JP5297199B2 - 黒色層を有する電子デバイス - Google Patents

Description

本開示は、一般に、電子デバイスに関し、特に、黒色層を有する電子デバイスに関する。

（関連出願の相互参照）
本出願は、米国特許法第１１９条（ｅ）に基づき、２００５年１２月２８日出願のワン（Ｗａｎｇ）ら、米国仮特許出願第６０／７５４，４７０号明細書、「黒色層を有する電子デバイス」（Ｄｅｖｉｃｅ Ｈａｖｉｎｇ Ｂｌａｃｋ Ｌａｙｅｒｓ）（この記載内容全体を本明細書に援用する）の優先権を主張する。

電子デバイスとしては、液晶ディスプレイ（「ＬＣＤ」）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイなどを挙げることができる。ＬＣＤおよびＯＬＥＤディスプレイは、フラットパネルディスプレイ用途における有望な技術である。反射した周囲放射線は、ディスプレイの利用者にとって問題となりうる。ディスプレイ内の電極に使用される１つまたは複数の材料は、その厚さが２０ナノメートルを超える場合には、鏡のような反射率を有する場合がある。この高い反射率のために、明るい環境中、特に屋外で使用される場合に、デバイスの可読性が低くなったり、コントラストが小さくなったりすることがある。

反射の問題を解決するための試みの１つは、表示パネルの前方に円偏光子を配置することである。しかし、円偏光子は、ＯＬＥＤから発せられた光の約６０％を遮断する場合があり、モジュールの厚さおよび費用が大幅に増加しうる。通常、基体が偏光子とＯＬＥＤとの間に位置するように、このような偏光子が配置される。

ディスプレイのコントラストを改善する別の試みとしては、エレクトロルミネッセンスディスプレイのピクセル間に吸光材料を使用することが挙げられる。電極は、このような吸光材料の間に位置することができる。したがって、電極が、ピクセルの大きさ以上の部分を含みうるため、１つまたは複数の電極からの反射が依然として問題となりうる。

米国特許出願第１０／６５８，２３６号明細書

電子デバイスは、ピクセルの制御回路と、開口部を含む第１の黒色層と、第２の黒色層とを含むことができる。この制御回路は、第１の黒色層と第２の黒色層との間に、ある高度で位置することができる。電子デバイスを形成する方法は、基体上に第１の黒色層を形成するステップを含むことができ、この第１の黒色層は開口部を含む。この方法は、第１の黒色層を形成するステップの後に、基体上にピクセルの制御回路を形成するステップも含むことができる。この方法は、制御回路を形成するステップの後に、基体上に第２の黒色層を形成するステップをさらに含むことができる。

以上の概略的説明、および以下の詳細な説明は、単に例示的および説明的なものであり、添付の特許請求の範囲において規定される本発明を限定するものではない。

本明細書において提供される概念の理解を進めるために、添付の図面に示される実施形態について説明する。

当業者であれば分かるように、図面中の要素は、平易かつ明快にするために示されており、必ずしも縮尺通りに描かれているわけではない。たとえば、本発明の実施形態を理解しやすくするために、図面中の一部の要素の寸法が他の要素に対して誇張されている場合がある。

第１の態様において、電子デバイスは、ピクセルの制御回路と、開口部を含む第１の黒色層と、第２の黒色層とを含むことができる。この制御回路は、第１の黒色層と第２の黒色層との間に、ある高度で位置することができる。

第１の態様の一実施形態において、ピクセルは、第１の電極を含むことができる。第１の電極は、第２の黒色層の一部を含むことができ、第１の電極は、制御回路に電気的に結合することができる。特定の一実施形態において、ピクセルは、制御回路に電気的に接続される第２の電極をさらに含むことができる。別の一実施形態においては、電子デバイスは、第２の黒色層よりも第１の黒色層の近くに位置する利用者面を含む基体をさらに含むことができる。

第１の態様のさらに別の一実施形態において、第１の黒色層内の開口部は、ピクセルの利用者放射線経路に対応させることができ、少なくとも一部の制御回路がピクセルの利用者放射線経路の内部にある。制御回路は、チャネル領域を含むパワートランジスタを含むことができ、チャネル領域の少なくとも大部分が利用者放射線経路の外部にある。特定の一実施形態においては、制御回路は、電荷蓄積部品を含むことができ、電荷蓄積部品の少なくとも一部がピクセルの利用者放射線経路の内部にある。さらなる特定の一実施形態においては、電荷蓄積部品の少なくとも大部分が、利用者放射線経路の内部に位置することができ、チャネル領域の実質的にすべてが、利用者放射線経路の外部に位置することができる。さらなる一実施形態においては、第１の黒色層、第２の黒色層、またその両方が、可視光スペクトル内の放射線に対して実質的に不透明であってよい。さらに別の一実施形態においては、ピクセルが有機活性層を含むことができる。

第１の態様のさらに別の一実施形態においては、電子デバイスが、利用者側を有する基体をさらに含むことができる。ピクセルは、第１の電極と第２の電極とを含むことができ、第２の電極は制御回路に電気的に接続されることができ、第１および第２の電極のそれぞれは、第１および第２の黒色層のそれぞれよりも基体の利用者側から離れて位置することができる。特定の一実施形態においては、第２の黒色層が、ピクセルの放出放射線経路に対応する開口部を含むことができ、制御回路の少なくとも一部が、ピクセルの放出放射線経路の外部に位置することができる。さらなる特定の一実施形態においては、制御回路が、チャネル領域を含むパワートランジスタを含むことができ、チャネル領域の少なくとも大部分が放出放射線経路の外部に位置することができる。さらなる特定の一実施形態においては、制御回路が電荷蓄積部品を含むことができ、電荷蓄積部品の少なくとも一部がピクセルの放出放射線経路の内部に位置することができる。さらなる特定の一実施形態においては、電荷蓄積部品の少なくとも大部分が放出放射線経路の内部に位置することができ、チャネル領域の実質的にすべてが放出放射線経路の外部に位置することができる。

第２の態様において、電子デバイスの形成方法は、基体上に第１の黒色層を形成するステップを含むことができ、第１の黒色層は開口部を含む。この方法は、第１の黒色層を形成するステップの後に、基体上にピクセルの制御回路を形成するステップを含むこともできる。この方法は、制御回路を形成するステップの後に基体上に第２の黒色層を形成するステップをさらに含むことができる。

第２の態様の一実施形態において、上記方法は、制御回路を形成するステップの後で第２の黒色層を形成するステップの前に第１の電極を形成するステップと、第１の電極を形成した後の第２の電極を形成するステップとをさらに含むことができ、第２の電極を形成するステップは第２の黒色層を形成するステップを含む。別の一実施形態においては、第１の電極を制御回路に電気的に接続することができる。

第２の態様のさらに別の一実施形態において、第２の黒色層は、第１の黒色層の開口部と実質的に境界線を共にする開口部を含むことができる。上記方法は、制御回路を形成するステップと第２の黒色層を形成するステップとの後に、第１の電極を形成するステップをさらに含むことができる。上記方法は、第１の電極を形成するステップの後に第２の電極を形成するステップとをさらに含むことができる。さらなる一実施形態において、電子デバイスは、放射線を放出する、または基体を透過した放射線に応答するように構成することができる。さらなる一実施形態においては、上記方法は、第１の黒色層を形成するステップと制御回路を形成するステップとの後に基材上に有機活性層を形成するステップをさらに含むことができる。

多数の態様および実施形態を以上に説明してきたが、これらは単に例示的で非限定的なものである。本明細書を読めば、本発明の範囲から逸脱しない他の態様および実施形態が実現可能であることが、当業者には分かるであろう。

