JP5358867B2 - ディスプレイパネル - Google Patents
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- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 33
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 claims abstract description 28
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 12
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 102
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 63
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 4
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 3
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 3
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 polyphenylene Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N cadmium;oxotin Chemical compound [Cd].[Sn]=O BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
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- H10K59/873—Encapsulations
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Description
また、画素毎に薄膜トランジスタがパターニングされているため、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子をマトリクス状にパターニングするに際して薄膜トランジスタに接続する下層側のサブピクセル電極を画素毎に独立するようパターニングする。一方、対向電極は、全ての有機エレクトロルミネッセンス素子に共通電極としてベタ一面に成膜する。
絶縁性を有する絶縁層と、
前記絶縁層の上面に設けられた電極と、
前記電極の周囲に設けられた熱応力緩和膜と、
前記熱応力緩和膜の上面に設けられた隔壁と、
を具備し、
前記絶縁層は感光性樹脂又は熱硬化性樹脂の何れかであり、
前記隔壁は金属であり、
前記絶縁層の線膨張係数は前記隔壁の線膨張係数より大きく、
前記熱応力緩和膜は、線膨張係数の値が前記絶縁層の線膨張係数と前記隔壁の線膨張係数との間の値を有する樹脂であることを特徴とする。
前記熱応力緩和膜は、アクリル樹脂、尿素樹脂、シリカ高充填エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂及びエポキシ樹脂の何れかであって、線膨張係数の値が20〜50ppm/℃あることを特徴とする。
前記絶縁層は、コンタクトホールが設けられ、
前記電極は、前記コンタクトホールに設けられた導電体を被覆することによって前記導電体と接続され、
前記熱応力緩和膜は、前記電極の周端及び該電極における前記導電体との接続部を被覆するように設けられていることを特徴とする。
図1から図3を参照しながら、本発明に係るディスプレイパネルについて説明する。
ここで、図1は、ディスプレイパネル1の概略構成を示す平面図である。
本実施形態におけるディスプレイパネル1は、図1に示すように、画素がマトリクス状に配置されている。これらの画素は、略長方形状の1ドットの赤サブピクセルPと、1ドットの緑サブピクセルPと、1ドットの青サブピクセルPとから構成されており、各サブピクセルPは、画素3において、互いの長手方向(以下、垂直方向)が平行となるように、かつ、長手方向と直交する方向(以下、水平方向)に赤サブピクセルP、緑サブピクセルP、青サブピクセルPの順の繰り返しとなるように配列されている。
ここで、図2は、各サブピクセルPにおける回路構成を示す等価回路図である。
何れのサブピクセルPも同様に構成されており、1ドットのサブピクセルPには、図2に示すように、有機EL素子20と、いずれもNチャネル型アモルファスシリコン薄膜トランジスタであるスイッチトランジスタ21、保持トランジスタ22及び駆動トランジスタ23と、キャパシタ24とが具備されている。これら薄膜トランジスタは、全てポリシリコントランジスタでもよく、Pチャネル型、或いはNチャネル型及びPチャネル型の組合せでもよい。
ここで、図3は、図1に示された破断線III―IIIに沿って絶縁基板2の厚さ方向に切断した矢視断面図である。
本実施形態におけるディスプレイパネル1には、図3に示すように、絶縁基板2が具備されており、この絶縁基板2の上面には、ゲート絶縁膜31がベタ一面に成膜されている。また、このゲート絶縁膜31の上面には、スイッチトランジスタ21、保持トランジスタ22、駆動トランジスタ23及びキャパシタ24が配設されており、これらスイッチトランジスタ21、保持トランジスタ22、駆動トランジスタ23及びキャパシタ24は、共通のトランジスタ保護絶縁膜32によって被覆されている。
また、図3において図示されていない保持トランジスタ22も、上述したスイッチトランジスタ21及び駆動トランジスタ23と同様に構成され、半導体膜のチャネル幅、チャネル長や、チャネル長に応じたゲート、ソース、ドレインの長さの違いを除けば、同様の構造となっている。
ここで、本実施形態における絶縁基板2から平坦化膜33までの積層構造を、トランジスタアレイパネル50という。
また、本実施形態において適用可能なアクリル樹脂の具体例としては、PC−403(JSR社製)や、FPR−510(ナガセケミカル社製)等が挙げられる。
ここで、本実施形態においては、サブピクセル電極20a、有機EL層20b、対向電極20cの順に積層されたものを有機EL素子20とする。
本実施例におけるディスプレイパネル1は、平坦化膜33にアクリル系感光性樹脂を、金属隔壁Wに銅をそれぞれ用いた。ここで、アクリル系感光性樹脂の一般的な線膨張係数は70〜80ppm/℃であり、銅の一般的な線膨張係数の値は、16〜17ppm/℃である。また、熱応力緩和膜34には、線膨張係数が40〜50ppm/℃であるエポキシ系樹脂を用いた。
20a サブピクセル電極
20b 有機EL層
33 平坦化膜
34 熱応力緩和膜
91 コンタクトホール
92 導電性パッド
W 金属隔壁
Claims (5)
- 絶縁性を有する絶縁層と、
前記絶縁層の上面に設けられた電極と、
前記電極の周囲に設けられた熱応力緩和膜と、
前記熱応力緩和膜の上面に設けられた隔壁と、
を具備し、
前記絶縁層は感光性樹脂又は熱硬化性樹脂の何れかであり、
前記隔壁は金属であり、
前記絶縁層の線膨張係数は前記隔壁の線膨張係数より大きく、
前記熱応力緩和膜は、線膨張係数の値が前記絶縁層の線膨張係数と前記隔壁の線膨張係数との間の値を有する樹脂であることを特徴とするディスプレイパネル。 - 前記隔壁は、銅(線膨張係数:16〜17ppm/℃)、金(線膨張係数:13〜15ppm/℃)、ニッケル(線膨張係数:13〜14ppm/℃)、クロム(線膨張係数:4〜6ppm/℃)及びタングステン(線膨張係数:4〜5ppm/℃)の何れか、又はこれらの何れかを主成分とする合金であり、
前記熱応力緩和膜は、アクリル樹脂、尿素樹脂、シリカ高充填エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂及びエポキシ樹脂の何れかであって、線膨張係数の値が20〜50ppm/℃あることを特徴とする請求項1に記載のディスプレイパネル。 - 前記絶縁層は、アクリル系感光性樹脂を有する平坦化膜であり、線膨張係数の値が70〜80ppm/℃であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のディスプレイパネル。
- 前記絶縁層は、コンタクトホールが設けられ、
前記電極は、前記コンタクトホールに設けられた導電体を被覆することによって前記導電体と接続され、
前記熱応力緩和膜は、前記電極の周端及び該電極における前記導電体との接続部を被覆するように設けられていることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。 - 前記電極は、当該電極の上面に有機EL層が設けられていることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005224079A JP5358867B2 (ja) | 2005-08-02 | 2005-08-02 | ディスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005224079A JP5358867B2 (ja) | 2005-08-02 | 2005-08-02 | ディスプレイパネル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007041203A JP2007041203A (ja) | 2007-02-15 |
JP5358867B2 true JP5358867B2 (ja) | 2013-12-04 |
Family
ID=37799254
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005224079A Expired - Fee Related JP5358867B2 (ja) | 2005-08-02 | 2005-08-02 | ディスプレイパネル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5358867B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104509206B (zh) * | 2012-09-13 | 2017-04-26 | 松下知识产权经营株式会社 | 有机电致发光元件 |
TWI723416B (zh) * | 2018-06-05 | 2021-04-01 | 南韓商Lg化學股份有限公司 | 封裝膜 |
CN111554825B (zh) * | 2020-04-29 | 2022-03-22 | 云谷(固安)科技有限公司 | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001135753A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-05-18 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 半導体モジュール用基板及びその製造方法 |
JP2005196225A (ja) * | 2001-01-18 | 2005-07-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び発光装置の作製方法 |
JP2004095482A (ja) * | 2002-09-03 | 2004-03-25 | Chi Mei Electronics Corp | 画像表示装置 |
JP4556566B2 (ja) * | 2003-11-11 | 2010-10-06 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
-
2005
- 2005-08-02 JP JP2005224079A patent/JP5358867B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007041203A (ja) | 2007-02-15 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110720 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130806 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |