JP4734864B2 - スパッタリング方法 - Google Patents
スパッタリング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4734864B2 JP4734864B2 JP2004219727A JP2004219727A JP4734864B2 JP 4734864 B2 JP4734864 B2 JP 4734864B2 JP 2004219727 A JP2004219727 A JP 2004219727A JP 2004219727 A JP2004219727 A JP 2004219727A JP 4734864 B2 JP4734864 B2 JP 4734864B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- substrate
- gas
- thin film
- rare gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
図1に本発明の第1の実施の形態を示す。これは真空容器91に基板99(今回はSi基板を用いた)を投入しスパッタリングにより誘電体であるSiO2薄膜を形成するマグネトロンスパッタリング装置の例である。真空容器91の下部に外径200mmのターゲット92(ターゲット92としては所望の絶縁膜を構成する元素でできたもの、若しくは反応性ガスと反応して所望の絶縁物を形成することができる材料が好ましいが、今回はSiO2を用いた)及び下部電極93を配し、真空容器91の上部に基板99を配置可能な基板保持機構98を設け、ターゲット92−基板99間の距離を40mmとした。この真空容器中にArガスを導入し、真空容器内圧力を1.0Pa(グロー放電が維持できる圧力であれば良い)とした。このとき、真空容器内に反応性ガスを導入しても良い。下部電極93−真空容器91間に1kW高周波電力を、整合機を通して印加した(ターゲット92が導電性のものであれば直流電力でもよい)。基板99上に成膜されたSiO2薄膜膜厚分布を図2に示す。
図6に本発明の第2の実施の形態を示す。
92 ターゲット
93 下部電極
94 内側磁石
95 外側磁石
96 ヨーク
97 弧状の磁力線
98 基板保持機構
99 基板
910 電源
Claims (1)
- 真空容器中に配置された基板に対向して設けられた形成したい薄膜の成分の一部または全部からなるターゲットに電力を印加することで前記基板を成膜するスパッタリング方法であって、
前記真空容器内に前記ターゲットを構成する元素の原子量よりも大きな分子量を持つ希ガスと、前記ターゲットを構成する元素の原子量よりも小さな分子量を持つ希ガスとの混合ガスを導入し、前記ターゲットの侵食量が進むに連れ、前記混合ガスのうち前記ターゲットを構成する元素の原子量よりも小さな分子量を持つ希ガスの混合比を増やすことで、希ガスの混合比を変化させること
を特徴とするスパッタリング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004219727A JP4734864B2 (ja) | 2004-07-28 | 2004-07-28 | スパッタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004219727A JP4734864B2 (ja) | 2004-07-28 | 2004-07-28 | スパッタリング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006037172A JP2006037172A (ja) | 2006-02-09 |
JP4734864B2 true JP4734864B2 (ja) | 2011-07-27 |
Family
ID=35902480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004219727A Expired - Fee Related JP4734864B2 (ja) | 2004-07-28 | 2004-07-28 | スパッタリング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4734864B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5885521B2 (ja) * | 2012-02-01 | 2016-03-15 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
WO2018216226A1 (ja) * | 2017-05-26 | 2018-11-29 | アドバンストマテリアルテクノロジーズ株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05195211A (ja) * | 1991-11-30 | 1993-08-03 | Ricoh Co Ltd | Al又はAl合金のスパッタリング方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02182873A (ja) * | 1989-01-10 | 1990-07-17 | Seiko Epson Corp | 薄膜の製造方法 |
JP2707951B2 (ja) * | 1993-07-15 | 1998-02-04 | 日本電気株式会社 | スパッタ方法 |
JPH07258840A (ja) * | 1994-03-23 | 1995-10-09 | Asahi Glass Co Ltd | カーボン薄膜形成方法 |
JPH10265953A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-06 | Canon Inc | スパッタ膜、液晶素子及びこれらの製造方法 |
US6429097B1 (en) * | 2000-05-22 | 2002-08-06 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method to sputter silicon films |
JP2003089548A (ja) * | 2001-09-17 | 2003-03-28 | Citizen Watch Co Ltd | 時計用風防ガラスの製造方法 |
-
2004
- 2004-07-28 JP JP2004219727A patent/JP4734864B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05195211A (ja) * | 1991-11-30 | 1993-08-03 | Ricoh Co Ltd | Al又はAl合金のスパッタリング方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006037172A (ja) | 2006-02-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI499682B (zh) | 電漿處理腔室以及沉積薄膜的方法 | |
US6627056B2 (en) | Method and apparatus for ionized plasma deposition | |
KR100987835B1 (ko) | 시드막의 성막 방법, 플라즈마 성막 장치 및 기억 매체 | |
US6143128A (en) | Apparatus for preparing and metallizing high aspect ratio silicon semiconductor device contacts to reduce the resistivity thereof | |
US9633839B2 (en) | Methods for depositing dielectric films via physical vapor deposition processes | |
TWI714553B (zh) | 透過靶壽命控制一或多個薄膜性質的自動電容調節器電流補償 | |
JP4344019B2 (ja) | イオン化スパッタ方法 | |
KR20130093612A (ko) | 고 종횡비 피처들에서 금속을 증착하는 방법 | |
US10513433B2 (en) | Laminated ceramic chip component including nano thin film layer, manufacturing method therefor, and atomic layer vapor deposition apparatus therefor | |
JPH11168090A (ja) | 半導体製造方法 | |
JP4734864B2 (ja) | スパッタリング方法 | |
WO2007125836A1 (ja) | Ti膜の成膜方法 | |
JP4179047B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5335916B2 (ja) | 被膜表面処理方法 | |
JP2009275281A (ja) | スパッタリング方法及び装置 | |
JP4175242B2 (ja) | マグネトロンスパッタ装置および方法 | |
WO2015011855A1 (ja) | 酸化物薄膜の形成方法 | |
JP5312138B2 (ja) | スパッタリング方法 | |
JP2005248222A (ja) | スパッタリング方法 | |
JP2007154224A (ja) | スパッタリング方法および装置 | |
KR100886989B1 (ko) | Ti 막의 성막 방법 및 컴퓨터 판독 가능 기억 매체 | |
WO2004049423A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2006032602A (ja) | スパッタリング装置および方法 | |
JP4715736B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
CN116065121A (zh) | Pvd方法及设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070604 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20070712 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090626 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101005 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101013 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110329 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110411 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |