JP5320659B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
また、固体撮像装置の形態としては、ワンチップとして形成された素子状のものでもよく、複数のチップから構成されるものであってもよい。
次に、シリコン窒化膜43をマスクに比較的濃度の高いp型不純物47をイオン注入してp+領域32を形成する(図22B参照)。
次に、凹部44内を含む表面にCVD法によるシリコン酸化膜48を成膜し、再度p型不純物49をイオン注入してp+領域32に連続して深いp領域33を形成する(図22C参照)。
次に、凹部44内をCVD法によるシリコン酸化膜50で埋め込み、例えばCMP(化学機械研磨)法などで平坦化処理を行う(図23D参照)。
次に、シリコン窒化膜43と共に、その上のシリコン酸化膜48を選択的に除去してp+領域32上にのみ絶縁層35を形成する。このようにして、p領域32、p+領域33及び絶縁層35により、素子分離領域31が形成される(図23E参照)。
厚い絶縁層を有する素子分離等におけるように、エッチングによるダメージが入らないので、暗電流や白傷の発生が抑制される。
また、絶縁層を設ける等の分離方式に比べて暗電流や白傷の発生が抑制されることにより、固体撮像装置としての特性を向上することができる。
第1実施の形態に係る固体撮像装置61は、第1導電型の半導体基板、例えばn型シリコン基板62に第2導電型の例えばp型の半導体ウェル領域63が形成され、このp型半導体ウェル領域63に光電変換部となるフォトダイオードPDと複数のトランジスタからなる単位画素64が複数、2次元的に規則的に配列され、各々の隣合う画素64間に、また単位画素64内に、本発明に係る素子分離手段となる素子分離領域65が形成されて成る。
p+不純物領域82とこれより幅狭のp不純物領域83を有した構成、図15Bに示す同じ幅のp+不純物領域82とp不純物領域83を有した構成、あるいは図15Cに示すp不純物領域83のみによる構成とすることができる。さらに、素子分離領域65を構成する不純物領域81としては、図15D、図15Eで示す構成とすることもできる。こ素子分離領域65の不純物領域81の構成は、後述の実施の形態においても同様である。
例えば、図7に示すように、ゲート電極〔76〜78〕の第1部分91をn型の不純物を導入したポリシリコンで形成し、第2部分92をp型不純物を導入したポリシリコンで形成する(第1部分/第2部分をn型/p型で形成する)。
または、図8に示すように、第1部分91をp型の不純物を導入したポリシリコンで形成し、第2部分92をn型不純物を導入したポリシリコンで形成する(第1部分/第2部分をp型/n型で形成する)。
または、図9に示すように、第1部分91をn型の不純物を導入したポリシリコンで形成し、第2部分92をノンドープのポリシリコンで形成する(第1部分/第2部分をn型/ノンドープで形成する)。
または、図10に示すように、第1部分91をp型の不純物を導入したポリシリコンで形成し、第2部分92をノンドープのポリシリコンで形成する(第1部分/第2部分をp型/ノンドープで形成する)。
図12においても同様に、第2のp型不純物領域812は、ソース領域72及びドレイン領域71を、底部を含めて囲うように形成することもできる。
第2実施の形態に係る固体撮像装置94は、トランジスタTr1,Tr2及びTr3のゲート電極76、77及び78の平面レイアウトのパターンが異なる以外は、第1実施の形態と同様である。
その他の構成は、上述した第1実施の形態で説明したと同様の構成を採るので、重複説明は省略する。
その他、第1実施の形態で説明したと同様の構造の簡素化、白傷や暗電流の抑制、寄生MOSトランジスタの発生阻止、より確実な素子分離、等の効果を奏する。
Claims (10)
- 光電変換部と光電変換により生成された電荷を画素信号に変換する変換部とを含む画素、及び、前記画素及び隣り合う画素間に素子分離領域を有し、
前記画素内の少なくとも1つのトランジスタのゲート電極が、基板のチャネル領域の直上に形成された第1部分と、チャネル脇に形成された素子分離領域の一部の領域上に形成された第2部分とを有し、前記ゲート電極の形成領域が平坦面であり、
前記ゲート電極の前記第1部分と前記基板のチャネル領域との間に設けられたゲート絶縁膜を有し、
前記ゲート電極の前記第2部分と前記基板の前記素子分離領域との間には、前記ゲート絶縁膜のみが設けられ、
前記素子分離領域は、前記トランジスタのゲート電極の前記第2部分の下に形成された、隣り合う画素間を分離するための第1の不純物領域を少なくとも含み、前記第1の不純物領域は前記トランジスタのソース領域及びドレイン領域の不純物と反対導電型であり、
前記素子分離領域は、前記第1の不純物領域の前記ゲート絶縁膜側の表面に隣接して設けられた、又は、前記第1の不純物領域内の前記ゲート絶縁膜に隣接する領域の一部及び前記第1の不純物領域の側面の一部を含む領域に設けられた、前記第1の不純物領域と同じ導電型の第2の不純物領域を有し、該第2の不純物領域の不純物濃度が前記第1の不純物領域の不純物濃度より高い
固体撮像装置。 - 前記第1部分/前記第2部分の不純物導入の組み合わせが、p型/ノンドープ、n型/ノンドープ、n型/p型、p型/n型のいずれかである
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記画素が複数形成された撮像領域の外に形成された、画素駆動用トランジスタを有し、
前記画素駆動用トランジスタのゲート電極が、基板のチャネル領域の直上に形成された第3部分と、チャネル脇に形成された素子分離領域の一部の領域上に形成された第4部分とを有し、
前記ゲート電極の前記第3部分と前記基板のチャネル領域との間に設けられたゲート絶縁膜を有し、
前記画素駆動用トランジスタの素子分離領域は、前記ゲート電極の前記第4部分の下に、前記ゲート電極の前記第3部分と前記基板のチャネル領域との間に設けられた前記ゲート絶縁膜とは別に設けられた絶縁膜を有する
請求項2記載の固体撮像装置。 - 前記素子分離領域は、前記トランジスタの前記ゲート電極の前記第2部分の下以外の領域に形成された前記第1の不純物領域と同じ導電型の第3の不純物領域を含み、
前記第1の不純物領域は前記第3の不純物領域より高濃度である
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記素子分離領域は、前記トランジスタの前記ゲート電極の前記第2部分の下以外の領域に形成された前記第1の不純物領域と同じ導電型の第3の不純物領域を含み、
前記第1の不純物領域と前記第3の不純物領域とは、同一工程により一体的に形成されている
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第2の不純物領域が、前記第1の不純物領域内の前記ゲート絶縁膜に隣接する領域の一部及び前記第1の不純物領域の側面の一部を含む領域に設けられた場合、前記第2の不純物領域は少なくとも前記トランジスタのドレイン領域に隣接する素子分離領域に形成されている
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第2の不純物領域が、前記第1の不純物領域内の前記ゲート絶縁膜に隣接する領域の一部及び前記第1の不純物領域の側面の一部を含む領域に設けられた場合、前記第2の不純物領域は分離される2つの素子側から注入された2つの不純物領域を含む
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記2つの不純物領域は前記トランジスタのソース−ドレイン間分離不純物注入と同じ工程内で形成される
請求項7記載の固体撮像装置。 - 配線と前記ゲート電極とのコンタクト部がトランジスタのチャネル直上に形成されている
請求項1記載の固体撮像装置。 - 配線と前記ゲート電極とのコンタクト部がトランジスタのチャネル脇に延在するゲート電極の前記第2部分の上に形成されている
請求項1記載の固体撮像装置。
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