２ ＋イオンおよびＯ（１Ｄ２）ラジカルを優勢にする観点から、０．１％以上３０％以下の範囲内とすることが好ましく、０．５％以上３％以下の範囲内とすることがより好ましい。例えば２００ｍｍ径以上のウエハＷを処理する場合には、Ａｒガスの流量は５０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）以上５０００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）以下の範囲内、Ｏ２ガスの流量は０．０５ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）以上１０００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）以下の範囲内から、上記流量比になるように設定することができる。
[Plasma oxidation treatment conditions]
As a processing gas for the plasma oxidation treatment, it is preferable to use a gas containing a rare gas and an oxygen-containing gas. It is preferable to use Ar gas as the rare gas and O 2 gas as the oxygen-containing gas. In this case, the volumetric flow ratio of O 2 gas to the total process gas (O 2 gas flow rate / total process gas flow rate percentage of) is, O 2 + ions and O (1 D 2) radicals and predominantly as the active species in the plasma In view of this, it is preferable to be within the range of 0.1% to 30%, and more preferably within the range of 0.5% to 3%. For example, when processing a wafer W having a diameter of 200 mm or more, the flow rate of Ar gas is in the range of 50 mL / min (sccm) to 5000 mL / min (sccm), and the flow rate of O 2 gas is 0.05 mL / min (sccm). ) The flow rate ratio can be set within the range of 1000 mL / min (sccm) or less.
また、処理圧力は、プラズマ中の活性種としてＯ２ ＋イオンおよびＯ（１Ｄ２）ラジカルを優勢にする観点から、６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内が好ましく、６．７Ｐａ以上６７Ｐａ以下の範囲内がより好ましい。 The treatment pressure is preferably in the range of 6.7 Pa to 267 Pa, and preferably 6.7 Pa to 67 Pa from the viewpoint of predominating O 2 + ions and O ( 1 D 2 ) radicals as active species in the plasma. Within the range is more preferable.
また、マイクロ波のパワー密度は、プラズマ中の活性種としてのＯ２ ＋イオンおよびＯ（１Ｄ２）ラジカルを効率よく発生させる観点から、０．５Ｗ／ｃｍ２以上３Ｗ／ｃｍ２以下の範囲内とすることが可能であり、０．５１Ｗ／ｃｍ２以上２．５６Ｗ／ｃｍ２以下の範囲内とすることが好ましい。なお、マイクロ波のパワー密度は、透過板２８の面積１ｃｍ２あたりに供給されるマイクロ波パワーを意味する（以下、同様である）。例えば２００ｍｍ径以上のウエハＷを処理する場合には、マイクロ波パワーを１０００Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲内とすることが好ましい。 The microwave power density is in the range of 0.5 W / cm 2 or more and 3 W / cm 2 or less from the viewpoint of efficiently generating O 2 + ions and O ( 1 D 2 ) radicals as active species in the plasma. It is possible to be within the range of 0.51 W / cm 2 or more and 2.56 W / cm 2 or less. The microwave power density means the microwave power supplied per 1 cm 2 area of the transmission plate 28 (the same applies hereinafter). For example, when processing a wafer W having a diameter of 200 mm or more, it is preferable that the microwave power is in the range of 1000 W to 5000 W.
また、ウエハＷの加熱温度は、載置台２の温度として、例えば２００℃以上６００℃以下の範囲内とすることが好ましく、４００℃以上６００℃以下の範囲内に設定することがより好ましい。 Further, the heating temperature of the wafer W is preferably set, for example, in the range of 200 ° C. or more and 600 ° C. or less, and more preferably in the range of 400 ° C. or more and 600 ° C. or less as the temperature of the mounting table 2.
プラズマ酸化処理によってウエハＷのシリコン層２０１に形成される酸化珪素膜２０２の膜厚Ｔ１は、シリコン層２０１と酸化珪素膜２０２の界面の平坦性を高める観点から、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内が好ましく、４ｎｍ以上８ｎｍ以下の範囲内がより好ましい。
Thickness T 1 of the
以上の条件は、制御部５０の記憶部５３にレシピとして保存されている。そして、プロセスコントローラ５１がそのレシピを読み出してプラズマ処理装置１００の各構成部例えばガス供給機構１８、排気装置２４、マイクロ波発生装置３９、ヒータ電源５ａなどへ制御信号を送出することにより、所望の条件でプラズマ酸化処理が行われる。
The above conditions are stored as a recipe in the
次に、ステップＳ３では、真空側搬送室１０３内の搬送装置１０９により、酸化珪素膜が形成されたウエハＷを枚葉ＣＶＤ成膜装置３００（プロセスモジュール１０１ｂまたは１０１ｃ）に移送する。この移送は、真空側搬送室１０３内の搬送装置１０９によって真空状態のまま実施される。
Next, in step S3, the wafer W on which the silicon oxide film is formed is transferred to the single wafer CVD film forming apparatus 300 (
次に、ステップＳ４では、図７（ｃ）に示したように、ウエハＷの表面に形成された酸化珪素膜２０２の上に、ＣＶＤ法による成膜処理を行う。これにより、図７（ｄ）に示したように、酸化珪素膜２０２の上に重ねて第２の絶縁膜としての酸化珪素膜２０３が形成される。このＣＶＤ法として、基板処理システム２００を使用する本実施の形態では熱ＣＶＤ法を用いるが、例えばプラズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法などの方法で成膜を行うことが可能である。なお、成膜方法は枚葉式でもバッチ式でもよい。
Next, in step S4, as shown in FIG. 7C, a film forming process by a CVD method is performed on the
ＣＶＤ法による成膜処理によってウエハＷの酸化珪素膜２０２の上に積層形成される酸化珪素膜２０３の膜厚Ｔ２は、膜厚方向に対する改質効果を高くする観点から、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内が好ましく、４ｎｍ以上８ｎｍ以下の範囲内がより好ましい。
Thickness T 2 of the
次に、ステップＳ５では、酸化珪素膜２０２および酸化珪素膜２０３が形成されたウエハＷをプラズマ改質処理装置としてのプラズマ処理装置１００（プロセスモジュール１０１ｄ）に移送する。この移送は、真空側搬送室１０３内の搬送装置１０９によって真空状態のまま実施される。次に、ステップＳ６では、図７（ｅ）に示したように、酸化珪素膜２０３に対してプラズマ改質処理を実施する。プラズマ処理装置１００を用いて行われるプラズマ改質処理の手順は、上記プラズマ酸化処理の手順に準ずるので、ここでは説明を省略する。ステップＳ６のプラズマ改質処理の条件は、以下のとおりである。
Next, in step S5, the wafer W on which the
［プラズマ改質処理条件］
プラズマ改質処理の処理ガスとしては、希ガスと酸素含有ガスとを含むガスを用いることが好ましい。希ガスとしてはＡｒガスを、酸素含有ガスとしてはＯ２ガスを、それぞれ使用することが好ましい。このとき、全処理ガスに対するＯ２ガスの体積流量比率（Ｏ２ガス流量／全処理ガス流量の百分率）は、プラズマ中の活性種としてＯ２ ＋イオンおよびＯ（１Ｄ２）ラジカルを優勢にする観点から、０．１％以上３０％以下の範囲内とすることが好ましく、０．１％以上５％以下の範囲内とすることがより好ましい。例えば２００ｍｍ径以上のウエハＷを処理する場合には、Ａｒガスの流量は５００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）以上５０００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）以下の範囲内、Ｏ２ガスの流量は０．５ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）以上１０００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）以下の範囲内から、上記流量比になるように設定することができる。
[Plasma reforming treatment conditions]
As a processing gas for the plasma reforming treatment, it is preferable to use a gas containing a rare gas and an oxygen-containing gas. It is preferable to use Ar gas as the rare gas and O 2 gas as the oxygen-containing gas. In this case, the volumetric flow ratio of O 2 gas to the total process gas (O 2 gas flow rate / total process gas flow rate percentage of) is, O 2 + ions and O (1 D 2) radicals and predominantly as the active species in the plasma In view of the above, it is preferable to be in the range of 0.1% to 30%, and more preferable to be in the range of 0.1% to 5%. For example, when processing a wafer W having a diameter of 200 mm or more, the flow rate of Ar gas is in the range of 500 mL / min (sccm) to 5000 mL / min (sccm), and the flow rate of O 2 gas is 0.5 mL / min (sccm). ) The flow rate ratio can be set within the range of 1000 mL / min (sccm) or less.
また、処理圧力は、プラズマ中の活性種としてＯ２ ＋イオンおよびＯ（１Ｄ２）ラジカルを優勢にする観点から、６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内が好ましく、６．７Ｐａ以上６７Ｐａ以下の範囲内がより好ましい。 The treatment pressure is preferably in the range of 6.7 Pa to 267 Pa, and preferably 6.7 Pa to 67 Pa from the viewpoint of predominating O 2 + ions and O ( 1 D 2 ) radicals as active species in the plasma. Within the range is more preferable.
また、マイクロ波のパワー密度は、プラズマ中の活性種としてのＯ２ ＋イオンおよびＯ（１Ｄ２）ラジカルを効率よく発生させて、酸化珪素膜２０３中の欠陥を修復させる観点から、０．５１Ｗ／ｃｍ２以上２．５６Ｗ／ｃｍ２以下の範囲内とすることが好ましい。例えば２００ｍｍ径以上のウエハＷを処理する場合には、マイクロ波パワーを１０００Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲内とすることが好ましい。
Further, the power density of the microwave is 0. from the viewpoint of efficiently generating O 2 + ions and O ( 1 D 2 ) radicals as active species in the plasma and repairing defects in the
また、ウエハＷの加熱温度は、載置台２の温度として、例えば２００℃以上６００℃以下の範囲内とすることが好ましく、４００℃以上６００℃以下の範囲内に設定することがより好ましい。 Further, the heating temperature of the wafer W is preferably set, for example, in the range of 200 ° C. or more and 600 ° C. or less, and more preferably in the range of 400 ° C. or more and 600 ° C. or less as the temperature of the mounting table 2.
以上の条件は、制御部５０の記憶部５３にレシピとして保存されている。そして、プロセスコントローラ５１がそのレシピを読み出してプラズマ処理装置１００の各構成部例えばガス供給機構１８、排気装置２４、マイクロ波発生装置３９、ヒータ電源５ａなどへ制御信号を送出することにより、所望の条件でプラズマ改質処理が行われる。
The above conditions are stored as a recipe in the
ステップＳ６のプラズマ改質処理が終了した後は、ステップＳ７で真空搬送室１０３内の搬送装置１０９により処理済のウエハＷをプラズマ処理装置１００（プロセスモジュール１０１ｄ）から搬出し、前記手順でロードポートＬＰのウエハカセットＣＲに収納する。
After the plasma reforming process in step S6 is completed, the processed wafer W is unloaded from the plasma processing apparatus 100 (
以上のように、基板処理システム２００では、プラズマ酸化処理法によるシリコンの酸化処理と、ＣＶＤ法による酸化珪素膜２０３の成膜処理と、酸化珪素膜２０３の改質処理を真空下で連続的に実施することができる。なお、プロセスモジュール１０１ａおよび１０１ｄにおいて、それぞれステップＳ２のプラズマ酸化処理とステップＳ６のプラズマ改質処理の両方の処理を行ってもよい。
As described above, in the
［作用］
次に、基板処理システム２００において実施される酸化珪素膜の形成方法の作用機構について、図８を参照しながら説明する。通常のＣＶＤ法によってシリコン層２０１の表面に成膜された酸化珪素膜２０３は、熱により堆積されたものである。成膜の初期には、まずシリコン表面が熱酸化されてシリコン酸化膜が形成される。しかし、シリコンには面方位があるため、図８（ａ）に示したように、シリコン層２０１との界面に微小な凹凸が形成され、ミクロ的に平坦性が悪い。また、酸化珪素膜２０３とシリコン層２０１との境界（ＳｉＯ２／Ｓｉ界面）付近では、多くの欠陥が形成され、界面準位密度が大きくなる。その結果、キャリア（電子やホール）の移動度が低下して例えばトランジスタであればその動作速度が低下したり、リーク電流を増大させてデバイスの電気的性能を低下させたりしてしまう。
[Action]
Next, an operation mechanism of the silicon oxide film forming method performed in the
本実施の形態に係る絶縁膜の形成方法では、ＣＶＤ処理に先立って、まず、シリコン層２０１の表面にプラズマ処理装置１００を用いて、低圧、低酸素分圧でプラズマ酸化処理を施す。このように形成された酸化珪素膜２０２と、シリコン層２０１との境界（ＳｉＯ２／Ｓｉ界面）は、図８（ｂ）に示したように、極めて平坦に形成できる。このため、酸化珪素膜２０２とシリコン層２０１との境界（ＳｉＯ２／Ｓｉ界面）付近では、欠陥が少なくなり、界面準位密度の増加が抑制される。そして、この酸化珪素膜２０２の上にＣＶＤ法によって酸化珪素膜２０３を所定の厚さで形成する。
In the method for forming an insulating film according to this embodiment, prior to the CVD process, first, a plasma oxidation process is performed on the surface of the
図９は、プラズマ改質処理によって酸化珪素膜内で生じる化学的な変化を模式的に示したものである。また、プラズマ処理装置１００を用いて酸素を含む処理ガスのプラズマを生成する場合、処理圧力によってプラズマ中の酸化活性種が変化する。具体的には、プラズマ中のＯ２ ＋イオンやＯ（１Ｄ２）ラジカルは、低い圧力条件（２６７Ｐａ以下、好ましくは６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下、より好ましくは６．７Ｐａ以上６７Ｐａ以下）で増加する。Ｏ２ ＋イオンやＯ（１Ｄ２）ラジカルは、改質処理の対象である酸化珪素膜を透過する能力が低い。このため、これらの活性種がプラズマ中で支配的となるプラズマ生成条件でプラズマ改質処理を行うと、図９に示したように、Ｏ２ ＋イオンやＯ（１Ｄ２）ラジカルが酸化珪素膜２０３中に入り込んでＳｉのダングリングボンドとの結合を形成する。この際、酸化珪素膜２０３中に含まれていたＣＶＤ法における成膜原料由来のＣｌ、Ｈ、ＯＨなどの不安定な不純物は、Ｏ２ ＋イオンやＯ（１Ｄ２）ラジカルと置換されて膜外へ排出される。このような機構によって、低い圧力条件でプラズマ改質処理を行うことにより、酸化珪素膜２０３の膜質が緻密になり、不純物やダングリングボンドが少ない良質な膜に改質される。
FIG. 9 schematically shows a chemical change caused in the silicon oxide film by the plasma modification process. Further, when plasma of a processing gas containing oxygen is generated using the
一方、高い圧力条件（例えば３３３Ｐａ以上）ではプラズマ中の活性種としてＯ２ ＋イオンやＯ（１Ｄ２）ラジカルは減少し、替わりにＯ（３Ｐ２）ラジカルが主体となる。このＯ（３Ｐ２）ラジカルは、酸化珪素膜２０３を透過する性質を有しているため、Ｏ（３Ｐ２）ラジカルが支配的となるプラズマ生成条件では、Ｏ２ ＋イオンやＯ（１Ｄ２）ラジカルが主体のプラズマのような優れた改質効果は得られない。
On the other hand, under high pressure conditions (for example, 333 Pa or more), O 2 + ions and O ( 1 D 2 ) radicals decrease as active species in the plasma, and O ( 3 P 2 ) radicals are mainly used instead. Since this O ( 3 P 2 ) radical has a property of passing through the
本実施の形態の絶縁膜の形成方法では、上記のような処理圧力によるプラズマ中の活性種の変化に着目し、Ｏ２ ＋イオンやＯ（１Ｄ２）ラジカルが支配的となる低い圧力条件（２６７Ｐａ以下）を選択して酸化珪素膜２０３に対してプラズマ改質処理を行うことによって、酸化珪素膜２０３に対して高い改質効果を得ることができた。
In the method for forming an insulating film according to this embodiment, attention is paid to the change of active species in plasma due to the above processing pressure, and low pressure conditions in which O 2 + ions and O ( 1 D 2 ) radicals are dominant. By selecting (267 Pa or less) and performing a plasma modification process on the
このように、シリコンをプラズマ酸化処理してシリコンとの界面が極めて平坦になるように酸化珪素膜を形成し、この酸化珪素膜の上にＣＶＤ法により絶縁膜を成膜し、この絶縁膜を、酸素を含むプラズマで改質することにより、ＳｉＯ２／Ｓｉ界面での界面準位密度が小さく、かつ緻密で不純物やダングリングボンドが少ない膜質に改善できる。従って、ＳｉＯ２／Ｓｉ界面を移動するキャリアの移動度の低下が抑制され、デバイスの電気的性能が改善された良質な絶縁膜（酸化珪素膜２０２および酸化珪素膜２０３）を形成することができる。この絶縁膜は、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子のゲート絶縁膜等としての用途に用いられ、特に、５ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内、好ましくは８ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内で有利に利用できる。
