JP5298450B2 - Manufacturing method of ceramic electronic parts - Google Patents
Manufacturing method of ceramic electronic parts Download PDFInfo
- Publication number
- JP5298450B2 JP5298450B2 JP2007092468A JP2007092468A JP5298450B2 JP 5298450 B2 JP5298450 B2 JP 5298450B2 JP 2007092468 A JP2007092468 A JP 2007092468A JP 2007092468 A JP2007092468 A JP 2007092468A JP 5298450 B2 JP5298450 B2 JP 5298450B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic electronic
- electronic component
- nickel
- chip
- plating solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 101
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 74
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 34
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 33
- -1 amine compound Chemical class 0.000 claims description 29
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 21
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 8
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DATAGRPVKZEWHA-YFKPBYRVSA-N N(5)-ethyl-L-glutamine Chemical compound CCNC(=O)CC[C@H]([NH3+])C([O-])=O DATAGRPVKZEWHA-YFKPBYRVSA-N 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 4
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N picolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BLCJBICVQSYOIF-UHFFFAOYSA-N 2,2-diaminobutanoic acid Chemical compound CCC(N)(N)C(O)=O BLCJBICVQSYOIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PECYZEOJVXMISF-UHFFFAOYSA-N 3-aminoalanine Chemical compound [NH3+]CC(N)C([O-])=O PECYZEOJVXMISF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 claims description 3
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 3
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 claims description 3
- FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N L-methionine Chemical compound CSCC[C@H](N)C(O)=O FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N 0.000 claims description 3
- COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N L-phenylalanine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N 0.000 claims description 3
- KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N L-valine Chemical compound CC(C)[C@H](N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N 0.000 claims description 3
- KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N Valine Natural products CC(C)C(N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 claims description 3
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229930182817 methionine Natural products 0.000 claims description 3
- COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N phenylalanine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940026510 theanine Drugs 0.000 claims description 3
- 239000004474 valine Substances 0.000 claims description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical group [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical group [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229940081066 picolinic acid Drugs 0.000 claims description 2
- WBHHMMIMDMUBKC-QJWNTBNXSA-N ricinoleic acid Chemical compound CCCCCC[C@@H](O)C\C=C/CCCCCCCC(O)=O WBHHMMIMDMUBKC-QJWNTBNXSA-N 0.000 claims description 2
- 229960003656 ricinoleic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 70
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 22
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 18
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 11
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 8
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 8
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 6
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 5
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 5
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 5
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 5
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- YMAWOPBAYDPSLA-UHFFFAOYSA-N glycylglycine Chemical compound [NH3+]CC(=O)NCC([O-])=O YMAWOPBAYDPSLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 3
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 3
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 3
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108010008488 Glycylglycine Proteins 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 description 2
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009918 complex formation Effects 0.000 description 2
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229940043257 glycylglycine Drugs 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020599 Co 3 O 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDTVZBCTOQDZSH-UHFFFAOYSA-N borane N-ethylethanamine Chemical compound B.CCNCC VDTVZBCTOQDZSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N boron;n-methylmethanamine Chemical compound [B].CNC RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L manganese oxide Inorganic materials [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KVGMATYUUPJFQL-UHFFFAOYSA-N manganese(2+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Mn++].[Mn++].[Mn++] KVGMATYUUPJFQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-propan-2-ylsulfonylethanimidamide Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)CC(N)=NO LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000008 nickel(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ZULUUIKRFGGGTL-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) carbonate Chemical compound [Ni+2].[O-]C([O-])=O ZULUUIKRFGGGTL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BFDHFSHZJLFAMC-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ni+2] BFDHFSHZJLFAMC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N nickel(ii) nitrate Chemical compound [Ni+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002898 organic sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006174 pH buffer Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 235000015096 spirit Nutrition 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Description
本発明は、セラミックス電子部品の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic electronic component.
セラミックスを用いた電子部品においては通常、はんだによる実装性を高めるために、電子部品素体の端部表面に、導電層、ニッケルめっき層、スズめっき層が順次形成される。ここで、ニッケル（Ｎｉ）めっき層は、一般の電気Ｎｉめっき浴であるワット浴やスルファミン酸浴、酢酸などのカルボン酸、クエン酸などのオキシカルボン酸やアンモニアを錯化剤とする電解／無電解めっき液を使用して形成される（下記特許文献１〜３参照）。
しかしながら、上記特許文献１〜３に記載のめっき液を用いて導電層の上にニッケルめっき層を形成すると、セラミックス電子部品素体がめっき液によって溶解する場合がある。その結果、セラミックス電子部品の電気特性が低下することがある。この電気特性の低下は、セラミックス電子部品のサイズが十分大きい場合には無視できる程度のものであるが、近年になって著しく小型化が進んだセラミックス電子部品においては、無視できない程度にまでなってきている。 However, when the nickel plating layer is formed on the conductive layer using the plating solutions described in Patent Documents 1 to 3, the ceramic electronic component element body may be dissolved by the plating solution. As a result, the electrical characteristics of the ceramic electronic component may deteriorate. This decrease in electrical characteristics is negligible when the size of the ceramic electronic component is sufficiently large. However, in ceramic electronic components that have been remarkably miniaturized in recent years, it has become insignificant. ing.
そこで、本発明は、電気特性の低下を十分に抑制できるセラミックス電子部品の製造方法を提供することを目的とする。 Then, an object of this invention is to provide the manufacturing method of the ceramic electronic component which can fully suppress the fall of an electrical property.
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意研究した結果、素体中に、めっき液によって溶解しうる金属原子を突き止め、その金属原子の溶解が十分に抑制されるような条件について検討した。特に、本発明者らは、めっき液の成分及びｐＨに着目した。そして、本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、めっき液が特定の成分及びｐＨを有している場合に、セラミックス電子部品素体がめっき液に極めて溶解しにくくなることを見出し、本発明を完成するに至った。 As a result of diligent research to solve the above-mentioned problems, the present inventors have found a metal atom that can be dissolved by the plating solution in the element body, and examined conditions under which the dissolution of the metal atom is sufficiently suppressed. . In particular, the inventors paid attention to the components and pH of the plating solution. As a result of intensive studies, the present inventors have found that when the plating solution has a specific component and pH, the ceramic electronic component body is extremely difficult to dissolve in the plating solution. It came to complete.
即ち、本発明は、亜鉛原子、鉄原子、コバルト原子及びマンガン原子からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属原子の酸化物を含むセラミックス電子部品素体の表面に導電層を形成する工程、及び、前記導電層上に、めっき液を用いて、ニッケルめっき層を形成する工程を経てセラミックス電子部品を得るセラミック電子部品の製造方法であって、前記めっき液が、ニッケル塩と、ニッケルイオンと錯体を形成するアミン化合物とを含み、ｐＨが６〜１２であり、アミン化合物が、ニッケルイオンとの錯体形成の際における第一段階反応の逐次生成定数Ｋ１が４．０〜１５．０となるアミン化合物であって、リシン酸、ピコリン酸、ジアミノプロピオン酸、ジアミノ酪酸、アラニン、フェニルアラニン、メチオニン、アルギニン、バリン、テアニン、グリシルグリシン、フェナントロリンアンモニア又はこれらの混合物であり、ニッケルイオンに対するアミン化合物のモル比が、アミン化合物のニッケルイオンへの配位数の０．５〜３．０倍であるセラミックス電子部品の製造方法である。
That is, the present invention comprises a step of forming a conductive layer on the surface of a ceramic electronic component body containing an oxide of at least one metal atom selected from the group consisting of zinc atoms, iron atoms, cobalt atoms and manganese atoms, and A method of manufacturing a ceramic electronic component, wherein a ceramic electronic component is obtained through a step of forming a nickel plating layer using a plating solution on the conductive layer, the plating solution comprising a nickel salt, a nickel ion, and a complex. And an amine compound having a pH of 6 to 12 and an amine compound having a sequential formation constant K1 of the first-stage reaction of 4.0 to 15.0 upon complex formation with nickel ions a compound, Li thin acid, pin choline acid, diaminopropionic acid, diaminobutyric acid, alanine, phenylalanine, methionine, arginine, valine Theanine, glycylglycine, the full E-phenanthroline-en monitor A or a mixture thereof, the molar ratio of amine compound to the nickel ions, at 0.5 to 3.0 times the coordination number of the nickel ion of the amine compound A method for manufacturing a ceramic electronic component.
このセラミックス電子部品の製造方法によれば、ニッケルめっき層を形成する工程において、セラミックス電子部品素体がめっき液と接触しても、素体の溶解が十分に抑制される。このため、得られるセラミックス電子部品について電気特性の劣化が十分に抑制される。 According to this method for manufacturing a ceramic electronic component, in the step of forming the nickel plating layer, even if the ceramic electronic component element is in contact with the plating solution, dissolution of the element is sufficiently suppressed. For this reason, deterioration of electrical characteristics of the obtained ceramic electronic component is sufficiently suppressed.
前記アミン化合物が、前記ニッケルイオンとの錯体形成の際における第一段階反応の逐次生成定数Ｋ１が４．０〜１５．０となるアミン化合物であることが好ましい。 It is preferable that the amine compound is an amine compound in which the sequential formation constant K1 of the first stage reaction in the complex formation with the nickel ions is 4.0 to 15.0.
