JP5332149B2 - 抵抗変化素子、抵抗変化メモリおよびそれらの作製方法 - Google Patents
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下部電極上に、1atom%〜5atom%の濃度の窒素原子を含む金属酸化物で抵抗変化膜を形成し、
前記抵抗変化膜上に、上部電極を形成する、
工程を含む。
半導体基板上に、トランジスタと、前記トランジスタに直列接続する抵抗変化素子を形成する工程を含み、
前記抵抗変化素子の形成は、前記トランジスタに電気的に接続される下部電極上に、1atom%〜5atom%の窒素原子を含む金属酸化物で抵抗変化膜を形成し、前記抵抗変化膜上に上部電極を形成する工程を含む。
12、24 抵抗変化膜
13、26 上部電極
15 伝導経路(フィラメントパス)
20 抵抗変化素子
25 窒素添加金属酸化膜(抵抗変化膜)
30 抵抗変化メモリ
Tr トランジスタ
54 ゲート電極(ワード線)
58a トレイン
58b ソース
74 ビット線
Claims (7)
- 一対の金属電極にはさまれた抵抗変化膜を有する抵抗変化素子であって、
前記抵抗変化膜は、1atom%〜5atom%の濃度の窒素原子を含む金属酸化物の膜であることを特徴とする抵抗変化素子。 - トランジスタと、前記トランジスタに直列に接続される抵抗変化素子とがマトリクス状に配置される抵抗変化メモリであって、
前記抵抗変化素子は、
上部電極と、下部電極と、これらの電極間に挟まれる抵抗変化膜を備え、
前記抵抗変化膜は、1atom%〜5atom%の濃度の窒素原子を含む金属酸化物の膜である
ことを特徴とする抵抗変化メモリ。 - 下部電極上に、1atom%〜5atom%の濃度の窒素原子を含む金属酸化物で抵抗変化膜を形成し、
前記抵抗変化膜上に、上部電極を形成する、
ことを特徴とする抵抗変化素子の作製方法。 - 前記抵抗変化膜の形成は、前記下部電極上に前記金属酸化物の膜を形成し、前記金属酸化物の膜に前記1atom%〜5atom%の窒素をイオン注入することを特徴とする請求項3に記載の抵抗変化素子の作製方法。
- 前記抵抗変化膜の形成は、反応雰囲気中に窒素ガスを含ませて、反応性スパッタ法により形成する工程を含むことを特徴とする請求項3に記載の抵抗変化素子の作製方法。
- 前記抵抗変化膜の形成は、前記下部電極上に金属窒化膜を形成した後に酸化する工程を含むことを特徴とする請求項3に記載の抵抗変化素子の作製方法。
- 半導体基板上に、トランジスタと、前記トランジスタに直列接続する抵抗変化素子を形成する工程を含む抵抗変化メモリの作製方法であって、
前記抵抗変化素子の形成は、前記トランジスタに電気的に接続される下部電極上に、1atom%〜5atom%の濃度の窒素原子を含む金属酸化物で抵抗変化膜を形成し、前記抵抗変化膜上に上部電極を形成する工程を含む、
ことを特徴とする抵抗変化メモリの作製方法。
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