いずれか１つまたは複数の本発明の実施形態のその他の特徴および利点は、以下の詳細な説明および特許請求の範囲から明らかとなるであろう。この詳細な説明は、最初に、用語の定義および説明を扱い、続いて、１つまたは複数の黒色層の材料、回路図、電子デバイスの製造、電子デバイスの動作、他の実施形態、ならびに最後に利益を扱う。

（１．用語の定義および説明）
後述の実施形態の詳細を扱う前に、一部の用語の定義または説明を行う。用語「アレイ」、「周辺回路」、および「遠隔回路」は、電子デバイスの異なる領域または部品を意味することを意図している。たとえば、アレイは、規則的な配列（通常、縦列および横列によって指定される）内のピクセル、セル、またはその他の構造を含むことができる。アレイ内のピクセル、セル、またはその他の構造は、アレイと同じ基体上でアレイ自体の外部に位置することができる周辺回路によって制御することができる。通常、遠隔回路は周辺回路から離れており、（通常は周辺回路を介して）アレイに信号を送ったりアレイからの信号を受信したりすることができる。遠隔回路は、アレイとは無関係の機能を果たすこともできる。遠隔回路は、アレイを有する基体上にある場合もない場合もある。

用語「黒色層」は、単独、または１つまたは複数の他の層と組み合わせた場合に、このような層、または層の組み合わせの上に入射する目標波長または波長スペクトルの放射線の約１０％以下が、電子デバイスの外側によって反射するか、または電子デバイス内の保護された領域（たとえば、トランジスタチャネル領域）によって受け取られる層を意味することを意図している。

用語「チャネル領域」は、電界効果トランジスタのソース／ドレイン領域の間にある領域であって、電界効果トランジスタのゲート電極を介したそのバイアシングが、ソース／ドレイン領域の間のキャリアの流れまたはその欠乏に影響を与える領域を意味することを意図している。

用語「電荷蓄積部品」は、少なくともある時間の間、電荷を蓄積するように構成された電子部品を意味することを意図している。電荷蓄積部品の例としては、コンデンサ、またはコンデンサとして機能するようにバイアスがかけられたトランジスタ構造が挙げられる。

用語「制御回路」は、１つ以下のピクセルの信号を制御する、ピクセルまたはサブピクセルのアレイ内の回路を意味することを意図している。一実施形態においては、各ピクセルが１つの制御回路を有し、別の一実施形態においては、各サブピクセルが１つの制御回路を有する。

用語「境界線を共にする」は、同一または一致する境界を有することを意味することを意図している。

電子部品、回路、またはそれらの一部に関する用語「電気的に接続される」またはそのあらゆる変形は、２つ以上の電子部品、回路、あるいは少なくとも１つの電子部品と少なくとも１つの回路とのあらゆる組み合わせが、それらの間に介在する電子部品を全く有さないことを意味することを意図している。寄生抵抗、寄生キャパシタンス、またはそれら両方は、この定義の目的では電子部品とは見なされない。一実施形態においては、複数の電子部品が互いに電気的に短絡しており実質的に同じ電圧にある場合、それらの電子部品が電気的に接続されている。「電気的な接続」は、光信号を伝送することができる１つまたは複数の接続を含むことに留意されたい。たとえば、電子部品の間で光信号を伝送することができる光ファイバー回線を使用して、そのような電子部品を互いに電気的に接続することができる。

用語「電気的に結合した」またはそのあらゆる変形は、信号（たとえば、電流、電圧、または光信号）を互いに転送することができるような方法での、２つ以上の電子部品、回路、システム、あるいは（１）少なくとも１つの電子部品、（２）少なくとも１つの回路、または（３）少なくとも１つのシステムのあらゆる組み合わせの、電気的な接続、連結、または連係を意味することを意図している。「電気的な結合」の非限定的な例としては、電気的に接続された電子部品、回路、または電子部品、あるいはスイッチ（たとえば、トランジスタ）を有する回路の間の直接的な電気的接続を挙げることができる。

用語「電極」は、電子部品内のキャリアを移送するように構成された部材、構造、またはそれらの組み合わせを意味することを意図している。たとえば、電極は、アノード、カソード、コンデンサ電極、ゲート電極などであってよい。電極は、トランジスタ、コンデンサ、抵抗器、インダクタ、ダイオード、電子部品、電源、またはそれらのあらゆる組み合わせの一部を含むことができる。

用語「電子部品」は、電気的または電気放射的（ｅｌｅｃｔｒｏ−ｒａｄｉａｔｉｖｅ）（たとえば、電気光学的）機能を果たす回路の最小単位を意味することを意図している。電子部品としては、トランジスタ、ダイオード、抵抗器、コンデンサ、インダクタ、半導体レーザー、光スイッチなどを挙げることができる。電子部品には、寄生抵抗（たとえば、電線の抵抗）または寄生キャパシタンス（たとえば、異なる電子部品に電気的に接続された２つの導体の間の静電結合であり、これらの導体の間のコンデンサが意図的でないか、偶発的なものである場合）は含まれない。

用語「電子デバイス」は、集合的に、適切に電気的に接続され、適切な電位が供給された場合にある機能を果たす、回路、電子部品、またはそれらの組み合わせの集合体を意味することを意図している。電子デバイスは、システムに含まれる場合もあり、またはシステムの一部である場合もある。電子デバイスの例としては、ディスプレイ、センサーアレイ、コンピュータシステム、アビオニクスシステム、自動車、携帯電話、その他の消費者用または工業用電子製品、あるいはそれらのあらゆる組み合わせが挙げられる。

用語「高度」は、主面に対して垂直方向で測定される基体の主面からの距離を意味することを意図している。

用語「放出放射線経路」は、放射線が放射線放出領域から基体の利用者側に進むことができる経路を意味することを意図している。放出放射線経路の端部は、基体の利用者面に対して実質的に垂直である。

用語「電界効果トランジスタ」は、通電特性がゲート電極上の電圧の影響を受けるトランジスタを意味することを意図している。電界効果トランジスタとしては、接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）、あるいは金属−酸化物−半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、金属−窒化物−酸化物−半導体（ＭＮＯＳ）電界効果トランジスタなどの金属−絶縁体−半導体電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）が挙げられる。電界効果トランジスタは、ｎチャネル（チャネル領域内をｎ型キャリアが流れる）またはｐチャネル（チャネル領域内をｐ型キャリアが流れる）であってよい。電界効果トランジスタは、エンハンスメント型トランジスタ（チャネル領域がトランジスタのソース／ドレイン領域とは異なる導電型を有する）またはデプレッション型トランジスタ（トランジスタのチャネルおよびソース／ドレイン領域が同じ導電型を有する）であってよい。

用語「不透明」は、層または他の物体の上に入射する目標波長またはスペクトルの放射線の少なくとも９０％が、そのような層または他の物体によって吸収されることを意味することを意図している。不透明層は、特定の種類の黒色層であってよい。

用語「有機活性層」は、少なくとも１つの有機層が、単独で、または異なる材料と接触している場合に、整流接合を形成することができる１つまたは複数の有機層を意味することを意図している。

用語「有機層」は、少なくとも１つの層が、炭素と、水素、酸素、窒素、フッ素などの少なくとも１つの他の元素とを含む材料を含む、１つまたは複数の層を意味することを意図している。

用語「パワートランジスタ」は、別の電子部品を調整するよう構成されたトランジスタを意味することを意図している。たとえば、ＯＬＥＤディスプレイにおいて、パワートランジスタは、ＯＬＥＤディスプレイ内の対応するＯＬＥＤを流れる電流量を調整する。

用語「主面」は、後に電子部品が形成される基体の表面を意味することを意図している。

用語「放射線放出部品」は、適切なバイアスをかけた場合に、目標波長または波長スペクトルの放射線を発する電子部品を意味することを意図している。この放射線は、可視光スペクトル内にある場合もあり、または可視光スペクトルの外（ＵＶまたはＩＲ）にある場合もある。放射線放出部品の一例は、発光ダイオードである。

用語「放射線応答部品」は、適切なバイアスをかけた場合に、目標波長または波長スペクトルの放射線に応答する電子部品を意味することを意図している。この放射線は、可視光スペクトル内にある場合もあり、または可視光スペクトルの外（ＵＶまたはＩＲ）にある場合もある。放射線検出部品の例は、ＩＲセンサーおよび光起電力セルである。

用語「整流接合」は、半導体層内の接合、または半導体層と異なる材料との間の界面によって形成される接合であって、その接合を介したある一方向で、１種類の電荷キャリアが、反対方向よりも速く流れる接合を意味することを意図している。ダイオードとして使用できる整流接合の一例がｐｎ接合である。

用語「ソース／ドレイン領域」は、電荷キャリアをチャネル領域内に注入する、または電荷キャリアをチャネル領域から受け取る、電界効果トランジスタの領域を意味することを意図している。ソース／ドレイン領域は、電界効果トランジスタを流れる電流に依存して、ソース領域またはドレイン領域を含むことができる。ソース／ドレイン領域は、電界効果トランジスタをある方向に電流が流れる場合にソース領域として機能し、電界効果トランジスタを逆方向に電流が流れる場合にドレイン領域として機能することができる。

用語「基体」は、剛性または可撓性のいずれであってもよく、１つまたは複数の材料の１つまたは複数の層を含むことができる工作物を意味することを意図しており、このような材料としては、ガラス、ポリマー、金属、またはセラミック材料、あるいはそれらの組み合わせを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。

用語「利用者放射線経路」は、電子デバイスの外側の放射線が、基体の利用者側から、放射線放出領域または放射線応答領域まで透過することができる経路、あるいは、電子デバイス内の電子部品によって放出または反射された放射線が基体の利用者側に向かうことができる経路を意味することを意図している。利用者放射線経路の端部は、基体の利用者面に対して実質的に垂直である。

用語「利用者面」は、電子デバイスの通常操作中に主として使用される電子デバイスの表面を意味することを意図している。ディスプレイの場合、利用者が見る電子デバイスの表面が利用者面となる。センサーまたは光起電力セルの場合、利用者面は、検知されたり電気エネルギーに変換されたりする放射線を主として透過する表面である。電子デバイスは２つ以上の利用者面を有することが可能なことに留意されたい。

用語「可視光スペクトル」は、４００〜７００ｎｍに相当する波長を有する放射線スペクトルを意味することを意図している。

本明細書において使用される場合、用語「含んでなる」、「含んでなること」、「含む」、「含むこと」、「有する」、「有すること」、またはそれらの他のあらゆる変形は、非排他的な包含を扱うことを意図している。たとえば、ある一連の要素を含むプロセス、方法、物品、または装置は、それらの要素にのみに必ずしも限定されるわけではなく、そのようなプロセス、方法、物品、または装置に関して明示されず固有のものでもない他の要素を含むことができる。さらに、反対の意味で明記されない限り、「または」は、包含的な「または」を意味するのであって、排他的な「または」を意味するのではない。たとえば、条件ＡまたはＢが満たされるのは：Ａが真であり（または存在する）Ｂが偽である（または存在しない）、Ａが偽であり（または存在しない）Ｂが真である（または存在する）、ならびにＡおよびＢの両方が真である（または存在する）のいずれか１つによってである。

また、本明細書に記載される要素および成分を説明するために「ａ」または「ａｎ」も使用されている。これは単に便宜的なものであり、本発明の一般的な意味を提供するために行われている。この記述は、１つまたは少なくとも１つを含むものと読むべきであり、明らかに他の意味となる場合を除けば、単数形は複数形も含んでいる。

元素周期表中の縦列に対応する族の番号は、ＣＲＣ化学物理ハンドブック第８１版（ＣＲＣ Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，８１^st Ｅｄｉｔｉｏｎ）（２０００−２００１年）に見られる「新表記法」（Ｎｅｗ Ｎｏｔａｔｉｏｎ）の規則を使用している。

特に定義しない限り、本明細書において使用されるすべての技術用語および科学用語は、本発明が属する当業者によって一般に理解されている意味と同じ意味を有する。本明細書に記載されるものと類似または等価の方法および材料を、本発明の実施または試験において使用することができるが、好適な方法および材料について以下に説明する。本明細書において言及されるあらゆる刊行物、特許出願、特許、およびその他の参考文献は、特定の部分が引用されるのでなければ、それらの記載内容全体が援用される。矛盾が生じる場合には、定義を含めて本明細書に従うものとする。さらに、材料、方法、および実施例は、単に説明的なものであり、限定を意図したものではない。

本明細書に記載されていない程度の、具体的な材料、処理行為、および回路に関する多くの詳細は従来通りであり、それらについては、有機発光ダイオードディスプレイ、光検出器、光電池、および半導体要素の技術分野の教科書およびその他の情報源中に見ることができる。反射、コントラスト比、およびその他の類似の原理に関する概念は、ユー（Ｙｕ）らによる２００３年９月８日に出願された「低背景輝度を有する有機電子デバイス」（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ Ｈａｖｉｎｇ Ｌｏｗ Ｂａｃｋｇｒｏｕｎｄ Ｌｕｍｉｎａｎｃｅ）と題される米国特許公報（特許文献１）（本明細書においては「ユー（Ｙｕ）」と記載）により詳細に説明されている。

（３．１つまたは複数の黒色層の材料）
黒色層には多種多様な材料を使用することができる。可能性のある材料の電気的特性は、導電性から、抵抗性、絶縁性まで変動しうる。黒色層用の可能性のある材料の１つは、元素金属（たとえば、Ｗ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｉｎなど）；合金（たとえば、Ｍｇ−Ａｌ、Ｌｉ−Ａｌなど）；金属酸化物（たとえば、Ｃｒ_xＯ_y、Ｆｅ_xＯｙ、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ、ＺｎＯなど）；合金酸化物（たとえば、ＩｎＳｎＯ、ＡｌＺｎＯ、ＡｌＳｎＯなど）；金属窒化物（たとえば、ＡｌＮ、ＷＮ、ＴａＮ、ＴｉＮなど）；合金窒化物（たとえば、ＴｉＳｉＮ、ＴａＳｉＮなど）；金属酸窒化物（たとえば、ＡｌＯＮ、ＴａＯＮなど）；合金酸窒化物；第１４族酸化物（たとえば、ＳｉＯ₂、ＧｅＯ₂など）；第１４族窒化物（たとえば、Ｓｉ₃Ｎ₄、ケイ素リッチＳｉ₃Ｎ₄など）；第１４族酸窒化物（たとえば、酸窒化ケイ素、ケイ素リッチ酸窒化ケイ素など）；第１４族材料（たとえば、黒鉛、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅなど）；第１３〜１５族半導体材料（たとえば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓなど）；第１２〜１６族半導体材料（たとえば、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＺｎＳＳｅなど）；またはそれらのあらゆる組み合わせなどの１つまたは複数の無機材料を含むことができる。

元素金属は、実質的に１つの元素からなる層を意味し、別の金属との均一な合金、および別の元素との分子化合物ではない。合金の目的では、ケイ素は金属と見なされる。多くの実施形態においては、元素金属として、または、分子化合物（たとえば、金属酸化物、または金属窒化物）の一部としてのいずれであっても、金属は、クロム、タンタル、または金などの遷移金属（元素周期表中の第３〜１２族の中の元素）であってよい。

