JP5303199B2 - ORGANIC EL ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC EL ELEMENT - Google Patents

ORGANIC EL ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC EL ELEMENT Download PDF

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Description

本発明は、封止膜を備えた有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子及び有機EL素子の製造方法に関する。   The present invention relates to an organic EL (electroluminescence) element provided with a sealing film and a method for producing the organic EL element.

現在、有機発光層を備えた有機EL素子が知られている。有機発光層は、水分や酸素に弱い。このため、水分や酸素を遮断して、有機発光層を保護するための封止膜が提案されている。   Currently, an organic EL element having an organic light emitting layer is known. The organic light emitting layer is vulnerable to moisture and oxygen. For this reason, a sealing film for blocking moisture and oxygen and protecting the organic light emitting layer has been proposed.

有機発光層を保護するための封止膜としては、樹脂等の有機物が知られている。しかしながら、樹脂により封止膜を構成した場合、水分や酸素の遮蔽が十分でないといった問題がある。   As sealing films for protecting the organic light emitting layer, organic substances such as resins are known. However, when the sealing film is made of resin, there is a problem that moisture and oxygen are not sufficiently shielded.

そこで、特許文献1には、有機発光層をガラスからなる保護基板によって保護された有機EL素子が開示されている。特許文献1の有機EL素子では、保護基板の外周部が樹脂からなる封着材によって基板上に形成された陽極と封着されている。
特開2000−133439号公報
Therefore, Patent Document 1 discloses an organic EL element in which an organic light emitting layer is protected by a protective substrate made of glass. In the organic EL element of Patent Document 1, the outer peripheral portion of the protective substrate is sealed with the anode formed on the substrate by a sealing material made of resin.
JP 2000-133439 A

しかしながら、特許文献1の有機EL素子では、水分等が、保護基板の外周部に設けられた封着材を透過して、有機発光層が形成された領域に侵入する。この結果、有機発光層の外周部から劣化が進行し易いといった課題があった。   However, in the organic EL element of Patent Document 1, moisture or the like permeates the sealing material provided on the outer peripheral portion of the protective substrate and enters the region where the organic light emitting layer is formed. As a result, there has been a problem that deterioration easily proceeds from the outer peripheral portion of the organic light emitting layer.

本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、有機発光層の劣化を抑制できる有機EL素子及び有機EL素子の製造方法を提供することを目的としている。   The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an organic EL element capable of suppressing deterioration of an organic light emitting layer and a method for manufacturing the organic EL element.

上記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、光を透過可能な基板と、前記基板上に形成された透光性を有する第1電極と、前記第1電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層上に形成された第2電極と、前記基板上に形成されると共に、前記第1電極と離間して形成され、更に前記第2電極と接続される透明電極と、前記有機発光層及び前記第2電極を覆うように、且つ、前記基板側に向かって広がるテーパ部が外周部に形成され、樹脂からなる平坦化膜と、前記平坦化膜の上面に形成された無機物からなる封止膜とを備え、前記テーパ部は、前記第1電極または前記透明電極と接する領域まで傾斜しており、前記有機発光層及び前記第2電極上に、抵抗加熱蒸着法によって形成されたLiFまたはMoOからなるバッファー層を設けたことを特徴とする有機EL素子である。 In order to achieve the above object, an invention according to claim 1 is formed on a substrate capable of transmitting light , a first electrode having light transmissivity formed on the substrate, and the first electrode. An organic light emitting layer, a second electrode formed on the organic light emitting layer, a transparent electrode formed on the substrate, spaced apart from the first electrode, and connected to the second electrode. A tapered portion that covers the electrode, the organic light emitting layer, and the second electrode and that extends toward the substrate is formed on the outer peripheral portion, a planarizing film made of resin, and an upper surface of the planarizing film A sealing film made of an inorganic material, and the tapered portion is inclined to a region in contact with the first electrode or the transparent electrode, and is formed by resistance heating vapor deposition on the organic light emitting layer and the second electrode. Formed by LiF or MoO 3 An organic EL element having a fur layer.

また、請求項2に記載の発明は、前記封止膜上に形成された樹脂製の接着層と、前記接着層に接着された封止板とを備えたことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子である。 The invention described in claim 2 comprises a resin adhesive layer formed on the sealing film and a sealing plate bonded to the adhesive layer. It is an organic EL element of description.

また、請求項3に記載の発明は、前記平坦化膜と前記封止膜とが交互に複数積層されていることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の有機EL素子である。 The invention according to claim 3 is characterized in that a plurality of the planarization films and the sealing films are alternately laminated, and the organic EL element according to claim 1 or 2 It is.

本発明では、基板側に向かって広がるテーパ部を有する樹脂製の平坦化膜が有機発光層を覆うように形成されている。これにより、平坦化膜により有機発光及び第2電極によって形成された凹凸を低減することができる。また、テーパ部は、第1電極または基板と接する領域まで傾斜している。この結果、平坦化膜の上面に形成される封止膜の不連続を抑制することができるので、有機発光層の劣化を抑制できる。   In the present invention, a resin flattening film having a taper portion extending toward the substrate side is formed so as to cover the organic light emitting layer. Thereby, the unevenness | corrugation formed with the organic light emission and the 2nd electrode by the planarization film | membrane can be reduced. Further, the tapered portion is inclined to a region in contact with the first electrode or the substrate. As a result, since the discontinuity of the sealing film formed on the upper surface of the planarizing film can be suppressed, deterioration of the organic light emitting layer can be suppressed.

(第1実施形態)
以下、図面を参照して、本発明をボトムエミッション型の有機EL素子に適用した第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態による有機EL素子の断面図である。図2は、第1実施形態による有機EL素子の平面図である。図3は、平坦化膜のテーパ部の傾斜を説明する図である。
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment in which the present invention is applied to a bottom emission type organic EL element will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of an organic EL element according to the first embodiment. FIG. 2 is a plan view of the organic EL element according to the first embodiment. FIG. 3 is a diagram for explaining the inclination of the tapered portion of the planarizing film.

以下の説明において、図1及び図2に示すXYZをXYZ方向とする。また、+Z方向を上方向、−Z方向を下方向とする。尚、図1は、図2におけるI−I線に沿った断面図である。   In the following description, XYZ shown in FIGS. 1 and 2 is defined as an XYZ direction. Further, the + Z direction is the upward direction, and the −Z direction is the downward direction. 1 is a cross-sectional view taken along line II in FIG.

図1及び図2に示すように、第1実施形態による有機EL素子1は、基板2と、透明電極(請求項の第1電極に相当)3と、有機発光層4と、陰極(請求項の第2電極に相当)5と、平坦化膜6と、封止膜7とを備えている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the organic EL device 1 according to the first embodiment includes a substrate 2, a transparent electrode (corresponding to the first electrode in the claims) 3, an organic light emitting layer 4, and a cathode (claims). 5), a flattening film 6, and a sealing film 7.

基板2は、光を透過可能なガラス基板からなる。基板2は、約0.7mmの厚みを有する。基板2は、平面視にて、長方形状に形成されている。基板2の上面は、各層3〜7が形成される成長主面2aである。基板2の下面は、有機発光層4により発光された光が取り出される光取出面2bである。   The substrate 2 is made of a glass substrate that can transmit light. The substrate 2 has a thickness of about 0.7 mm. The substrate 2 is formed in a rectangular shape in plan view. The upper surface of the substrate 2 is a growth main surface 2a on which the layers 3 to 7 are formed. The lower surface of the substrate 2 is a light extraction surface 2b from which light emitted by the organic light emitting layer 4 is extracted.

透明電極3は、基板2の成長主面2a上に形成されている。透明電極3は、光を透過可能な約150nmの厚みを有するITO(酸化インジウムスズ)からなる。透明電極3は、陽極11と、陰極端子12とを含む。透明電極3には、陽極11と陰極端子12とを分離して、電気的に絶縁するための絶縁溝13が形成されている。絶縁溝13は、基板2のY方向の全長にわたって延びるように形成されている。絶縁溝13は、基板2の成長主面2aが露出するように形成されている。   The transparent electrode 3 is formed on the main growth surface 2 a of the substrate 2. The transparent electrode 3 is made of ITO (indium tin oxide) having a thickness of about 150 nm capable of transmitting light. The transparent electrode 3 includes an anode 11 and a cathode terminal 12. The transparent electrode 3 is formed with an insulating groove 13 for separating the anode 11 and the cathode terminal 12 and electrically insulating them. The insulating groove 13 is formed to extend over the entire length of the substrate 2 in the Y direction. The insulating groove 13 is formed so that the main growth surface 2a of the substrate 2 is exposed.

陽極11は、有機発光層4に正孔を注入するためのものである。陽極11は、絶縁溝13から視て、−X方向側に形成されている。陽極11は、成長主面2aの約2/3の面積を有する長方形状に形成されている。陽極11は、有機発光層4の下面と電気的に接続されている。陽極11の外周部には、陽極端子11aとして機能する。陽極端子11aは、封止膜7から露出している。陽極端子11aには、外部の電源(図示略)が接続される。   The anode 11 is for injecting holes into the organic light emitting layer 4. The anode 11 is formed on the −X direction side when viewed from the insulating groove 13. The anode 11 is formed in a rectangular shape having an area of about 2/3 of the growth main surface 2a. The anode 11 is electrically connected to the lower surface of the organic light emitting layer 4. The outer periphery of the anode 11 functions as an anode terminal 11a. The anode terminal 11 a is exposed from the sealing film 7. An external power supply (not shown) is connected to the anode terminal 11a.

陰極端子12は、外部の電源と陰極5とを接続するためのものである。陰極端子12は、絶縁溝13から視て、+X方向側に形成されている。陽極11は、成長主面2aの約1/4の面積を有する長方形状に形成されている。陰極端子12は、陰極5と電気的に接続されている。陰極端子12の外周部は、露出されている。露出された陰極端子12の外周部には、外部の電源が接続される。   The cathode terminal 12 is for connecting an external power source and the cathode 5. The cathode terminal 12 is formed on the + X direction side when viewed from the insulating groove 13. The anode 11 is formed in a rectangular shape having an area of about ¼ of the main growth surface 2a. The cathode terminal 12 is electrically connected to the cathode 5. The outer periphery of the cathode terminal 12 is exposed. An external power source is connected to the exposed outer peripheral portion of the cathode terminal 12.

有機発光層4は、光を発光するためのものである。有機発光層4は、平面視にて、基板2の外周部よりも小さい、長方形状に形成されている。有機発光層4には、正孔輸送層及び電子輸送層が陽極11側から順に積層されている。正孔輸送層は、約50nmの厚みを有するNPD(ジフェニルナフチルジアミン)膜からななる。電子輸送層は、約50nmの厚みを有し、色素を混入させたキノリノールアルミ錯体(Alq)膜からなる。有機発光層4は、陽極11上に電気的に接続された状態で形成されている。有機発光層4の+X方向側の端部は、絶縁溝13の内部に形成されている。 The organic light emitting layer 4 is for emitting light. The organic light emitting layer 4 is formed in a rectangular shape smaller than the outer peripheral portion of the substrate 2 in plan view. In the organic light emitting layer 4, a hole transport layer and an electron transport layer are sequentially laminated from the anode 11 side. The hole transport layer is made of an NPD (diphenylnaphthyldiamine) film having a thickness of about 50 nm. The electron transport layer has a thickness of about 50 nm and is made of a quinolinol aluminum complex (Alq 3 ) film mixed with a dye. The organic light emitting layer 4 is formed on the anode 11 in an electrically connected state. The end of the organic light emitting layer 4 on the + X direction side is formed inside the insulating groove 13.

陰極5は、有機発光層4に電子を注入するためのものである。陰極5は、平面視にて、長方形状に形成されている。陰極5は、有機発光層4及び陰極端子12上に電気的に接続された状態で形成されている。これにより、陰極5は、有機発光層4と陰極端子12とを電気的に接続する。−X方向及び±Y方向において、陰極5は、有機発光層4よりも一回り小さくなるように形成されている。これにより、陰極5が、陽極11と短絡されることを抑制できる。陰極5の一部は、絶縁溝13に形成されているが、絶縁溝13に形成された有機発光層4によって陽極11と絶縁されている。陰極5は、約100nmの厚みを有するAl膜からなる。   The cathode 5 is for injecting electrons into the organic light emitting layer 4. The cathode 5 is formed in a rectangular shape in plan view. The cathode 5 is formed on the organic light emitting layer 4 and the cathode terminal 12 in an electrically connected state. Thereby, the cathode 5 electrically connects the organic light emitting layer 4 and the cathode terminal 12. In the −X direction and the ± Y direction, the cathode 5 is formed to be slightly smaller than the organic light emitting layer 4. Thereby, it is possible to suppress the cathode 5 from being short-circuited with the anode 11. A part of the cathode 5 is formed in the insulating groove 13, but is insulated from the anode 11 by the organic light emitting layer 4 formed in the insulating groove 13. The cathode 5 is made of an Al film having a thickness of about 100 nm.

平坦化膜6は、基板2上に形成された各層3〜5のうち最表面である陰極5の上に存在する凹凸を減少させて、封止膜7の不連続や欠陥を抑制するためのものである。平坦化膜6は、平面視にて、長方形状に形成されている。平坦化膜6は、基板2、透明電極3、有機発光層4及び陰極5を覆うように形成されている。平坦化膜6の下面の外周は、有機発光層4の外周及び陰極5の外周よりも外側に形成されている。即ち、平坦化膜6の下面は、基板2、または、透明電極3の上面に達するまで形成されている。平坦化膜6は、約20μmの厚みを有する。平坦化膜6は、硬化剤を含むエポキシ系熱可塑性樹脂からなる。硬化剤は、イミダゾール化合物からなる。硬化剤は、一度、硬化した熱可塑性樹脂が、加熱によって軟化することを抑制するためのものである。   The flattening film 6 is used for reducing irregularities existing on the outermost surface of the cathode 5 among the layers 3 to 5 formed on the substrate 2 to suppress discontinuity and defects of the sealing film 7. Is. The planarizing film 6 is formed in a rectangular shape in plan view. The planarization film 6 is formed so as to cover the substrate 2, the transparent electrode 3, the organic light emitting layer 4, and the cathode 5. The outer periphery of the lower surface of the planarizing film 6 is formed outside the outer periphery of the organic light emitting layer 4 and the outer periphery of the cathode 5. That is, the lower surface of the planarizing film 6 is formed until reaching the upper surface of the substrate 2 or the transparent electrode 3. The planarizing film 6 has a thickness of about 20 μm. The planarizing film 6 is made of an epoxy thermoplastic resin containing a curing agent. The curing agent is made of an imidazole compound. The curing agent is for suppressing the once cured thermoplastic resin from being softened by heating.

図1に示すように、平坦化膜6の外周部には、テーパ部8が形成されている。ここで、図3に示すように、平坦化膜6のテーパ部8の下部の傾斜角度αは、α<90°となるように構成されている。尚、傾斜角度αは、テーパ部8の内面と陽極11の上面、または、基板2の成長主面2aとのなす角度である。平坦化膜6は、上面(+Z側の面)よりも下面(−Z側の面)が大きくなるように構成されている。即ち、テーパ部8は、基板2及び透明電極3側に向かって広がるように形成されている。また、テーパ部8は、基板2及び透明電極3と接する領域まで傾斜している。   As shown in FIG. 1, a tapered portion 8 is formed on the outer peripheral portion of the planarizing film 6. Here, as shown in FIG. 3, the inclination angle α of the lower portion of the tapered portion 8 of the planarizing film 6 is configured to satisfy α <90 °. The inclination angle α is an angle formed between the inner surface of the tapered portion 8 and the upper surface of the anode 11 or the growth main surface 2a of the substrate 2. The planarizing film 6 is configured such that the lower surface (the −Z side surface) is larger than the upper surface (the + Z side surface). That is, the tapered portion 8 is formed so as to expand toward the substrate 2 and the transparent electrode 3 side. Further, the tapered portion 8 is inclined to a region in contact with the substrate 2 and the transparent electrode 3.

封止膜7は、水分や酸素を遮断して、有機発光層4の劣化を抑制するためのものである。封止膜7は、平面視にて、長方形状に形成されている。封止膜7は、テーパ部8を含む平坦化膜6の上面全体を覆うように形成されている。封止膜7の外周は、平面視において、平坦化膜6の外周よりも外側になるように形成されている。即ち、封止膜7は、基板2、または、透明電極3の上面に達するまで形成されている。封止膜7は、約100nmの厚みを有する。封止膜7は、スパッタ法によって成膜された緻密なAl膜からなる。 The sealing film 7 is for blocking moisture and oxygen and suppressing deterioration of the organic light emitting layer 4. The sealing film 7 is formed in a rectangular shape in plan view. The sealing film 7 is formed so as to cover the entire upper surface of the planarizing film 6 including the tapered portion 8. The outer periphery of the sealing film 7 is formed to be outside the outer periphery of the planarizing film 6 in plan view. That is, the sealing film 7 is formed until reaching the upper surface of the substrate 2 or the transparent electrode 3. The sealing film 7 has a thickness of about 100 nm. The sealing film 7 is a dense Al 2 O 3 film formed by sputtering.

次に、上述した第1実施形態による有機EL素子1の動作を説明する。   Next, the operation of the organic EL element 1 according to the first embodiment described above will be described.

まず、有機EL素子1の陽極端子11aには、外部の電源から正孔が注入される。また、有機EL素子1の陰極端子12には、外部の電源から電子が注入される。陽極端子11aに注入された正孔は、陽極11を介して、有機発光層4に注入される。一方、陰極端子12に注入された電子は、陰極5を介して、有機発光層4に注入される。有機発光層4に注入された正孔と電子は、再結合して光を発光する。発光された光は、陽極11及び基板2を透過して、光取出面2bから外部へと照射される。   First, holes are injected into the anode terminal 11a of the organic EL element 1 from an external power source. Electrons are injected into the cathode terminal 12 of the organic EL element 1 from an external power source. Holes injected into the anode terminal 11 a are injected into the organic light emitting layer 4 through the anode 11. On the other hand, electrons injected into the cathode terminal 12 are injected into the organic light emitting layer 4 through the cathode 5. The holes and electrons injected into the organic light emitting layer 4 recombine to emit light. The emitted light passes through the anode 11 and the substrate 2 and is irradiated from the light extraction surface 2b to the outside.

次に、上述した第1実施形態による有機EL素子1の製造方法について説明する。図4〜図11は、第1実施形態による有機EL素子の各製造工程を説明する図である。   Next, a method for manufacturing the organic EL element 1 according to the first embodiment will be described. 4-11 is a figure explaining each manufacturing process of the organic EL element by 1st Embodiment.

まず、図4に示すように、チャンバーに導入された基板2の成長主面2aの全面にITOからなる透明電極3を形成する。   First, as shown in FIG. 4, a transparent electrode 3 made of ITO is formed on the entire main growth surface 2a of the substrate 2 introduced into the chamber.

次に、図5に示すように、フォトリソグラフィー法により、絶縁溝13を形成する領域が露出するように、透明電極3上にレジスト膜21を形成する。その後、エッチング法によって、陽極11と陰極端子12との間に絶縁溝13を形成する。この後、レジスト膜21を除去する。   Next, as shown in FIG. 5, a resist film 21 is formed on the transparent electrode 3 by photolithography so that the region for forming the insulating groove 13 is exposed. Thereafter, an insulating groove 13 is formed between the anode 11 and the cathode terminal 12 by an etching method. Thereafter, the resist film 21 is removed.

次に、図6に示すように、中央部に開口部22aが形成されたシャドウマスク22を用いて、陽極11の上面及び絶縁溝13の内部の所定の領域に有機発光層4を蒸着する。   Next, as shown in FIG. 6, the organic light emitting layer 4 is deposited on a predetermined region inside the upper surface of the anode 11 and the insulating groove 13 using a shadow mask 22 having an opening 22 a formed at the center.

次に、図7に示すように、中央部に開口部23aが形成されたシャドウマスク23を用いて、有機発光層4の上面、絶縁溝13の内部及び陰極端子12の上面の所定の領域にAl膜からなる陰極5を蒸着する。   Next, as shown in FIG. 7, a shadow mask 23 having an opening 23 a formed in the center is used to form a predetermined region on the upper surface of the organic light emitting layer 4, the inside of the insulating groove 13, and the upper surface of the cathode terminal 12. A cathode 5 made of an Al film is deposited.

次に、図8に示すように、硬化剤を含むエポキシ系の熱可塑性樹脂シート24を所望の形状に切断した後、保持フィルム25に貼り付ける。各層3〜5が形成された基板2と同じチャンバーに熱可塑性樹脂シート24及び保持フィルム25を導入する。この後、チャンバーを約1kPaに減圧する。   Next, as shown in FIG. 8, an epoxy-based thermoplastic resin sheet 24 containing a curing agent is cut into a desired shape and then attached to the holding film 25. A thermoplastic resin sheet 24 and a holding film 25 are introduced into the same chamber as the substrate 2 on which the layers 3 to 5 are formed. Thereafter, the chamber is depressurized to about 1 kPa.

次に、図9に示すように、有機発光層4及び陰極5を覆うように熱可塑性樹脂シート24を載置する。ここで、熱可塑性樹脂シート24の外周が、有機発光層4の外周よりも外側になるように、熱可塑性樹脂シート24を位置決めする。   Next, as shown in FIG. 9, a thermoplastic resin sheet 24 is placed so as to cover the organic light emitting layer 4 and the cathode 5. Here, the thermoplastic resin sheet 24 is positioned so that the outer periphery of the thermoplastic resin sheet 24 is outside the outer periphery of the organic light emitting layer 4.

次に、基板2側から約100℃で5分間加熱することによって、熱可塑性樹脂シート24を流動性のある状態にした後、上面から下方向に向かって1気圧の圧力を加える。次いで、チャンバーを大気圧に戻し、樹脂を密着させる。以上のようにして、透明電極3の一部、有機発光層4及び陰極5を覆うように熱可塑性樹脂からなる平坦化膜6を成膜する。この後、室温まで降温した後、図10に示すように、保持フィルム25を除去する。   Next, after making the thermoplastic resin sheet 24 into a fluid state by heating from the substrate 2 side at about 100 ° C. for 5 minutes, a pressure of 1 atm is applied downward from the upper surface. The chamber is then returned to atmospheric pressure and the resin is brought into close contact. As described above, the planarizing film 6 made of the thermoplastic resin is formed so as to cover a part of the transparent electrode 3, the organic light emitting layer 4 and the cathode 5. Thereafter, after the temperature is lowered to room temperature, the holding film 25 is removed as shown in FIG.

次に、チャンバー内を大気圧にした状態で、基板2側から平坦化膜6を約100℃で加熱する。これによって、平坦化膜6が軟化する。更に、約100℃で1時間加熱することによって、硬化剤により平坦化膜6が徐々に硬化し始める。これにより、平坦化膜6に熱収縮が起こって、応力が逃げる。この結果、図11に示すように、平坦化膜6の外周部にテーパ部8が形成される。この後、平坦化膜6を室温まで冷却する。尚、本工程においても、チャンバー内を減圧してもよく、また、窒素雰囲気中で行ってもよい。   Next, the planarizing film 6 is heated at about 100 ° C. from the substrate 2 side in a state where the chamber is at atmospheric pressure. Thereby, the planarizing film 6 is softened. Furthermore, by heating at about 100 ° C. for 1 hour, the planarizing film 6 begins to be gradually cured by the curing agent. As a result, thermal contraction occurs in the planarizing film 6 and stress is released. As a result, as shown in FIG. 11, a tapered portion 8 is formed on the outer peripheral portion of the planarizing film 6. Thereafter, the planarizing film 6 is cooled to room temperature. Also in this step, the inside of the chamber may be decompressed or may be performed in a nitrogen atmosphere.

次に、スパッタ法により平坦化膜6上に、Alからなる封止膜7を成膜する。ここで、封止膜7を成膜する方法として、対向ターゲット式スパッタ法を採用した。また、スパッタ法における各条件は、
ターゲット:Al(アルミニウム)
成膜ガス :Ar(アルゴン) 100sccm〜200sccm
(酸素) 6sccm〜20sccm
成膜圧力 :0.3Pa〜0.5Pa
投入電力 :1kW〜2.8kW
膜厚 :300nm
成膜レート:0.051nm/s〜0.96nm/s
である。
Next, a sealing film 7 made of Al 2 O 3 is formed on the planarizing film 6 by sputtering. Here, as a method for forming the sealing film 7, an opposed target sputtering method was adopted. Each condition in the sputtering method is
Target: Al (aluminum)
Deposition gas: Ar (argon) 100 sccm to 200 sccm
O 2 (oxygen) 6 sccm to 20 sccm
Deposition pressure: 0.3 Pa to 0.5 Pa
Input power: 1 kW to 2.8 kW
Film thickness: 300nm
Deposition rate: 0.051 nm / s to 0.96 nm / s
It is.

これにより、図1及び図2に示す有機EL素子1が完成する。   Thereby, the organic EL element 1 shown in FIGS. 1 and 2 is completed.

次に、図12〜図15に示すように、陽極11上に異物31が付着した場合について説明する。尚、図12〜図15は、陽極上に異物が付着した場合の有機EL素子の製造工程を説明するための図である。尚、図12、図14及び図15は、製造過程の有機EL素子の断面図である。図13は、製造過程の有機EL素子の平面図である。   Next, as shown in FIGS. 12 to 15, the case where the foreign material 31 adheres on the anode 11 will be described. 12-15 is a figure for demonstrating the manufacturing process of the organic EL element when a foreign material adheres on an anode. 12, 14, and 15 are cross-sectional views of the organic EL element in the manufacturing process. FIG. 13 is a plan view of an organic EL element in the manufacturing process.

まず、図12及び図13に示すように、陽極11上に異物31が付着した状態で、有機発光層4及び陰極5を形成すると、一部の有機発光層4a及び陰極5aが異物31上に形成される。   First, as shown in FIGS. 12 and 13, when the organic light emitting layer 4 and the cathode 5 are formed with the foreign matter 31 attached on the anode 11, a part of the organic light emitting layer 4 a and the cathode 5 a are formed on the foreign matter 31. It is formed.

次に、図14に示すように、上述した平坦化膜形成工程と同様の工程によって、平坦化膜6を形成する。ここで、平坦化膜6は、減圧されたチャンバー内で、加熱によって軟化させた後に、硬化させている。このため、異物31の周りにも略隙間なく平坦化膜6が形成される。   Next, as shown in FIG. 14, the planarizing film 6 is formed by the same process as the planarizing film forming process described above. Here, the planarizing film 6 is hardened after being softened by heating in a decompressed chamber. For this reason, the planarizing film 6 is also formed around the foreign material 31 without a substantial gap.

次に、図15に示すように、スパッタ法により封止膜7を形成する。ここで、平坦化膜6によって、異物31による凹凸が低減されているので、封止膜7が不連続になることなく形成される。   Next, as shown in FIG. 15, the sealing film 7 is formed by sputtering. Here, since the unevenness due to the foreign matter 31 is reduced by the planarizing film 6, the sealing film 7 is formed without being discontinuous.

上述したように第1実施形態による有機EL素子1は、樹脂製の平坦化膜6によって有機発光層4を覆っている。これにより、有機発光層4や陰極5によって形成された凹凸を抑制することができるので、封止膜7の不連続を抑制することができる。更に、有機EL素子1では、平坦化膜6の外周部を、基板2側に向かって広がるテーパ状に形成することによって、封止膜7の外周部が不連続になることを抑制できる。この結果、封止膜7による水分や酸素等の遮断性を向上させることができ、有機発光層4の劣化を抑制できる。このため、有機発光層4の発光面積の縮小やダークスポットの拡大を抑制できる。   As described above, the organic EL element 1 according to the first embodiment covers the organic light emitting layer 4 with the resin flattening film 6. Thereby, since the unevenness | corrugation formed with the organic light emitting layer 4 or the cathode 5 can be suppressed, the discontinuity of the sealing film 7 can be suppressed. Furthermore, in the organic EL element 1, it is possible to suppress the outer peripheral portion of the sealing film 7 from becoming discontinuous by forming the outer peripheral portion of the planarizing film 6 in a tapered shape that widens toward the substrate 2 side. As a result, it is possible to improve the barrier property against moisture, oxygen, and the like by the sealing film 7 and suppress the deterioration of the organic light emitting layer 4. For this reason, reduction of the light emission area of the organic light emitting layer 4 and expansion of a dark spot can be suppressed.

また、有機EL素子1では、樹脂製の平坦化膜6を形成することによって、Al等に比べて短時間で厚膜化することができる。平坦化膜6を厚膜化することにより、大きな異物31に容易に対応することができる。平坦化膜6を厚膜化した場合でも、内部応力等による剥離を抑制できる。 Moreover, in the organic EL element 1, by forming the resin flattening film 6, it can be thickened in a shorter time than Al 2 O 3 or the like. By making the planarizing film 6 thicker, it is possible to easily deal with a large foreign matter 31. Even when the planarizing film 6 is thickened, peeling due to internal stress or the like can be suppressed.

また、有機EL素子1では、熱可塑性樹脂シート24によって平坦化膜6を形成しているので、端子11a、12を露出させるためのパターン形成プロセスとして知られているフォトリソグラフィー工程やエッチング工程を省略することができる。   Further, in the organic EL element 1, since the planarizing film 6 is formed by the thermoplastic resin sheet 24, a photolithography process and an etching process known as a pattern forming process for exposing the terminals 11a and 12 are omitted. can do.

また、有機EL素子1では、減圧下で平坦化膜6を形成しているので、平坦化膜6の密着性を向上させることができる。これにより、異物31の周りの隙間を低減できるので、異物31の周りの有機発光層4の劣化を抑制できる。   Moreover, in the organic EL element 1, since the planarization film 6 is formed under reduced pressure, the adhesion of the planarization film 6 can be improved. Thereby, since the clearance gap around the foreign material 31 can be reduced, deterioration of the organic light emitting layer 4 around the foreign material 31 can be suppressed.

(第2実施形態)
次に、第1実施形態の有機EL素子を部分的に変更した第2実施形態について、図面を参照して説明する。図16は、第2実施形態による有機EL素子の断面図である。尚、上述した実施形態と同様の構成には、同じ符号を付けて説明を省略する。
(Second Embodiment)
Next, 2nd Embodiment which changed the organic EL element of 1st Embodiment partially is described with reference to drawings. FIG. 16 is a cross-sectional view of an organic EL element according to the second embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the structure similar to embodiment mentioned above, and description is abbreviate | omitted.

図16に示すように、第2実施形態による有機EL素子1Aは、バッファー層9を備えている。   As shown in FIG. 16, the organic EL element 1 </ b> A according to the second embodiment includes a buffer layer 9.

バッファー層9は、平坦化膜6や封止膜7を形成する際に、有機発光層4の破損を抑制するためのものである。バッファー層9は、有機発光層4及び陰極5を覆うように形成されている。バッファー層9は、平坦化膜6の下層に形成されている。バッファー層9は、抵抗加熱蒸着法によって形成されている。バッファー層9は、約100nmの厚みを有するLiFからなる。   The buffer layer 9 is for suppressing damage to the organic light emitting layer 4 when the planarizing film 6 and the sealing film 7 are formed. The buffer layer 9 is formed so as to cover the organic light emitting layer 4 and the cathode 5. The buffer layer 9 is formed below the planarizing film 6. The buffer layer 9 is formed by resistance heating vapor deposition. The buffer layer 9 is made of LiF having a thickness of about 100 nm.

第2実施形態による有機EL素子1Aは、バッファー層9を備えているので、有機発光層4の破損を抑制できる。具体的には、平坦化膜6を形成する工程において、加熱及び冷却による平坦化膜6の硬化収縮による破損を抑制できる。また、封止膜7を形成する際のスパッタダメージを抑制できる。   Since the organic EL element 1A according to the second embodiment includes the buffer layer 9, the organic light emitting layer 4 can be prevented from being damaged. Specifically, in the step of forming the flattening film 6, it is possible to suppress damage due to curing shrinkage of the flattening film 6 due to heating and cooling. Moreover, sputter damage when forming the sealing film 7 can be suppressed.

また、バッファー層9を抵抗加熱蒸着法によって形成することにより、スパッタ法等に比べてバッファー層9を形成する際の有機発光層4の破損を抑制できる。   Further, by forming the buffer layer 9 by resistance heating vapor deposition, it is possible to suppress damage to the organic light emitting layer 4 when forming the buffer layer 9 as compared to sputtering or the like.

(第3実施形態)
次に、第1実施形態の有機EL素子を部分的に変更した第3実施形態について、図面を参照して説明する。図17は、第3実施形態による有機EL素子の断面図である。尚、上述した実施形態と同様の構成には、同じ符号を付けて説明を省略する。
(Third embodiment)
Next, 3rd Embodiment which changed the organic EL element of 1st Embodiment partially is described with reference to drawings. FIG. 17 is a cross-sectional view of an organic EL element according to the third embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the structure similar to embodiment mentioned above, and description is abbreviate | omitted.

図17に示すように、第3実施形態による有機EL素子1Bは、接着層41を介して封止膜7上に封止板42を接着している。   As shown in FIG. 17, the organic EL element 1 </ b> B according to the third embodiment has a sealing plate 42 bonded on the sealing film 7 via an adhesive layer 41.

接着層41は、封止板42を封止膜7上に接着するとともに、封止板42を接着する際に、有機発光層4の破損を抑制するためのものである。接着層41は、約40μmの厚みを有する熱硬化性樹脂からなる。   The adhesive layer 41 is for adhering the sealing plate 42 on the sealing film 7 and for preventing the organic light emitting layer 4 from being damaged when the sealing plate 42 is adhered. The adhesive layer 41 is made of a thermosetting resin having a thickness of about 40 μm.

封止板42は、水分や酸素等の遮断性をより向上させるためのものであるとともに、封止膜7の破損を抑制するためのものである。封止板42は、ガラス板からなる。   The sealing plate 42 is intended to further improve the barrier property against moisture, oxygen, etc., and to prevent the sealing film 7 from being damaged. The sealing plate 42 is made of a glass plate.

第3実施形態による有機EL素子1Bは、接着層41及び封止板42を設けることによって、より水分や酸素等の遮断性をより向上させることができる。また、接着層41を熱硬化性樹脂により構成しているので、封止板42を接着する際に、有機発光層4が破損することを抑制できる。   The organic EL element 1 </ b> B according to the third embodiment can further improve the barrier property against moisture, oxygen, and the like by providing the adhesive layer 41 and the sealing plate 42. Moreover, since the contact bonding layer 41 is comprised with the thermosetting resin, when the sealing board 42 is adhere | attached, it can suppress that the organic light emitting layer 4 is damaged.

(第4実施形態)
次に、第1実施形態の有機EL素子を部分的に変更した第4実施形態について、図面を参照して説明する。図18は、第4実施形態による有機EL素子の断面図である。尚、上述した実施形態と同様の構成には、同じ符号を付けて説明を省略する。
(Fourth embodiment)
Next, 4th Embodiment which changed the organic EL element of 1st Embodiment partially is described with reference to drawings. FIG. 18 is a cross-sectional view of an organic EL element according to the fourth embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the structure similar to embodiment mentioned above, and description is abbreviate | omitted.

図18に示すように、第4実施形態による有機EL素子1Cは、封止膜7上に平坦化膜6Cと封止膜7Cとが順に積層されている。平坦化膜6C及び封止膜7Cは、それぞれ、平坦化膜6及び封止膜7と同じ工程によって形成される。   As shown in FIG. 18, in the organic EL element 1 </ b> C according to the fourth embodiment, a planarizing film 6 </ b> C and a sealing film 7 </ b> C are sequentially stacked on the sealing film 7. The planarizing film 6C and the sealing film 7C are formed by the same process as the planarizing film 6 and the sealing film 7, respectively.

第4実施形態による有機EL素子1Cは、2層の封止膜7、7Cを形成しているので、水分や酸素の遮断性をより向上させることができる。   Since the organic EL element 1C according to the fourth embodiment forms the two-layer sealing films 7 and 7C, the barrier property against moisture and oxygen can be further improved.

また、有機EL素子1Cでは、封止膜7と封止膜7Cとの間に平坦化膜6Cを形成しているので、封止膜7に欠陥が形成されても、封止膜7Cまでその欠陥が続くことを抑制できる。このため、封止膜7Cを緻密に形成することができるので、水分や酸素の遮断性を、更に、向上させることができる。   In the organic EL element 1C, since the planarization film 6C is formed between the sealing film 7 and the sealing film 7C, even if a defect is formed in the sealing film 7, the sealing film 7C It can suppress that a defect continues. For this reason, since the sealing film 7C can be densely formed, the moisture and oxygen barrier properties can be further improved.

(第5実施形態)
次に、第1実施形態の有機EL素子を部分的に変更した第5実施形態について、図面を参照して説明する。尚、第5実施形態による有機EL素子は、封止膜を構成する材料以外は第1実施形態と同様の構成を有するため、第1実施形態の図面を参照して説明する。
(Fifth embodiment)
Next, 5th Embodiment which changed the organic EL element of 1st Embodiment partially is described with reference to drawings. The organic EL element according to the fifth embodiment has the same configuration as that of the first embodiment except for the material constituting the sealing film, and will be described with reference to the drawings of the first embodiment.

第5実施形態による有機EL素子1では、収縮性を有する熱硬化性樹脂によって平坦化膜6を構成している。このため、製造工程においては、まず、図9に示すように、熱硬化性樹脂シート24を陰極5上に載置する。その後、熱硬化性樹脂シート24を一度だけ加熱及び冷却によって、図11に示すテーパ部8を有する平坦化膜6を形成することができる。   In the organic EL element 1 according to the fifth embodiment, the planarizing film 6 is made of a shrinkable thermosetting resin. For this reason, in the manufacturing process, first, as shown in FIG. 9, the thermosetting resin sheet 24 is placed on the cathode 5. Thereafter, the planarizing film 6 having the tapered portion 8 shown in FIG. 11 can be formed by heating and cooling the thermosetting resin sheet 24 only once.

(実験)
次に、上述した実施形態の効果を証明するために行った実験について説明する。
(Experiment)
Next, an experiment performed to prove the effect of the above-described embodiment will be described.

(第1実験)
次に、バッファー層を有する第2実施形態と同じ構成の第1実施例の実験結果について説明する。本実験では、第1実施例と比較するための試料として、第1比較例及び第2比較例を作製した。第1比較例は、平坦化膜及び封止膜を省略した以外は、第1実施例と同じ構成を有する。第2比較例は、平坦化膜を省略した以外は、第1実施例と同じ構成を有する。尚、第1実施例、第1及び第2比較例の発光面の面積は、一辺が2mmの正方形状に形成した。
(First experiment)
Next, experimental results of the first example having the same configuration as that of the second embodiment having the buffer layer will be described. In this experiment, a first comparative example and a second comparative example were produced as samples for comparison with the first example. The first comparative example has the same configuration as the first example except that the planarizing film and the sealing film are omitted. The second comparative example has the same configuration as the first example except that the planarizing film is omitted. In addition, the area of the light emitting surface of the first example, the first and second comparative examples was formed in a square shape with a side of 2 mm.

これらの各試料を室温中で放置して、所定の時間経過後の発光状態を調べた。尚、第1実施例は、72時間経過後の発光状態を調べた。各比較例は、64時間経過後の発光状態を調べた。   Each of these samples was allowed to stand at room temperature, and the light emission state after a predetermined time was examined. In the first example, the light emission state after 72 hours was examined. In each comparative example, the light emission state after 64 hours was examined.

第1実施例は、発光面積の減少及びダークスポットの拡大のいずれも進行することがなかった。一方、第1比較例は、発光面の1辺が約0.12mm縮小するとともに、ダークスポットの直径が約0.12mm拡大した。また、第2比較例では、発光面積の縮小は進行しなかったが、ダークスポットの直径が約0.1mm拡大した。   In the first example, neither reduction of the light emitting area nor enlargement of the dark spot progressed. On the other hand, in the first comparative example, one side of the light emitting surface was reduced by about 0.12 mm, and the diameter of the dark spot was increased by about 0.12 mm. In the second comparative example, although the reduction of the light emitting area did not proceed, the diameter of the dark spot increased by about 0.1 mm.

これらの結果より、本発明による第1実施例では、水分及び酸素の遮断性を向上させて、有機発光層の劣化を抑制できることがわかる。   From these results, it can be seen that in the first embodiment according to the present invention, the moisture and oxygen barrier properties can be improved and the deterioration of the organic light emitting layer can be suppressed.

更に、上述した第1実施例と第1比較例とを、約90%の湿度を含む約60℃の雰囲気中に放置した。   Furthermore, the first example and the first comparative example described above were left in an atmosphere of about 60 ° C. containing about 90% humidity.

この結果、第1比較例は、上述の雰囲気中では40時間経過すると、有機発光層及び陰極の剥離が発生した。この結果、第1比較例は、発光できない状態となった。一方、第1実施例では、上述の雰囲気中で240時間経過しても、初期の発光状態からの変化がほとんど見られなかった。この結果から、第1実施例は、高湿及び高温の条件下でも有機発光層の劣化を十分に抑制できることがわかった。   As a result, in the first comparative example, peeling of the organic light emitting layer and the cathode occurred after 40 hours in the above atmosphere. As a result, the first comparative example was unable to emit light. On the other hand, in the first example, even after 240 hours passed in the above atmosphere, almost no change from the initial light emission state was observed. From this result, it was found that the first example can sufficiently suppress the deterioration of the organic light emitting layer even under high humidity and high temperature conditions.

以上、実施形態を用いて本発明を詳細に説明したが、本発明は本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載及び特許請求の範囲の記載と均等の範囲により決定されるものである。以下、上記実施形態を一部変更した変更形態について説明する。   As mentioned above, although this invention was demonstrated in detail using embodiment, this invention is not limited to embodiment described in this specification. The scope of the present invention is determined by the description of the claims and the scope equivalent to the description of the claims. Hereinafter, modified embodiments in which the above-described embodiment is partially modified will be described.

上述した各構成の材料、形状、数値、製造工程等は適宜変更可能である。   The material, shape, numerical value, manufacturing process, and the like of each configuration described above can be changed as appropriate.

例えば、平坦化膜は、他の樹脂によって構成してもよい。平坦化膜を熱可塑性樹脂によって構成する場合は、室温(約25℃)では硬化し、高温(約90℃)では、流動性を有する樹脂が好ましい。また、平坦化膜の厚みは、数μm〜数十μm(例えば、3μm〜40μm)が好ましい。   For example, the planarizing film may be made of other resin. When the planarizing film is made of a thermoplastic resin, a resin that cures at room temperature (about 25 ° C.) and has fluidity at a high temperature (about 90 ° C.) is preferable. The thickness of the planarizing film is preferably several μm to several tens of μm (for example, 3 μm to 40 μm).

また、封止膜は、AlN、SiO、SiN等の無機物により構成してもよい。尚、封止膜は、水分及び酸素等の遮蔽性の観点から緻密性が要求されるので、スパッタ法、CVD法、PVD法等により成膜可能な材料が好ましい。封止膜は、数百nmの厚みが好ましい。 The sealing film may be made of an inorganic material such as AlN, SiO 2 , SiN. Note that since the sealing film is required to be dense from the viewpoint of shielding properties such as moisture and oxygen, a material that can be formed by a sputtering method, a CVD method, a PVD method, or the like is preferable. The sealing film preferably has a thickness of several hundred nm.

また、バッファー層は、抵抗加熱蒸着法によって成膜可能なMoO等の絶縁材料によって構成してもよい。 The buffer layer may be made of an insulating material such as MoO 3 that can be formed by resistance heating vapor deposition.

また、封止板は、金属板等によって構成してもよい。   Further, the sealing plate may be constituted by a metal plate or the like.

上述した各実施形態を組み合わせてもよい。   You may combine each embodiment mentioned above.

第1実施形態による有機EL素子の断面図である。It is sectional drawing of the organic EL element by 1st Embodiment. 第1実施形態による有機EL素子の平面図である。It is a top view of the organic EL element by 1st Embodiment. 平坦化膜のテーパ部の傾斜を説明する図である。It is a figure explaining the inclination of the taper part of a planarization film | membrane. 第1実施形態による有機EL素子の各製造工程を説明する図である。It is a figure explaining each manufacturing process of the organic EL element by a 1st embodiment. 第1実施形態による有機EL素子の各製造工程を説明する図である。It is a figure explaining each manufacturing process of the organic EL element by a 1st embodiment. 第1実施形態による有機EL素子の各製造工程を説明する図である。It is a figure explaining each manufacturing process of the organic EL element by a 1st embodiment. 第1実施形態による有機EL素子の各製造工程を説明する図である。It is a figure explaining each manufacturing process of the organic EL element by a 1st embodiment. 第1実施形態による有機EL素子の各製造工程を説明する図である。It is a figure explaining each manufacturing process of the organic EL element by a 1st embodiment. 第1実施形態による有機EL素子の各製造工程を説明する図である。It is a figure explaining each manufacturing process of the organic EL element by a 1st embodiment. 第1実施形態による有機EL素子の各製造工程を説明する図である。It is a figure explaining each manufacturing process of the organic EL element by a 1st embodiment. 第1実施形態による有機EL素子の各製造工程を説明する図である。It is a figure explaining each manufacturing process of the organic EL element by a 1st embodiment. 陽極上に異物が付着した場合の有機EL素子の製造工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing process of the organic EL element when a foreign material adheres on an anode. 陽極上に異物が付着した場合の有機EL素子の製造工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing process of the organic EL element when a foreign material adheres on an anode. 陽極上に異物が付着した場合の有機EL素子の製造工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing process of the organic EL element when a foreign material adheres on an anode. 陽極上に異物が付着した場合の有機EL素子の製造工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing process of the organic EL element when a foreign material adheres on an anode. 第2実施形態による有機EL素子の断面図である。It is sectional drawing of the organic EL element by 2nd Embodiment. 第3実施形態による有機EL素子の断面図である。It is sectional drawing of the organic EL element by 3rd Embodiment. 第4実施形態による有機EL素子の断面図である。It is sectional drawing of the organic EL element by 4th Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1、1A、1B、1C 有機EL素子
2 基板
2a 成長主面
2b 光取出面
3 透明電極
4、4a 有機発光層
5、5a 陰極
6、6C 平坦化膜
7、7C 封止膜
8 テーパ部
9 バッファー層
11 陽極
11a 陽極端子
12 陰極端子
13 絶縁溝
21 レジスト膜
22 シャドウマスク
22a 開口部
23 シャドウマスク
23a 開口部
24 熱可塑性樹脂シート
25 保持フィルム
31 異物
41 接着層
42 封止板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1A, 1B, 1C Organic EL element 2 Substrate 2a Growth main surface 2b Light extraction surface 3 Transparent electrode 4, 4a Organic light emitting layer 5, 5a Cathode 6, 6C Flattening film 7, 7C Sealing film 8 Tapered part 9 Buffer Layer 11 Anode 11a Anode terminal 12 Cathode terminal 13 Insulating groove 21 Resist film 22 Shadow mask 22a Opening portion 23 Shadow mask 23a Opening portion 24 Thermoplastic resin sheet 25 Holding film 31 Foreign material 41 Adhesive layer 42 Sealing plate

Claims (3)

光を透過可能な基板と、
前記基板上に形成された透光性を有する第1電極と、
前記第1電極上に形成された有機発光層と、
前記有機発光層上に形成された第2電極と、
前記基板上に形成されると共に、前記第1電極と離間して形成され、更に前記第2電極と接続される透明電極と、
前記有機発光層及び前記第2電極を覆うように、且つ、前記基板側に向かって広がるテーパ部が外周部に形成され、樹脂からなる平坦化膜と、
前記平坦化膜の上面に形成された無機物からなる封止膜とを備え、
前記テーパ部は、前記第1電極または前記透明電極と接する領域まで傾斜しており、
前記有機発光層及び前記第2電極上に、抵抗加熱蒸着法によって形成されたLiFまたはMoOからなるバッファー層を設けたことを特徴とする有機EL素子。
A substrate capable of transmitting light ;
A translucent first electrode formed on the substrate;
An organic light emitting layer formed on the first electrode;
A second electrode formed on the organic light emitting layer;
A transparent electrode formed on the substrate, spaced apart from the first electrode, and connected to the second electrode;
A flattened film made of a resin is formed on the outer peripheral portion so as to cover the organic light emitting layer and the second electrode and spread toward the substrate side,
A sealing film made of an inorganic material formed on the upper surface of the planarization film,
The tapered portion is inclined to a region in contact with the first electrode or the transparent electrode ,
An organic EL element comprising a buffer layer made of LiF or MoO 3 formed by resistance heating vapor deposition on the organic light emitting layer and the second electrode.
前記封止膜上に形成された樹脂製の接着層と、
前記接着層に接着された封止板とを備えたことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
An adhesive layer made of resin formed on the sealing film;
The organic EL element according to claim 1, further comprising a sealing plate bonded to the adhesive layer.
前記平坦化膜と前記封止膜とが交互に複数積層されていることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の有機EL素子。   The organic EL element according to claim 1, wherein a plurality of the planarizing films and the sealing films are alternately stacked.
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