JP5328209B2 - 基板加工方法 - Google Patents
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Description
前記加工光の収束位置を、前記基板表面より内側で、前記基板の厚さ中心より表面側の範囲に設定して、
前記加工光の収束位置において、前記加工光は、前記基板表面に略平行な長軸を持つ線状収束分布を有し、
前記加工光の照射により、前記基板表面に対して垂直で前記収束位置を含む面に、分解・加熱層を面状に形成することで、前記基板表面に線状クラックを発生させることを特徴とする。
図1aは、本発明に係る基板加工方法の一例を示す斜視図であり、図1bは、その部分拡大図である。基板1は、シリコンなどの各種半導体材料、あるいはガラスなどの各種誘電体材料などの脆性材料で形成される。脆性材料は、表面の一部にケガキラインを形成した後、引っ張り応力を印加すると、変形することなく、ケガキラインに沿って破断する性質を有する。特に、各種半導体材料は結晶基板であることが多く、結晶基板の場合へき開性を持つことが多い。半導体基板を切断する際、製品の外形に対する要求から、へき開性が良好である方向以外を、切断方向とする場合がある。
5 クラック予定線、 7 加工光、 9 収束位置、 10 表面、
11 線状収束分布、 12 点状収束分布、 21,22 張力、
30 高エネルギー側吸収帯近傍、 31 波長。
Claims (9)
- 加工光の波長に対して透明な脆性材料からなる基板に向けてパルス状の加工光を照射して、前記基板にクラックを形成するための基板加工方法であって、
前記加工光の収束位置を、前記基板表面より内側で、前記基板の厚さ中心より表面側の範囲に設定して、
前記加工光の収束位置において、前記加工光は、前記基板表面に略平行な長軸を持つ線状収束分布を有し、
前記加工光の照射により、前記基板表面に対して垂直で前記収束位置を含む面に、分解・加熱層を面状に形成することで、前記基板表面に線状クラックを発生させることを特徴とする基板加工方法。 - 加工光の波長に対して透明な脆性材料からなる基板に向けてパルス状の加工光を照射して、前記基板にクラックを形成するための基板加工方法であって、
前記加工光の収束位置を、前記基板表面より内側で、前記基板の厚さ中心より表面側の範囲に設定して、
前記加工光の収束位置において、前記加工光は、前記基板表面に略平行な長軸を持つ線状収束分布を有し、
前記加工光の照射により、前記基板表面に対して垂直で前記収束位置を含む面に、分解・加熱層を面状に形成することで、前記面状分解・加熱層を含む面に沿い、前記分解・加熱層周辺に分布する線状クラックを発生させることを特徴とする基板加工方法。 - 基板はへき開性を有し、前記線状収束分布の長軸方向がへき開性の有る面と異なることを特徴とする請求項1または2記載の基板加工方法。
- 加工光を連続パルスで照射する際、単一パルス照射で形成される亀裂の範囲より外側に、次のパルスを照射することを特徴とする請求項1または2記載の基板加工方法。
- 前記基板表面には表面構造物が設けられ、前記基板の裏面から加工光を照射することを特徴とする請求項1または2記載の基板加工方法。
- 前記加工光は、レーザ光であることを特徴とする請求項1または2記載の基板加工方法。
- 前記加工光は、Qスイッチパルスレーザ光であることを特徴とする請求項6記載の基板加工方法。
- 前記加工光の波長は、基板材料の非加熱時の分光吸収率スペクトルにおいて、加工光の収束位置で多光子吸収により加熱可能な透過率をもち、かつ加熱時に分光吸収率が上昇する高エネルギー側吸収帯に設定することを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の基板加工方法。
- 基板の表面及び/又は内部に線状クラックを形成した後、前記基板に曲げ応力を印加して、該線状クラックに沿って前記基板を分割することを特徴とする請求項1または2記載の基板加工方法。
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