高吸光度層用の可能性のある材料の１つは、ポリオレフィン（たとえば、ポリエチレン、ポリプロピレンなど）；ポリエステル（たとえば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなど）；ポリイミド；ポリアミド；ポリアクリロニトリルまたはポリメタクリロニトリル；過フッ素化または部分フッ素化ポリマー（たとえば、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレンとポリスチレンとのコポリマー）；ポリカーボネート；ポリ塩化ビニル；ポリウレタン；アクリル酸またはメタクリル酸のエステルのホモポリマーまたはコポリマーなどのポリアクリル樹脂；エポキシ樹脂；ノボラック（Ｎｏｖｏｌａｃ）樹脂、有機電荷移動化合物（たとえば、テトラチアフルバレンテトラシアノキノジメタン（「ＴＴＦ−ＴＣＮＱ」）など）；あるいはそれらのあらゆる組み合わせなどの１つまたは複数の有機材料を含むことができる。

材料の選択後、当業者であれば理解できるように、ユー（Ｙｕ）中の１つまたは複数の式を使用して低Ｌ_backgroundを実現するために材料の厚さを調節できる。この計算は１つの厚さを求めることができるが、通常は、製造上の理由である範囲の許容できる厚さを求めることができる。厚さがこの範囲外とならない限り、許容できる妥当なＬ_backgroundを実現することができる。

当業者であれば理解できるように、現在使用されている層の材料の組成を変更せずにＬ_backgroundを実現することができる。このような変更は、デバイス性能に関する問題、処理または材料の不適合、有機電子デバイス全体の再設計などの問題を引き起こす可能性がある。層の厚さは、許容される電気的および放射線関連の性能が得られるように選択することができる。たとえば、電極は、抵抗、エレクトロマイグレーション、あるいはその他のデバイス性能または信頼性の理由によって決定された最小厚さを有することができる。最大厚さは、ステップカバレッジなどのステップ高さの問題、または後に形成される層に関するリソグラフィーの制約によって制限されうる。さらに、電極層の最小厚さと最大厚さとの間の範囲によって、依然として低いＬ_backgroundが得られながら適切なデバイス性能が達成されるような複数の厚さを選択することができる。

別の一実施形態においては、特定の種類の黒色層である不透明層を使用することができる。不透明層の場合、目標波長または波長スペクトルにおける放射線の少なくとも９０％が不透明層によって吸収される。一実施形態においては、不透明層は、黒色層として機能し、低Ｌ_backgroundを実現することができる。本明細書において後述するように、いずれかの方向での放射線の透過が望ましくない場合に、不透明層を黒色層として使用することができる。

（４．回路図）
図１は、電子デバイス１００の一部の回路図を含んでいる。電子デバイス１００は、第１のピクセル１２０と、第２のピクセル１４０と、第３のピクセル１６０とを含む。ピクセル１２０、１４０、および１６０のそれぞれは、図１中に示されるようなピクセル回路を含む。各ピクセル回路は、ピクセル駆動回路と、電子部品１２８、１４８、または１６８とを含む。

第１のピクセル１２０は、選択トランジスタ１２２、電荷蓄積部品１２４、パワートランジスタ１２６、および電子部品１２８を含む。電荷蓄積部品１２４は、コンデンサ、またはコンデンサとして機能するよう構成されたトランジスタ構造（たとえば、ソースおよびドレイン領域が互いに電気的に接続されるか、または実質的に同じ電圧のバイアスがかけられる）を含むことができる。電荷蓄積部品１２４は、簡略化のためにコンデンサとして示されているが、本明細書の説明を限定するものではない。電子部品１２８は、電流によって駆動するほとんどあらゆる電子部品であってよい。一実施形態においては、電子部品１２８は、ＯＬＥＤなどの放射線放出部品である。ピクセル１２０内において、ピクセル駆動回路は、選択トランジスタ１２２、電荷蓄積部品１２４、およびパワートランジスタ１２６を含む。

選択トランジスタ１２２は、選択線（「ＳＬ」）１３４に接続されたゲート電極と、データ線（「ＤＬ」）１３２に接続された第１のソース／ドレイン領域と、電荷蓄積部品１２４の第１の電極およびパワートランジスタ１２６のゲート電極に接続された第２のソース／ドレイン領域とを含む。ＳＬ１３４は、選択トランジスタ１２２に制御信号を提供し、ＤＬ１３２は、選択トランジスタ１２２が作動するときに、電荷蓄積部品１２４およびパワートランジスタ１２６のゲート電極に送られるデータ信号を提供する。

電荷蓄積部品１２４は、第１の電極、および第２の電極を含む。電荷蓄積部品１２４の第１の電極は、選択トランジスタ１２２の第２のソース／ドレイン領域およびパワートランジスタ１２６のゲート電極に接続される。電荷蓄積部品１２４の第２の電極は、第１の電源線に接続され、これは一実施形態においてはＶ_dd1線１３６である。別の一実施形態（図示せず）においては、場合により抗劣化ユニット（ａｎｔｉ−ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ ｕｎｉｔ）を、電荷蓄積部品１２４、およびピクセル１２０に接続された少なくとも１つの電源線（たとえば、Ｖ_ss線１３８、Ｖ_dd1線１３６、またはそれら両方）に接続することができる。

パワートランジスタ１２６は、第１のゲート電極、第１のソース／ドレイン領域、および第２のソース／ドレイン領域を含む。パワートランジスタ１２６の第１のソース／ドレイン領域は、電子部品１２８の第１の電極に接続され、パワートランジスタ１２６の第２のソース／ドレイン領域はＶ_dd1線１３６に結合される。一実施形態においては、パワートランジスタ１２６の第２のソース／ドレイン領域はＶ_dd1線１３６に接続される。別の一実施形態においては、場合により抗劣化ユニット（ａｎｔｉ−ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ ｕｎｉｔ）を、パワートランジスタ１２６の第２のソース／ドレイン領域、およびＶ_dd1線１３６に接続することができる。

電子部品１２８は、第１の電極と、Ｖ_ss線１３８に接続される第２の電極とを含む。一実施形態においては、第１の電極はアノードであり、第２の電極はカソードである。別の一実施形態においては、電子部品１２８は、ＯＬＥＤなどの有機放射線放出電子部品である。一実施形態においてはピクセル駆動回路であるピクセル回路の残りの部分は、電子部品１２８を駆動させるために可変電流源を提供するのに適している。たとえば、電流駆動する１つまたは複数の電子部品を、電子部品１２８の代わり、または電子部品１２８と併せて使用することができる。１つまたは複数の電子部品は、ダイオードを含む場合も含まない場合もあることに留意されたい。

別の一実施形態（図示せず）においては、電子部品１２８およびパワートランジスタ１２６が逆であってもよい。より具体的には、（１）電子部品１２８の第１の電極（たとえば、アノード）がＶ_dd1線１３６に接続され、（２）電子部品１２８の第２の電極（たとえば、カソード）がパワートランジスタ１２６の一方のソース／ドレイン領域に接続され、（３）パワートランジスタ１２６の他方のソース／ドレイン領域がＶ_ss線１３８に接続される。

第２のピクセル１４０内で、データ線１５２が、選択トランジスタ１２２の第１のソース／ドレイン領域に接続され、Ｖ_dd2線１５６が、パワートランジスタ１２６の第２のソース／ドレイン領域に接続され、電子部品１４８が、パワートランジスタ１２６の第１のソース／ドレイン領域とＶ_ss線１３８との間に接続されることを除けば、第２のピクセル１４０は第１のピクセル１２０に類似している。第３のピクセル１６０内で、データ線１７２が、選択トランジスタ１２２の第１のソース／ドレイン領域に接続され、Ｖ_dd3線１７６が、パワートランジスタ１２６の第２のソース／ドレイン領域に接続され、電子部品１６８が、パワートランジスタ１２６の第１のソース／ドレイン領域とＶ_ss線１３８との間に接続されることを除けば、第３のピクセル１６０は第１および第２のピクセル１２０および１４０に類似している。

一実施形態においては、電子部品１２８、１４８、１６８は互いに実質的に同一である。別の一実施形態においては、電子部品１２８、１４８、および１６８は互いに異なる。たとえば、電子部品１２８が青色発光部品であり、電子部品１４８が緑色発光部品であり、電子部品１６８が赤色発光部品である。Ｖ_dd1線、Ｖ_dd2線、およびＶ_dd3線１３６、１５６、および１７６は、互いに同じ電圧の場合も異なる電圧の場合もある。別の一実施形態（図示せず）においては、電子部品１２８、１４８、１６８の第２の電極を、実質的に同じ電圧または大きく異なる電圧で駆動する、異なる電源線に接続することができる。本明細書を読めば、当業者によって、特定の用途における必要性または希望に適合した電子デバイス１００を設計することができる。

選択トランジスタ１２２、パワートランジスタ１２６、またはそれらのあらゆる組み合わせは、電界効果トランジスタを含むことができる。図１中に示されるピクセルの回路中、すべてのトランジスタがｎチャネルトランジスタである。ｎチャネルトランジスタのいずれか１つまたは複数を、いずれか１つまたは複数のｐチャネルトランジスタで置き換えることができる。別の実施形態においては、別のトランジスタ（たとえば１つまたは複数のＪＦＥＴ、１つまたは複数のバイポーラトランジスタ、あるいはそれらのあらゆる組み合わせ）を、選択トランジスタ１２２内に使用することができる。

（５．電子デバイスの製造）
これより、複数の黒色層を使用することによって低Ｌ_background、したがって高コントラストを達成可能な、図２〜８に示される第１の組の実施形態の詳細に注目する。図９および１０は、追加の黒色層を使用できる別の実施形態を含んでいる。

図２は、基体２０の一部の上に黒色層２６を形成した後の、部分的に完成した電子デバイスの一部の断面図を示している。基体２０は、剛性または可撓性のいずれであってもよく、ガラス、ポリマー、金属、またはセラミック材料、あるいはそれらのあらゆる組み合わせを含むことができる１つまたは複数の材料の１つまたは複数の層を含むことができる。一実施形態においては、基体２０は、電子デバイスに関連した目標波長または波長スペクトルに対して実質的に透明である。たとえば、電子デバイスが可視光スペクトル内の放射線を発する場合、基体２０は、可視光スペクトル内の放射線に対して透明である。別の例として、電子デバイスが赤外線に応答する場合、基体２０は、赤外線に対して透明である。

基体２０は、利用者面２２および主面２４を含む。利用者面２２は、電子デバイスを使用する場合に利用者が見る基体２０の表面であってよい。主面２４は、電子デバイスの少なくとも一部の電子部品を製造することができる表面であってよい。

黒色層２６は、前述の黒色層に使用可能な１つまたは複数のあらゆる材料を含むことができる。一実施形態においては、どちらにしても放射線が黒色層２６を通過する必要がない場合があるので、黒色層２６は不透明であってよい。別の一実施形態においては、電子デバイスの動作中に、後に形成される放射線放出部品からの放射線が黒色層２６を透過するように意図される場合があるので、黒色層２６が低吸光度を有するべきである。

黒色層２６は、１つまたは複数の従来のまたは独自開発の堆積技術、パターン形成技術、あるいはそれらの組み合わせを使用して形成することができる。黒色層２６の厚さは２〜１０００ｎｍの範囲とすることができる。必要である場合または希望する場合には、この厚さを、上記範囲よりも大きくまたは小さくすることができる。たとえば、厚さの上限は、引き続く層を形成するときの最上層の平坦性などの放射線とは無関係な考慮事項に基づいて決定することができ、そのような場合には、厚さが１０ミクロンを超えることができる。

図３に示されるように、黒色層２６の上に場合により絶縁層３２を形成することができ、絶縁層３２の上に導電部材３４および３６を形成することができる。絶縁層３２は、有機材料、無機材料、またはそれらの組み合わせを含むことができる。絶縁層３２の組成、形成（たとえば、堆積）、および厚さは、従来通りであってよく、または独自開発のものであってもよい。黒色層２６が導電性または抵抗性である場合、絶縁層３２は、黒色層２６の上に重ねられ間隔を開けて配置される複数の導電部材の間でのリークパスを実質的に防止するのに十分な厚さ（たとえば、少なくとも１ｎｍ）にすることができる。黒色層２６が絶縁体である場合は、絶縁層３２を省くことができる。

一実施形態においては、導電部材３４は、図１に示されるようなスイッチトランジスタまたはパワートランジスタのゲート電極として機能する少なくとも一部分を含む。導電部材３４の別の部分は、局所相互接続、コンデンサ電極などとして機能することができる。一実施形態においては、導電部材３６は、図１に示されるようなコンデンサなどの電荷蓄積部品のコンデンサ電極として機能する少なくとも一部分を含む。導電部材３６の別の部分は、局所相互接続、ゲート電極などとして機能することができる。

導電部材３４および３６は、ＬＣＤまたはＯＬＥＤディスプレイ中の電極として使用される１つまたは複数の従来のまたは独自開発の材料を含むことができる。導電部材３４および３６は、従来のまたは独自開発の技術を使用して堆積することによって形成することができる。導電部材３４および３６の厚さは２０〜１０００ｎｍの範囲内とすることができる。必要である場合または希望する場合には、この厚さを、上記範囲よりも大きくまたは小さくすることができる。たとえば、厚さの上限は、形成される電子部品の電気的特性、ならびに導電部材３４および３６の組成などの放射線とは無関係な考慮事項に基づいて決定することができ、そのような場合には１０ミクロンを超えることができる。導電部材３４、導電部材３６、またはそれら両方は、目標波長または波長スペクトルの放射線に対して透明の場合もあり、または不透明の場合もある。たとえば、導電部材３６は、後に形成される利用者放射線経路の中に位置することができ、その導電部材３６は、可視光スペクトル内の放射線に対して透明であってよい。導電部材３４および３６は、同じまたは異なる組成、同じまたは異なる厚さを有することができ、実質的に同時、または異なる時点、あるいはそれらのあらゆる組み合わせで形成することができる。

図４に示されるように、導電部材３４および３６を形成した後に、誘電体層４２および半導体領域４４を形成することができる。導電部材３４と半導体領域４４との間にある誘電体層４２の一部分は、ゲート誘電体として機能することができ、導電部材３６に隣接する誘電体層４２の別の部分は、コンデンサ誘電体として機能することができる。

誘電体層４２は、酸化物、窒化物、酸窒化物、またはそれらのあらゆる組み合わせなどの１つまたは複数の絶縁材料の１つまたは複数の層を含むことができる。誘電体層４２は、従来のまたは独自開発の技術を使用して堆積することによって形成することができる。誘電体層４２の厚さは２〜１００ｎｍの範囲内とすることができる。必要である場合または希望する場合には、この厚さを、上記範囲よりも大きくまたは小さくすることができる。