In this way, silicon is plasma-oxidized to form a silicon oxide film so that the interface with silicon is extremely flat, and an insulating film is formed on the silicon oxide film by a CVD method. By reforming with plasma containing oxygen, it is possible to improve the film quality so that the interface state density at the SiO 2 / Si interface is small and dense and has few impurities and dangling bonds. Accordingly, it is possible to form high-quality insulating films (
図１０は、本実施の形態にかかる絶縁膜の形成方法を適用可能なＴＦＴ素子４００の概略構成を示す断面図である。ガラス基板４０１上には、部分的に例えばポリシリコンからなるゲート電極４０２が形成されている。ゲート電極４０２の表面には、酸化珪素膜４０２ａの薄膜が形成されている。そして、酸化珪素膜４０２ａを含むゲート電極４０２およびガラス基板４０１の表面を覆うように二酸化珪素（ＳｉＯ２）からなるゲート絶縁膜４０３が形成されている。ゲート絶縁膜４０３上にはトランジスタを形成するためのＳｉ系膜としてａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）膜４０４が形成されており、かつゲート電極４０２の上部にはチャネル部４０５が形成されている。ａ−Ｓｉ膜４０４の上には、高融点金属材料例えばモリブデン、タングステンなどを含むソース電極４０６およびドレイン電極４０７が形成されている。ソース電極４０６およびドレイン電極４０７の上には、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）からなるパッシベーション膜４０８が形成され、ＴＦＴ素子４００の表面保護がなされている。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a
図１０に示したような構成のＴＦＴ素子４００に本実施形態の絶縁膜の形成方法を適用する場合には、ガラス基板４０１上にポリシリコンからなるゲート電極４０２をパターン形成した後、その表面を、プラズマ処理装置１００を用いてプラズマ酸化処理し、ゲート電極４０２の表面部分に酸化珪素膜４０２ａを形成しておく。次に、ゲート電極４０２およびガラス基板４０１の表面を覆うように、ＣＶＤ法によりゲート絶縁膜４０３を形成する。さらに、プラズマ処理装置１００を用いてゲート絶縁膜４０３をプラズマ改質処理することにより、緻密で不純物の少ない酸化珪素膜に改質する。以上の処理は、図６のステップＳ１〜ステップＳ７の手順に従って実施することができる。その後、常法に従い、成膜とエッチングを繰り返し、ａ−Ｓｉ膜４０４の成膜とパターン形成、ソース電極４０６およびドレイン電極４０７の成膜とパターン形成、パッシベーション膜４０８の成膜ならびにＩＴＯ電極（図示省略）の形成を行うことにより、ＴＦＴ素子４００を形成することができる。
In the case of applying the insulating film forming method of the present embodiment to the
図１０に例示したＴＦＴ素子４００では、ゲート電極４０２の表面部分を、プラズマ処理装置１００を用いてプラズマ酸化処理し、酸化珪素膜４０２ａを形成しておくことにより、ゲート絶縁膜４０３が形成された後の絶縁膜（酸化珪素膜４０２ａおよびゲート絶縁膜４０３）とゲート電極４０２（ポリシリコン）の界面を極めて平坦にすることができる。このため、絶縁膜（酸化珪素膜４０２ａおよびゲート絶縁膜４０３）とゲート電極４０２との境界（ＳｉＯ２／ポリシリコン界面）付近は、欠陥が少なくなり、界面準位密度の増加が抑制される。したがって、界面を移動するキャリアの移動度の低下が抑制され、ＴＦＴ素子４００の電気的性能を改善することができる。
In the
また、プラズマ処理装置１００を用いて低い圧力条件でプラズマ改質処理を行うことにより、ゲート絶縁膜４０３の膜質が緻密になり、不純物やダングリングボンドが少ない良質な膜に改質することができる。なお、ゲート絶縁膜４０３は、プラズマＣＶＤ法によって成膜することが好ましい。
In addition, by performing plasma modification treatment under low pressure conditions using the
次に、本発明の基礎となった実験データについて説明する。熱ＣＶＤ法により成膜された酸化珪素膜に対して、図２に示したプラズマ処理装置１００を用い、以下の条件１〜条件４でプラズマ改質処理を行った。改質後の酸化珪素膜について、膜厚の増加量、屈折率の増加量、０．１２５％の希フッ酸処理（３０秒間）によるウエットエッチングレートを調べた。また、改質後の酸化珪素膜をゲート絶縁膜として用いてＭＯＳキャパシタを製造し、その電気的な特性としてリーク電流密度（Ｊｇ；−１０ＭＶ／ｃｍ）、絶縁膜経時破壊（ＴＤＤＢ；６３％）、電子トラップの変化量（Δｖｇｅ；１１秒）について調べた。なお、比較のため、改質を行わない場合、アニールによって改質を行った場合、および熱酸化膜についても上記と同様の測定を行った。その結果を表１に示した。
Next, experimental data on which the present invention is based will be described. Plasma modification processing was performed on the silicon oxide film formed by the thermal CVD method under the following conditions 1 to 4 using the
［改質条件１］
Ａｒガス流量；１０００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
Ｏ２ガス流量；３００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
流量比（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２）；０．２３
処理圧力；６．７Ｐａ
載置台２の温度；５００℃
マイクロ波パワー；４０００Ｗ
マイクロ波パワー密度；２．０５Ｗ／ｃｍ２（透過板面積１ｃｍ２あたり）
[Reforming condition 1]
Ar gas flow rate: 1000 mL / min (sccm)
O 2 gas flow rate; 300 mL / min (sccm)
Flow rate ratio (O 2 / Ar + O 2 ); 0.23
Processing pressure: 6.7 Pa
Temperature of mounting table 2; 500 ° C
Microwave power: 4000W
Microwave power density: 2.05 W / cm 2 (per transmission plate area 1 cm 2 )
［改質条件２］
Ａｒガス流量；１９８０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
Ｏ２ガス流量；２０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
流量比（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２）；０．０１
処理圧力；２００Ｐａ
載置台２の温度；５００℃
マイクロ波パワー；４０００Ｗ
マイクロ波パワー密度；２．０５Ｗ／ｃｍ２（透過板面積１ｃｍ２あたり）
[Reforming condition 2]
Ar gas flow rate: 1980 mL / min (sccm)
O 2 gas flow rate: 20 mL / min (sccm)
Flow rate ratio (O 2 / Ar + O 2 ); 0.01
Processing pressure: 200 Pa
Temperature of mounting table 2; 500 ° C
Microwave power: 4000W
Microwave power density: 2.05 W / cm 2 (per transmission plate area 1 cm 2 )
［改質条件３］
Ａｒガス流量；１２００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
Ｏ２ガス流量；４００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
流量比（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２）；０．２５
処理圧力；６６７Ｐａ
載置台２の温度；５００℃
マイクロ波パワー；４０００Ｗ
マイクロ波パワー密度；２．０５Ｗ／ｃｍ２（透過板面積１ｃｍ２あたり）
[Reforming condition 3]
Ar gas flow rate: 1200 mL / min (sccm)
O 2 gas flow rate: 400 mL / min (sccm)
Flow rate ratio (O 2 / Ar + O 2 ); 0.25
Processing pressure: 667 Pa
Temperature of mounting table 2; 500 ° C
Microwave power: 4000W
Microwave power density: 2.05 W / cm 2 (per transmission plate area 1 cm 2 )
［改質条件４］
Ａｒガス流量；１２００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
Ｏ２ガス流量；３７０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
Ｈ２ガス流量；３０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
流量比（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２＋Ｈ２）；０．２３
流量比（Ｈ２／Ａｒ＋Ｏ２＋Ｈ２）；０．０１９
処理圧力；６６７Ｐａ
載置台２の温度；５００℃
マイクロ波パワー；４０００Ｗ
マイクロ波パワー密度；２．０５Ｗ／ｃｍ２（透過板面積１ｃｍ２あたり）
[Reforming condition 4]
Ar gas flow rate: 1200 mL / min (sccm)
O 2 gas flow rate: 370 mL / min (sccm)
H 2 gas flow rate: 30 mL / min (sccm)
Flow rate ratio (O 2 / Ar + O 2 + H 2 ); 0.23
Flow rate ratio (H 2 / Ar + O 2 + H 2 ); 0.019
Processing pressure: 667 Pa
Temperature of mounting table 2; 500 ° C
Microwave power: 4000W
Microwave power density: 2.05 W / cm 2 (per transmission plate area 1 cm 2 )
［アニール改質処理条件］
雰囲気；Ｎ２／Ｏ２＝１０／０．１Ｌ／ｍｉｎ
温度；９００℃
圧力；１３３Ｐａ
[Annealing treatment conditions]
Atmosphere; N 2 / O 2 = 10 / 0.1 L / min
Temperature: 900 ° C
Pressure: 133Pa
［熱酸化膜形成条件］
雰囲気；Ｈ２／Ｏ２＝４５０／９００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
温度；９５０℃
圧力；１５０００Ｐａ
[Thermal oxide film formation conditions]
Atmosphere; H 2 / O 2 = 450/900 mL / min (sccm)
Temperature: 950 ° C
Pressure: 15000Pa
［熱ＣＶＤ成膜条件］
ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス流量；７５ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
Ｎ２Ｏガス流量；１５０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
処理圧力；４８Ｐａ
処理温度；７８０℃
[Thermal CVD deposition conditions]
SiH 2 Cl 2 gas flow rate; 75 mL / min (sccm)
N 2 O gas flow rate; 150 mL / min (sccm)
Processing pressure: 48Pa
Processing temperature: 780 ° C
表１に示した物理分析の結果から、２００Ｐａ以下の低い条件１および条件２でプラズマ改質処理を行った場合には、屈折率が増加し、ウエットエッチングレートが減少している。これらのデータは、プラズマ改質処理によって酸化珪素膜の膜質が改善され、膜密度が上昇したことを示している。また、条件１、条件２のウエットエッチングレートをアニールによる改質処理と比較すると、条件１と条件２の方が熱アニール改質に比べてエッチングレートが少なく、改質効果がより高いことが示された。
From the results of physical analysis shown in Table 1, when the plasma modification treatment is performed under
また、条件４でプラズマ改質処理を行った場合には、屈折率の変化は見られず、ウエットエッチングレートもアニールによる改質処理とほぼ同等であった。つまり、膜質の改善効果については、条件４のプラズマ改質処理は、アニールによる改質処理と同様の結果であった。しかし、条件４でプラズマ改質処理を行った場合には、酸化珪素膜の膜厚の増加が顕著に見られた。これは、ＣＶＤ法により成膜された酸化珪素膜と下地のシリコンとの界面がプラズマ中のＯ（３Ｐ２）ラジカルによって酸化され、増膜したものと考えられた。 In addition, when the plasma modification treatment was performed under condition 4, no change in refractive index was observed, and the wet etching rate was almost the same as the modification treatment by annealing. In other words, with respect to the effect of improving the film quality, the plasma modification treatment under condition 4 was the same result as the modification treatment by annealing. However, when the plasma modification treatment was performed under condition 4, the increase in the thickness of the silicon oxide film was noticeable. This was thought to be because the interface between the silicon oxide film formed by the CVD method and the underlying silicon was oxidized by O ( 3 P 2 ) radicals in the plasma to increase the film thickness.
以上の結果から、処理圧力が２６７Ｐａ以下例えば６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下のプラズマ改質処理では、ＣＶＤ法により成膜された酸化珪素膜の膜質の改善効果がアニールによる改質処理よりも高いことが示された。一方、処理圧力が６６７Ｐａと高い圧力条件でのプラズマ改質処理の場合には、ＣＶＤ法により成膜された酸化珪素膜の膜質の改善効果はアニールによる改質処理と同等であるが、増膜作用があることが判明した。 From the above results, in the plasma reforming process at a processing pressure of 267 Pa or less, for example, 6.7 Pa or more and 267 Pa or less, the effect of improving the quality of the silicon oxide film formed by the CVD method is higher than the reforming process by annealing. Indicated. On the other hand, in the case of the plasma reforming process under a high pressure condition of 667 Pa, the effect of improving the quality of the silicon oxide film formed by the CVD method is equivalent to the reforming process by annealing. It was found to have an effect.
表２に示した電気的特性評価の結果では、処理圧力が２００Ｐａ以下と低い条件１および条件２でプラズマ改質処理を行った場合には、リーク電流密度（Ｊｇ）が処理圧力が６６７Ｐａと高い条件３や、アニールによる改質処理に比べて大きく改善した。
According to the results of the electrical characteristic evaluation shown in Table 2, when the plasma reforming process is performed under
図１１に、条件１〜条件３のプラズマ改質処理の処理圧力とリーク電流との関係を示した。ここでは、アニール改質処理と熱酸化膜のリーク電流についても併せて掲載した。この図１１から、処理圧力が２６７Ｐａ以下例えば６．７Ｐａ以上２６７Ｐａであれば、リーク電流を２．１×１０−４［Ａ／ｃｍ２］以下に抑えることが可能であることが読み取れる。従って、リーク電流特性の改善を目的とする場合には、プラズマ改質処理の処理圧力を２６７Ｐａ以下にすることが好ましい。 FIG. 11 shows the relationship between the processing pressure and the leakage current in the plasma reforming processing under conditions 1 to 3. Here, the annealing modification treatment and the leakage current of the thermal oxide film are also shown. From FIG. 11, it can be seen that when the processing pressure is 267 Pa or less, for example, 6.7 Pa or more and 267 Pa, the leakage current can be suppressed to 2.1 × 10 −4 [A / cm 2 ] or less. Therefore, when the purpose is to improve the leakage current characteristics, it is preferable to set the processing pressure of the plasma reforming process to 267 Pa or less.
絶縁膜経時破壊（ＴＤＤＢ）は、条件１〜条件３でプラズマ改質処理を行った場合の方が、アニールによる改質処理に比べて大幅に改善されていた。特に、条件２によるプラズマ改質処理の場合には、熱酸化膜を超える非常に優れた信頼性を示した。
The dielectric breakdown over time (TDDB) was significantly improved when the plasma modification treatment was performed under conditions 1 to 3 as compared to the modification treatment by annealing. In particular, in the case of the plasma reforming treatment under
図１２に、条件１〜条件３のプラズマ改質処理の処理圧力とＴＤＤＢとの関係を示した。ここでは、アニール改質処理と熱酸化膜のリーク電流についても併せて掲載した。この図１２から、処理圧力が５３３Ｐａ以下であれば、ＴＤＤＢを３３［Ｃ／ｃｍ２］以上にできることがわかる。従って、ＴＤＤＢ特性の改善を目的とする場合には、プラズマ改質処理の処理圧力を５３３Ｐａ以下例えば６．７Ｐａ以上５３３Ｐａ以下にすることが好ましく、４００Ｐａ以下例えば６．７Ｐａ以上４００Ｐａ以下がより好ましく、２６７Ｐａ以下例えば６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下が望ましい。 FIG. 12 shows the relationship between the processing pressure of the plasma reforming treatment under conditions 1 to 3 and TDDB. Here, the annealing modification treatment and the leakage current of the thermal oxide film are also shown. From FIG. 12, it can be seen that if the treatment pressure is 533 Pa or less, the TDDB can be 33 [C / cm 2 ] or more. Therefore, when the purpose is to improve the TDDB characteristics, it is preferable to set the processing pressure of the plasma reforming treatment to 533 Pa or less, such as 6.7 Pa to 533 Pa, more preferably 400 Pa or less, such as 6.7 Pa to 400 Pa, 267 Pa or less, for example, 6.7 Pa or more and 267 Pa or less is desirable.
また、図１３に、条件１〜条件３におけるＯ２／（Ａｒ＋Ｏ２）比とＴＤＤＢとの関係を示した。プラズマ改質処理では、図１３に示したように、Ｏ２／（Ａｒ＋Ｏ２）比を０．２３以下とすることにより、ＴＤＤＢ特性を効果的に改善でき、特にＯ２／（Ａｒ＋Ｏ２）比を０．１以下とすることで、熱酸化膜を超える高いＴＤＤＢ特性が得られることが判明した。 FIG. 13 shows the relationship between the O 2 / (Ar + O 2 ) ratio and TDDB under conditions 1 to 3. In the plasma reforming treatment, as shown in FIG. 13, by setting the O 2 / (Ar + O 2 ) ratio to 0.23 or less, the TDDB characteristics can be effectively improved, and in particular, the O 2 / (Ar + O 2 ) ratio. It was found that by setting the ratio to 0.1 or less, high TDDB characteristics exceeding the thermal oxide film can be obtained.
電子トラップの変化量（Δｖｇｅ）については、条件１および条件２でプラズマ改質処理を行った場合には、アニールによる改質処理に比べてほぼ半減しており、大きく改善した。条件３でプラズマ改質処理を行った場合にも、アニールによる改質処理に比べて若干電子トラップの変化量が減少しており改善された。また、プラズマ改質処理では、表２に示したように、Ｏ２／（Ａｒ＋Ｏ２）比を０．２３以下とすることにより、Δｖｇｅ特性を効果的に改善できることが判明した。
Regarding the amount of change (Δvge) of the electron trap, when the plasma reforming process was performed under
以上の結果から、２６７Ｐａ以下の低い処理圧力で、かつ、Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２比が０．２３以下の条件でプラズマ改質処理を行うことにより、酸化珪素膜を熱酸化膜と同等のレベルまで、欠陥が少なく、緻密で良質な膜質に改善できることが示された。また、このようにして改質された酸化珪素膜を用いることにより、デバイスの電気的特性を改善できることも確認された。 From the above results, the silicon oxide film is brought to a level equivalent to that of the thermal oxide film by performing the plasma reforming process at a low processing pressure of 267 Pa or less and an O 2 / Ar + O 2 ratio of 0.23 or less. It has been shown that the film quality can be improved to a dense and high-quality film with few defects. It was also confirmed that the electrical characteristics of the device can be improved by using the silicon oxide film thus modified.
次に、プラズマ改質処理によって、ＣＶＤ法により成膜された酸化珪素膜中に残留する塩素（原料のＳｉＨ２Ｃｌ２由来）の量がどのように変化するか検討を行った。酸化珪素膜中の残留塩素量は、ＴＸＲＦ（全反射蛍光Ｘ線；Ｔｏｔａｌ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｘ−ｒａｙ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ）分析によって測定した。その結果を表３に示した。 Next, it was examined how the amount of chlorine (derived from the raw material SiH 2 Cl 2 ) remaining in the silicon oxide film formed by the CVD method changes due to the plasma modification treatment. The amount of residual chlorine in the silicon oxide film was measured by TXRF (total reflection X-ray Fluorescence) analysis. The results are shown in Table 3.
表３から、プラズマ改質処理を実施した場合には、改質処理を行なわない場合に比べて残留塩素量が少なく、酸化珪素膜中の不純物を除去できることが示された。なお、プラズマ改質処理の後に、熱アニール処理を行うことも可能である。プラズマ改質処理に熱アニール処理を組み合わせることにより、残留塩素量を９.６０×１０１１［atoms/cm２］まで低下させることができた。 Table 3 shows that when the plasma reforming process is performed, the amount of residual chlorine is smaller than when the reforming process is not performed, and impurities in the silicon oxide film can be removed. Note that a thermal annealing process may be performed after the plasma modification process. By combining the plasma reforming treatment with the thermal annealing treatment, the amount of residual chlorine could be reduced to 9.60 × 10 11 [atoms / cm 2 ].
次に、プラズマ処理装置１００を用い、下記表４に示した条件（条件５〜条件７）でシリコン基板をプラズマ酸化処理して酸化珪素膜を形成した。形成された酸化珪素膜を剥離して、該酸化珪素膜とシリコン基板のシリコンとの界面（ＳｉＯ２／Ｓｉ界面）の状態を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で計測し、平坦度のＲＭＳを算出した。その結果を表４および図１４に示した。また、参照のため、シリコン基板をＷＶＧ法で熱酸化処理した酸化珪素膜についても、同様に平坦度のＲＭＳを算出し、表４および図１４に示した。
Next, using the
上記表４および図１４示した結果から、プラズマ処理装置１００を用いて、１３３Ｐａ以下の低い処理圧力でプラズマ酸化処理を行った条件５、条件６では、いずれも平坦度のＲＭＳが０．１３ｎｍ以下であり、酸化珪素膜とシリコンとの界面（ＳｉＯ２／Ｓｉ界面）の状態を極めて平坦に形成できることが確認された。これに対し、熱酸化処理や、６６７Ｐａの高い圧力条件のプラズマ酸化処理で形成された酸化珪素膜では、いずれも平坦度のＲＭＳが０．２ｎｍを超えており、酸化珪素膜とシリコンとの界面（ＳｉＯ２／Ｓｉ界面）をあまり平坦化することはできなかった。
From the results shown in Table 4 and FIG. 14, the RMS of the flatness is 0.13 nm or less in both
平坦度のＲＭＳは、０．１ｎｍ〜０．２ｎｍ程度の範囲で変化することにより、高集積化が進むデバイスの性能に大きな影響を与える。良好なデバイス性能を維持するためには、平坦度のＲＭＳが０．１３ｎｍ以下例えば０．０５〜０．１３ｎｍ以下であることが好ましい。本実施の形態の絶縁膜の形成方法では、プラズマ処理装置１００を用いてプラズマ酸化処理を行うことにより、上記平坦度の要求を満たすことが可能である。
The RMS of the flatness changes greatly in the range of about 0.1 nm to 0.2 nm, and thus greatly affects the performance of devices that are highly integrated. In order to maintain good device performance, the RMS of flatness is preferably 0.13 nm or less, for example 0.05 to 0.13 nm or less. In the method for forming an insulating film in this embodiment, the flatness requirement can be satisfied by performing plasma oxidation using the
上記結果から、酸化珪素膜とシリコンとの界面（ＳｉＯ２／Ｓｉ界面）の平坦度のＲＭＳを０．１３ｎｍ以下にするために、プラズマ酸化処理の処理圧力を、２６７Ｐａ以下例えば６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下とすることが好ましく、１３３Ｐａ以下例えば６．７Ｐａ以上１３３Ｐａ以下とすることがより好ましく、６７Ｐａ以下例えば６．７Ｐａ以上６７Ｐａ以下とすることが望ましい。 From the above results, in order to set the RMS of the flatness of the interface between the silicon oxide film and silicon (SiO 2 / Si interface) to 0.13 nm or less, the processing pressure of the plasma oxidation treatment is 267 Pa or less, for example, 6.7 Pa or more and 267 Pa. It is preferable that the pressure be not more than 133 Pa, for example, 6.7 Pa to 133 Pa, more preferably 67 Pa or less, for example, 6.7 Pa to 67 Pa.
