JP5319193B2 - 液晶表示装置製造用多階調フォトマスク、液晶表示装置製造用多階調フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法 - Google Patents
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Description
「月刊エフピーディ・インテリジェンス(FPD Intelligence)」、1999年5月、p.31−35
本発明の多階調フォトマスクにおいては、薄膜トランジスタ用基板製造用のフォトマスクであることが好ましい。
図1は、本発明の実施の形態に係る多階調フォトマスクにおけるパターンを示す平面図である。多階調フォトマスクは、例えば液晶表示装置(LCD)の薄膜トランジスタ(TFT)やカラーフィルタ、またはプラズマディスプレイパネル(PDP)などの製造工程で使用されるものである。露光光の照射によって、被転写体上のレジスト膜に、膜厚の異なる部分をもつレジストパターンを形成するためのものである。図1に示す多階調フォトマスクにおけるパターンは、遮光部11間に挟まれた半透光部12,13を含むものである。具体的には、多階調フォトマスクの使用時に露光光を遮光(透過率が略0%)させる遮光部11と、露光光を略100%透過させる透光部と、露光光の透過率を20%〜60%程度に低減させる半透光部とを有して構成される。これらの遮光部11、透光部、及び半透光部は、ガラス基板などの透明基板上に形成された半透光膜及び遮光膜を、それぞれパターニングして得られる。図1に示すとおり、該パターンは、左から透光部、遮光部、半透光部、遮光部、透光部の順に配列している。以下において、半透光部などの幅は、この配列方向における幅をいう。なお、図1に示す遮光部11及び半透光部のパターン形状はあくまでも代表的な一例であって、本発明はこれに限定されない。
(実施例)
図1に示すパターンにおいて、半透光部の幅を3.6μmとし、第2半透光領域13の幅をそれぞれ0.8μm(第1半透光領域12の幅が2.0μm)とした半透光部を有する多階調フォトマスクを上記の方法により作製した。このとき、パターンの構成は、図4(b)に示す構成とし、遮光膜を構成する材料としてクロムを用い、第2半透光領域13を構成する材料としてMoSiを用い、第1半透光領域12を構成する積層膜のもう一方の半透光膜を構成する材料として酸化クロムを用いた。また、第1半透光領域12の透過率が45%となり、第2半透光領域13の透過率が25%となるように半透光膜の厚さを調整した。尚、ここでいう半透光膜の透過率とは、膜固有の透過率であり、後述する実効透過率ではない。
図1に示すパターンにおいて、半透光部の幅を3.6μmとし、半透光部を透過率が40%である半透光膜(MoSi膜)で構成すること以外実施例と同様にして多階調フォトマスクを作製した。このような多階調フォトマスクを用いて被転写体上のレジスト膜にパターン転写を行ったときの実効透過率TAのカーブを図8(a),(b)に示す。図8(a),(b)から分かるように、多階調フォトマスクにおける幅Aの前記半透光部に対応する部分においてプラトー領域がない形状であるレジストパターンとなった。
11 遮光部
12 第1半透光領域
13 第2半透光領域
14,15 半透光膜
16 レジスト膜
Claims (9)
- 透明基板上に半透光膜及び遮光膜を有し、前記半透光膜及び前記遮光膜のパターンにより遮光部、透光部、及び半透光部が形成された液晶表示装置製造用多階調フォトマスクであって、
前記多階調フォトマスクは、平面視において、離間した2つの前記遮光部間に位置する幅3μm〜6μmの半透光部を有し、
前記半透光部は、第1透過率を持つ第1半透光領域を有するとともに、
前記2つの遮光部と前記第1半透光領域との間に、それぞれ、前記第1透過率より高い第2透過率をもつ第2半透光部領域であって、かつi線〜g線の波長域を含む液晶表示装置製造用露光装置による露光条件下で解像限界以下の寸法をもつ第2半透光領域が、前記半透光部の光透過強度分布の平坦部が大きくなるように配置され、
前記第2半透光領域には、前記第1半透光領域より透過率の高い半透光膜が形成され、
かつ、前記半透光部の前記透光部に対する位相差が60°以下であることを特徴とする液晶表示装置製造用多階調フォトマスク。 - 前記半透光部に対するi線〜g線の範囲内の波長域を含む光源をもつ、液晶表示装置製造用露光装置による露光条件下の光透過強度分布曲線を平面視した場合、前記透光部の露光光透過率を100%とし、前記半透光部の幅方向の中央を含み、透過率の変動量が2%以下の領域をプラトー領域とするとき、前記プラトー領域が前記幅の50%を超えるものであることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置製造用多階調フォトマスク。
- 前記第1半透光領域の透過率と前記第2半透光領域の透過率との間の差分が10%〜50%であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の液晶表示装置製造用多階調フォトマスク。
- 前記第1半透光領域は、透明基板上に形成された第1半透光膜と第2半透光膜の積層によってなり、第2半透光膜は、透明基板上に形成された前記第1又は第2半透光膜によってなることにより、前記第2半透光領域は、前記第1半透光領域より透過率が高いことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の液晶表示装置製造用多階調フォトマスク。
- 前記第1半透光領域は、透明基板上に形成された第1膜厚の半透光膜によってなり、前記第2半透光領域は、透明基板上に形成された第2膜厚の半透光膜によってなることにより、前記第2半透光領域は、前記第1半透光領域より透過率が高いことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の液晶表示装置製造用多階調フォトマスク。
- 前記多階調フォトマスクは、被転写体上のレジスト膜に、膜厚の異なる部分をもつレジストパターンを形成するものであることを特徴とする、請求項1から請求項5のいずれかに記載の液晶表示装置製造用多階調フォトマスク。
- 前記多階調フォトマスクは、薄膜トランジスタ用基板製造用のフォトマスクであることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載の液晶表示装置製造用多階調フォトマスク。
- 透明基板上に半透光膜及び遮光膜を有し、前記半透光膜及び前記遮光膜のパターンにより遮光部、透光部、及び半透光部が形成された多階調フォトマスクの製造方法において、
平面視において、離間した2つの前記遮光部間に半透光膜が形成されてなる、幅3μm〜6μmの前記半透光部を配置し、
前記半透光部は、第1透過率を持つ第1半透光領域を有するとともに、
前記2つの遮光部と前記第1半透光領域との間に、それぞれ、前記第1透過率よりも高い第2透過率を持つ第2半透光領域であって、かつi線〜g線の波長域を含む液晶表示装置製造用露光装置による露光条件下で解像限界以下の寸法をもつ第2半透光領域を、前記半透光部の光透過強度分布の平坦部が大きくなるように配置し、
前記第2半透光領域には、前記第1半透光領域より透過率の高い半透光膜が形成され、
前記半透光部の前記透光部に対する位相差が60°以下であることによって、前記半透光部の露光光透過率カーブの平坦部を大きくすることを特徴とする液晶表示装置製造用多階調フォトマスクの製造方法。 - 請求項1から請求項7のいずれかに記載の液晶表示装置製造用多階調フォトマスクを用いて、被転写体に形成したレジスト膜における前記半透光部に対応する部分に、前記遮光部又は前記透光部と異なる膜厚のレジスト膜が形成されるような潜像を、i線〜g線の波長域を含む液晶表示装置製造用露光装置を用いて前記レジスト膜に転写することを特徴とするパターン転写方法。
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