JP5320607B2 - 内部電圧発生回路 - Google Patents
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Description
図1は、この発明の実施の形態1に従う内部電圧発生回路を含む半導体集積回路装置の全体の構成を概略的に示す図である。図1において、半導体集積回路装置1は、内部電圧VCPPの所望電圧レベルを規定する基本電圧コード(デジタル値)TN_VREF<4:0>を生成するレベル設定回路2と、温度に依存しない参照電圧VOUT16を生成する参照電圧発生回路4と、これらの基本電圧コードTN_VREF<4:0>および参照電圧VOUT16に従って内部電圧VCPPを生成する内部電圧発生回路6を含む。内部電圧発生回路6が内部電源線9上に内部電圧VCPPを生成し、この内部電圧VCPPが、内部電圧使用回路8により使用される。
I2∝β2(VREF16−Vth)^2.
ここで、β1およびβ2は、それぞれ、MOSトランジスタNQ1およびNQ2のチャネル幅およびチャネル長の比に比例する定数である。また、記号^は、べき乗を示す。
I2=m・I1=I1
これらの式から、次式が導き出される。
A=(m・W1/W2)^(1/2)=(W1/W2)^(1/2)・・・(1)
MOSトランジスタNQ1およびNQ2のしきい値はともに等しくVthとしている。上式(1)において、右辺第1項は、定数である。右辺第2項において、MOSトランジスタNQ1およびNQ2のしきい値電圧Vthは、負の温度依存性を有しており、温度上昇とともに小さくなる。したがって、上式(1)において、係数Aを、1よりも大きな値に設定することにより、すなわち、チャネル幅W1およびW2について、W1>W2の関係を満たすようにMOSトランジスタNQ1およびNQ2を形成することにより、基準電圧VREF16に、比較的大きな正の温度依存性を持たせることができる。
図9は、この発明の実施の形態2に従う内部電圧発生回路の要部の構成を概略的に示す図である。図9に示す構成においては、A/D変換回路12と加算回路14との間にシフタ60が設けられる。このシフタ60は、A/D変換回路12の出力するデジタル基準電圧コードTN_VRFAD<3:0>に対して1ビット右または左シフト操作を実行する。これにより、A/D変換回路12の出力コードTN_VRFAD<3:0>の乗算または除算を実行する。シフタ60からのシフトコードSHADが、加算回路14へ与えられ、基本電圧コードTN_VREF<4:0>と加算される。
Claims (3)
- 温度依存性を有する基準電圧を生成する基準電圧発生回路、
前記基準電圧をデジタル値に変換するアナログ/デジタル変換回路、
生成する内部電圧のレベルを規定する基本デジタル値を前記アナログ/デジタル変換回路の出力デジタル値と加算する加算回路、および
前記加算回路の出力値をデジタル/アナログ変換し、該アナログ変換電圧に基いて内部電圧を生成する電源回路を備え、
前記基準電圧発生回路は、温度依存性を有しない参照電圧から前記温度依存性を有する基準電圧を生成する回路を含み、
前記電源回路は、
前記温度依存性を有しない参照電圧に対応する電圧を第1電源ノードに生成する内部電源と、
前記第1電源ノードと第2電源ノードとの電圧を抵抗分割して複数レベルの分圧電圧を生成する抵抗分圧回路と、
前記加算回路からの出力デジタル値に従って前記複数レベルの分圧電圧を選択して前記アナログ変換電圧を生成する選択回路とを備える、内部電圧発生回路。 - 前記加算回路と前記アナログ/デジタル変換回路の間に配置され、前記アナログ/デジタル変換回路の出力デジタル値を桁シフトし、該桁シフトされたデジタル値を前記加算回路へ与えるシフト回路をさらに備える、請求項1記載の内部電圧発生回路。
- 前記電源回路は、さらに、
前記アナログ変換電圧と前記加算回路の所定の出力ビットとに従って前記内部電圧のレベルを調整するディバイダと、
前記ディバイダの出力する電圧と前記参照電圧とを比較して前記内部電圧を生成する電源電圧発生回路を備える、請求項1記載の内部電圧発生回路。
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