半導体層４４は、第１４族材料（たとえば、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅなど）、第１３〜１５族半導体材料（たとえば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓなど）、第１２〜１６族半導体材料（たとえば、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＺｎＳＳｅなど）、またはそれらのあらゆる組み合わせなどの１つまたは複数の半導体材料１つまたは複数の層を含むことができる。半導体層４４は、真性半導体（ドーパントなし、または１０¹⁴原子／ｃｍ³以下のドーピング濃度）であってもよく、あるいはｎ型またはｐ型のドーパントを使用して軽度にドーピングすることもできる（１０¹⁴〜１０¹⁷原子／ｃｍ³の間のドーピング濃度）。半導体層４４は、従来のまたは独自開発の技術を使用して堆積することによって形成することができる。半導体層４４の厚さは５０〜５００ｎｍの範囲内とすることができる。必要である場合または希望する場合には、この厚さを、上記範囲よりも大きくまたは小さくすることができる。

図５に示されるように、基体２０の上に導電部材５２、５４、および５６が形成される。導電部材５２および５４は、図５中のトランジスタ構造のソース／ドレイン（「Ｓ／Ｄ」）領域に電気的接続を形成することができ、半導体層４４内にＳ／Ｄ領域を形成するために半導体層４４の一部に拡散させることができるドーパントを含むこともできる。

導電部材５２および５４は、１つまたは複数の組成を有する１つまたは複数の層を含むことができる。導電部材５２および５４のそれぞれは、ドーパントを含むことができ、それが半導体層４４の一部に拡散することで半導体層４４内にＳ／Ｄ領域を形成することができる。導電部材５２および５４の別の部分は、局所相互接続、コンデンサ電極などとして機能することができる。一実施形態においては、導電部材５６は、図５中に示されるようにコンデンサなどの電荷蓄積部品の別のコンデンサ電極として機能する少なくとも一部分を含む。導電部材５６の別の部分は、局所相互接続、ゲート電極などとして機能することができる。

導電部材５２および５４は、Ｓ／Ｄのドーピング、ならびにＬＣＤまたはＯＬＥＤディスプレイ中の薄膜トランジスタの電気接続に使用される１つまたは複数の従来のまたは独自開発の材料を含むことができる。導電部材５６は、ＬＣＤまたはＯＬＥＤディスプレイ中のコンデンサ電極として使用される１つまたは複数の従来のまたは独自開発の材料を含むことができる。

導電部材５２、５４、および５６は、従来のまたは独自開発の技術を使用して堆積することによって形成することができる。導電部材５２、５４、および５６の厚さは、２０〜１０００ｎｍの範囲内とすることができる。必要である場合または希望する場合には、この厚さを、上記範囲よりも大きくまたは小さくすることができる。たとえば、厚さの上限は、形成される電子部品の電気的特性、ならびに導電部材５２、５４、および５６の組成などの放射線とは無関係な考慮事項に基づいて決定することができ、そのような場合には１０ミクロンを超えることができる。導電部材５２、導電部材５４、導電部材５６、またはそれらのあらゆる組み合わせは、波長または波長スペクトルの放射線に対して透明の場合もあり、または不透明の場合もある。たとえば、導電部材５６は、後に形成される利用者放射線経路の中に位置することができ、その導電部材５６は、可視光スペクトル内の放射線に対して透明であってよい。導電部材５２、５４、および５６は、同じまたは異なる組成、同じまたは異なる厚さを有することができ、実質的に同時、または異なる時点、あるいはそれらのあらゆる組み合わせで形成することができる。

このプロセスのこの時点で、パワートランジスタ１２６および電荷蓄積部品１２４が形成されている。図５に示されるように、パワートランジスタ１２６は、導電部材３４、誘電体層４２、半導体層４４、ならびに導電部材５２および５４を含む。また図５に示されるように、電荷蓄積部品１２４は、導電部材３６、誘電体層４２、および導電部材５６を含む。図５中には示されていないが、選択トランジスタ１２２、別のパワートランジスタ１２６、および別の電荷蓄積部品１２４が形成される。図５中に示される一実施形態においては、パワートランジスタ１２６の少なくとも一部が黒色層２６の上に重なっており、電荷蓄積部品１２４の少なくとも一部は黒色層２６の上には重なっていない。黒色層２６の上に重なることおよび重ならないことの意味は、本明細書において後に詳細に説明する。

図６に示されるように、パワートランジスタ１２６および電荷蓄積部品１２４を含む基体２０の上に、絶縁層６２が形成される。絶縁層６２は、平坦化層であってよく、これによって表面が比較的平坦になり、それによって追加の電子部品（たとえば、ＯＬＥＤ）を形成することができる。絶縁層６２は、酸化物、窒化物、酸窒化物などの１つまたは複数の層を含むことができる。絶縁層６２は、従来のまたは独自開発の技術を使用して堆積することによって形成することができる。絶縁層６２の厚さは１００〜５０００ｎｍの範囲内とすることができる。必要である場合または希望する場合には、この厚さを、上記範囲よりも大きくまたは小さくすることができる。

絶縁層６２は、パワートランジスタ１２６の導電部材５４まで延在する接触開口部６４を形成するために、パターン形成することができる。接触開口部６４は、従来のまたは独自開発のリソグラフィー技術を使用して形成することができる。導電性プラグ６６は、パワートランジスタ１２６と後に形成される電子部品との間に電気的接続を提供するために形成することができる。導電性プラグ６６は、絶縁層６２の最上面の上まで延在する場合もしない場合もある。導電性プラグ６６は、１つまたは複数の材料の１つまたは複数の層を含むことができ、従来のまたは独自開発の技術を使用して堆積することによって形成して、バックパネル内の制御回路を、ＬＣＤまたはＯＬＥＤディスプレイのピクセルまたはサブピクセルのそれに対応する電気部品に電気的に接続することができる。導電性プラグ６６は、開口部６４を実質的に充填する場合もしない場合もある。別の開口部６４および導電性プラグ６６も形成されるが、図６中には示されていない。

図６中に示されるように、導電性プラグ６６および絶縁層６２の上に第１の電極６８が形成される。一実施形態においては、第１の電極６８は、電子部品１２８、１４８、または１６８のアノードとして機能することができ、ＬＣＤまたはＯＬＥＤディスプレイ中のアノードとして使用される１つまたは複数の層を含む。第１の電極６８、従来のまたは独自開発の技術を使用して堆積することによって形成することができる第１の電極６８は、約１０〜１０００ｎｍの範囲内の厚さを有することができる。別の電子部品１２８、１４８、または１６８野別の第１の電極も形成されるが、図６中には示されていない。

図７中に示されるように、第１の電極６８および基体２０の上に有機層７０が形成される。有機層７０は１つまたは複数の層を含むことができる。たとえば、有機層は、有機活性層、緩衝層、電子注入層、電子輸送層、電子ブロッキング層、正孔注入層、正孔輸送層、または正孔ブロッキング層、あるいはそれらのあらゆる組み合わせを含むことができる。一実施形態においては、有機層７０は、第１の有機層７２および有機活性層７４を含むことができる。

有機層７０内のあらゆる個別の層または層の組み合わせは、前述の適切な材料の、スピンコーティング、流延、気相堆積（化学または気相）、印刷（インクジェット印刷、スクリーン印刷、溶液分注（平面図から見られるようにストリップまたは所定の幾何学的図形またはパターンに液体組成物を分注する）、またはそれらのあらゆる組み合わせ）、その他の堆積技術、またはそれらのあらゆる組み合わせなどの従来のまたは独自開発の技術によって形成することができる。有機層７０内のあらゆる個別の層または層の組み合わせは、堆積後に硬化させることができる。

図７に示されるように、第１の有機層７２は、緩衝層、電子ブロッキング層、正孔注入層、正孔輸送層、またはそれらのあらゆる組み合わせとして機能することができる。一実施形態においては、第１の有機層は単層を含み、別の一実施形態においては、第１の有機層７２は複数の層を含むことができる。第１の有機層７２は、第１の有機層７２に付与される機能に依存して選択することができる１つまたは複数の材料を含むことができる。一実施形態においては、第１の有機層７２が緩衝層として機能する場合、第１の有機層７２は、ＯＬＥＤディスプレイ中に使用されるような緩衝層中への使用に適した従来のまたは独自開発の材料を含むことができる。別の一実施形態においては、第１の有機層７２が正孔輸送層として機能する場合、第１の有機層は、正孔輸送層中への使用に適した従来のまたは独自開発の材料を含むことができる。一実施形態においては、第１の有機層７２の厚さは、第１の電極６８から離れた位置で基体２０上で測定して約５０〜３００ｎｍの範囲内の厚さを有することができる。別の一実施形態においては、第１の有機層７２は上記範囲よりも薄い場合も厚い場合もある。

有機活性層７４の組成は、電子デバイスの用途に依存しうる。一実施形態においては、有機活性層７４が放射線放出部品中に使用される。特定の一実施形態においては、有機活性層７４は、青色発光材料、緑色発光材料、または赤色発光材料を含むことができる。有機活性層７４とは異なる目標波長または波長スペクトルの放射線用の別の有機活性層（図示せず）を形成することもできる。図示していないが、第１の電極６８の上の位置で、異なる有機活性層の材料が互いに接触する可能性を低くするために、第１の電極６８に隣接してある構造（たとえば、ウェル構造、カソードセパレータなど）を配置することができる。単色ディスプレイの場合、複数の有機活性層が、実質的に同じ組成を有することができる。別の一実施形態においては、有機活性層７４は、図７中に示される基体２０の一部の上に実質的に連続である有機活性層で置き換えることができる。別の一実施形態においては、有機活性層７４は、放射線センサー、光起電力セルなどの放射線応答部品中に使用することができる。

有機活性層７４および可能性のある別の有機活性層は、有機電子デバイス中の有機活性層として従来使用されている材料を含むことができ、１つまたは複数の小分子材料、１つまたは複数のポリマー材料、あるいはそれらのあらゆる組み合わせを含むことができる。本明細書を読めば、当業者は、有機活性層７４または可能性のある別の有機活性層に適切な材料、層、またはそれら両方を選択することができるであろう。一実施形態においては、有機活性層７４または可能性のある別の有機活性層は、約４０〜１００ｎｍの範囲内の厚さを有し、さらなる特定の一実施形態においては約７０〜９０ｎｍの範囲内の厚さを有する。

別の一実施形態においては、有機層７０は、厚さとともに変化する組成を有する単層を含むことができる。たとえば、第１の電極６８に最も近い組成物は正孔輸送体として機能することができ、次の組成物は有機活性層として機能することができ、第１の電極６８から最も遠い組成物は電子輸送体として機能することができる。同様に、電荷注入、電荷輸送、電荷ブロッキング、あるいは電荷注入、電荷輸送、および電荷ブロッキングのあらゆる組み合わせの機能を有機層７０に組み込むことができる。１つまたは複数の材料は、有機層の厚さの全体または一部のみにわたって存在することができる。

図示していないが、正孔ブロッキング層、電子注入層、電子輸送層、またはそれらのあらゆる組み合わせは、有機層７０の一部であってもよく、有機活性層７４上に形成することもできる。電子輸送層は、後に形成される第２の電極（すなわち、カソード）から注入された電子を有機活性層７４に移動させることができる。通常、正孔ブロッキング層、電子注入層、電子輸送層、またはそれらのあらゆる組み合わせは約３０〜５００ｎｍの範囲内の厚さを有する。

有機層７０内のいずれか１つまたは複数の層は、従来のまたは独自開発の技術を使用してパターン形成することによって、有機層７０の一部を除去することができ、その部分に後に電気接点（図示せず）が形成される。通常、これらの電気接点領域は、アレイ端部付近またはアレイ外部に存在し、周辺回路からアレイに信号を送ったり、周辺回路がアレイからの信号を受け取ったりすることができる。

図８中に示されるように、有機層７０の上に第２の電極８０が形成される。第２の電極は、形成される電子部品のカソードとして機能することができる。一実施形態においては、この電子部品は、放射線放出部品、放射線応答部品などである。特定の一実施形態においては、図８中に示される電子部品は、図１の回路図中に示される電子部品１２８、１４８、または１６８であってよい。

第２の電極８０は、１つまたは複数の層または他の部分を含むことができる。有機活性層７４に最も近い第２の電極８０の層または他の部分が、第２の電極８０の仕事関数を決定する。一実施形態においては、第２の電極８０の別の層または他の部分が黒色層を含み、別の一実施形態においては、第２の電極８０の別の層または他の部分を、第２の電極８０内の抵抗の減少に役立たせることができる。図８中に示される特定の一実施形態においては、第２の電極８０が第１の層８２、第２の層８４、および第３の層８６を含む。第１の層８２および第３の層８６の材料および可能性のある厚さは、第２の層８４の前に対処される。

第１の層８２は低仕事関数材料を含むことができる。低仕事関数層８２は、第１族金属（たとえば、Ｌｉ、Ｃｓなど）、第２族（アルカリ土類）金属、ランタニドなどの希土類金属、およびアクチニド、以上のいずれかの金属を含む合金、以上のいずれかの塩、あるいはそれらのあらゆる組み合わせを含むことができる。低仕事関数を有する導電性ポリマーを使用することもできる。第１の層８２の厚さは、約１〜１００ｎｍの範囲内とすることができる。一実施形態においては、第１の層８２の厚さは、目標波長または波長スペクトルにおける放射線に対して第１の層８２が実質的に透明となるように選択される。別の一実施形態においては、第１の層８２は、この範囲外の厚さ（より薄いまたはより厚い）を有することができる。

第３の層８６は、第１の電極６８に関して前述した材料を含めたほぼあらゆる導電性材料を含むことができる。第３の層８６は、主として、電流を流しながら抵抗を比較的低く維持するために使用される。第３の層８６の典型的な材料としては、アルミニウム、銀、銅、またはそれらのあらゆる組み合わせが挙げられる。多くの用途においては、第３の層８６の厚さは約５〜５００ｎｍの範囲内とすることができる。放射線が第２の電極８０を透過しない場合は、第３の層８６の厚さの上限が５００ｎｍを超えてもよい。

第２の層８４は黒色層を含むことができる。第２の層８４は、１つまたは複数の元素金属（たとえば、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕなど）；合金（たとえば、Ｍｇ−Ａｌ、Ｌｉ−Ａｌなど）；導電性金属酸化物（たとえば、ＲｕＯ₂、ＩｒＯ₂、ＯｓＯ_x、ＲｈＯ_xなど）；導電性合金酸化物（たとえば、ＩｎＳｎＯ、ＡｌＺｎＯ、ＡｌＳｎＯなど）；導電性金属窒化物（たとえば、ＷＮ、ＴａＮ、ＴｉＮなど）；導電性合金窒化物（たとえば、ＴｉＳｉＮ、ＴａＳｉＮなど）；導電性金属酸窒化物；導電性合金酸窒化物；ドープされた第１４族材料（たとえば、Ｃ（たとえば、ナノチューブ）Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＣ、またはＳｉＧｅ）；第１３〜１５族半導体材料（たとえば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、またはＧａＩｎＡｓ）；第１２〜１６族半導体材料（たとえば、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、またはＺｎＳＳｅ）；またはそれらのあらゆる組み合わせを含むことができる。