溶液中において、ニッケルイオンは、錯化作用を有するアミン化合物を配位子Ｌとして、単核錯体を形成する。この単核錯体では、配位子Ｌは金属イオンＭと段階的に結合する。各段階での生成定数はＫｎで定義され、これを逐次生成定数と呼ぶ。下記式：
ＭＬn-1＋Ｌ＝ＭＬｎ・・・（１）
で示される第ｎ段階反応に対して、逐次生成定数Ｋｎは、下記式：
Ｋｎ=[ＭＬn]／[ＭＬn-1][Ｌ] ・・・（２）
で定義される。従って、下記式：
Ｍ＋Ｌ＝ＭＬ・・・（３）
で示される第１段階反応に対して、第１段階反応の逐次生成定数Ｋ１は、下記式：
Ｋ１＝[ＭＬ]／[Ｍ][Ｌ] ・・・（４）
で定義される。
In the solution, the nickel ions form a mononuclear complex with the amine compound having a complexing action as the ligand L. In this mononuclear complex, the ligand L is bonded to the metal ion M stepwise. The generation constant at each stage is defined by Kn, and this is called a sequential generation constant. Following formula:
MLn-1 + L = MLn (1)
For the n-th stage reaction shown in FIG.
Kn = [MLn] / [MLn-1] [L] (2)
Defined by Therefore, the following formula:
M + L = ML (3)
For the first-stage reaction represented by the following formula, the sequential production constant K1 of the first-stage reaction is:
K1 = [ML] / [M] [L] (4)
Defined by
なお、上記式（２）、（４）において、[Ｍ]、[Ｌ]、[ＭＬ]、[ＭＬｎ]等は、金属イオンＭ、配位子Ｌ、単核錯体ＭＬ、ＭＬｎの濃度を意味する。 In the above formulas (2) and (4), [M], [L], [ML], [MLn] etc. mean the concentrations of metal ion M, ligand L, mononuclear complex ML, MLn. To do.
第１段階反応の逐次生成定数Ｋ１が４．０〜１５．０であると、Ｋ１がこの範囲を外れる場合に比べて、セラミックス電子部品素体の溶解がより十分に抑制される。 When the sequential generation constant K1 of the first stage reaction is 4.0 to 15.0, the dissolution of the ceramic electronic component body is more sufficiently suppressed as compared with the case where K1 is out of this range.
前記めっき液が還元剤を更に含むことが好ましい。めっき液が還元剤を含むと、無電解めっきを有効に行うことができる。 It is preferable that the plating solution further contains a reducing agent. When the plating solution contains a reducing agent, electroless plating can be performed effectively.
本発明は、前記セラミックス電子部品が、チップコンデンサ、チップインダクタ、チップバリスタ、チップレゾネータ、チップサーミスタ又はそれらの複合部品である場合に特に有効である。これらは一般的に小型の電子部品であり、めっき液による溶解によって電気特性が著しく低下する可能性があるためである。 The present invention is particularly effective when the ceramic electronic component is a chip capacitor, a chip inductor, a chip varistor, a chip resonator, a chip thermistor, or a composite component thereof. This is because these are generally small electronic components, and electrical characteristics may be remarkably deteriorated by dissolution with a plating solution.
本発明によれば、電気特性の低下を十分に抑制できるセラミックス電子部品の製造方法が提供される。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the ceramic electronic component which can fully suppress the fall of an electrical property is provided.
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
〔第１実施形態〕
セラミックス電子部品が積層チップコンデンサである場合を例にしてその製造方法について説明する。
[First Embodiment]
A method for manufacturing the ceramic electronic component will be described by taking as an example a case where the ceramic electronic component is a multilayer chip capacitor.
まず図１に示されるように、本発明の一実施形態に係る製造方法により製造される積層チップコンデンサ１００は、誘電体層２と内部電極層３とが交互に積層された構成のコンデンサ素体１０を有する。このコンデンサ素体１０の両端部には、素体１０の内部で交互に配置された内部電極層３と各々導通する一対の外部電極４が形成してある。コンデンサ素体１０の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよいが、通常、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜１．９ｍｍ）程度である。
First, as shown in FIG. 1, a
内部電極層３は、各端面がコンデンサ素体１０の対向する２端部の表面に交互に露出するように積層してある。一対の外部電極４は、コンデンサ素体１０の両端部に形成され、交互に配置された内部電極層３の露出端面に接続されて、コンデンサ回路を構成する。
The
外部電極４の表面には、ニッケルめっき層５及びスズめっき層６が順次積層されている。
A
誘電体層２は、例えばＢａＴｉＯ３を主成分とし、この主成分に対しＺｎＯなどの添加物を含有している。
The
内部電極層３に含有される導電材は特に限定されないが、例えばＮｉまたはＮｉ合金が用いられる。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ，Ｃｒ，ＣｏおよびＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含まれていてもよい。内部電極層３の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよいが、通常、０．５〜５μｍ程度である。
The conductive material contained in the
外部電極４に含有される導電材は特に限定されないが、例えば安価なＮｉ，Ｃｕや、これらの合金を用いることができる。外部電極４の厚さは用途等に応じて適宜決定されればよいが、通常、１０〜５０μｍ程度である。
Although the electrically conductive material contained in the
次に、上記積層チップセラミックスコンデンサ１００の製造方法について説明する。
Next, a method for manufacturing the multilayer chip
まずコンデンサ素体１０を準備する。次に、このコンデンサ素体１０に、例えばバレル研磨やサンドブラストなどにより端面研磨を施し、外部電極用ペーストを印刷または転写して焼成し、外部電極４を形成する。外部電極用ペーストは、各種金属や合金からなる導電材、あるいは焼成後に上記した導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、有機ビヒクルとを混練して調製すればよい。有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダは特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等の通常の各種バインダから適宜選択すればよい。また、用いる有機溶剤も特に限定されず、例えばテルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すればよい。外部電極用ペーストの焼成条件は、例えば、加湿したＮ２とＨ２との混合ガス中で６００〜８００℃にて１０分間〜１時間程度とすればよい。
First, the
次に、外部電極４表面に、めっき液を用いてニッケルめっき層５を形成し、続いてニッケルめっき層５の上に、スズめっき層６を形成する。こうして積層チップセラミックスコンデンサ１００が完成する。
Next, a
ここで、ニッケルめっき層５の形成に用いるめっき液について詳細に説明する。
Here, the plating solution used for forming the
めっき液は、ニッケル塩と、ニッケルイオンと錯体を形成するアミン化合物とを含み、ｐＨが６〜１２となっている。 The plating solution contains a nickel salt and an amine compound that forms a complex with nickel ions, and has a pH of 6-12.
ニッケル塩は、めっき液として完成したときに、めっき液中に溶解し、ニッケルイオンを生成するものであれば特に限定されない。このようなニッケル塩としては、例えば硫酸ニッケル、塩化ニッケル、硝酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル、水酸化ニッケル、炭酸ニッケル、ピロリン酸ニッケル又はこれらの２種以上の組み合せが挙げられる。 The nickel salt is not particularly limited as long as it is dissolved in the plating solution and produces nickel ions when completed as a plating solution. Examples of such nickel salts include nickel sulfate, nickel chloride, nickel nitrate, nickel sulfamate, nickel hydroxide, nickel carbonate, nickel pyrophosphate, or combinations of two or more thereof.
めっき液中におけるニッケル塩の含有率は、ニッケルイオン換算で、好ましくは０．１〜２．０ｍｏｌ／Ｌ、より好ましくは０．３〜１．０ｍｏｌ／Ｌである。ニッケル塩の含有率が小さすぎると、ニッケルめっき層５の形成が困難となる傾向にある。一方、ニッケル塩の含有率が大きすぎると、アミン塩化合物等の他の成分が飽和して、沈殿してしまうことがある。
The content of the nickel salt in the plating solution is preferably 0.1 to 2.0 mol / L, more preferably 0.3 to 1.0 mol / L in terms of nickel ions. If the content of the nickel salt is too small, the formation of the
アミン化合物は、ニッケルイオンと錯体を形成できるものであれば特に限定されないが、ニッケルイオンと錯体形成する際における第一段階反応の逐次生成定数Ｋ１が４．０〜１５．０の範囲にあるものが、コンデンサ素体１０の溶解をより十分に抑制する観点から好ましい。Ｋ１は、好ましくは４．０〜１２．０であり、より好ましくは４．０〜９．０である。この場合、特に、材料の溶解性が少ないという利点がある。
The amine compound is not particularly limited as long as it can form a complex with nickel ions, but the sequential formation constant K1 of the first stage reaction when complexing with nickel ions is in the range of 4.0 to 15.0. However, it is preferable from the viewpoint of suppressing the dissolution of the
第一段階反応の逐次生成定数Ｋ１が４．０〜１５．０の範囲にあるアミン化合物としては、例えばグルタミン酸、アスパラギン酸、リシン酸、リシン−グルタミン酸、リシン−アスパラギン酸、アルギニン−グルタミン酸、ピコリン酸、ジアミノプロピオン酸、ジアミノ酪酸、グリシン、アラニン、フェニルアラニン、メチオニン、アルギニン、バリン、テアニン、グリシルグリシン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエタノールアミン、イミダゾール、１，１０フェナントロリン、フェナントロリンアンモニア、フタロシアニン又はこれらの混合物が挙げられる。なお、アンモニア、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）などは、アミン化合物に分類されるが、逐次生成定数Ｋ１が４．０〜１５．０の範囲外となる化合物である。また、クエン酸は、逐次生成定数Ｋ１が５．３５となり、上記範囲内ではあるが、アミン化合物ではないため、不適である。 Examples of the amine compound having a sequential production constant K1 of the first-stage reaction in the range of 4.0 to 15.0 include glutamic acid, aspartic acid, ricinic acid, lysine-glutamic acid, lysine-aspartic acid, arginine-glutamic acid, and picolinic acid. , Diaminopropionic acid, diaminobutyric acid, glycine, alanine, phenylalanine, methionine, arginine, valine, theanine, glycylglycine, ethylenediamine, diethylenetriamine, triethanolamine, imidazole, 1,10 phenanthroline, phenanthroline ammonia, phthalocyanine or mixtures thereof Can be mentioned. Ammonia, ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), and the like are classified as amine compounds, but are compounds whose sequential production constant K1 is outside the range of 4.0 to 15.0. In addition, citric acid has a sequential formation constant K1 of 5.35, which is within the above range, but is not an amine compound, and thus is not suitable.
