JP5338912B2 - 弾性波フィルタ装置及びそれを備える分波器 - Google Patents

Description

本発明は、弾性波フィルタ装置に関し、詳細には、通過帯域と、通過帯域の高域側に位置する減衰帯域とを有する弾性波フィルタ装置及びそれを備える分波器に関する。

従来、弾性波フィルタ装置を受信フィルタや送信フィルタなどの帯域フィルタとして利用した分波器が知られている。分波器の一部を構成する帯域フィルタには、分波器の高いアイソレーション特性を実現するために、通過帯域外における減衰量が大きいことが求められている。特に、無線通信用の高周波の帯域においては、送信帯域と受信帯域とが非常に近接している帯域を利用するため、例えば、送信フィルタに関しては、通過帯域の高域側の減衰帯域における減衰量が大きいことが強く求められる。

減衰帯域における十分に大きな減衰量を確保する技術としては、例えば、下記の特許文献１には、ラダー型フィルタに直列共振子を直列接続する技術が記載されている。

特開平７−１５４２００号公報

例えば、下記の特許文献１に記載のように、ラダー型フィルタに直列共振子をさらに直列接続した場合、直列共振子を別途設けなければならない分、フィルタ装置の構成が複雑化すると共に、フィルタ装置が大型化するという問題があった。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、通過帯域と、通過帯域の高域側に位置する減衰帯域とを有する弾性波フィルタ装置及びそれを備える分波器において、弾性波フィルタ装置を大型化させることなく、減衰帯域における減衰量を増大させることにある。

本発明に係る弾性波フィルタ装置は、入力端子と、出力端子と、第１の共振子と、第２の共振子とを備えている。第１の共振子は、入力端子と出力端子との間に設けられている。第２の共振子は、入力端子または出力端子と第１の共振子との間の接続点と、グラウンド電位との間に接続されている。本発明に係る弾性波フィルタ装置では、第１及び第２の共振子により、通過帯域と、通過帯域の高域側に減衰帯域とが形成されている。第２の共振子は、通過帯域の形成に寄与している応答以外の応答を有している。第２の共振子の通過帯域の形成に寄与している応答以外の応答の共振周波数（ｆ_Ｆｒｈ）から通過帯域の中心周波数（ｆ_ｃ）を減算した値（ｆ_Ｆｒｈ−ｆ_ｃ）を通過帯域の中心周波数で規格化した値（（ｆ_Ｆｒｈ−ｆ_ｃ）／ｆ_ｃ）は、０．０７３〜０．２５０の範囲内にある。なお、本発明において、共振子の応答とは、詳細には、インピーダンス特性上に現れる応答のことを意味している。

本発明のある特定の局面では、入力端子と出力端子とを接続する直列腕において、直列腕共振子を構成するように、第１の共振子が設けられており、第２の共振子は、直列腕とグラウンド電位との間に接続されている並列腕に配置されている並列腕共振子を構成するように設けられている。すなわち、本発明のある特定の局面では、弾性波フィルタ装置は、ラダー型の弾性波フィルタ装置である。

本発明の他の特定の局面では、第１の共振子は、入力端子と出力端子との間に接続されている縦結合共振子型弾性波フィルタ部を構成しており、第２の共振子は、入力端子または出力端子と縦結合共振子型弾性波フィルタ部との間の接続点と、グラウンド電位との間に接続されている。すなわち、本発明の他の特定の局面では、弾性波フィルタ装置は、縦結合共振子型弾性波フィルタ部と、並列トラップとしての第２の共振子とを有する弾性波フィルタ装置である。

本発明の別の特定の局面では、第１及び第２の共振子のそれぞれは、圧電基板と、圧電基板の上に形成されている第１の誘電体層と、圧電基板と第１の誘電体層との間の境界に形成されているＩＤＴ電極とを有する弾性境界波共振子である。

本発明のさらに他の特定の局面では、第１及び第２の共振子のそれぞれは、第１の誘電体層の上に形成されており、第１の誘電体層よりも速い音速を有する第２の誘電体層をさらに有する弾性境界波共振子である。

本発明のさらに別の特定の局面では、入力端子と出力端子とを接続する直列腕において、互いに直列に接続されている直列腕共振子を構成するように、第１の共振子が設けられており、第２の共振子は、直列腕とグラウンド電位との間に接続されている並列腕に配置されている並列腕共振子を構成するように設けられており、ＩＤＴ電極は、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金からなる導電膜を主たる導電膜として有しており、第１の共振子のＩＤＴ電極の電極指ピッチで決まる波長で規格化された主たる導電膜の膜厚が１０％〜３０％の範囲内にある。この構成によれば、減衰帯域の減衰量をより大きくすることができる。

本発明のまた他の特定の局面では、入力端子と出力端子とを接続する直列腕において、互いに直列に接続されている直列腕共振子を構成するように、第１の共振子が設けられており、第２の共振子は、直列腕とグラウンド電位との間に接続されている並列腕に配置されている並列腕共振子を構成するように設けられており、第１の誘電体層は、酸化珪素からなり、第１の共振子のＩＤＴ電極の電極指ピッチで決まる波長で規格化された第１の誘電体層の厚みが４０％〜７０％の範囲内にある。この構成によれば、減衰帯域の減衰量をより大きくすることができる。

本発明のまた別の特定の局面では、第２の共振子の通過帯域の形成に寄与している応答以外の応答は、通過帯域の形成に寄与している応答の高次モードである。

本発明のさらにまた他の特定の局面では、第２の共振子の通過帯域の形成に寄与している応答以外の応答は、通過帯域の形成に寄与している応答とは種類が異なる応答である。

本発明に係る分波器は、上記本発明にかかる弾性波フィルタを備えている。

本発明では、入力端子または出力端子と第１の共振子との間の接続点と、グラウンド電位との間に接続されている第２の共振子の通過帯域の形成に寄与している応答以外の応答の共振周波数（ｆ_Ｆｒｈ）から通過帯域の中心周波数（ｆ_ｃ）を減算した値（ｆ_Ｆｒｈ−ｆ_ｃ）を通過帯域の中心周波数で規格化した値（（ｆ_Ｆｒｈ−ｆ_ｃ）／ｆ_ｃ）が、０．０７３〜０．２５０の範囲内とされている。よって、減衰帯域における減衰量を増大させるための別途の共振子を必要としないため、弾性波フィルタ装置を大型化させることなく減衰帯域における減衰量を増大させることができる。従って、本発明の弾性波フィルタ装置を分波器に用いることにより、高いアイソレーション特性を実現することができる。

図１は、第１の実施形態における弾性境界波フィルタ装置の略図的構成図である。 図２は、第１の実施形態における弾性波共振子の略図的断面図である。 図３は、第１の実施形態における弾性波共振子の一部を拡大した略図的断面図である。 図４は、第１の実施形態における弾性波共振子の電極構造を説明するための略図的平面図である。 図５は、第１の実施形態における弾性境界波フィルタ装置のフィルタ特性と並列腕共振子及び直列腕共振子のインピーダンス特性とを表すグラフである。 図６は、第１の実施形態における（ｆ_Ｆｒｈ−ｆ_ｃ）／ｆ_ｃと１８８０ＭＨｚにおける減衰量との関係を表すグラフである。 図７は、第１の実施形態におけるデュプレクサの略図的構成図である。 図８は、第１の実施形態におけるデュプレクサの受信フィルタの略図的構成図である。 図９は、種々の第２の主たる導電膜の厚みにおける並列腕共振子のインピーダンス特性を表すグラフである。 図１０は、種々の第２の主たる導電膜の厚みにおける弾性境界波フィルタ装置のフィルタ特性を表すグラフである。 図１１は、図１０に示すグラフの一部を拡大したグラフである。 図１２は、種々の第２の主たる導電膜の厚みにおけるデュプレクサのアイソレーション特性を表すグラフである。 図１３は、種々の第１の誘電体層の厚みにおける第２の共振子のインピーダンス特性を表すグラフである。 図１４は、種々の第１の誘電体層の厚みにおける弾性境界波フィルタ装置のフィルタ特性を表すグラフである。 図１５は、図１４に示すグラフの一部を拡大したグラフである。 図１６は、種々の第１の誘電体層の厚みにおけるデュプレクサのアイソレーション特性を表すグラフである。 図１７は、第２の実施形態における弾性波共振子の略図的構成図である。

以下、本発明を実施した好ましい形態の例について説明する。

（第１の実施形態）
図１は、本実施形態の弾性境界波フィルタ装置の略図的構成図である。

図１に示す弾性境界波フィルタ装置１は、ラダー型の弾性境界波フィルタ装置１である。弾性境界波フィルタ装置１は、入力端子１１と、出力端子１２とを備えている。入力端子１１と出力端子１２との間には、直列腕共振子Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ２１〜Ｓ２３，Ｓ３１，Ｓ３２が第１の共振子として設けられている。具体的には、入力端子１１と出力端子１２とは、直列腕１３によって接続されている。第１〜第３の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ３は、直列腕１３において、互いに直列に接続されている。本実施形態では、第１の直列腕共振子Ｓ１は、互いに直列に接続されている２つの直列腕共振子Ｓ１１、Ｓ１２により構成されている。第２の直列腕共振子Ｓ２は、互いに直列に接続されている３つの直列腕共振子Ｓ２１〜Ｓ２３により構成されている。第３の直列腕共振子Ｓ３は、互いに直列に接続されている２つの直列腕共振子Ｓ３１、Ｓ３２により構成されている。

直列腕１３と、グラウンド電位に接続されているグラウンド電極１５ａ、１５ｂとの間には、３つの並列腕１４ａ〜１４ｃが接続されている。具体的には、第１の直列腕共振子Ｓ１と第２の直列腕共振子Ｓ２との接続点１３ａと、グラウンド電極１５ａとの間には、第１の並列腕１４ａが接続されている。第１の並列腕１４ａには、第１の並列腕共振子Ｐ１が設けられている。第１の並列腕共振子Ｐ１は、互いに直列に接続されている２つの並列腕共振子Ｐ１１、Ｐ１２により構成されている。第１の並列腕共振子Ｐ１とグラウンド電極１５ａとの間には、第１のインダクタＬ１が設けられている。

第２の直列腕共振子Ｓ２と第３の直列腕共振子Ｓ３との間の接続点１３ｂと、グラウンド電極１５ｂとの間には、第２の並列腕１４ｂが接続されている。第２の並列腕１４ｂには、第２の並列腕共振子Ｐ２が設けられている。第２の並列腕共振子Ｐ２は、互いに直列に接続されている２つの並列腕共振子Ｐ２１、Ｐ２２により構成されている。

第３の直列腕共振子Ｓ３と出力端子１２との間の接続点１３ｃとグラウンド電極１５ｂとの間には、第３の並列腕１４ｃが接続されている。第３の並列腕１４ｃには、第３の並列腕共振子Ｐ３が設けられている。第３の並列腕共振子Ｐ３は、互いに直列に接続されている２つの並列腕共振子Ｐ３１、Ｐ３２により構成されている。

第２の並列腕共振子Ｐ２と第３の直列腕共振子Ｓ３との接続点と、グラウンド電極１５ｂとの間には、第２のインダクタＬ２が設けられている。

なお、以下の説明において、直列腕共振子Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ２１〜Ｓ２３，Ｓ３１，Ｓ３２を直列腕共振子Ｓと総称することがある。また、並列腕共振子Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ３１，Ｐ３２を並列腕共振子Ｐと総称することがある。また、直列腕共振子Ｓと、並列腕共振子Ｐとを「共振子２９」と総称することがある。

本実施形態では、弾性境界波フィルタ装置１は、弾性境界波を利用したフィルタ装置であり、共振子２９は、弾性境界波共振子である。具体的には、本実施形態では、共振子２９は、所謂３媒質型の弾性境界波共振子である。より具体的には、図２〜図４に示すように、共振子２９は、圧電基板２０と、第１及び第２の誘電体層２１，２２とを備えている。

圧電基板２０は、圧電効果を発現する基板であれば特に限定されないが、例えば、ＬｉＴａＯ_３基板やＬｉＮｂＯ_３基板などの基板により構成することができる。

第１の誘電体層２１は、圧電基板２０の上に形成されている。第１の誘電体層２１と圧電基板２０の間に境界には、ＩＤＴ電極３０と、第１及び第２のグレーティング反射器３３，３４が形成されている。第１の誘電体層２１の圧電基板２０とは反対側の表面上には、第２の誘電体層２２が形成されている。

第２の誘電体層２２は、第１の誘電体層２１よりも速い音速を有しているため、ＩＤＴ電極３０において励振された弾性波は、第１の誘電体層２１に閉じ込められ、第１の誘電体層２１内を伝搬する。

第１及び第２の誘電体層２１，２２の材質は、第２の誘電体層２２の音速が第１の誘電体層２１の音速よりも速くなる限りにおいて特に限定されない。例えば、第１の誘電体層２１を、ＳｉＯ_２などの酸化珪素により形成し、第２の誘電体層２２をＳｉＮなどの窒化珪素により形成することができる。

本実施形態において、ＩＤＴ電極３０と、第１及び第２のグレーティング反射器３３，３４とは、同様の膜構成により構成されている。図３に、ＩＤＴ電極３０の膜構成を代表して示している。図３に示すように、ＩＤＴ電極３０及び第１及び第２のグレーティング反射器３３，３４は、第１〜第３の主たる導電膜３０ａ〜３０ｃを備えている。そして、第１〜第３の主たる導電膜３０ａ〜３０ｃ相互間、第１の主たる導電膜３０ａと圧電基板２０との間、及び第３の主たる導電膜３０ｃと第１の誘電体層２１との間のそれぞれには、密着膜３０ｄ〜３０ｆまたは保護膜３０ｇが設けられている。

具体的には、本実施形態では、圧電基板２０の上には、ＮｉＣｒからなる密着膜３０ｄを介して、Ｐｔからなる第１の主たる導電膜３０ａが形成されている。第１の主たる導電膜３０ａの上には、Ｔｉからなる密着膜３０ｅを介して、ＡｌＣｕからなる第２の主たる導電膜３０ｂが形成されている。第２の主たる導電膜３０ｂの上には、Ｔｉからなる密着膜３０ｆを介して、Ｐｔからなる第３の主たる導電膜３０ｃが形成されている。第３の主たる導電膜３０ｃと第１の誘電体層２１との間には、Ｔｉからなる保護膜３０ｇが形成されている。なお、本発明において主たる導電膜とは、Ｐｔ、Ａｌ、Ｃｕなどの比較的導電性の高い材料を含む膜であって、比較的厚膜である膜のことをいう。

次に、本実施形態における共振子２９を構成するＩＤＴ電極３０と、第１及び第２のグレーティング反射器３３，３４との平面形状について図４を参照して説明する。図４に示すように、ＩＤＴ電極３０は、互いに間挿し合う第１及び第２のくし歯電極３１，３２を有している。第１及び第２のくし歯電極３１，３２のそれぞれは、バスバー３１ａ、３２ａと、バスバー３１ａ、３２ａから延びる電極指３１ｂ、３２ｂ及びダミー電極３１ｃ、３２ｃとを有する。ＩＤＴ電極３０は、所謂交叉幅重み付けがなされており、電極指３１ｂ、３２ｂの先端を通過する包絡線ｌ１、ｌ２により囲まれた領域が略菱形となるように構成されている。なお、本発明において、ＩＤＴ電極は、特に限定されず、正規型のＩＤＴ電極であってもよいし、交叉幅重み付け以外の重み付けが施されたＩＤＴ電極であってもよい。

第１及び第２のグレーティング反射器３３，３４は、ＩＤＴ電極３０の弾性波伝搬方向の両側に配置されている。

図５は、本実施形態における弾性境界波フィルタ装置のフィルタ特性と並列腕共振子及び直列腕共振子のインピーダンス特性とを表すグラフである。図５中、実線が弾性境界波フィルタ装置のフィルタ特性を示し、一点破線が直列腕共振子のインピーダンス特性を示し、二点破線が並列腕共振子のインピーダンス特性を示している。

図５に示すように、直列腕共振子Ｓのメインの応答Ｒｓ１の共振点及び***振点のそれぞれは、並列腕共振子Ｐのメインの応答Ｒｐ１の共振点及び***振点よりも高域側に位置している。そして、直列腕共振子Ｓのメインの応答Ｒｓ１の共振周波数と、並列腕共振子Ｐのメインの応答Ｒｐ１の***振周波数とがほぼ等しく設定されている。直列腕共振子Ｓのメインの応答Ｒｓ１の共振周波数と、並列腕共振子Ｐのメインの応答Ｒｐ１の***振周波数とに近い周波数帯域においては、入力端子１１と出力端子１２との間のインピーダンス値が小さくなり、減衰量が小さくなるため、通過帯域が形成されている。本実施形態の弾性境界波フィルタ装置１は、送信フィルタとして使用されるものである。

通過帯域の低域側及び高域側には、減衰帯域が形成されている。これら減衰帯域のうち、通過帯域の低域側に位置する減衰帯域は、主として、並列腕共振子Ｐのメインの応答Ｒｐ１の共振点によって形成される。一方、通過帯域の高域側に位置する減衰帯域は、主として、直列腕共振子Ｓのメインの応答Ｒｓ１の***振点により形成される。また、通過帯域の高域側に位置する減衰帯域には、減衰帯域における並列腕共振子Ｐのインピーダンス値も寄与しており、減衰帯域における並列腕共振子Ｐのインピーダンス値が小さいほど減衰帯域における減衰量が大きくなる。

ところで、弾性境界波共振子である、並列腕共振子Ｐや直列腕共振子Ｓを用いた場合、通過帯域や通過帯域の両側の減衰帯域の形成に寄与するメインの応答Ｒｐ１，Ｒｓ１以外にも応答が存在する。具体的には、例えば、メインの応答Ｒｐ１，Ｒｓ１の高次モードや、メインの応答Ｒｐ１，Ｒｓ１とは種類が異なる応答などが存在する。例えば、メインの応答Ｒｐ１，Ｒｓ１がＳＨ波による応答及びストンリー波による応答のうちの一方である場合、他方の弾性境界波による応答が存在する。

従来、このようなメインの応答Ｒｐ１，Ｒｓ１以外の他の応答がメインの応答Ｒｐ１，Ｒｓ１の近傍に位置していると、フィルタ特性に悪影響を及ぼすものと考えられており、通常、上記他の応答が、フィルタ特性に悪影響を及ぼさないように、メインの応答Ｒｐ１，Ｒｓ１から十分に離れて位置するように並列腕共振子Ｐや直列腕共振子Ｓの設計が行われていた。

本発明者らは、メインの応答Ｒｐ１，Ｒｓ１及びそれ以外の他の応答との位置関係と、フィルタ特性との関係について鋭意研究した結果、他の応答を、メインの応答Ｒｐ１，Ｒｓ１にある程度近づけた場合に、通過帯域の高域側に位置する減衰帯域における減衰量を増大できることを見出した。

具体的には、並列腕共振子Ｐのメインの応答Ｒｐ１以外の応答Ｒｐ２の共振周波数（ｆ_Ｆｒｈ）から通過帯域（１７１０〜１７８５ＭＨｚ）の中心周波数（ｆ_ｃ＝１７４７．５ＭＨｚ）を減算した値（ｆ_Ｆｒｈ−ｆ_ｃ）を通過帯域の中心周波数で規格化した値（（ｆ_Ｆｒｈ−ｆ_ｃ）／ｆ_ｃ＝（ｆ_Ｆｒｈ−１７４７．５ＭＨｚ）／１７４７．５ＭＨｚ）を０．０７３〜０．２５０の範囲内とすることにより、通過帯域の高域側に位置する減衰帯域における減衰量を十分な値に増大できることを見出した。このことについて、図６を主として参照しつつ、さらに詳細に説明する。

図６は、並列腕共振子Ｐのメインの応答Ｒｐ１以外の応答Ｒｐ２の共振周波数（ｆ_Ｆｒｈ）から通過帯域（１７１０〜１７８５ＭＨｚ）の中心周波数（ｆ_ｃ＝１７４７．５ＭＨｚ）を減算した値（ｆ_Ｆｒｈ−ｆ_ｃ）を通過帯域の中心周波数で規格化した値（（ｆ_Ｆｒｈ−ｆ_ｃ）／ｆ_ｃ＝（ｆ_Ｆｒｈ−１７４７．５ＭＨｚ）／１７４７．５ＭＨｚ）と、通過帯域（１７１０〜１７８５ＭＨｚ）の高域側に位置する減衰帯域に含まれる１８８０ＭＨｚにおける減衰量との関係を表すグラフである。図６より、並列腕共振子Ｐの応答Ｒｐ２が、メインの応答Ｒｐ１が形成に寄与している通過帯域に近づいていくと、応答Ｒｐ２が通過帯域から十分に離れているときよりも、通過帯域の高域側に位置する減衰帯域における減衰量が大きくなることがわかる。そして、並列腕共振子Ｐの応答Ｒｐ２が、通過帯域の中心周波数にさらに近づいていくと、逆に、通過帯域の高域側に位置する減衰帯域における減衰量が小さくなり、ついには、応答Ｒｐ２が通過帯域から十分に離れているときよりも減衰量が小さくなってしまうことが分かる。具体的には、図６に示す結果から、（ｆ_Ｆｒｈ−ｆ_ｃ）／ｆ_ｃが、０．０７３〜０．２５０の範囲内にあるときに、通過帯域の高域側に位置する減衰帯域における減衰量が増大するという効果が大きいことが分かる。本実施形態では、（ｆ_Ｆｒｈ−ｆ_ｃ）／ｆ_ｃが、０．０７３〜０．２５０の範囲内にあるときに、通過帯域の高域側に位置する減衰帯域における減衰量を３９．５ｄＢ以上とすることができる。また、ＩＤＴ電極を構成する電極の膜厚が薄すぎると、抵抗が増加して挿入損失が劣化してしまう。このため、電極膜厚は２００ｎｍ以上必要である。このとき、（ｆ_Ｆｒｈ−ｆ_ｃ）／ｆ_ｃは０．２５０以下の値をとる。このことからも、（ｆ_Ｆｒｈ−ｆ_ｃ）／ｆ_ｃの上限を０．２５０とするのがよいことがわかる。

また、図６に示す結果から、（ｆ_Ｆｒｈ−ｆ_ｃ）／ｆ_ｃを０．１５８以下とすることにより、通過帯域の高域側に位置する減衰帯域における減衰量をより大きくすることができる。このため、（ｆ_Ｆｒｈ−ｆ_ｃ）／ｆ_ｃは０．１５８以下であることが好ましい。

なお、（ｆ_Ｆｒｈ−ｆ_ｃ）／ｆ_ｃが、０．２５０以下となったとき、すなわち、応答Ｒｐ２の共振周波数が通過帯域にある程度以上近づいたときに、通過帯域の高域側に位置する減衰帯域における減衰量が増大する理由は定かではないが、以下の理由によるものと考えられる。すなわち、応答Ｒｐ２がメインの応答Ｒｐ１に対して十分に高域側に位置しているときは、メインの応答Ｒｐ１により形成される通過帯域の高域側の減衰帯域に対して応答Ｒｐ２が及ぼす影響は皆無である。しかしながら、応答Ｒｐ２の共振周波数が減衰帯域に近づいていくと、インピーダンス値が小さい応答Ｒｐ２の共振点が低域側にシフトし、その影響を受け、メインの応答Ｒｐ１の***振点の高域側におけるインピーダンス値が低下する。このため、通過帯域の高域側に位置する減衰帯域の減衰量が大きくなると考えられる。一方、（ｆ_Ｆｒｈ−ｆ_ｃ）／ｆ_ｃが、０．０７３以下となったとき、すなわち、応答Ｒｐ２の共振周波数が通過帯域に近づきすぎたときに通過帯域高域側の減衰帯域における減衰量が逆に小さくなるのは、インピーダンス値の小さな応答Ｒｐ２の共振点が減衰帯域に近づくと共に、インピーダンス値の大きな***振点も減衰帯域に近づく。このため、共振点が減衰帯域の減衰量を大きくする効果よりも、***振点が減衰帯域の減衰量を小さくする効果の方が大きくなると考えられる。

なお、通過帯域の上限（１７８５ＭＨｚ）をｆ_ｈとすると、０．０７３≦（ｆ_Ｆｒｈ−ｆ_ｃ）／ｆ_ｃ≦０．２５０の範囲は、０．０５≦（ｆ_Ｆｒｈ−ｆ_ｈ）／ｆ_ｈ≦０．２１２に換算することができる。

以上のように、本実施形態の弾性境界波フィルタ装置１は、通過帯域の高域側の減衰帯域における減衰量が大きいため、例えば、分波器などに有用である。特に、例えば、送信帯域（１７１０〜１７８５ＭＨｚ）と受信帯域（１８０５〜１８８０ＭＨｚ）とが近接している分波器の送信フィルタとして有用である。

図７は、上記弾性境界波フィルタ装置１を送信フィルタとして備えるデュプレクサ３の略図的模式図である。図７に示すように、デュプレクサ３は、アンテナ端子Ａｎｔ．と、送信側信号端子Ｔｘと、受信側信号端子Ｒｘ１，Ｒｘ２とを備えている。送信側信号端子Ｔｘは、ひとつのみ設けられており、不平衡信号端子である。一方、受信側信号端子Ｒｘ１，Ｒｘ２は、２つ設けられており、平衡信号端子である。

アンテナ端子Ａｎｔ．と送信側信号端子Ｔｘとの間には、送信フィルタとしての上記弾性境界波フィルタ装置１が接続されている。一方、アンテナ端子Ａｎｔ．と受信側信号端子Ｒｘ１，Ｒｘ２との間には、受信フィルタ２が設けられている。送信フィルタ１及び受信フィルタ２とアンテナ端子Ａｎｔ．の接続点とグラウンド電位との間には、インダクタＬ３が接続されている。

図８は、受信フィルタ２の略図的構成図である。図８に示す受信フィルタ２は、縦結合共振子型弾性波フィルタ装置である。図８に示すように、不平衡信号端子４１と、一対の平衡信号端子４２ａ、４２ｂとを備えている。不平衡信号端子４１は、図７に示すアンテナ端子案Ａｎｔ．に接続されている。一方、平衡信号端子４２ａ、４２ｂは、図７に示す受信側信号端子Ｒｘ１，Ｒｘ２に接続されている。

不平衡信号端子４１と第１の平衡信号端子４２ａとの間には、第１の弾性境界波フィルタ部４４ａが接続されている。一方、不平衡信号端子４１と第２の平衡信号端子４２ｂとの間には、第２の弾性境界波フィルタ部４４ｂが接続されている。不平衡信号端子４１と第１及び第２の弾性境界波フィルタ部４４ａ、４４ｂとの間には、弾性境界波共振子４３が接続されている。また、第１及び第２の弾性境界波フィルタ部４４ａ、４４ｂと、平衡信号端子４２ａ、４２ｂとの間のそれぞれには、弾性境界波共振子４５ａ、４５ｂが接続されている。

デュプレクサ３は、送信帯域（１７１０〜１７８５ＭＨｚ）と受信帯域（１８０５〜１８８０ＭＨｚ）とが近接している分波器である。このため、デュプレクサ３では、送信フィルタを構成している弾性境界波フィルタ装置１の通過帯域（送信帯域）の高域側の減衰帯域における減衰量が大きいことが強く求められる。ここで、上述のように、本実施形態の弾性境界波フィルタ装置１では、通過帯域の高域側の減衰帯域における減衰量が大きい。従って、本実施形態の弾性境界波フィルタ装置１を送信フィルタとして備えるデュプレクサ３は、送信側信号端子Ｔｘと、受信側信号端子Ｒｘ１，Ｒｘ２との間の良好なアイソレーション特性を有している。

次に、通過帯域の中心周波数と、応答Ｒｐ２の共振周波数との間の周波数差の制御方法、すなわち、メインの応答Ｒｐ１の***振周波数と応答Ｒｐ２の共振周波数との間の周波数差の制御方法について説明する。メインの応答Ｒｐ１の***振周波数と応答Ｒｐ２の共振周波数との間の周波数差の制御方法は、特に限定されないが、例えば、ＩＤＴ電極３０を構成する主たる導電膜３０ａ〜３０ｃの膜厚を変更することによって制御することができる。

図９は、下記の設計パラメータを有する本実施形態の弾性境界波フィルタ装置１において、第２の主たる導電膜３０ｂの膜厚を種々変化させたときの並列腕共振子Ｐのインピーダンス特性を表すグラフである。なお、図９において、実線が、ＡｌＣｕからなる第２の主たる導電膜３０ｂの膜厚が２２５ｎｍ（ｈ／λ＝１０．６％、但し、λは、並列腕共振子Ｐの電極指間ピッチで決定される波長）であるときのインピーダンス特性を示している。二点破線が、ＡｌＣｕからなる第２の主たる導電膜３０ｂの膜厚が３００ｎｍ（ｈ／λ＝１４．１％）であるときのインピーダンス特性を示している。一点破線が、ＡｌＣｕからなる第２の主たる導電膜３０ｂの膜厚が４００ｎｍ（ｈ／λ＝１８．８％）であるときのインピーダンス特性を示している。

図９に示すように、第２の主たる導電膜３０ｂの膜厚を変化させた場合、メインの応答Ｒｐ１の***振周波数はほとんど変化しないのに対して、応答Ｒｐ２の共振周波数は、大きく変化することが分かる。この結果から、主たる導電膜３０ａ〜３０ｃのうちの少なくともひとつの膜厚を変化させることにより、メインの応答Ｒｐ１の***振周波数と応答Ｒｐ２の共振周波数との間の周波数差を制御できることが分かる。具体的には、主たる導電膜３０ａ〜３０ｃの膜厚を大きくすることにより、メインの応答Ｒｐ１の***振周波数と応答Ｒｐ２の共振周波数との間の周波数差を小さくできることが分かる。

また、種々の第２の主たる導電膜３０ｂの厚みにおける本実施形態の弾性境界波フィルタ装置１のフィルタ特性を図１０及び図１１に示す。さらに、種々の第２の主たる導電膜３０ｂの厚みにおける本実施形態の弾性境界波フィルタ装置１を用いたデュプレクサ３における送信側信号端子Ｔｘと受信側信号端子Ｒｘ１，Ｒｘ２との間のアイソレーション特性を図１２に示す。なお、図１０〜図１２において、実線が、ＡｌＣｕからなる第２の主たる導電膜３０ｂの膜厚が２２５ｎｍ（Ｈ／λ（Ｓ２−１）＝１１％）であるときのデータである。一点破線が、ＡｌＣｕからなる第２の主たる導電膜３０ｂの膜厚が４５０ｎｍ（Ｈ／λ（Ｓ２−１）＝２３％）であるときのデータである。二点破線が、ＡｌＣｕからなる第２の主たる導電膜３０ｂの膜厚が６００ｎｍ（Ｈ／λ（Ｓ２−１）＝３０％）であるときのデータである。

図１０及び図１１に示すように、第２の主たる導電膜３０ｂの膜厚が大きくなり、メインの応答Ｒｐ１の***振周波数と応答Ｒｐ２の共振周波数との間の周波数差が小さくなるほど、図１０において丸で囲んだ減衰帯域における減衰量が大きくなることが分かる。

同様に、図１２に示す結果から、第２の主たる導電膜３０ｂの膜厚が大きくなり、メインの応答Ｒｐ１の***振周波数と応答Ｒｐ２の共振周波数との間の周波数差が小さくなるほど、送信側信号端子Ｔｘと受信側信号端子Ｒｘ１，Ｒｘ２との間のアイソレーション特性が良好になることが分かる。

図１０〜図１２に示す結果から、通過帯域の高域側の減衰帯域における減衰量をより大きくし、送信側信号端子Ｔｘと受信側信号端子Ｒｘ１，Ｒｘ２との間のアイソレーション特性をより良好にするためには、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金からなる主たる導電膜の波長規格化膜厚は、１０％〜３０％の範囲内にあることが好ましいことが分かる。

（設計パラメータ）
直列腕共振子Ｓ１：
波長（λ）：２０１３ｎｍ
交叉幅：２８．６５λ
対数：１１８
デューティー：０．５
並列腕共振子Ｐ１：
波長（λ）：２１２９ｎｍ
交叉幅：４８．９０λ
対数：１３０
デューティー：０．５
直列腕共振子Ｓ２１，Ｓ２２：
波長（λ）：２０２２ｎｍ
交叉幅：９２．４５λ
対数：１２１
デューティー：０．５
直列腕共振子Ｓ２３：
波長（λ）：２００８ｎｍ
交叉幅：３４．７４λ
対数：８１
デューティー：０．５
並列腕共振子Ｐ２：
波長（λ）：２１２９ｎｍ
交叉幅：４９．０３λ
対数：１３７
デューティー：０．５
直列腕共振子Ｓ３：
波長（λ）：２０１４ｎｍ
交叉幅：３３．２２λ
対数：９７
デューティー：０．５
並列腕共振子Ｐ３：
波長（λ）：２１１５ｎｍ
交叉幅：３４．４５λ
対数：８７
デューティー：０．５

ＩＤＴ電極を構成する各膜の膜厚：
密着膜３０ｄ：１０ｎｍ、第１の主たる導電膜３０ａ：３６ｎｍ、密着膜３０ｅ：１０ｎｍ、第２の主たる導電膜３０ｂ：２２５ｎｍ（Ｈ／λ（Ｓ２−１）＝１１％）、３００ｎｍ（Ｈ／λ（Ｓ２−１）＝１５％）、４００ｎｍ（Ｈ／λ（Ｓ２−１）＝２０％）または６００ｎｍ（Ｈ／λ（Ｓ２−１）＝３０％）、密着膜３０ｆ：１０ｎｍ、第３の主たる導電膜３０ｃ：２２ｎｍ、保護膜３０ｇ：１０ｎｍ

第１の誘電体層２１：ＳｉＯ_２層
第１の誘電体層２１の膜厚：１２１３ｎｍ（Ｈ／λ（Ｓ２−１）＝６０％）
第２の誘電体層２２：ＳｉＮ層
第２の誘電体層２２の膜厚：２２００ｎｍ（Ｈ／λ（Ｓ２−１）＝１０９％）
圧電基板２０：２５° Ｙ−Ｘ ＬｉＮｂＯ_３基板
圧電基板２０の厚さ：５００μｍ

また、誘電体層２１の厚みを変更することによっても、通過帯域の中心周波数と、応答Ｒｐ２の共振周波数との間の周波数差、すなわち、メインの応答Ｒｐ１の***振周波数と応答Ｒｐ２の共振周波数との間の周波数差を制御することができる。

図１３は、ＳｉＯ_２からなる第１の誘電体層２１の厚み以外は、第２の主たる導電膜３０ｂの膜厚を２２５ｎｍ（Ｈ／λ（Ｓ２−１）＝１１％）としたときと同様の上記設計パラメータを有する弾性境界波フィルタ装置１において、第１の誘電体層２１の厚みを種々変化させたときの並列腕共振子Ｐのインピーダンス特性を表すグラフである。なお、図１３において、実線が第１の誘電体層２１の厚みが１２１３ｎｍ（Ｈ／λ（Ｓ２−１）＝６０％）であるときのインピーダンス特性を示している。二点破線が、実線が第１の誘電体層２１の厚みが１０１１ｎｍ（Ｈ／λ（Ｓ２−１）＝５０％）であるときのインピーダンス特性を示している。一点破線が、実線が第１の誘電体層２１の厚みが７０８ｎｍ（Ｈ／λ（Ｓ２−１）＝３５％）であるときのインピーダンス特性を示している。

図１３に示すように、第１の誘電体層２１の厚みを変化させた場合、メインの応答Ｒｐ１の***振周波数はほとんど変化しないのに対して、応答Ｒｐ２の共振周波数は、変化していることが分かる。この結果から、第１の誘電体層２１の厚みを変化させることにより、メインの応答Ｒｐ１の***振周波数と応答Ｒｐ２の共振周波数との間の周波数差を制御できることが分かる。具体的には、第１の誘電体層２１の厚みを大きくすることにより、メインの応答Ｒｐ１の***振周波数と応答Ｒｐ２の共振周波数との間の周波数差を小さくできることが分かる。

また、種々の第１の誘電体層２１の厚みにおける本実施形態の弾性境界波フィルタ装置１のフィルタ特性を図１４及び図１５に示す。さらに、種々の第１の誘電体層２１の厚みにおける本実施形態の弾性境界波フィルタ装置１を用いたデュプレクサ３における送信側信号端子Ｔｘと受信側信号端子Ｒｘ１，Ｒｘ２との間のアイソレーション特性を図１６に示す。なお、太い実線が、第１の誘電体層２１の厚みが１２１３ｎｍ（Ｈ／λ（Ｓ２−１）＝６０％）であるときのデータである。一点破線が、第１の誘電体層２１の厚みが１０１１ｎｍ（Ｈ／λ（Ｓ２−１）＝５０％）であるときのデータである。二点破線が、第１の誘電体層２１の厚みが８０９ｎｍ（Ｈ／λ（Ｓ２−１）＝４０％）であるときのデータである。細い実線が、第１の誘電体層２１の厚みが６０７ｎｍ（Ｈ／λ（Ｓ２−１）＝３０％）であるときのデータである。点線が、第１の誘電体層２１の厚みが５０５ｎｍ（Ｈ／λ（Ｓ２−１）＝２５％）であるときのデータである。

図１４及び図１５に示すように、第１の誘電体層２１の厚みが大きくなり、メインの応答Ｒｐ１の***振周波数と応答Ｒｐ２の共振周波数との間の周波数差が小さくなるほど、丸で囲んだ減衰帯域における減衰量が大きくなることが分かる。但し、第１の誘電体層２１の厚みが８０９ｎｍ（Ｈ／λ（Ｓ２−１）＝４０％）未満であるときは、減衰帯域における減衰量がそれほど変化せず、第１の誘電体層２１の厚みが８０９ｎｍ（Ｈ／λ（Ｓ２−１）＝４０％）以上であるときに減衰帯域における減衰量が大きく改善された。

同様に、図１６に示す結果から、第１の誘電体層２１の厚みが大きくなり、メインの応答Ｒｐ１の***振周波数と応答Ｒｐ２の共振周波数との間の周波数差が小さくなるほど、送信側信号端子Ｔｘと受信側信号端子Ｒｘ１，Ｒｘ２との間のアイソレーション特性が良好になることが分かる。但し、第１の誘電体層２１の厚みが８０９ｎｍ（Ｈ／λ（Ｓ２−１）＝４０％）未満であるときは、アイソレーション特性がそれほど変化せず、第１の誘電体層２１の厚みが８０９ｎｍ（Ｈ／λ（Ｓ２−１）＝４０％）以上であるときにアイソレーション特性が大きく改善された。この結果から、ＳｉＯ_２からなる第１の誘電体層２１の厚みは、８０９ｎｍ（Ｈ／λ（Ｓ２−１）＝４０％）以上であることが好ましいことが分かる。なお、ＳｉＯ_２からなる第１の誘電体層２１の厚みが７０％を超えると、ロスが劣化してしまうため、ＳｉＯ_２からなる第１の誘電体層２１の厚みは、７０％以下であることが好ましい。

以下、本発明を実施した好ましい形態の別の例について説明する。但し、以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に同様の機能を有する部材を同じ符号で参照し、説明を省略する。

（第２の実施形態）
上記第１の実施形態では、弾性波フィルタ装置がラダー型のフィルタ装置である場合について、説明した。但し、本発明の弾性波フィルタ装置は、ラダー型のフィルタ装置に限定されない。本発明の弾性波フィルタ装置は、入力端子と出力端子との間に通過帯域の形成に寄与する第１の共振子が設けられており、かつ、入力端子と出力端子との間の信号伝達経路とグラウンド電位との間に第２の共振子が設けられている弾性波フィルタ装置である限りにおいて特に限定されない。入力端子と出力端子との間の信号伝達経路とグラウンド電位との間に第２の共振子が設けられている弾性波フィルタ装置では、第２の共振子の***振周波数が通過帯域内に位置するように設計されており、通過帯域の高域側に位置する減衰帯域における減衰量は、第２の共振子の減衰帯域におけるインピーダンスの低さに依存するからである。すなわち、第２の共振子の減衰帯域におけるインピーダンスが低いほど、通過帯域の高域側に位置する減衰帯域における減衰量が大きくなるため、入力端子と出力端子との間の信号伝達経路とグラウンド電位との間に第２の共振子が設けられている弾性波フィルタ装置全般に対して、第２の共振子の減衰帯域におけるインピーダンスを低くできる本発明は、好適である。

例えば、本発明に係る弾性波フィルタ装置は、図１７に示すように、並列トラップを有する縦結合共振子型弾性波フィルタであってもよい。

図１７に示すように、本実施形態の弾性境界波フィルタ装置５は、不平衡信号端子である入力端子１１と、平衡信号端子である第１及び第２の出力端子１２ａ、１２ｂを備えている。入力端子１１と、第１及び第２の出力端子１２ａ、１２ｂとの間には、縦結合共振子型弾性波フィルタ部５０ａ、５０ｂが接続されている。

縦結合共振子型弾性波フィルタ部５０ａは、入力端子１１と、第１の出力端子１２ａとの間に接続されている。縦結合共振子型弾性波フィルタ部５０ａは、弾性境界波の伝搬方向に沿って配列された第１〜第３のＩＤＴ電極５１ａ〜５３ａと、第１〜第３のＩＤＴ電極５１ａ〜５３ａが設けられている領域に弾性境界波伝搬方向の両側に配置されている第１及び第２のグレーティング反射器５４ａ、５５ａとを備えている。第１及び第３のＩＤＴ電極５１ａ、５３ａのそれぞれの一方側が、弾性境界波共振子５６を介して入力端子１１に接続されており、他方側がグラウンド電位に接続されている。第２のＩＤＴ電極５２ａの一方側は、グラウンド電位に接続されており、他方側が第１の出力端子１２ａに接続されている。

縦結合共振子型弾性波フィルタ部５０ｂは、入力端子１１と、第２の出力端子１２ｂとの間に接続されている。縦結合共振子型弾性波フィルタ部５０ｂは、弾性境界波の伝搬方向に沿って配列された第１〜第３のＩＤＴ電極５１ｂ〜５３ｂと、第１〜第３のＩＤＴ電極５１ｂ〜５３ｂが設けられている領域に弾性境界波伝搬方向の両側に配置されている第１及び第２のグレーティング反射器５４ｂ、５５ｂとを備えている。第１及び第３のＩＤＴ電極５１ｂ、５３ｂのそれぞれの一方側が、弾性境界波共振子５６を介して入力端子１１に接続されており、他方側がグラウンド電位に接続されている。第２のＩＤＴ電極５２ｂの一方側は、グラウンド電位に接続されており、他方側が第２の出力端子１２ｂに接続されている。

縦結合共振子型弾性波フィルタ部５０ａと第１の出力端子１２ａとの間の接続点と、グラウンド電位との間には、第２の共振子としての並列トラップ６０ａが接続されている。また、縦結合共振子型弾性波フィルタ部５０ｂと、第２の出力端子１２ｂとの間の接続点と、グラウンド電位との間には、第２の共振子としての並列トラップ６０ｂが接続されている。

本実施形態では、これら並列トラップ６０ａ、６０ｂにより、通過帯域の高域側に位置する減衰帯域における減衰量が大きくされている。具体的には、並列トラップ６０ａ、６０ｂの通過帯域の形成に寄与している応答以外の応答の共振周波数（ｆ_Ｆｒｈ）から通過帯域の中心周波数（ｆ_ｃ）を減算した値（ｆ_Ｆｒｈ−ｆ_ｃ）を通過帯域の中心周波数で規格化した値（（ｆ_Ｆｒｈ−ｆ_ｃ）／ｆ_ｃ）が、０．０７３〜０．２５０の範囲内とされており、これにより、通過帯域の高域側に位置する減衰帯域における減衰量が大きくされている。

なお、上記第１及び第２の実施形態では、弾性境界波を利用した弾性境界波フィルタ装置及びそれを備える分波器について説明したが、本発明に係る弾性境界波フィルタ装置は、弾性境界波を利用するものに限定されない。例えば、本発明において、第１及び第２の共振子のうちの少なくとも一方が弾性表面波共振子により構成されていてもよい。すなわち、本発明に係る弾性境界波フィルタ装置は、弾性表面波フィルタ装置であってもよい。

また、上記第１及び第２の実施形態では、分波器の例として、デュプレクサを挙げたが、本発明において、分波器は、例えばトリプレクサ等であってもよい。

１…弾性境界波フィルタ装置（送信フィルタ）
２…受信フィルタ
３…デュプレクサ
Ｌ１〜Ｌ３…インダクタ
Ｓ１…第１の直列腕共振子
Ｐ１…第１の並列腕共振子
Ｓ２…第２の直列腕共振子
Ｐ２…第２の並列腕共振子
Ｓ３…第３の直列腕共振子
Ｐ３…第３の並列腕共振子
５…弾性境界波フィルタ装置
１１…入力端子
１２…出力端子
１２ａ…第１の出力端子
１２ｂ…第２の出力端子
１３…直列腕
１３ａ〜１３ｃ…接続点
１４ａ…第１の並列腕
１４ｂ…第２の並列腕
１４ｃ…第３の並列腕
１５ａ、１５ｂ…グラウンド電極
２０…圧電基板
２１…第１の誘電体層
２２…第２の誘電体層
２９…共振子
３０…ＩＤＴ電極
３０ａ…第１の主たる導電膜
３０ｂ…第２の主たる導電膜
３０ｃ…第３の主たる導電膜
３０ｄ〜３０ｆ…密着膜
３０ｇ…保護膜
３１，３２…くし歯電極
３１ａ、３２ａ…バスバー
３１ｂ、３２ｂ…電極指
３１ｃ、３２ｃ…ダミー電極
３３，３４…第２のグレーティング反射器
４１…不平衡信号端子
４２ａ…第１の平衡信号端子
４２ｂ…第２の平衡信号端子
４３…弾性境界波共振子
４４ａ…第１の弾性境界波フィルタ部
４４ｂ…第２の弾性境界波フィルタ部
４５ａ、４５ｂ…弾性境界波共振子
５０ａ…縦結合共振子型弾性波フィルタ部
５０ｂ…縦結合共振子型弾性波フィルタ部
５１ａ、５１ｂ…第１のＩＤＴ電極
５２ａ、５２ｂ…第２のＩＤＴ電極
５３ａ、５３ｂ…第３のＩＤＴ電極
５４ａ、５４ｂ…第１のグレーティング反射器
５５ａ、５５ｂ…第２のグレーティング反射器
５６…弾性境界波共振子
６０ａ、６０ｂ…並列トラップ

Claims (10)

1. 入力端子と、
   出力端子と、
   前記入力端子と前記出力端子との間に設けられている第１の共振子と、
   前記入力端子または前記出力端子と前記第１の共振子との間の接続点と、グラウンド電位との間に接続されている第２の共振子とを備え、
   前記第１及び第２の共振子により、通過帯域と、前記通過帯域の高域側に減衰帯域とが形成されている弾性波フィルタ装置であって、
   前記第２の共振子は、前記通過帯域の形成に寄与している応答以外の応答を有し、
   前記第２の共振子の前記通過帯域の形成に寄与している応答以外の応答の共振周波数（ｆ_Ｆｒｈ）から前記通過帯域の中心周波数（ｆ_ｃ）を減算した値（ｆ_Ｆｒｈ−ｆ_ｃ）を前記通過帯域の中心周波数で規格化した値（（ｆ_Ｆｒｈ−ｆ_ｃ）／ｆ_ｃ）が、０．０７３〜０．２５０の範囲内にある、弾性波フィルタ装置。
2. 前記入力端子と前記出力端子とを接続する直列腕において、直列腕共振子を構成するように、前記第１の共振子が設けられており、
   前記第２の共振子は、前記直列腕とグラウンド電位との間に接続されている並列腕に配置されている並列腕共振子を構成するように設けられている、請求項１に記載の弾性波フィルタ装置。
3. 前記第１の共振子は、前記入力端子と前記出力端子との間に接続されている縦結合共振子型弾性波フィルタ部を構成しており、
   前記第２の共振子は、前記入力端子または前記出力端子と前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部との間の接続点と、グラウンド電位との間に接続されている、請求項１に記載の弾性波フィルタ装置。
4. 前記第１及び第２の共振子のそれぞれは、圧電基板と、前記圧電基板の上に形成されている第１の誘電体層と、前記圧電基板と前記第１の誘電体層との間の境界に形成されているＩＤＴ電極とを有する弾性境界波共振子である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。
5. 前記第１及び第２の共振子のそれぞれは、前記第１の誘電体層の上に形成されており、前記第１の誘電体層よりも速い音速を有する第２の誘電体層をさらに有する３媒質型の弾性境界波共振子である、請求項４に記載の弾性波フィルタ装置。
6. 前記入力端子と前記出力端子とを接続する直列腕において、互いに直列に接続されている直列腕共振子を構成するように、前記第１の共振子が設けられており、
   前記第２の共振子は、前記直列腕とグラウンド電位との間に接続されている並列腕に配置されている並列腕共振子を構成するように設けられており、
   前記ＩＤＴ電極は、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金からなる導電膜を主たる導電膜として有しており、前記第１の共振子のＩＤＴ電極の電極指ピッチで決まる波長で規格化された前記主たる導電膜の膜厚が１０％〜３０％の範囲内にある、請求項４または５に記載の弾性波フィルタ装置。
7. 前記入力端子と前記出力端子とを接続する直列腕において、互いに直列に接続されている直列腕共振子を構成するように、前記第１の共振子が設けられており、
   前記第２の共振子は、前記直列腕とグラウンド電位との間に接続されている並列腕に配置されている並列腕共振子を構成するように設けられており、
   前記第１の誘電体層は、酸化珪素からなり、前記第１の共振子のＩＤＴ電極の電極指ピッチで決まる波長で規格化された前記第１の誘電体層の厚みが４０％〜７０％の範囲内にある、請求項４〜６のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。
8. 前記第２の共振子の前記通過帯域の形成に寄与している応答以外の応答は、前記通過帯域の形成に寄与している応答の高次モードの応答である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。
9. 前記第２の共振子の前記通過帯域の形成に寄与している応答以外の応答は、前記通過帯域の形成に寄与している応答とは種類が異なる応答である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置。
10. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ装置を備える、分波器。

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