JP5315880B2 - 薄膜の形成方法及び内燃機関の製造方法 - Google Patents
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Description
図2は、断熱用薄膜20を形成する方法の一例を説明するフローチャートである。まずステップS101の粒子製造工程においては、図3に示すように、断熱用材料として、粒状の樹脂21dの周りを無機化合物であるセラミック材料の層21bで覆った粒子21を多数製造する。ここでの樹脂21dについては、高温で熱分解してガス化する樹脂を用い、例えばポリスチレンやポリイミド等の樹脂を用いることができる。また、ここでのセラミック材料(無機化合物)については、例えば耐熱性の高いジルコニア(ZrO2)を用いることができる。さらに、ジルコニア以外に、シリカ(二酸化珪素、SiO2)やアルミナ(Al2O3)や窒化珪素や炭化珪素やコージェライト等のセラミック材料を用いることも可能である。ただし、セラミック材料(例えばジルコニア)の層21bは、まだ焼成されておらず、緻密化されていない。つまり、セラミック材料の層21bは、粗な構造であり、その内外が遮断されていない。また、各粒子21の外径は、例えば数十μm程度である。
図7は、断熱用薄膜20を形成する方法の他の例を説明するフローチャートである。以下の実施例2の説明では、実施例1と同様の構成または対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略する構成については実施例1と同様である。
図12は、断熱用薄膜20を形成する方法の他の例を説明するフローチャートである。以下の実施例3の説明では、実施例1,2と同様の構成または対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略する構成については実施例1,2と同様である。
図16は、断熱用薄膜20を形成する方法の他の例を説明するフローチャートである。以下の実施例4の説明では、実施例1〜3と同様の構成または対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略する構成については実施例1〜3と同様である。
図22は、断熱用薄膜20を形成する方法の他の例を説明するフローチャートである。以下の実施例5の説明では、実施例1〜4と同様の構成または対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略する構成については実施例1〜4と同様である。
図24は、断熱用薄膜20を形成する方法の他の例を説明するフローチャートである。以下の実施例6の説明では、実施例1〜5と同様の構成または対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略する構成については実施例1〜5と同様である。
図26は、断熱用薄膜20を形成する方法の他の例を説明するフローチャートである。以下の実施例7の説明では、実施例1〜6と同様の構成または対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略する構成については実施例1〜6と同様である。
図31は、断熱用薄膜20を形成する方法の他の例を説明するフローチャートである。以下の実施例8の説明では、実施例1〜7と同様の構成または対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略する構成については実施例1〜7と同様である。
図36は、断熱用薄膜20を形成する方法の他の例を説明するフローチャートである。以下の実施例9の説明では、実施例1〜8と同様の構成または対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略する構成については実施例1〜8と同様である。
図41は、断熱用薄膜20を形成する方法の他の例を説明するフローチャートである。以下の実施例10の説明では、実施例1〜9と同様の構成または対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略する構成については実施例1〜9と同様である。
Claims (5)
- 基材上に薄膜を形成する方法であって、
粒状の樹脂の周りを無機化合物の層で覆った粒子を製造する粒子製造工程と、
基材上に塗布された、有機珪素化合物と多数の前記粒子とを含む薄膜を加熱して、該粒子内の樹脂をガス化させるとともに、前記有機珪素化合物の熱分解により発生するガスを薄膜から抜くガス抜用加熱工程と、
ガス抜用加熱工程後の薄膜をガス抜用加熱工程よりも高い温度で加熱して、前記無機化合物の層を緻密化させるとともに、熱分解後の前記有機珪素化合物を焼成する焼成用加熱工程と、
を含むことで、各粒子内に気泡が形成された薄膜を基材上に形成する、薄膜の形成方法。 - 請求項1に記載の薄膜の形成方法であって、
前記有機珪素化合物と多数の前記粒子とを含む薄膜を目標の厚さよりも薄い厚さで塗布する塗布工程と、前記ガス抜用加熱工程と、前記焼成用加熱工程とを、薄膜の合計厚さが目標の厚さに達するまで順に繰り返すことで、目標の厚さの薄膜を基材上に形成する、薄膜の形成方法。 - 基材上に薄膜を形成する方法であって、
導電プレート上に、焼成された薄膜を形成する薄膜形成工程と、
該薄膜が形成された導電プレートと基材とを電磁誘導加熱により接合する接合用加熱工程と、
を含み、
薄膜形成工程は、
粒状の樹脂の周りを無機化合物の層で覆った粒子を製造する粒子製造工程と、
導電プレート上に塗布された、有機珪素化合物と多数の前記粒子とを含む薄膜を加熱して、該粒子内の樹脂をガス化させるとともに、前記有機珪素化合物の熱分解により発生するガスを薄膜から抜くガス抜用加熱工程と、
ガス抜用加熱工程後の薄膜をガス抜用加熱工程よりも高い温度で加熱して、前記無機化合物の層を緻密化させるとともに、熱分解後の前記有機珪素化合物を焼成する焼成用加熱工程と、
を含むことで、各粒子内に気泡が形成された薄膜を導電プレート上に形成し、
導電プレートの軟化点が基材の軟化点よりも高く、導電プレートの電気抵抗が基材の電気抵抗よりも大きい、薄膜の形成方法。 - 請求項3に記載の薄膜の形成方法であって、
前記接合用加熱工程においては、前記薄膜が形成された導電プレートと基材とをロウ材を介して接合する、薄膜の形成方法。 - 燃焼室を形成する母材の少なくとも一部の、燃焼室内に臨む壁面に、薄膜が形成された内燃機関を製造する方法であって、
請求項1〜4のいずれか1に記載の薄膜の形成方法により前記壁面に薄膜を形成する工程を含む、内燃機関の製造方法。
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