アミン化合物の含有率は、ニッケルイオンの含有量との関係で次のようになっていることが好ましい。 The content of the amine compound is preferably as follows in relation to the content of nickel ions.
即ち、ニッケルイオンとアミン化合物とのモル比が、アミン化合物のニッケルイオンへの配位数の０．５〜３．０倍であることが好ましく、より好ましくは１．２〜３．０倍、さらに好ましくは１．３〜２．０倍である。この場合、コンデンサ素体１０に含まれるＺｎＯの溶解がより効果的に抑制され、また、水への溶解性が向上し、無めっきとなりにくくなる。
That is, the molar ratio of nickel ion to amine compound is preferably 0.5 to 3.0 times the coordination number of the amine compound to nickel ion, more preferably 1.2 to 3.0 times. More preferably, it is 1.3 to 2.0 times. In this case, the dissolution of ZnO contained in the
めっき液のｐＨは６〜１２である。ｐＨが上記範囲を外れると、コンデンサ素体１０中の添加剤であるＺｎＯが溶解してＺｎイオンが溶出されてしまい、誘電損失の低下につながる。
The pH of the plating solution is 6-12. If the pH is out of the above range, ZnO as an additive in the
ｐＨは好ましくは７〜１１、更に好ましくは８〜１０である。この場合、Ｚｎイオンの溶出がより抑制される。 The pH is preferably 7-11, more preferably 8-10. In this case, elution of Zn ions is further suppressed.
めっき液のｐＨは、例えば水酸化物塩などを用いて調整することができる。水酸化物塩は、特に限定されないが、例えば水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カルシウム等が挙げられる。また、めっき液は、水酸化物塩に加え、ｐＨ緩衝剤としてホウ酸を含有してもよい。 The pH of the plating solution can be adjusted using, for example, a hydroxide salt. Although hydroxide salt is not specifically limited, For example, potassium hydroxide, sodium hydroxide, calcium hydroxide etc. are mentioned. The plating solution may contain boric acid as a pH buffer in addition to the hydroxide salt.
上記めっき液を使用してニッケルめっき層５を外部電極４の表面上に形成する場合、例えば電解めっき法が用いられる。この場合、上記めっき液と、ニッケルを含む陽極とが使用される。具体的には、外部電極４が形成されたコンデンサ素体１０が上記めっき液中に浸漬される。そして、陽極と外部電極４との間に電圧を印加すると、外部電極４の表面にニッケルめっき層５が形成される。ここで、ニッケルを含む陽極としては、電解めっきで通常使用されるニッケル陽極を使用すればよい。具体的なめっき条件は、めっき液の温度を、３０〜９０℃とし、めっき時の電流密度を、０．０１〜５Ａ／ｄｍ２とすればよい。
When the
なお、上記めっき液が還元剤を更に含むと好ましい。この場合、めっき液に酸化還元力が付与され、無電解めっきを有効に行うことが可能となる。ここで、還元剤は、めっき液中に含有されるニッケルイオンを化学的に還元できるものであれば良く、特に限定されるものではない。このような還元剤としては、例えば次亜リン酸、次亜リン酸塩化合物、テトラヒドロホウ酸、テトラヒドロホウ酸塩化合物、ジメチルアミンボラン、ジエチルアミンボラン、ヒドラジンなどが挙げられる。還元剤の含有率は、好ましくは０．０５〜０．５ｍｏｌ／Ｌ、より好ましくは０．１〜０．３ｍｏｌ／Ｌである。この場合、ニッケルめっき層５をより効率よく形成でき、めっき液の自己分解を起こりにくくすることができる。めっき液が還元剤を含む場合、めっき液は安定剤を、０．０１〜１０ｍｇ／Ｌ程度の範囲で更に含有しても良い。このような安定剤としては、チオ尿素などの有機硫黄化合物、ビスマス（Ｂｉ）、鉛（Ｐｂ）などが挙げられる。
The plating solution preferably further contains a reducing agent. In this case, a redox power is imparted to the plating solution, and electroless plating can be effectively performed. Here, the reducing agent is not particularly limited as long as it can chemically reduce nickel ions contained in the plating solution. Examples of such a reducing agent include hypophosphorous acid, hypophosphite compound, tetrahydroboric acid, tetrahydroborate compound, dimethylamine borane, diethylamine borane, hydrazine and the like. The content of the reducing agent is preferably 0.05 to 0.5 mol / L, more preferably 0.1 to 0.3 mol / L. In this case, the
また無電解めっきを行うことによって外部電極４の表面上にニッケルめっき層５を形成する場合には、めっき条件は、めっき液の温度を例えば３０〜８０℃とすればよい。
Moreover, when forming the
〔第２実施形態〕
次に、本発明に係るセラミックス電子部品の製造方法の第２実施形態について説明する。本実施形態では、セラミックス電子部品が積層チップバリスタである場合を例にしてその製造方法について説明する。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the method for manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention will be described. In the present embodiment, the manufacturing method will be described by taking as an example the case where the ceramic electronic component is a multilayer chip varistor.
図２に示すように、積層チップバリスタ２００は、内部電極層３と層間電圧非直線性抵抗体層８とが積層された構成のバリスタ素体２１０を有する。このバリスタ素体２１０の両端部には、バリスタ素体２１０の内部に配置された内部電極層３と各々導通する一対の外部電極４が形成してある。バリスタ素体２１０の形状は、特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよいが、通常、縦（０．６〜５．６ｍｍ）×横（０．３〜５．０ｍｍ）×厚み（０．３〜１．９ｍｍ）程度である。
As shown in FIG. 2, the
内部電極層３は、各端面が素体２１０の対向する２端部の表面に露出するように積層してある。一対の外部電極４は、素体２１０の両端部に形成され、内部電極層３の露出端面にそれぞれ接続されて、回路を構成する。
The
バリスタ素体２１０において、内部電極層３および層間電圧非直線性抵抗体層８の積層方向の両外側端部には、外側保護層８ａが配置してあり、素体２１０の内部を保護している。外側保護層８ａの材質は、層間電圧非直線性抵抗体層８の材質と同じであっても異なっていても良い。
In the
内部電極層３に含有される導電材は、特に限定されないが、ＰｄまたはＡｇ−Ｐｄ合金で構成してあることが好ましい。合金中のＰｄ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。内部電極層３の厚さは、用途に応じて適宜決定すればよいが、通常０．５〜５μｍ程度である。
The conductive material contained in the
外部電極４に含有される導電材は、特に限定されないが、通常、ＡｇやＡｇ−Ｐｄ合金などを用いる。外部電極４の厚さは、用途に応じて適宜決定すればよいが、通常１０〜５０μｍ程度である。
The conductive material contained in the
層間電圧非直線性抵抗体層８は、酸化亜鉛を含む主成分を有する。この酸化亜鉛を含む主成分は、電圧−電流特性における優れた電圧非直線性と、大きなサージ耐量とを発現する物質として作用する。
The interlayer voltage
層間電圧非直線性抵抗体層８は、Ｐｒなどの希土類元素の酸化物、Ｓｉの酸化物、Ｃｏの酸化物、Ｂ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎから選ばれる少なくとも１種の酸化物をさらに含有していてもよい。
The interlayer voltage
次に、上記積層チップバリスタ２００の製造方法について説明する。
Next, a method for manufacturing the
まずバリスタ素体２１０を準備する。次に、このバリスタ素体２１０に、例えばバレル研磨やサンドブラストなどにより端面研磨を施し、外部電極用ペーストを印刷または転写して焼成し、外部電極４を形成する。外部電極用ペーストは、各種金属や合金からなる導電材、あるいは焼成後に上記した導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、第１実施形態と同様の有機ビヒクルとを混練して調製すればよい。外部電極用ペーストの焼成条件は、例えば、空気雰囲気中で６００〜９００℃にて１０分〜１時間程度とすればよい。
First, a
次に、外部電極４表面に、第１実施形態と同様のめっき液を用いてニッケルめっき層５を形成し、続いてニッケルめっき層５の上にスズめっき層６を形成する。こうして積層チップバリスタが完成する。
Next, the
この製造方法では、上記めっき液を用いることにより、バリスタ素体２１０の溶解を十分に抑制できる。特に、本実施形態の積層チップバリスタ２００では、層間電圧非直線性抵抗体層８が酸化亜鉛を主成分の一つとしているが、酸化亜鉛は、従来のめっき液では特に溶出が懸念される材料であったため、本実施形態の製造方法は、積層チップバリスタの製造方法に特に有効である。こうして、本実施形態の製造方法によれば、積層チップバリスタ２００のバリスタ電圧の低下を十分に抑制でき、電気特性の低下を十分に抑制できる。
In this manufacturing method, dissolution of the
本発明は、上記第１〜第２実施形態に限定されるものではない。例えば上記実施形態では、セラミックス電子部品が、積層チップコンデンサ、積層チップバリスタである場合について説明したが、本発明に係るセラミックス電子部品の製造方法は、積層チップインダクタ、積層チップサーミスタ、積層チップレゾネータ、又はそれらの複合部品である電子部品についても適用可能である。 The present invention is not limited to the first and second embodiments. For example, in the above embodiment, the case where the ceramic electronic component is a multilayer chip capacitor or a multilayer chip varistor has been described. However, the method for manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention includes a multilayer chip inductor, a multilayer chip thermistor, a multilayer chip resonator, Or it is applicable also about the electronic component which is those composite parts.
以下、本発明の内容を、実施例を挙げてより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the content of the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples.
〔バリスタ〕
（実施例４、参考例１〜３及び比較例１〜３）
まず、ＺｎＯ粉末に、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｃｏ３Ｏ４、ＣａＣＯ３、ＳｉＯ２およびその他の添加物を、Ｚｒ、Ｐｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｋ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｓｉの含有率がそれぞれ９６．９４５、０．５、１．５、０．００５，０．０５、０．１、０．１、０．８原子％（金属元素の百分率換算）に相当する量となるように添加し、混合した。そして、得られた粉体に、有機バインダ、有機溶剤、有機可塑剤を加え、ボールミルで２０時間混合し粉砕を行って、スラリーを作製した。
[Varistor]
(Example 4, Reference Examples 1-3 and Comparative Examples 1-3)
First, in the ZnO powder, Pr 6 O 11 , Co 3 O 4 , CaCO 3 , SiO 2 and other additives are added, and the contents of Zr, Pr, Co, Al, K, Cr, Ca, and Si are 96. Add to 945, 0.5, 1.5, 0.005, 0.05, 0.1, 0.1, 0.8 atomic% (percent conversion of metal element) and mix did. Then, an organic binder, an organic solvent, and an organic plasticizer were added to the obtained powder, mixed for 20 hours by a ball mill, and pulverized to prepare a slurry.
このスラリーをドクターブレード法により、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）製のベースフィルム上に３０μｍの厚さのグリーンシートを作製し、塗布したグリーンシート上に、パラジウムペーストを用い、スクリーン印刷にて、所望の形状になるように印刷し、乾燥して、内部電極を形成した。次に、グリーンシートの反対側の表面にも、上記と同様にして内部電極を形成した。 A 30 μm-thick green sheet is produced on this slurry by a doctor blade method on a PET (polyethylene terephthalate) base film, and the desired shape is formed by screen printing using palladium paste on the coated green sheet. Was printed and dried to form internal electrodes. Next, an internal electrode was formed on the opposite surface of the green sheet in the same manner as described above.
さらに、最外層となる保護層は、同じ組成のグリーンシートを複数枚重ねて形成した。 Furthermore, the protective layer as the outermost layer was formed by stacking a plurality of green sheets having the same composition.
その後、これらを加熱、圧着した後、所定のチップ形状となるように切断してグリーンチップとした。 Thereafter, these were heated and pressure-bonded, and then cut into a predetermined chip shape to obtain a green chip.
このグリーンチップを３５０℃で２時間脱バインダを行った後、１２５０℃で２時間空気中において焼成し、積層チップバリスタ素体となる焼結体を得た。 The green chip was debindered at 350 ° C. for 2 hours and then fired in air at 1250 ° C. for 2 hours to obtain a sintered body to be a multilayer chip varistor element body.
次いでこのバリスタ素体をバレル研磨した後、その両端にＡｇを主体とした電極ペーストを塗布し、８００℃で焼き付けして外部電極を形成し、０．１０ｍｍ×０．０５ｍｍ×厚さ０．８ｍｍの外部電極付きチップバリスタ素体を準備した。 Next, after barrel-polishing the varistor element body, an electrode paste mainly composed of Ag is applied to both ends of the varistor element body and baked at 800 ° C. to form an external electrode, which is 0.10 mm × 0.05 mm × thickness 0.8 mm. A chip varistor body with external electrodes was prepared.
次に、外部電極付きチップバリスタ素体の外部電極の表面に、厚さ２μｍのニッケルめっき層を形成した。このとき、ニッケルめっき層の形成は、小型回転バレルめっき装置（コンドウ社製BH型）を用いて行い、めっき液及びめっき条件は、表１に示す通りとした。続いて、めっき装置により、ニッケルめっき層上に電解めっき法により厚さ４μｍのスズめっき層を形成した。このとき、めっき装置として、小型回転バレル（コンドウ社製BH型）を用いた。このようにして、積層チップバリスタを得た。 Next, a nickel plating layer having a thickness of 2 μm was formed on the surface of the external electrode of the chip varistor body with external electrode. At this time, the nickel plating layer was formed using a small rotating barrel plating apparatus (BH type manufactured by Kondo), and the plating solution and plating conditions were as shown in Table 1. Subsequently, a tin plating layer having a thickness of 4 μm was formed on the nickel plating layer by an electroplating method using a plating apparatus. At this time, a small rotating barrel (BH type manufactured by Kondo) was used as a plating apparatus. In this way, a multilayer chip varistor was obtained.
上記のようにして積層チップバリスタを１００個作成し、１００個の積層チップバリスタについて、バリスタ電圧を測定した。バリスタ電圧（Ｖ１ｍＡ）は、積層チップバリスタを直流定電圧電源に接続し、積層チップバリスタの両電極間に作用する電圧を電圧計で測定すると共に、積層チップバリスタに流れる電流を電流計にて読みとることにより求めた。具体的には、積層チップバリスタに流れる電流が１ｍＡの時に、積層チップバリスタの電極間に作用する電圧を電圧計により読みとり、その値をバリスタ電圧とした。単位はＶとした。結果を表１に示す。なお、表１には、１００個の積層チップバリスタについて測定したバリスタ電圧の平均値をバリスタ電圧として示してある。ここで、バリスタ電圧の規格値は６．４〜９．６Ｖである。
表１に示すように、実施例４、参考例１〜３の積層チップバリスタは、比較例１〜３の積層チップバリスタよりも、バリスタ電圧が高くなっており、電気特性の低下を十分に抑制できることが分かった。
As shown in Table 1, the laminated chip varistors of Example 4 and Reference Examples 1 to 3 have a higher varistor voltage than the laminated chip varistors of Comparative Examples 1 to 3, and sufficiently suppress the deterioration of electrical characteristics. I understood that I could do it.
（実施例８、参考例５〜７）
めっき液の組成及びめっき条件を表２に示すようにし、外部電極付きバリスタ素体の外部電極表面を無電解めっきしたこと以外は、参考例１と同様にして１００個の積層チップバリスタを作成した。そして、得られた１００個の積層チップバリスタについて、参考例１と同様にしてバリスタ電圧を測定した。結果を表２に示す。なお、表２には、１００個の積層チップバリスタについて測定したバリスタ電圧の平均値をバリスタ電圧として示してある。ここで、バリスタ電圧の規格値は６．４〜９．６Ｖである。
100 laminated chip varistors were prepared in the same manner as in Reference Example 1 except that the composition of the plating solution and the plating conditions were as shown in Table 2, and the external electrode surface of the varistor element body with external electrodes was electrolessly plated. . The varistor voltage was measured for the 100 obtained multilayer chip varistors in the same manner as in Reference Example 1. The results are shown in Table 2. In Table 2, the average value of varistor voltages measured for 100 laminated chip varistors is shown as the varistor voltage. Here, the standard value of the varistor voltage is 6.4 to 9.6V.
表２に示すように、実施例８、参考例５〜７の積層チップバリスタは、比較例４〜６の積層チップバリスタよりも、バリスタ電圧が高くなっており、電気特性の低下を十分に抑制できることが分かった。
As shown in Table 2, the multilayer chip varistors of Example 8 and Reference Examples 5 to 7 have a higher varistor voltage than the multilayer chip varistors of Comparative Examples 4 to 6, and sufficiently suppress the deterioration of electrical characteristics. I understood that I could do it.
〔コンデンサ〕
（実施例１０、参考例９、１１及び比較例７〜９）
まず、ＢａＴｉＯ３：８５モル％、Ｂｉ２Ｏ３：１モル％、ＴａＯ６：４．５モル％、ＭｇＯ：０．５モル％、ＣｕＯ：１モル％、ＺｎＯ：１．５モル％、ＴｉＯ２：２モル％、ＳｎＯ２：１．５モル％、Ｄｙ２Ｏ３：３モル％の組成を有する誘電体材料１００重量部と、アクリル樹脂４．８重量部と、塩化メチレン４０重量部と、酢酸エチル２０重量部と、ミネラルスピリット６重量部と、アセトン４重量部とをボールミルで混合してペースト化し、誘電体層用ペーストを得た。
次いで、平均粒径０．２〜０．８μｍのＮｉ粒子１００重量部と、有機ビヒクル（エチルセルロース８重量部をブチルカルビトール９２重量部に溶解したもの）４０重量部と、ブチルカルビトール１０重量部とを３本ロールにより混練してペースト化し、内部電極層用ペーストを得た。
[Capacitor]
(Example 10, Reference Examples 9, 11 and Comparative Examples 7-9)
First, BaTiO 3: 85 mol%, Bi 2 O 3: 1 mole%, TaO 6: 4.5 mol%, MgO: 0.5 mol%, CuO: 1 mol%, ZnO: 1.5 mol%,
Next, 100 parts by weight of Ni particles having an average particle size of 0.2 to 0.8 μm, 40 parts by weight of an organic vehicle (8 parts by weight of ethyl cellulose dissolved in 92 parts by weight of butyl carbitol), and 10 parts by weight of butyl carbitol Were kneaded with three rolls to obtain a paste, and an internal electrode layer paste was obtained.
次いで、平均粒径０．５μｍのＣｕ粒子１００重量部と、有機ビヒクル（エチルセルロース樹脂８重量部をブチルカルビトール９２重量部に溶解したもの）３５重量部およびブチルカルビトール７重量部とを混練してペースト化し、外部電極用ペーストを得た。 Next, 100 parts by weight of Cu particles having an average particle diameter of 0.5 μm, 35 parts by weight of an organic vehicle (8 parts by weight of ethyl cellulose resin dissolved in 92 parts by weight of butyl carbitol) and 7 parts by weight of butyl carbitol were kneaded. To obtain a paste for an external electrode.
次いで、上記誘電体層用ペーストを用いてＰＥＴフィルム上に、厚さ１５μｍのグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷したのち、ＰＥＴフィルムからグリーンシートを剥離した。次いで、これらのグリーンシートと保護用グリーンシート（内部電極層用ペーストを印刷しないもの）とを積層、圧着して、グリーンチップを得た。内部電極を有するシートの積層数は４層とした。 Next, a green sheet having a thickness of 15 μm was formed on the PET film using the dielectric layer paste, and the internal electrode layer paste was printed thereon, and then the green sheet was peeled from the PET film. Next, these green sheets and protective green sheets (not printed with internal electrode layer paste) were laminated and pressure-bonded to obtain green chips. The number of sheets having internal electrodes was four.
次いで、グリーンチップを所定サイズに切断し、脱バインダ処理、焼成およびアニールを行って、積層セラミック焼成体を得た。脱バインダ処理は、昇温時間１５℃／時間、保持温度２８０℃、保持時間８時間、空気雰囲気の条件で行った。また、焼成は、昇温速度２００℃／時間、保持温度１２８０〜１３２０℃、保持時間２時間、冷却速度３００℃／時間、加湿したＮ２＋Ｈ２混合ガス雰囲気（酸素分圧は１０−９気圧）の条件で行った。アニールは、保持温度９００℃、温度保持時間９時間、冷却速度３００℃／時間、加湿したＮ２ ガス雰囲気（酸素分圧は１０−５気圧）の条件で行った。なお、焼成およびアニールの際の雰囲気ガスの加湿には、水温を３５℃としたウェッターを用いた。 Next, the green chip was cut into a predetermined size and subjected to binder removal processing, firing and annealing to obtain a multilayer ceramic fired body. The binder removal treatment was performed under conditions of a temperature rising time of 15 ° C./hour, a holding temperature of 280 ° C., a holding time of 8 hours, and an air atmosphere. The firing is performed at a temperature rising rate of 200 ° C./hour, a holding temperature of 1280 to 1320 ° C., a holding time of 2 hours, a cooling rate of 300 ° C./hour, and a humidified N 2 + H 2 mixed gas atmosphere (oxygen partial pressure is 10 −9 atmospheres). ). The annealing was performed under the conditions of a holding temperature of 900 ° C., a temperature holding time of 9 hours, a cooling rate of 300 ° C./hour, and a humidified N 2 gas atmosphere (oxygen partial pressure was 10 −5 atm). A wetter with a water temperature of 35 ° C. was used for humidifying the atmospheric gas during firing and annealing.
次いで、積層セラミック焼成体の端面をサンドブラストにて研磨したのち、外部電極用ペーストを端面に転写し、加湿したＮ２ ＋Ｈ２ 雰囲気中において、８００℃にて１０分間焼成して外部電極を形成した。こうして、０．１０ｍｍ×０．０５ｍｍ×０．８ｍｍのサイズの外部電極付きコンデンサ素体を得た。 Next, after polishing the end face of the multilayer ceramic fired body by sandblasting, the external electrode paste was transferred to the end face and fired at 800 ° C. for 10 minutes in a humidified N 2 + H 2 atmosphere to form an external electrode. . In this way, a capacitor body with external electrodes having a size of 0.10 mm × 0.05 mm × 0.8 mm was obtained.
こうして得られた外部電極付きコンデンサ素体の外部電極表面上に、めっき液の組成及びめっき条件を表３に示すようにしたこと以外は実施例１と同様にして、ニッケルめっき層及びスズめっき層を順次形成した。こうして積層チップコンデンサを得た。 A nickel plating layer and a tin plating layer were formed in the same manner as in Example 1 except that the composition of the plating solution and the plating conditions were shown in Table 3 on the surface of the external electrode of the capacitor body with external electrodes thus obtained. Were sequentially formed. Thus, a multilayer chip capacitor was obtained.
このようにして得られた積層チップコンデンサにおいて、内部電極層に挟まれた誘電体層の数は４、その厚さは０．８ｍｍであり、内部電極層の厚さは５μｍであった。 In the multilayer chip capacitor thus obtained, the number of dielectric layers sandwiched between the internal electrode layers was 4, the thickness thereof was 0.8 mm, and the thickness of the internal electrode layer was 5 μm.
上記のようにして１００個の積層チップコンデンサを作成し、これらに対し、ＬＣＲメータにより、周波数１ｋＨｚ，入力信号レベル１Ｖｒｍｓの条件下で、誘電損失（単位は％）を測定した。結果を表３に示す。なお、表３においても、１００個の積層チップコンデンサについて測定した誘電損失の平均値で誘電損失を示してある。
表３に示すように、実施例１０、参考例９、１１の積層チップコンデンサは、比較例７〜９の積層チップコンデンサよりも、誘電損失が小さくなり、電気特性の低下を十分に抑制できることが分かった。
As shown in Table 3, the multilayer chip capacitors of Example 10 and Reference Examples 9 and 11 have a smaller dielectric loss than the multilayer chip capacitors of Comparative Examples 7 to 9, and can sufficiently suppress the deterioration of electrical characteristics. I understood.
（実施例１３〜１４、参考例１２及び比較例１０〜１２）
めっき液の組成及びめっき条件を表４に示すようにし、外部電極付きコンデンサ素体の外部電極表面を無電解めっきしたこと以外は、参考例９と同様にして１００個の積層チップコンデンサを作成した。そして、得られた１００個の積層チップコンデンサについて、参考例９と同様にして誘電損失を測定した。結果を表４に示す。なお、表４においても、１００個の積層チップコンデンサについて測定した誘電損失の平均値で誘電損失を示してある。
100 multilayer chip capacitors were prepared in the same manner as in Reference Example 9 except that the composition of the plating solution and the plating conditions were as shown in Table 4 and the external electrode surface of the capacitor body with external electrodes was electrolessly plated. . Then, the dielectric loss of the obtained 100 multilayer chip capacitors was measured in the same manner as in Reference Example 9. The results are shown in Table 4. Also in Table 4, the dielectric loss is shown as an average value of dielectric loss measured for 100 multilayer chip capacitors.
表４に示すように、実施例１３〜１４、参考例１２の積層チップコンデンサは、比較例１０〜１２の積層チップコンデンサよりも、誘電損失が小さくなり、電気特性の低下を十分に抑制できることが分かった。
As shown in Table 4, the multilayer chip capacitors of Examples 13 to 14 and Reference Example 12 have a smaller dielectric loss than the multilayer chip capacitors of Comparative Examples 10 to 12, and can sufficiently suppress a decrease in electrical characteristics. I understood.
〔インダクタ〕
（実施例１５、１７、参考例１６及び比較例１３〜１５）
粒径０．１〜１０μｍ程度のＮｉＯ，ＣｕＯ，ＺｎＯおよびＦｅ２Ｏ３の粉体を用い、これらをボールミルを用いて湿式混合し、ついで、この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾燥し７００℃にて仮焼し、これをボールミルにて粉砕した後、スプレードライヤーで乾燥し、比表面積８ｍ２／ｇのＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト原料粉末とした。このとき、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト原料粉末の組成は、フェライト原料粉末中のｍｏｌ％で、Ｆｅ２Ｏ３：４５ｍｏｌ％、ＮｉＯ：２５ｍｏｌ％、ＣｕＯ：１０ｍｏｌ％、およびＺｎＯ：２０ｍｏｌ％となるようにした。
ついでこの原料粉末１００重量部に対して、エチルセルロース２．５重量部、テルピネオール４０重量部を加え、３本ロールにて混練して磁性フェライトペーストを調製した。
[Inductor]
(Examples 15 and 17 , Reference Example 16 and Comparative Examples 13 to 15)
NiO, CuO, ZnO and Fe 2 O 3 powder having a particle size of about 0.1 to 10 μm are used and wet-mixed using a ball mill, and then the wet mixture is dried by a spray dryer at 700 ° C. After calcination, this was pulverized with a ball mill and then dried with a spray dryer to obtain a Ni—Cu—Zn ferrite raw material powder having a specific surface area of 8 m 2 / g. At this time, the composition of the Ni—Cu—Zn ferrite raw material powder is mol% in the ferrite raw material powder, Fe 2 O 3 : 45 mol%, NiO: 25 mol%, CuO: 10 mol%, and ZnO: 20 mol%. I made it.
Next, 2.5 parts by weight of ethyl cellulose and 40 parts by weight of terpineol were added to 100 parts by weight of the raw material powder, and kneaded with three rolls to prepare a magnetic ferrite paste.
一方、平均粒径０．８μｍのＡｇ１００重量部に対して、エチルセルロース２．５重量部、テルピネオール４０重量部を加え、３本ロールにて混練して、導体用ペーストを調製した。 On the other hand, 2.5 parts by weight of ethyl cellulose and 40 parts by weight of terpineol were added to 100 parts by weight of Ag having an average particle size of 0.8 μm, and kneaded with three rolls to prepare a conductor paste.
このような磁性フェライト用ペーストと導体用ペーストとを、交互に印刷積層した後、積層体の対向する２側面を切断し、導体用ペーストにより印刷された導体パターンの縁部を積層体側面から露出させた。その後、この積層体について、９００℃で２時間の焼成を行って、積層型チップインダクタを得た。得られた積層型チップインダクタのタイプは、１００５タイプであり、その外形寸法は０．１０ｍｍ×０．０５ｍｍ×０．８ｍｍであった。 After alternately laminating and laminating such magnetic ferrite paste and conductor paste, the two opposite side surfaces of the laminate are cut, and the edge of the conductor pattern printed with the conductor paste is exposed from the side of the laminate. I let you. Thereafter, the multilayer body was baked at 900 ° C. for 2 hours to obtain a multilayer chip inductor. The type of the obtained multilayer chip inductor was 1005 type, and the external dimensions were 0.10 mm × 0.05 mm × 0.8 mm.
焼成後、内部導体保護のため露出した内部導体の部分をガラスから成る非磁性体層で被覆した。次に、積層チップインダクタの内部導体の引き出し部に外部導体ペーストを塗布し、外部導体およびガラスを大気中において６００℃で３０分間焼き付け、コイル状内部導体の両端部に外部電極が形成された状態の外部電極付きチップインダクタ素体を形成した。 After firing, the exposed portion of the inner conductor was covered with a nonmagnetic layer made of glass to protect the inner conductor. Next, an external conductor paste is applied to the lead portion of the internal conductor of the multilayer chip inductor, and the external conductor and glass are baked at 600 ° C. for 30 minutes in the atmosphere, and external electrodes are formed at both ends of the coiled internal conductor. A chip inductor body with external electrodes was formed.
このチップインダクタ素体の外部電極表面上に、めっき液の組成及びめっき条件を表５に示すようにしたこと以外は実施例１と同様にして、ニッケルめっき層及びスズめっき層を順次形成した。こうして積層チップインダクタを得た。 A nickel plating layer and a tin plating layer were sequentially formed on the external electrode surface of the chip inductor body in the same manner as in Example 1 except that the composition of the plating solution and the plating conditions were as shown in Table 5. Thus, a multilayer chip inductor was obtained.
上記のようにして積層チップインダクタを１００個作成し、これらに対し、測定周波数１００ｋＨｚ、測定電流０．１ｍＡの条件で、ＬＣＲメーター（ヒューレットパッカード（株）製）を用いてインダクタンスＬを測定した。結果を表５に示す。なお、表５においては、１００個の積層チップインダクタについて測定したインダクタンス値の平均値でインダクタンス値を示してある。
表５に示すように、実施例１５、１７、参考例１６の積層チップインダクタは、比較例１３〜１５の積層チップインダクタよりも、インダクタンスが大きく、電気特性の低下を十分に抑制できることが分かった。
As shown in Table 5, it was found that the multilayer chip inductors of Examples 15 and 17 and Reference Example 16 had a larger inductance than the multilayer chip inductors of Comparative Examples 13 to 15 and could sufficiently suppress a decrease in electrical characteristics. .
（実施例１８〜１９、参考例２０及び比較例１６〜１８）
めっき液の組成及びめっき条件を表６に示すようにし、外部電極付きインダクタ素体の外部電極表面を無電解めっきしたこと以外は、実施例１５と同様にして１００個の積層チップインダクタを作成した。そして、得られた１００個の積層チップインダクタについて、実施例１５と同様にしてインダクタンスを測定した。結果を表６に示す。なお、表６においても、１００個の積層チップインダクタについて測定したインダクタンス値の平均値でインダクタンス値を示してある。
The composition of the plating solution and the plating conditions were as shown in Table 6, and 100 multilayer chip inductors were produced in the same manner as in Example 15 except that the surface of the external electrode of the inductor body with external electrodes was electrolessly plated. . And about 100 obtained multilayer chip inductors, it carried out similarly to Example 15, and measured the inductance. The results are shown in Table 6. In Table 6, the inductance value is shown as an average value of inductance values measured for 100 multilayer chip inductors.
表６に示すように、実施例１８〜１９、参考例２０の積層チップインダクタは、比較例１６〜１８の積層チップインダクタよりも、インダクタンスが大きく、電気特性の低下を十分に抑制できることが分かった。
As shown in Table 6, it was found that the multilayer chip inductors of Examples 18 to 19 and Reference Example 20 had a larger inductance than the multilayer chip inductors of Comparative Examples 16 to 18 and could sufficiently suppress a decrease in electrical characteristics. .
〔圧電レゾネータ〕
（実施例２１〜２２、参考例２３及び比較例１９〜２２）
まず主成分の原料として、ＰｂＯ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＺｒＯ２粉末、ＭｎＣＯ３粉末、Ｎｂ２Ｏ５粉末を用意し、最終的に、Ｐｂ１［（Ｍｎ１／３Ｎｂ２／３）０．１Ｔｉ０．５Ｚｒ０．３５］Ｏ３の組成となるように秤量した。
[Piezoelectric resonator]
(Examples 21 to 22, Reference Example 23 and Comparative Examples 19 to 22)
First, PbO powder, TiO 2 powder, ZrO 2 powder, MnCO 3 powder, and Nb 2 O 5 powder are prepared as the main component raw materials, and finally Pb 1 [(Mn 1/3 Nb 2/3 ) 0. 1 Ti 0.5 Zr 0.35 ] O 3 was weighed.
次に、秤量された各粉末の総重量に対して、副成分としてのＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｎＣＯ３、Ｃｒ２Ｏ3をそれぞれ０．１ｗｔ％添加した。各原料粉末の平均粒径は０．１〜３．０μｍの範囲で適宜選択した。 Next, 0.1 wt% of Al 2 O 3 , SiO 2 , MnCO 3 , and Cr 2 O 3 as subcomponents were added to the total weight of each weighed powder. The average particle size of each raw material powder was appropriately selected within the range of 0.1 to 3.0 μm.
上記原料粉末を湿式混合した後、８００℃で３時間保持する仮焼を行った。このときの雰囲気はＮ2とした。 After the raw material powder was wet-mixed, calcination was carried out at 800 ° C. for 3 hours. The atmosphere at this time was N 2 .
仮焼き後、原料粉末の粉砕を行い、粉砕粉末を顆粒に造粒した。この際、粉砕粉末にポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を少量添加し、かつこれらを十分に混合し、その後にメッシュを通過させて整粒することにより造粒粉末を得た。次いで、造粒粉末を３００ＭＰａの圧力で加圧成形し、成形体を得た。 After calcination, the raw material powder was pulverized, and the pulverized powder was granulated into granules. At this time, a small amount of polyvinyl alcohol (PVA) was added to the pulverized powder, and these were sufficiently mixed, and then granulated by passing through a mesh to obtain granulated powder. Next, the granulated powder was pressure-molded at a pressure of 300 MPa to obtain a molded body.
成形時に添加したバインダを除去した後、１２００℃で３時間成形体を加熱保持し焼結体を得た。このときの雰囲気はＮ2とした。 After removing the binder added during molding, the molded body was heated and held at 1200 ° C. for 3 hours to obtain a sintered body. The atmosphere at this time was N 2 .
得られた焼結体に分極処理用の電極を形成した後、分極処理を行った。分極処理は、１００℃の温度で、１．５Ｅｃ（Ｅｃは抗電界）の電界を焼結体に対して２０分間印加した。 After forming electrodes for polarization treatment on the obtained sintered body, polarization treatment was performed. In the polarization treatment, an electric field of 1.5 Ec (Ec is a coercive electric field) was applied to the sintered body at a temperature of 100 ° C. for 20 minutes.
分極処理は、上述した温度に加熱されたシリコンオイル浴中で行った。なお、分極方向は、主面に平行方向に分極を行った。 The polarization treatment was performed in a silicone oil bath heated to the temperature described above. The polarization was performed in a direction parallel to the main surface.
そして、分極処理後の焼結体を、厚さが０．５ｍｍとなるまで研磨した後、振動電極を形成した。次いで、ダイシングソーで所望の形状に切断した。そして、切断面上に、実施例１と同様にしてＡｇを主体とする電極ペーストを塗布し、大気中において６００℃で３０分間焼き付け、両端部に外部電極が形成された状態の外部電極付きチップレゾネータ素体を形成した。 And after grind | polishing the sintered compact after a polarization process until thickness was set to 0.5 mm, the vibrating electrode was formed. Subsequently, it cut | disconnected in the desired shape with the dicing saw. Then, an electrode paste mainly composed of Ag is applied to the cut surface in the same manner as in Example 1, and baked at 600 ° C. for 30 minutes in the atmosphere, and the external electrode-attached chip in which external electrodes are formed at both ends. A resonator element body was formed.
そして、このチップレゾネータ素体の外部電極表面上に、めっき液の組成及びめっき条件を表７に示すようにしたこと以外は実施例１と同様にして、ニッケルめっき層及びスズめっき層を順次形成した。こうして積層チップレゾネータを得た。 Then, a nickel plating layer and a tin plating layer are sequentially formed on the external electrode surface of the chip resonator element body in the same manner as in Example 1 except that the composition of the plating solution and the plating conditions are as shown in Table 7. did. Thus, a laminated chip resonator was obtained.
上記のようにして１００個の積層チップレゾネータを作製し、これらについて、インピーダンスアナライザーを用いて共振インピーダンスを測定した。結果を表７に示す。なお、表７においても、１００個の積層チップレゾネータについて測定した共振インピーダンス値の平均値で共振インピーダンス値を示してある。
表７に示すように、実施例２１〜２２、参考例２３の積層チップレゾネータは、比較例１９〜２２の積層チップレゾネータよりも、規格値により近い値を示していた。
As shown in Table 7, the laminated chip resonators of Examples 21 to 22 and Reference Example 23 showed values closer to the standard values than the laminated chip resonators of Comparative Examples 19 to 22.
（実施例２５、参考例２４、２６及び比較例２３〜２６）
めっき液の組成及びめっき条件を表８に示すようにし、外部電極付きレゾネータ素体の外部電極表面を無電解めっきしたこと以外は、実施例２１と同様にして１００個の積層チップレゾネータを作成した。そして、得られた１００個の積層チップレゾネータについて、実施例２１と同様にして共振インピーダンスを測定した。結果を表８に示す。なお、表８においても、１００個の積層チップレゾネータについて測定した共振インピーダンス値の平均値で共振インピーダンス値を示してある。
The composition of the plating solution and the plating conditions were as shown in Table 8, and 100 multilayer chip resonators were produced in the same manner as in Example 21 except that the surface of the external electrode of the resonator body with external electrodes was electrolessly plated. . And about 100 obtained laminated chip resonators, it carried out similarly to Example 21, and measured the resonant impedance. The results are shown in Table 8. In Table 8, the resonance impedance value is shown as an average value of the resonance impedance values measured for 100 laminated chip resonators.
表８に示すように、実施例２５、参考例２４、２６の積層チップレゾネータは、比較例２３〜２６の積層チップレゾネータよりも、理論値により近い値を示していた。
As shown in Table 8, the laminated chip resonators of Example 25 and Reference Examples 24 and 26 showed values closer to the theoretical values than the laminated chip resonators of Comparative Examples 23 to 26.
〔ＮＴＣサーミスタ〕
（実施例２８、参考例２７、２９及び比較例２７〜２９）
まず、出発材料として、市販の四三酸化マンガン（Ｍｎ３Ｏ４）、酸化ニッケル、酸化鉄、酸化銅及び酸化ジルコニウムを、焼成後の組成が下記組成比（但し、主成分を構成するＭｎ酸化物及びＮｉ酸化物のモル％は、それぞれＭｎ換算及びＮｉ換算でのモル％を示している。添加物としての酸化鉄、酸化銅及び酸化ジルコニウムは、前記主成分を１００重量％としたときの、Ｆｅ２Ｏ３換算、ＣｕＯ換算、ＺｒＯ２換算での添加量（重量％）を示している。）
主成分であるＭｎ酸化物：４５モル％、Ｎｉ酸化物：５５モル％、添加物であるＦｅ２Ｏ３：５０．００ｗｔ％、ＣｕＯ：４０．００ｗｔ％、ＺｒＯ２：１０．００ｗｔ％となるように秤量配合し、ボールミルで１６時間湿式混合した。なお、これらの出発原料中には、不可避的不純物が０．１重量％程度含まれている。
[NTC thermistor]
(Example 28, Reference Examples 27 and 29, and Comparative Examples 27 to 29)
First, as a starting material, commercially available trimanganese tetraoxide (Mn 3 O 4 ), nickel oxide, iron oxide, copper oxide and zirconium oxide, the composition after firing has the following composition ratio (however, Mn oxidation constituting the main component) The mol% of the product and the Ni oxide indicate the mol% in terms of Mn and Ni, respectively.The iron oxide, copper oxide, and zirconium oxide as additives are based on the above main component being 100% by weight. , Fe 2 O 3 equivalent, CuO equivalent, ZrO 2 equivalent added amount (% by weight).
Mn oxide as main component: 45 mol%, Ni oxide: 55 mol%, Fe 2 O 3 as additive: 50.00 wt%, CuO: 40.00 wt%, ZrO 2 : 10.00 wt% The mixture was weighed and mixed with a ball mill for 16 hours. These starting materials contain about 0.1% by weight of inevitable impurities.
次に、湿式混合後の出発原料を、脱水乾燥し、乳鉢、乳棒を用いて粉体にした。 Next, the starting material after the wet mixing was dehydrated and dried, and powdered using a mortar and pestle.
次に、得られた粉体をアルミナこう鉢に入れ、１０００℃で２時間仮焼成した。 Next, the obtained powder was put into an alumina mortar and temporarily calcined at 1000 ° C. for 2 hours.
次に、得られた仮焼き済み粉体を、ボールミルにより微粉砕した後、脱水乾燥して、サーミスタ用組成物原料とした。 Next, the obtained calcined powder was finely pulverized by a ball mill and then dehydrated and dried to obtain a composition material for the thermistor.
次に、得られたサーミスタ用組成物原料１００重量部に対して、ポリビニルアルコール１．５重量部（固形分）を加え、乳鉢、乳棒で顆粒に造粒したのち、１ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍの直方体状に加圧成形して成形体を得た。 Next, 1.5 parts by weight of polyvinyl alcohol (solid content) is added to 100 parts by weight of the obtained thermistor composition raw material, granulated into granules with a mortar and pestle, and then 1 mm × 0.5 mm × 0. A molded body was obtained by pressure forming into a 5 mm rectangular parallelepiped shape.
次に、この成形体を、大気中で６００℃で２時間加熱して、脱バインダ処理した後、大気中で１０００℃で２時間本焼成して焼結体であるサーミスタ素体を得た。 Next, the molded body was heated in air at 600 ° C. for 2 hours to remove the binder, and then subjected to main firing in air at 1000 ° C. for 2 hours to obtain a thermistor body as a sintered body.
次に、得られた焼結体の両端に、銀ペーストをスクリーン印刷し、８００℃で焼き付けて、外部電極を形成した。そして、このサーミスタ素体の外部電極表面上に、めっき液の組成及びめっき条件を表９に示すようにしたこと以外は実施例１と同様にして、ニッケルめっき層及びスズめっき層を順次形成した。こうして積層チップサーミスタを得た。 Next, silver paste was screen-printed on both ends of the obtained sintered body and baked at 800 ° C. to form external electrodes. Then, a nickel plating layer and a tin plating layer were sequentially formed on the external electrode surface of the thermistor body in the same manner as in Example 1 except that the composition of the plating solution and the plating conditions were as shown in Table 9. . A multilayer chip thermistor was thus obtained.
上記のようにして積層チップサーミスタを１００個作成し、得られた１００個のサーミスタについて、直流４端子法を用いて、２５℃の抵抗値（Ｒ２５）、−４０℃の抵抗値（Ｒ−４０ ）および８５℃の抵抗値（Ｒ８５）を測定し、それぞれ次式のT、To、R、Roに代入してＢ定数を算出した。
これらの最大値と最小値の規格値からのずれの大きな方を百分率で表し、Ｂ定数許容差とした。結果を表９に示す。なお、表９においても、１００個の積層チップサーミスタについて測定したＢ定数許容差の平均値でＢ定数許容差を示してある。
表９に示す結果より、実施例２８、参考例２７、２９に係る積層チップサーミスタでは、Ｂ定数許容差の絶対値がＢ定数許容差規格の絶対値より小さいのに対して、比較例２７〜２９に係る積層チップサーミスタでは、Ｂ定数許容差の絶対値がＢ定数許容差規格の絶対値より大きくなっていた。このことから、実施例２８、参考例２７は、電気特性の劣化を十分に抑制できることが分かった。
From the results shown in Table 9, in the laminated chip thermistor according to Example 28 and Reference Examples 27 and 29, the absolute value of the B constant tolerance is smaller than the absolute value of the B constant tolerance standard, whereas Comparative Examples 27 to In the multilayer chip thermistor according to No. 29, the absolute value of the B constant tolerance is larger than the absolute value of the B constant tolerance standard. From this, it was found that Example 28 and Reference Example 27 can sufficiently suppress the deterioration of electrical characteristics.
（実施例３０、参考例３１、３２及び比較例３０〜３２）
めっき液の組成及びめっき条件を表１０に示すようにし、外部電極付きサーミスタ素体の外部電極表面を無電解めっきしたこと以外は、参考例２７と同様にして１００個の積層チップサーミスタを作成した。そして、得られた１００個の積層チップサーミスタについて、参考例２７と同様にしてＢ定数許容差を測定した。結果を表１０に示す。なお、表１０においても、１００個の積層チップサーミスタについて測定したＢ定数許容差の平均値でＢ定数許容差を示してある。
100 laminated chip thermistors were prepared in the same manner as in Reference Example 27 except that the composition of the plating solution and the plating conditions were as shown in Table 10 and the external electrode surface of the thermistor body with external electrodes was electrolessly plated. . And about the obtained 100 laminated chip thermistors, it carried out similarly to the reference example 27, and measured B constant tolerance. The results are shown in Table 10. In Table 10, the B constant tolerance is shown as an average value of the B constant tolerance measured for 100 laminated chip thermistors.
表１０に示す結果より、実施例３０、参考例３１、３２に係る積層チップサーミスタでは、Ｂ定数許容差の絶対値がＢ定数許容差規格の絶対値より小さいのに対して、比較例３０〜３２に係る積層チップサーミスタでは、Ｂ定数許容差の絶対値がＢ定数許容差規格の絶対値より大きくなっていた。このことから、実施例３０、参考例３１、３２は、電気特性の劣化を十分に抑制できることが分かった。
From the results shown in Table 10, in the multilayer chip thermistor according to Example 30 and Reference Examples 31 and 32, the absolute value of the B constant tolerance is smaller than the absolute value of the B constant tolerance standard, whereas Comparative Examples 30 to In the multilayer chip thermistor according to No. 32, the absolute value of the B constant tolerance is larger than the absolute value of the B constant tolerance standard. From this, it was found that Example 30 and Reference Examples 31 and 32 can sufficiently suppress deterioration of electrical characteristics.
以上より、本発明に係るセラミックス電子部品の製造方法によれば、電気特性の低下を十分に抑制できることが確認された。 From the above, it has been confirmed that the method for manufacturing a ceramic electronic component according to the present invention can sufficiently suppress a decrease in electrical characteristics.
４…外部電極（導電層）、５…ニッケルめっき層、６…スズめっき層、１０…コンデンサ素体（セラミックス電子部品素体）、１００…積層チップコンデンサ（セラミックス電子部品）、２００…積層チップバリスタ（セラミックス電子部品）、２１０…バリスタ素体（セラミックス電子部品素体）。
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記めっき液が、ニッケル塩と、ニッケルイオンと錯体を形成するアミン化合物とを含み、ｐＨが６〜１２であり、
前記アミン化合物が、前記ニッケルイオンとの錯体形成の際における第一段階反応の逐次生成定数Ｋ１が４．０〜１５．０となるアミン化合物であって、リシン酸、ピコリン酸、ジアミノプロピオン酸、ジアミノ酪酸、アラニン、フェニルアラニン、メチオニン、アルギニン、バリン、テアニン、グリシルグリシン又はこれらの混合物であり、
前記ニッケルイオンに対する前記アミン化合物のモル比が、前記アミン化合物の前記ニッケルイオンへの配位数の０．５〜３．０倍である、
セラミックス電子部品の製造方法。 Forming a conductive layer on the surface of the ceramic electronic component body including an oxide of at least one metal atom selected from the group consisting of zinc atom, iron atom, cobalt atom and manganese atom; and on the conductive layer A method for producing a ceramic electronic component using a plating solution to obtain a ceramic electronic component through a step of forming a nickel plating layer,
The plating solution contains a nickel salt and an amine compound that forms a complex with nickel ions, and has a pH of 6 to 12,
The amine compound is an amine compound having a sequential formation constant K1 of 4.0 to 15.0 in the first-stage reaction when forming a complex with the nickel ion, wherein ricinic acid, picolinic acid, diaminopropionic acid, diaminobutyric acid, alanine, phenylalanine, methionine, arginine, valine, theanine, is Gurishirugurishi down or a mixture thereof,
The molar ratio of the amine compound to the nickel ion is 0.5 to 3.0 times the coordination number of the amine compound to the nickel ion.
Manufacturing method of ceramic electronic parts.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007092468A JP5298450B2 (en) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | Manufacturing method of ceramic electronic parts |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007092468A JP5298450B2 (en) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | Manufacturing method of ceramic electronic parts |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008248335A JP2008248335A (en) | 2008-10-16 |
| JP5298450B2 true JP5298450B2 (en) | 2013-09-25 |
Family
ID=39973624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007092468A Expired - Fee Related JP5298450B2 (en) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | Manufacturing method of ceramic electronic parts |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5298450B2 (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4904853B2 (en) * | 2006-03-06 | 2012-03-28 | Ｔｄｋ株式会社 | Manufacturing method of ceramic electronic component |
| JP5221282B2 (en) * | 2008-10-29 | 2013-06-26 | Ｔｄｋ株式会社 | Ceramic multilayer electronic component and manufacturing method thereof |
| JP5299321B2 (en) * | 2010-03-09 | 2013-09-25 | 株式会社村田製作所 | Plating method |
| KR101648064B1 (en) | 2012-08-07 | 2016-08-12 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | Multilayer ceramic capacitor and method for manufacturing multilayer ceramic capacitor |
| JPWO2022118698A1 (en) * | 2020-12-03 | 2022-06-09 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09157884A (en) * | 1995-12-12 | 1997-06-17 | Dipsol Chem Co Ltd | Nonacidic nickel plating bath and plating method using the bath |
| JP2000204495A (en) * | 1999-01-08 | 2000-07-25 | Okuno Chem Ind Co Ltd | Nickel electroplating solution |
| JP2003147573A (en) * | 2001-11-02 | 2003-05-21 | Murata Mfg Co Ltd | Method of manufacturing electronic parts and electronic parts |
| JP4128005B2 (en) * | 2001-12-28 | 2008-07-30 | 日本リーロナール有限会社 | Electro nickel plating solution |
| JP3879121B2 (en) * | 2002-08-23 | 2007-02-07 | 株式会社村田製作所 | Method for plating ceramic electronic component and ceramic electronic component |
| JP2004100014A (en) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Murata Mfg Co Ltd | Ceramic electronic component and process for manufacturing the same |
| JP2006124812A (en) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Murata Mfg Co Ltd | Ceramic substrate and plating method |
| JP4548377B2 (en) * | 2006-03-31 | 2010-09-22 | Ｔｄｋ株式会社 | Plating solution and method for producing conductive material |
| JP4605074B2 (en) * | 2006-03-31 | 2011-01-05 | Ｔｄｋ株式会社 | Electroless plating solution and method for manufacturing ceramic electronic component |
-
2007
- 2007-03-30 JP JP2007092468A patent/JP5298450B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2008248335A (en) | 2008-10-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5835011B2 (en) | Dielectric porcelain composition and electronic component | |
| JP3940424B2 (en) | Dielectric ceramic composition and manufacturing method thereof | |
| EP3434660A1 (en) | Dielectric composition, dielectric element, electronic component and laminate electronic component | |
| CN109755020B (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
| JP2013180908A (en) | Dielectric ceramic composition and electronic component | |
| JP5835012B2 (en) | Dielectric porcelain composition and electronic component | |
| JP2007254211A (en) | Electronic component, dielectric ceramic composition and production method of the dielectric ceramic composition | |
| JP5298450B2 (en) | Manufacturing method of ceramic electronic parts | |
| JP2016204250A (en) | Dielectric ceramic composition and multilayer ceramic capacitor containing the same | |
| JPWO2017163843A1 (en) | Dielectric composition, dielectric element, electronic component and laminated electronic component | |
| JP2007261876A (en) | Dielectric particles, dielectric porcelain composition and its producing method | |
| JP4552679B2 (en) | Oxide magnetic material and multilayer inductor | |
| CN112103081B (en) | Dielectric ceramic composition and multilayer ceramic capacitor including the same | |
| JP3924286B2 (en) | Manufacturing method of multilayer ceramic electronic component | |
| US20060171099A1 (en) | Electrode paste for thin nickel electrodes in multilayer ceramic capacitors and finished capacitor containing same | |
| JP2002141215A (en) | Oxide magnetic material, its manufacturing method, and laminated chip inductor | |
| JP2007145683A (en) | Electronic device, dielectric ceramic composition and production method of the same | |
| JP2018526301A (en) | Bismuth sodium strontium titanate dielectric composition, dielectric element, electronic component and laminated electronic component | |
| JP2004128328A (en) | Electronic component and its manufacturing method | |
| JP3735228B2 (en) | Method for producing soft magnetic ferrite powder and method for producing multilayer chip inductor | |
| JP7419703B2 (en) | Dielectric compositions and electronic components | |
| JP4515334B2 (en) | Barrel plating method and electronic component manufacturing method | |
| JP2022116729A (en) | Electronic component | |
| CN112811898A (en) | Ceramic raw material powder, dielectric green sheet, ceramic raw material powder, and method for producing ceramic electronic component | |
| JP2005158895A (en) | Grain-boundary-insulated semiconductor ceramic and laminated semiconductor capacitor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091119 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110124 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120508 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120709 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120828 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121128 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130115 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130312 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130322 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130521 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130603 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5298450 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |