JP5334465B2 - 有機トランジスタ - Google Patents
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- 0 CC12C(*)=C(C3(C)c(cccc4)c4C(*)=C(*)C33C)C3=C(*)C1(C)c1c(C=CC=CC3)c3c(*)c(*)c21 Chemical compound CC12C(*)=C(C3(C)c(cccc4)c4C(*)=C(*)C33C)C3=C(*)C1(C)c1c(C=CC=CC3)c3c(*)c(*)c21 0.000 description 12
- JRJKRDMKAHQKOC-UHFFFAOYSA-N CCc(cc1)ccc1-c1cc([s]c2c3ccc4c2ccc2c4[s]c4c2[s]c(-c(cc2)ccc2F)c4)c3[s]1 Chemical compound CCc(cc1)ccc1-c1cc([s]c2c3ccc4c2ccc2c4[s]c4c2[s]c(-c(cc2)ccc2F)c4)c3[s]1 JRJKRDMKAHQKOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWQJFHSIYUNWCJ-UHFFFAOYSA-N Cc(cc1)ccc1-c1cc([s]c2c3ccc4c2ccc2c4[s]c4c2[s]c(-c(cc2)ccc2NC)c4)c3[s]1 Chemical compound Cc(cc1)ccc1-c1cc([s]c2c3ccc4c2ccc2c4[s]c4c2[s]c(-c(cc2)ccc2NC)c4)c3[s]1 XWQJFHSIYUNWCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DXUWBLMAPVRXMP-UHFFFAOYSA-N Fc(c(-c1cc([s]c2c3ccc4c2ccc2c4[s]c4c2[s]c(-c(c(F)c(c(F)c2F)F)c2F)c4)c3[s]1)c(c(F)c1F)F)c1F Chemical compound Fc(c(-c1cc([s]c2c3ccc4c2ccc2c4[s]c4c2[s]c(-c(c(F)c(c(F)c2F)F)c2F)c4)c3[s]1)c(c(F)c1F)F)c1F DXUWBLMAPVRXMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLZSQDJZFGLPHS-UHFFFAOYSA-N Fc(cc1)ccc1-c([s]1)cc2c1[s]c1c2ccc2c3[s]c(cccc4)c4c3ccc12 Chemical compound Fc(cc1)ccc1-c([s]1)cc2c1[s]c1c2ccc2c3[s]c(cccc4)c4c3ccc12 QLZSQDJZFGLPHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCPRCFLBOBQUBP-UHFFFAOYSA-N SNc1cc([s]c(cc2)c3c(cc4)c2c2c4[s]c4c2cccc4)c3[s]1 Chemical compound SNc1cc([s]c(cc2)c3c(cc4)c2c2c4[s]c4c2cccc4)c3[s]1 CCPRCFLBOBQUBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLLGHPWBEYWIKG-UHFFFAOYSA-N c1c(-c([s]2)cc3c2[s]c2c3ccc3cc(c4c(cc5)[s]c(-c6ccccc6)c4)c5cc23)[s]c(-c2ccccc2)c1 Chemical compound c1c(-c([s]2)cc3c2[s]c2c3ccc3cc(c4c(cc5)[s]c(-c6ccccc6)c4)c5cc23)[s]c(-c2ccccc2)c1 HLLGHPWBEYWIKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGSWCQGLLLTDOU-UHFFFAOYSA-N c1c(-c(cc2)ccc2-c2ccccc2)[s]c2c1[s]c1ccc(c3c(cc4)[s]c5ccccc35)c4c21 Chemical compound c1c(-c(cc2)ccc2-c2ccccc2)[s]c2c1[s]c1ccc(c3c(cc4)[s]c5ccccc35)c4c21 AGSWCQGLLLTDOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBCLBMQGHXPPOQ-UHFFFAOYSA-N c1c(-c2ccccc2)[s]c2c1[s]c1ccc(c3c(-c4ccccc4)[s]c(-c4ccccc4)c3cc3)c3c21 Chemical compound c1c(-c2ccccc2)[s]c2c1[s]c1ccc(c3c(-c4ccccc4)[s]c(-c4ccccc4)c3cc3)c3c21 HBCLBMQGHXPPOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
Appl.Phys.Lett.,63,1372(1993) Appl.Phys.Lett.,72,1854(1998) Science,268,270(1995)
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタである。
本発明の有機トランジスタは、有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなるものである。
例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、3,3−ジメチルブチルオキシ基、2−エチルブチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、n−ノニルオキシ基、n−デシルオキシ基、n−ウンデシルオキシ基、n−ドデシルオキシ基、n−トリデシルオキシ基、n−テトラデシルオキシ基、n−ペンタデシルオキシ基、n−ヘキサデシルオキシ基、n−ヘプタデシルオキシ基、n−オクタデシルオキシ基、n−エイコシルオキシ基などの直鎖、分岐または環状のアルコキシ基;
2−メトキシフェニル基、3−メトキシフェニル基、4−メトキシフェニル基、3−エトキシフェニル基、4−エトキシフェニル基、4−n−プロポキシフェニル基、4−イソプロポキシフェニル基、4−n−ブトキシフェニル基、4−イソブトキシフェニル基、4−n−ペンチルオキシフェニル基、4−n−ヘキシルオキシフェニル基、4−シクロヘキシルオキシフェニル基、4−n−ヘプチルオキシフェニル基、4−n−オクチルオキシフェニル基、4−n−ノニルオキシフェニル基、4−n−デシルオキシフェニル基、4−n−ウンデシルオキシフェニル基、4−n−ドデシルオキシフェニル基、4−n−テトラデシルオキシフェニル基、2,3−ジメトキシフェニル基、2,4−ジメトキシフェニル基、2,5−ジメトキシフェニル基、3,4−ジメトキシフェニル基、3,5−ジメトキシフェニル基、3,5−ジエトキシフェニル基、2−メトキシ−4−メチルフェニル基、2−メトキシ−5−メチルフェニル基、2−メチル−4−メトキシフェニル基、3−メチル−4−メトキシフェニル基、3−メチル−5−メトキシフェニル基、
2−フルオロフェニル基、3−フルオロフェニル基、4−フルオロフェニル基、2−クロロフェニル基、3−クロロフェニル基、4−クロロフェニル基、4−ブロモフェニル基、4−トリフルオロメチルフェニル基、2,4−ジフルオロフェニル基、2,4−ジクロロフェニル基、3,4−ジクロロフェニル基、3,5−ジクロロフェニル基、2−メチル−4−クロロフェニル基、2−クロロ−4−メチルフェニル基、3−クロロ−4−メチルフェニル基、2−クロロ−4−メトキシフェニル基、3−メトキシ−4−フルオロフェニル基、3−メトキシ−4−クロロフェニル基、3−フルオロ−4−メトキシフェニル基、2,3,4,5,6−ペンタフルオロフェニル基、4−フェニルフェニル基、3−フェニルフェニル基、4−(4’−メチルフェニル)フェニル基、4−(4’−メトキシフェニル)フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−エトキシ−1−ナフチル基、6−n−ブチル−2−ナフチル基、6−メトキシ−2−ナフチル基、7−エトキシ−2−ナフチル基、2−フリル基、2−チエニル基、5−n−プロピル−2−チエニル基、5−n−ヘキシル−2−チエニル基、5−n−デシル−2−チエニル基、5−フェニル−2−チエニル基、5−(2’−チエニル)−2−チエニル基、3−チエニル基、2−ピリジル基、3−ピリジル基、4−ピリジル基などの置換または未置換のアリール基を挙げることができる。
尚、導電性のある基板、例えば、シリコンを基板に用いた場合、その基板はゲート電極を兼ねることもできる。
ゲート電極としての抵抗率0.02Ω・cmのシリコン基板に、厚さ200nmの熱酸化膜(SiO2)を形成した。ここで、シリコン基板自体がゲート電極となり、シリコン基板表面に形成されたSiO2層がゲート絶縁層となる。この上に、真空下(5×10−4Pa)で、例示化合物番号11の化合物を、蒸着速度0.03nm/secの速度で、30nmの厚さに蒸着し、有機半導体層を形成した。さらに、この上に、マスクを用いて、金を蒸着してソース電極およびドレイン電極を形成した。尚、ソース電極およびドレイン電極の厚みは40nmであり、チャネル幅は5mm、チャネル長は20μmであった。
以上のように作製した有機トランジスタは、p型のトランジスタ素子としての特性を示した。有機トランジスタの電流―電圧(I−V)特性の飽和領域から、電荷移動度を求めた。
さらに、ドレインバイアス−50Vとし、ゲートバイアス−50Vおよび0Vにした時のドレイン電流値を測定し、電流のオン/オフ比を求めた。
さらに、作製した有機トランジスタ素子を大気中で、25℃で、1ヶ月保存した後、再度、電荷移動度と電流のオン/オフ比を測定した。測定結果を第1表に示した。
実施例1において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号11の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号25の化合物(実施例2)、例示化合物番号31の化合物(実施例3)、例示化合物番号41の化合物(実施例4)、例示化合物番号44の化合物(実施例5)、例示化合物番号57の化合物(実施例6)、例示化合物番号73の化合物(実施例7)、例示化合物番号78の化合物(実施例8)、例示化合物番号93の化合物(実施例9)、例示化合物番号109の化合物(実施例10)、例示化合物番号115の化合物(実施例11)、例示化合物番号145の化合物(実施例12)、例示化合物番号153の化合物(実施例13)、例示化合物番号167の化合物(実施例14)、例示化合物番号170の化合物(実施例15)、例示化合物番号188の化合物(実施例16)、例示化合物番号198の化合物(実施例17)、例示化合物番号204の化合物(実施例18)、例示化合物番号213の化合物(実施例19)を使用した以外は、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べ、結果を第1表に示した。
実施例1において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号11の化合物を使用する代わりに、ペンタセンを使用した以外は、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べ、結果を第1表に示した。
尚、1ヶ月放置後には、有機トランジスタとしての特性を示さなかった。
実施例1において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号11の化合物を使用する代わりに、α−ヘキサチエニレンを使用した以外は、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べ、結果を第1表に示した。
実施例1において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号11の化合物を使用する代わりに、ジベンゾ[a,j]ナフタセンを使用した以外は、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べ、結果を第1表に示した。
実施例1において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号11の化合物を使用する代わりに、ジベンゾ[de,qr]ナフタセンを使用した以外は、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べ、結果を第1表に示した。
ゲート電極としての抵抗率0.02Ω・cmのシリコン基板に、厚さ200nmの熱酸化膜(SiO2)を形成した。ここで、シリコン基板自体がゲート電極となり、シリコン基板表面に形成されたSiO2層がゲート絶縁層となる。シリコン基板を80℃に加熱しておき、その上に、例示化合物番号75の化合物のクロロベンゼン溶液(濃度:0.5質量%)を塗布したところ、クロロベンゼンが蒸発し、50nmの厚さの例示化合物番号75の化合物からなる有機半導体層が形成された。さらに、この上に、マスクを用いて、金を蒸着してソース電極およびドレイン電極を形成した。尚、ソース電極およびドレイン電極の厚みは40nmであり、チャネル幅は5mm、チャネル長は20μmであった。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べたところ、移動度は、2.8×10−2(cm2/Vsec)であり、電流のオン/オフ比は3.5×105であった。
実施例20において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号75の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号81の化合物を使用した以外は、実施例20に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べたところ、移動度は、3.7×10−2(cm2/Vsec)であり、電流のオン/オフ比は3.3×105であった。
実施例20において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号75の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号113の化合物を使用した以外は、実施例20に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べたところ、移動度は、3.5×10−2(cm2/Vsec)であり、電流のオン/オフ比は3.6×105であった。
実施例20において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号75の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号132の化合物を使用した以外は、実施例20に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べたところ、移動度は、4.0×10−2(cm2/Vsec)であり、電流のオン/オフ比は3.2×105であった。
実施例20において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号75の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号195の化合物を使用した以外は、実施例20に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べたところ、移動度は、5.7×10−2(cm2/Vsec)であり、電流のオン/オフ比は3.7×105であった。
実施例20において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号75の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号212の化合物を使用した以外は、実施例20に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
さらに、実施例1に記載の方法により、有機トランジスタの特性を調べたところ、移動度は、4.9×10−2(cm2/Vsec)であり、電流のオン/オフ比は3.3×105であった。
実施例20において、有機半導体層の形成に際して、例示化合物番号75の化合物を使用する代わりに、式(A)で表される化合物を使用した以外は、実施例20に記載の方法により、有機トランジスタを作製した。
21:ゲート電極
31:ゲート絶縁層
41:ドレイン電極
51:有機半導体層
61:ソース電極
12:基板
22:ゲート電極
32:ゲート絶縁層
42:ドレイン電極
52:有機半導体層
62:ソース電極
13:基板
23:ゲート電極
33:ゲート絶縁層
43:ドレイン電極
53:有機半導体層
63:ソース電極
14:基板
24:ゲート電極
34:ゲート絶縁層
44:ドレイン電極
54:有機半導体層
64:ソース電極
Claims (1)
- 有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008158018A JP5334465B2 (ja) | 2008-06-17 | 2008-06-17 | 有機トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008158018A JP5334465B2 (ja) | 2008-06-17 | 2008-06-17 | 有機トランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009302463A JP2009302463A (ja) | 2009-12-24 |
JP5334465B2 true JP5334465B2 (ja) | 2013-11-06 |
Family
ID=41549024
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008158018A Expired - Fee Related JP5334465B2 (ja) | 2008-06-17 | 2008-06-17 | 有機トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5334465B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5460599B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2014-04-02 | 出光興産株式会社 | 有機薄膜トランジスタ用化合物及びそれを用いた有機薄膜トランジスタ |
JP2010254599A (ja) * | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Ricoh Co Ltd | ジチエノナフトジチオフェン誘導体とこれを用いた有機電子デバイス、有機薄膜トランジスタ及びディスプレイ装置 |
WO2011078248A1 (ja) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | 住友化学株式会社 | 高分子化合物、これを含む薄膜及びインク組成物 |
WO2012090462A1 (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | 出光興産株式会社 | 有機半導体材料、当該材料を含んでなる塗布液、及び有機薄膜トランジスタ |
KR102277812B1 (ko) * | 2013-11-14 | 2021-07-15 | 삼성전자주식회사 | 비대칭 축합다환 헤테로방향족 화합물, 이를 포함하는 유기 박막 및 상기 유기 박막을 포함하는 전자 소자 |
JP6246150B2 (ja) | 2014-03-26 | 2017-12-13 | 富士フイルム株式会社 | 非発光性有機半導体デバイス用塗布液、有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、有機トランジスタの製造方法および有機半導体膜の製造方法の提供 |
JP2015199716A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-12 | 日本化薬株式会社 | 多環縮環化合物、有機半導体材料、有機半導体デバイス及び有機トランジスタ |
JP6780365B2 (ja) * | 2016-08-23 | 2020-11-04 | 東ソー株式会社 | ヘテロアセン誘導体、有機半導体層、及び有機薄膜トランジスタ |
WO2020045001A1 (ja) * | 2018-08-29 | 2020-03-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 縮環ヘテロ5員環分子、p型半導体膜および電子デバイス |
JP7394629B2 (ja) * | 2019-01-09 | 2023-12-08 | 東ソー株式会社 | 共役系高分子、製膜用組成物、有機薄膜、ならびに有機半導体素子 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6768132B2 (en) * | 2002-03-07 | 2004-07-27 | 3M Innovative Properties Company | Surface modified organic thin film transistors |
-
2008
- 2008-06-17 JP JP2008158018A patent/JP5334465B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009302463A (ja) | 2009-12-24 |
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JP2009302471A (ja) | 有機トランジスタ |
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Date | Code | Title | Description |
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A711 | Notification of change in applicant |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
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|
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