JP5367332B2 - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents
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Description
本実施の形態の半導体装置の製造方法は、n型炭化珪素半導体基板上に設けられたn型エピタキシャル炭化珪素半導体層表面の一部領域にp型不純物をイオン注入し、p型不純物領域を形成する工程と、p型不純物領域を含むn型エピタキシャル炭化珪素半導体層表面に、p型不純物領域以外のn型エピタキシャル炭化珪素半導体層との間にショットキー障壁を形成する第1の金属層を堆積する工程と、第1の金属層上にアルミニウムを含有する第2の金属層を堆積する工程と、第2の金属層を堆積する工程の後に熱処理する工程とを有する。そして、この熱処理により第2の金属層に含有されるアルミニウムを選択的にp型不純物領域に拡散させる。
本実施の形態の半導体装置およびの製造方法は、第1の実施の形態の半導体装置および製造方法を、接合障壁ショットキーダイオードに応用するものである。、第1の実施の形態の半導体装置との構造上の相違は、p型イオン注入領域13の濃度が、5×1015cm−3〜1×1016cm−3程度と第1の実施の形態と比較して低濃度になっている点にある。以下、第1の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態の半導体装置および製造方法は、ショットキー端部だけにサージ対策の目的でp型イオン注入領域を設ける構造を有するショットキーダイオードおよびその製造方法である。
本実施の形態の半導体装置の製造方法および半導体装置は、ショットキー電極材と、パッド電極材との間にバリアメタル層を設けることにより、パッド電極材からのアルミニウムの拡散を制御することを特徴とする。以下、プロセスや材料の選択等、第1、第2の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
12 n型エピタキシャル層
13 p型イオン注入領域
14 SiO2
15、15a、15b ショットキー電極材(チタン)
15c アルミニウム拡散チタン領域
16 バリアメタル(タンタルナイトライド)
17 パッド電極材(アルミニウム)
24 フォトレジスト
Claims (3)
- n型炭化珪素半導体基板上に設けられたn型エピタキシャル炭化珪素半導体層表面の一部領域にp型不純物をイオン注入し、p型不純物領域を形成する工程と、
前記n型エピタキシャル炭化珪素半導体層表面に、前記n型エピタキシャル炭化珪素半導体層との間にショットキー障壁を形成する第1の金属層を堆積する工程と、
前記第1の金属層上にアルミニウムを含有する第2の金属層を堆積する工程と、
前記第2の金属層を堆積する工程の後に熱処理する工程とを有し、
前記熱処理により前記第2の金属層に含有されるアルミニウムを選択的に前記p型不純物領域に拡散させ、
前記第1の金属層を堆積する工程の後に、前記p型不純物領域上の前記第1の金属層を選択的に除去する工程と、
前記第1の金属層を選択的に除去する工程の後、前記第2の金属層を堆積する工程の前に、前記第1の金属層上に、前記第1の金属層と同一組成の第3の金属層を堆積する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記p型不純物がアルミニウムであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の金属層が、チタン、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはチタンシリサイドからなる群より選ばれる1つの金属で形成されることを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体装置の製造方法。
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