また、プラズマ酸化処理における酸素分圧は、５Ｐａ以下例えば０．１Ｐａ以上５Ｐａ以下が好ましく、２Ｐａ以下例えば０．１Ｐａ以上２Ｐａ以下がより好ましい。 Further, the oxygen partial pressure in the plasma oxidation treatment is preferably 5 Pa or less, for example, 0.1 Pa or more and 5 Pa or less, and more preferably 2 Pa or less, for example 0.1 Pa or more and 2 Pa or less.
また、条件５と条件６との比較から、プラズマ酸化処理においては、処理ガス中に水素を添加することがより好ましいことも判明した。この場合、酸素ガス流量に対する水素ガス流量の比率は、２５％以上例えば２５％以上７５％以下が好ましく、５０％以上７５％以下がより好ましい。
Further, it was found from the comparison between the condition 5 and the
以上のように、本実施の形態の絶縁膜の形成方法では、シリコンと絶縁膜としての酸化珪素膜との界面が、デバイス製造に用いられるシリコン基板の平坦度に比べて極めて平坦になるように酸化珪素膜を形成し、その上にＣＶＤ法で絶縁膜を形成し、その絶縁膜をプラズマ改質処理することによって、絶縁膜を形成するので、例えば界面準位密度を抑制する必要性が高く、かつ緻密かつ良質な絶縁膜が必要となる上記アプリケーション（例えばＴＦＴ素子のゲート絶縁膜の形成）に好ましく利用できる。 As described above, in the method for forming an insulating film of the present embodiment, the interface between silicon and a silicon oxide film as an insulating film is extremely flat compared to the flatness of a silicon substrate used for device manufacturing. A silicon oxide film is formed, an insulating film is formed thereon by a CVD method, and the insulating film is formed by plasma-modifying the insulating film. Therefore, for example, it is highly necessary to suppress the interface state density. In addition, the present invention can be preferably used for the above-described application (for example, forming a gate insulating film of a TFT element) that requires a dense and high-quality insulating film.
［第２の実施の形態］
次に、図１５および図１６を参照しながら本発明の第２の実施の形態に係る絶縁膜の形成方法について説明する。図１５は、第２の実施の形態に係る絶縁膜の形成方法の手順の一例を示すフロー図であり、図１６は、その主要な工程を説明する図面である。本実施の形態では、プラズマ酸化処理の後に、ＣＶＤ法による絶縁膜の形成と、プラズマ改質処理とを複数回繰り返し行い、緻密で良質な絶縁膜を厚膜に形成できるようにした。
[Second Embodiment]
Next, a method for forming an insulating film according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 15 is a flowchart showing an example of the procedure of the insulating film forming method according to the second embodiment, and FIG. 16 is a diagram for explaining the main steps. In this embodiment mode, after the plasma oxidation treatment, the formation of the insulating film by the CVD method and the plasma modification treatment are repeated a plurality of times so that a dense and high-quality insulating film can be formed in a thick film.
図１５において、まずステップＳ１１では、真空側搬送室１０３内の搬送装置１０９により、処理対象のウエハＷを前記の手順でプラズマ処理装置１００（プロセスモジュール１０１ａ）に搬入する。次に、ステップＳ１２では、図１６（ａ）に示したように、ウエハＷの表面に露出したシリコン層２０１に対してプラズマ酸化処理を行う。このプラズマ酸化処理によって、図１６（ｂ）に示したように、シリコン層２０１のシリコンをその表面から酸化して所定膜厚で第１の絶縁膜としての酸化珪素膜２０２を形成する。以上のステップＳ１１、ステップＳ１２の処理は、第１の実施の形態のステップＳ１〜ステップＳ２の処理（図６参照）と同様であるため、詳細な説明を省略する。
In FIG. 15, first, in step S <b> 11, the wafer W to be processed is loaded into the plasma processing apparatus 100 (
次に、ステップＳ１３では、真空側搬送室１０３内の搬送装置１０９により、酸化珪素膜が形成されたウエハＷを枚葉ＣＶＤ成膜装置３００（プロセスモジュール１０１ｂまたは１０１ｃ）に移送する。この移送は、真空側搬送室１０３内の搬送装置１０９によって真空状態のまま実施される。
Next, in step S13, the wafer W on which the silicon oxide film is formed is transferred to the single wafer CVD film forming apparatus 300 (
次に、ステップＳ１４では、図１６（ｃ）に示したように、ウエハＷの表面に形成された酸化珪素膜２０２の上に、ＣＶＤ法による成膜処理を行う。これにより、図１６（ｄ）に示したように、酸化珪素膜２０２の上に重ねて第２の絶縁膜としての酸化珪素膜２０３が形成される。このＣＶＤ法として、基板処理システム２００を使用する本実施の形態ではＣＶＤ法を用いるが、例えば熱ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法などの方法で成膜を行うことが可能である。
Next, in step S14, as shown in FIG. 16C, a film forming process by a CVD method is performed on the
次に、ステップＳ１５では、酸化珪素膜２０２および酸化珪素膜２０３が形成されたウエハＷをプラズマ改質処理装置としてのプラズマ処理装置１００（プロセスモジュール１０１ｄ）に移送する。この移送は、真空側搬送室１０３内の搬送装置１０９によって真空状態のまま実施される。次に、ステップＳ１６では、図１６（ｅ）に示したように、酸化珪素膜２０３に対してプラズマ改質処理を実施する。本実施の形態では、上記ステップＳ１３〜ステップＳ１６の処理を、必要に応じて複数回繰り返し実施する。すなわち、図１６（ｆ）および図１６（ｇ）に示したように、第２の絶縁膜としての酸化珪素膜２０３の上に、ＣＶＤ法によってさらに第２の絶縁膜としての酸化珪素膜２０４を積層形成し、次いで、図１６（ｈ）に示したように、最上層の酸化珪素膜２０４にプラズマ改質処理を施す。ステップＳ１３〜ステップＳ１６の処理は、第２の絶縁膜（酸化珪素膜２０３，２０４…）の合計膜厚Ｔ３が所定の厚みになるまで繰り返し実施される。なお、ステップＳ１３〜ステップＳ１６の処理は、第１の実施の形態のステップＳ３〜ステップＳ６の処理（図６参照）と同様に行うことができるため、ここでは詳細な説明を省略する。
Next, in step S15, the wafer W on which the
以上のように、ステップＳ１３からステップＳ１６の処理を繰り返した後は、ステップＳ１７で真空搬送室１０３内の搬送装置１０９により処理済のウエハＷをプラズマ処理装置１００（プロセスモジュール１０１ｄ）から搬出し、前記手順でロードポートＬＰのウエハカセットＣＲに収納する。
As described above, after repeating the processing from step S13 to step S16, the wafer W processed by the
本実施の形態の絶縁膜の形成方法では、このステップＳ１３〜ステップＳ１６の繰り返しにより、緻密で良質な絶縁膜（酸化珪素膜）の膜厚Ｔ３を、所望の厚みに形成することができる。すなわち、１回のＣＶＤ法によって、仮に１０ｎｍ〜１０００ｎｍの厚い酸化珪素膜を形成できたとしても、そのままでは緻密で良質な膜質に改質することは困難である。その理由は、前記のとおりＯ２ ＋イオンやＯ（１Ｄ２）ラジカルは、改質処理の対象である酸化珪素膜を透過する能力が低いため、プラズマ改質が可能な酸化珪素膜の膜厚（表面からの深さ）には限界があるためである。このため、本実施の形態の絶縁膜の形成方法では、絶縁膜としてのＣＶＤ法による酸化珪素膜の堆積と、プラズマ改質処理を繰り返し実施することによって、所望の膜厚Ｔ３で、緻密で良質な膜質の絶縁膜を形成できる。 In the method of forming the insulating film of the present embodiment, by repeating the steps S13~ step S16, the thickness T 3 of the dense high-quality insulating film (silicon oxide film) can be formed to a desired thickness. That is, even if a thick silicon oxide film having a thickness of 10 nm to 1000 nm can be formed by a single CVD method, it is difficult to improve the film quality to a dense and high quality as it is. The reason for this is that, as described above, O 2 + ions and O ( 1 D 2 ) radicals have a low ability to permeate the silicon oxide film that is the object of the modification treatment, and therefore, a silicon oxide film that can be plasma-modified. This is because the thickness (depth from the surface) is limited. Therefore, in the method for forming the insulating film of the present embodiment, the deposition of the silicon oxide film by the CVD method as the insulating film, by repeatedly performing the plasma modification treatment, with the desired thickness T 3, a dense A high quality insulating film can be formed.
また、複数回のＣＶＤ法による成膜処理に先立ち、ステップＳ１２で下地のシリコン層をプラズマ酸化処理しておくことによって、シリコンと酸化珪素膜との界面を平坦化することができる。これにより、固定電荷の蓄積による界面準位密度の上昇を防止し、キャリアの移動度を確保してデバイスの電気的特性を改善することができる。 In addition, by performing plasma oxidation treatment on the underlying silicon layer in step S12 prior to film formation by a plurality of CVD methods, the interface between the silicon and the silicon oxide film can be planarized. Accordingly, an increase in interface state density due to accumulation of fixed charges can be prevented, carrier mobility can be secured, and electrical characteristics of the device can be improved.
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。なお、プロセスモジュール１０１ａおよび１０１ｄにおいて、それぞれステップＳ１２のプラズマ酸化処理とステップＳ１６のプラズマ改質処理の両方の処理を行ってもよい。
Other configurations, operations, and effects in the present embodiment are the same as those in the first embodiment. In the
以上、本発明の実施の形態を述べたが、本発明は上記実施の形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施例では、プラズマ改質処理の対象となる絶縁膜として熱ＣＶＤ法により形成された酸化珪素膜（ＳｉＯ膜２）を挙げたが、熱ＣＶＤ法による酸化珪素膜に限らず、他のＣＶＤ法、例えばプラズマＣＶＤ法により形成された酸化珪素膜を対象とすることが可能である。この場合、膜質があまり良好でない（例えば膜質が疎な）酸化珪素膜ほど高い改質効果が得られる。 Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made. For example, in the above embodiment, the silicon oxide film (SiO film 2 ) formed by the thermal CVD method is used as the insulating film to be subjected to the plasma reforming process. However, the insulating film is not limited to the silicon oxide film formed by the thermal CVD method. It is possible to target a silicon oxide film formed by a CVD method such as a plasma CVD method. In this case, a higher reforming effect can be obtained for a silicon oxide film having a poor film quality (for example, a poor film quality).
また、プラズマ改質処理の対象となる絶縁膜としては、酸化珪素膜に限らず、例えばジルコニウム、タンタル、チタン、バリウム、ストロンチウム、アルミニウム、ハフニウム等の金属の酸化物を含む高誘電率金属酸化膜（Ｈｉ−ｋ膜）に対してもプラズマ改質処理を適用可能である。この場合、シリコン表面にＣＶＤ法で高誘電率金属酸化膜を形成しただけでは、平坦な界面を形成できないので、成膜の前にプラズマ酸化処理を行い、極めて平坦な界面を形成しておき、その上に高誘電率金属酸化膜を形成することが有効である。 Further, the insulating film to be subjected to the plasma reforming treatment is not limited to the silicon oxide film, but a high dielectric constant metal oxide film containing an oxide of metal such as zirconium, tantalum, titanium, barium, strontium, aluminum, hafnium, etc. The plasma modification process can also be applied to the (Hi-k film). In this case, since a flat interface cannot be formed only by forming a high dielectric constant metal oxide film on the silicon surface by CVD, plasma oxidation is performed before film formation to form an extremely flat interface. It is effective to form a high dielectric constant metal oxide film thereon.
１…チャンバ（処理室）、２…載置台、３…支持部材、５…ヒータ、１２…排気管、１５…ガス導入部、１６…搬入出口、１８…ガス供給機構、１９ａ…不活性ガス供給源、１９ｂ…酸素含有ガス供給源、１９ｃ…水素ガス供給源、２４…排気装置、２８…透過板、２９…シール部材、３１…平面アンテナ、３２…マイクロ波放射孔、３７…導波管、３７ａ…同軸導波管、３７ｂ…矩形導波管、３９…マイクロ波発生装置、５０…制御部、５１…プロセスコントローラ、５２…ユーザーインターフェース、５３…記憶部、１００…プラズマ処理装置、２００…基板処理システム、３００…枚葉ＣＶＤ成膜装置、Ｗ…半導体ウエハ（基板）
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Chamber (processing chamber), 2 ... Mounting stand, 3 ... Support member, 5 ... Heater, 12 ... Exhaust pipe, 15 ... Gas introduction part, 16 ... Carry-in / out port, 18 ... Gas supply mechanism, 19a ...
Claims (15)
前記酸化珪素膜の上にＣＶＤ法によって第２の絶縁膜を形成するＣＶＤ工程と、
前記第２の絶縁膜に対し、希ガスと酸素ガスを含む処理ガスのプラズマを用いて改質処理を行うプラズマ改質処理工程と、
を備え、
前記プラズマ酸化処理工程は、複数の孔を有する平面アンテナにより処理室内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置において、処理圧力が６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内、かつ、前記処理ガスの全流量に対する前記酸素ガスの流量比率が０．１％以上３０％以下の範囲内で行われ、プラズマ中の活性種として、Ｏ（３Ｐ２）ラジカルに比べ、Ｏ２ ＋イオン及びＯ（１Ｄ２）ラジカルの濃度が相対的に高いプラズマを用い、
前記プラズマ改質処理工程は、複数の孔を有する平面アンテナにより処理室内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置において、処理圧力が６．７Ｐａ以上６７Ｐａ以下の範囲内、前記処理ガスの全流量に対する前記酸素ガスの流量比率が０．１％以上３０％以下の範囲内、かつ、マイクロ波のパワー密度が０．５１Ｗ／ｃｍ ２ 以上２．５６Ｗ／ｃｍ ２ 以下の範囲内で行われ、プラズマ中の活性種として、Ｏ（ ３ Ｐ ２ ）ラジカルに比べ、Ｏ ２ ＋ イオン及びＯ（ １ Ｄ ２ ）ラジカルの濃度が相対的に高いプラズマを用いることを特徴とする絶縁膜の形成方法。 A plasma oxidation process for forming a silicon oxide film as a first insulating film by plasma oxidizing the silicon exposed on the surface of the object to be processed with plasma of a processing gas containing a rare gas and an oxygen gas;
A CVD step of forming a second insulating film on the silicon oxide film by a CVD method;
A plasma reforming process for performing a reforming process on the second insulating film using plasma of a processing gas containing a rare gas and an oxygen gas;
With
In the plasma oxidation processing step, in a plasma processing apparatus that introduces microwaves into a processing chamber using a planar antenna having a plurality of holes, the processing pressure is in a range of 6.7 Pa to 267 Pa and the total flow rate of the processing gas The flow rate ratio of the oxygen gas is within a range of 0.1% to 30%, and the active species in the plasma are O 2 + ions and O ( 1 D 2 ) as compared with O ( 3 P 2 ) radicals. Using a plasma with a relatively high concentration of radicals ,
In the plasma reforming process, in the plasma processing apparatus in which microwaves are introduced into the processing chamber by a planar antenna having a plurality of holes, the processing pressure is within a range of 6.7 Pa to 67 Pa and the total flow rate of the processing gas is The oxygen gas flow rate ratio is in the range of 0.1% to 30% and the microwave power density is in the range of 0.51 W / cm 2 to 2.56 W / cm 2 , as the active species, O (3 P 2) than in the radical, O 2 + ions and O (1 D 2) forming method of the insulating film in which the concentration of the radical and wherein Rukoto with relatively high plasma.
前記制御プログラムは、実行時に、被処理体に対して所定の処理を行うための複数の処理チャンバを有する処理システムにおいて、被処理体の表面に露出したシリコンを希ガスと酸素ガスを含む処理ガスのプラズマによりプラズマ酸化処理して第１の絶縁膜としての酸化珪素膜を形成するプラズマ酸化処理工程と、前記酸化珪素膜の上にＣＶＤ法によって第２の絶縁膜を形成するＣＶＤ工程と、前記第２の絶縁膜に対し、希ガスと酸素ガスを含む処理ガスのプラズマを用いて改質処理を行うプラズマ改質処理工程と、を備えた絶縁膜の形成方法が行なわれるように、コンピュータに前記処理システムを制御させるものであり、
前記プラズマ酸化処理工程は、複数の孔を有する平面アンテナにより処理室内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置において、処理圧力が６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内、かつ、前記処理ガスの全流量に対する前記酸素ガスの流量比率が０．１％以上３０％以下の範囲内で行われ、プラズマ中の活性種として、Ｏ（３Ｐ２）ラジカルに比べ、Ｏ２ ＋イオン及びＯ（１Ｄ２）ラジカルの濃度が相対的に高いプラズマを用い、
前記プラズマ改質処理工程は、複数の孔を有する平面アンテナにより処理室内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置において、処理圧力が６．７Ｐａ以上６７Ｐａ以下の範囲内、前記処理ガスの全流量に対する前記酸素ガスの流量比率が０．１％以上３０％以下の範囲内、かつ、マイクロ波のパワー密度が０．５１Ｗ／ｃｍ ２ 以上２．５６Ｗ／ｃｍ ２ 以下の範囲内で行われ、プラズマ中の活性種として、Ｏ（ ３ Ｐ ２ ）ラジカルに比べ、Ｏ ２ ＋ イオン及びＯ（ １ Ｄ ２ ）ラジカルの濃度が相対的に高いプラズマを用いて行われるものである、ことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。 A computer-readable storage medium storing a control program that runs on a computer,
In the processing system having a plurality of processing chambers for performing predetermined processing on the object to be processed at the time of execution, the control program converts the silicon exposed on the surface of the object to be processed into a processing gas containing a rare gas and an oxygen gas. A plasma oxidation process for forming a silicon oxide film as a first insulating film by performing a plasma oxidation process using a plasma; a CVD process for forming a second insulating film on the silicon oxide film by a CVD method; And a plasma reforming process for performing a reforming process on the second insulating film using a plasma of a processing gas containing a rare gas and an oxygen gas. Controlling the processing system;
In the plasma oxidation processing step, in a plasma processing apparatus that introduces microwaves into a processing chamber using a planar antenna having a plurality of holes, the processing pressure is in a range of 6.7 Pa to 267 Pa and the total flow rate of the processing gas The flow rate ratio of the oxygen gas is within a range of 0.1% to 30%, and the active species in the plasma are O 2 + ions and O ( 1 D 2 ) as compared with O ( 3 P 2 ) radicals. Using a plasma with a relatively high concentration of radicals ,
In the plasma reforming process, in the plasma processing apparatus in which microwaves are introduced into the processing chamber by a planar antenna having a plurality of holes, the processing pressure is within a range of 6.7 Pa to 67 Pa and the total flow rate of the processing gas is The oxygen gas flow rate ratio is in the range of 0.1% to 30% and the microwave power density is in the range of 0.51 W / cm 2 to 2.56 W / cm 2 , Computer reading characterized in that the active species is a plasma having a relatively high concentration of O 2 + ions and O ( 1 D 2 ) radicals compared to O ( 3 P 2 ) radicals. Possible storage medium.
第１の処理チャンバ内で、前記第１の処理として、被処理体の表面に露出したシリコンを希ガスと酸素ガスを含む処理ガスのプラズマによりプラズマ酸化処理して第１の絶縁膜としての酸化珪素膜を形成し、次に、第２の処理チャンバにおいて、前記第２の処理として前記酸化珪素膜の上にＣＶＤ法によって第２の絶縁膜を形成し、次に、第３の処理チャンバにおいて、前記第３の処理として、前記第２の絶縁膜に対し希ガスと酸素ガスを含む処理ガスのプラズマを用いてプラズマ改質処理を行うように各処理チャンバを制御する制御部を備え、前記制御部は、さらに前記プラズマ酸化処理が、複数の孔を有する平面アンテナにより処理室内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置において、処理圧力が６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内であり、かつ、前記処理ガスの全流量に対する前記酸素ガスの流量比率が０．１％以上３０％以下の範囲内で行われ、使用されるプラズマが、プラズマ中の活性種として、Ｏ（３Ｐ２）ラジカルに比べ、Ｏ２ ＋イオン及びＯ（１Ｄ２）ラジカルの濃度が相対的に高いプラズマとなるように制御するとともに、
前記プラズマ改質処理が、複数の孔を有する平面アンテナにより処理室内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置において、処理圧力が６．７Ｐａ以上６７Ｐａ以下の範囲内であり、前記処理ガスの全流量に対する前記酸素ガスの流量比率が０．１％以上３０％以下の範囲内であり、かつ、マイクロ波のパワー密度が０．５１Ｗ／ｃｍ ２ 以上２．５６Ｗ／ｃｍ ２ 以下の範囲内で行われ、使用されるプラズマが、プラズマ中の活性種として、Ｏ（ ３ Ｐ ２ ）ラジカルに比べ、Ｏ ２ ＋ イオン及びＯ（ １ Ｄ ２ ）ラジカルの濃度が相対的に高いプラズマとなるように制御することを特徴とする処理システム。 A first processing chamber that performs a first process on a target object, a second processing chamber that performs a second process different from the first process on the target object, and a target object And a third processing chamber for performing a third process different from the second process,
In the first processing chamber, as the first processing, the silicon exposed on the surface of the object to be processed is subjected to plasma oxidation treatment with plasma of a processing gas containing a rare gas and oxygen gas to oxidize the first insulating film. A silicon film is formed, and then in the second processing chamber, a second insulating film is formed on the silicon oxide film by the CVD method as the second processing, and then in the third processing chamber. A control unit for controlling each processing chamber so as to perform a plasma reforming process using plasma of a processing gas containing a rare gas and an oxygen gas for the second insulating film as the third processing, control unit further wherein the plasma oxidation treatment, a plurality of the plasma processing apparatus for introducing a microwave into the processing chamber by a planar antenna having a hole, the processing pressure is more than 6.7 Pa 267 Pa following range An inner, and the flow ratio of the oxygen gas to the total flow rate of the processing gas is performed in the range of 30% 0.1% plasma used is, as the active species in the plasma, O ( 3 P 2 ) radicals compared to the radicals, and the concentration of O 2 + ions and O ( 1 D 2 ) radicals is controlled to be relatively high ,
In the plasma processing apparatus in which the plasma reforming process introduces microwaves into the processing chamber using a planar antenna having a plurality of holes, the processing pressure is in a range of 6.7 Pa to 67 Pa, and the total flow rate of the processing gas is the flow ratio of oxygen gas is in the range of 30% 0.1% and the power density of the microwave is performed in the range of 0.51W / cm 2 or more 2.56 W / cm 2 or less, The plasma to be used is controlled so that the active species in the plasma is a plasma having a relatively high concentration of O 2 + ions and O ( 1 D 2 ) radicals as compared to O ( 3 P 2 ) radicals. A processing system characterized by
The processing system according to claim 14, wherein the first processing chamber and the third processing chamber are the same processing chamber.
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