特定の一実施形態においては、第２の層８４中の層は、その酸化状態および還元状態において導電性である材料（たとえば、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｈ、ＩｎＳｎ、ＡｌＺｎ、ＡｌＳｎなど）を含むことができる。別の特定の一実施形態においては、層形成中および電子デバイスのあらゆる他の部分の後の形成中に、室温よりも高温（たとえば、４０℃以上）において、この層が酸素含有材料と接触する場合に、この層が酸素とあまり反応しない場合がある。酸素含有材料としては、周囲からの酸素、水、またはオゾンを挙げることができ、これらは層が直接曝露するか、層に拡散するか、または異なる隣接層から移動する可能性がある。この特定の実施形態において、この層は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、別の好適な耐酸化性材料、またはそれらのあらゆる組み合わせを含むことができる。

一実施形態においては、第１の層８２は、前述のように透明層として処理することができ、第３の層８６は、目標波長または波長スペクトルにおける実質的にすべての放射線を反射するミラーとして処理することができる。一実施形態においては、第２の層８４の材料を選択した後、当業者であれば理解できるように、ユー（Ｙｕ）中の１つまたは複数の式を使用して低Ｌ_backgroundが実現されるように第２の層８４の厚さを調整可能である。この計算によって１つの厚さを求めることができるが、通常、製造上の理由である範囲の許容できる厚さを求めることができる。厚さがこの範囲外とならない限り、許容できる妥当なＬ_backgroundを実現することができる。

特定の一実施形態においては、ユー（Ｙｕ）中の１つまたは複数の式は、第２の層８４単独に使用することもでき、第２の層８４と第２の電極８０内の別の層との組み合わせに使用することもでき、あるいは第２の層８４を、第１の層８２、有機層７０、および第１の電極６８と組み合わせた場合に使用することもできる。材料の屈折率は、参考書籍から得たり、従来のまたは独自開発の光学を使用して求めたりすることができる。第２の層８４を除いたすべての層の厚さは、電子的または光学的な考慮事項によって求めることができる。たとえば、複数の層にユー（Ｙｕ）中の１つまたは複数の式を使用する場合、第２の層８４の厚さは、低Ｌ_backgroundが実現されるようにのみ調節可能として処理することができる。別の一実施形態においては、他のあらゆる１つまたは複数の層（第２の層８４以外）の材料、厚さ、またはそれら両方は、変更またはその他の方法で変動させることができる。ユー（Ｙｕ）中の１つまたは複数の式１つまたは複数によって１つの厚さを求めることができるが、通常、製造上の理由である範囲の許容できる厚さを求めることができる。厚さがこの範囲外とならない限り、許容できる妥当なＬ_backgroundを実現することができる。

さらに別の一実施形態においては、第２の層８４は、電子デバイスが通常動作する目標波長または波長スペクトルにおける放射線に対して不透明な層であってよい。不透明層である場合には、第２の層８４に１つまたは複数の無機または有機導電性材料を使用することができる。

限定を意味するものではないが、通常、第２の層８４の厚さは、第３の層８６よりもはるかに薄い。一実施形態においては、第２の層８４の厚さは約２〜１００ｎｍの範囲内である。別の一実施形態においては、第２の層８４は上記範囲外の厚さ（より薄いまたはより厚い）を有することができる。

さらに別の一実施形態においては、第２の電極８０中により多いまたはより少ない数の層を使用することができる。たとえば、ある層が低仕事関数を有し黒色層として使用できる場合、そのような層を、第１の層８２と第２の層８４との組み合わせの代わりに使用することができる。

一実施形態においては、第２の電極８０は、基体２０の上にステンシルマスクを置き、従来のまたは独自開発の物理的気相堆積技術を使用して、図８に示すような第２の電極８０を堆積することによって形成することができる。別の一実施形態においては、第２の電極８０は、第２の電極８０の層８２、８４、および８６のあらゆる個別または組み合わせのブランケット堆積によって形成される。次に、第２の電極８０を形成するために残存する層の一部の上に、マスキング層（図示せず）が形成される。従来のまたは独自開発のエッチング技術を使用することで、層の露出部分が除去され、第２の電極８０が残存する。エッチング後、従来のまたは独自開発の技術を使用してマスキング層が除去される。

上述のあらゆる部材または追加の層を使用して、図示していない他の回路を形成することもできる。図示していないが、アレイの外側に存在しうる周辺領域（図示せず）中の回路のために、追加の絶縁層および相互接続レベルを形成することができる。このような回路は、ローデコーダまたはカラムデコーダ、ストローブ（たとえば、ローアレイストローブ、カラムアレイストローブなど）、センス増幅器、あるいはそれらのあらゆる組み合わせを含むことができる。

図９中、基体２０のアレイの外側の位置（図９には示さず）に乾燥剤９４を有する蓋９２が取り付けられることで、実質的に完成した電子デバイスが形成される。第２の電極８０と乾燥剤９４との間には間隙９６が存在する場合も存在しない場合もある。蓋および乾燥剤に使用される材料、ならびに取り付け方法は、従来または独自開発のものである。通常、蓋９２は、電子デバイスの利用者側とは反対側の電子デバイスの側にある。さらに、必要に応じて、基体２０の代わりに、または基体２０ともに、蓋９２が放射線を透過することができる。その場合、放射線が十分透過するように、蓋９２および乾燥剤９４を設計することができる。

図９中の破線９８は、利用者放射線経路に対応している。利用者放射線経路は、黒色層２６の端部と実質的に境界線を共にしている。放射線放出部品の場合、図９中の破線９８の右側に、有機層７０による放射線を放出することができ。これは電子デバイスの利用者面２２で利用者が見ることができる。放射線応答部品の場合、電子デバイスの外部からの目標波長または波長スペクトルの放射線は、電子デバイスによって受け取ることができる。破線９８の左側では、黒色層２６のために、電子デバイスの内部または外部の目標波長または波長スペクトルの放射線は、電子デバイスの利用者が見ることができない。

制御回路の一部分は、利用者放射線経路の内部に位置することができ、別の部分は利用者放射線経路の外部に位置することができる。図９を参照すると、電荷蓄積部品１２４の少なくとも一部は利用者放射線経路の内部にあり、パワートランジスタ１２６の少なくとも一部は利用者放射線経路の外部にある。一実施形態においては、電荷蓄積部品１２４の実質的にすべてが利用者放射線経路の内部にあり、別の一実施形態においては、電荷蓄積部品１２４のすべてではなく一部が利用者放射線経路の内部にある。さらに別の一実施形態においては、パワートランジスタ１２６の実質的にすべてが利用者放射線経路の外部にあり、さらに別の一実施形態においては、パワートランジスタ１２６のすべてではなく一部が利用者放射線経路の外部にある。選択トランジスタ１２４（図示せず）は、そのすべてまたは一部が、利用者放射線経路の内部または外部に位置することができる。

（６．電子デバイスの動作）
ディスプレイの動作中、有機層７０から放射線を放出させるために、第１および第２の電極６８および８０上に適切な電位が印加される。より具体的には、光が発せられる場合、第１および第２の電極６８および８０の間の電位差によって、有機層７０内で電子−正孔対が結合し、それによって光またはその他の放射線を電子デバイスから放出することができる。ディスプレイ中、横列および縦列に信号が与えられることで、適切なピクセルが作動して、人間に理解できる形態で表示を観察者に提供することができる。

光検出器などの放射線検出器の動作中、センス増幅器をアレイの第１の電極６８または第２の電極８０に結合することで、電子デバイスが放射線を受け取ったときに有意な電流を検出することができる。光起電力セルなどの電池中では、光またはその他の放射線がエネルギーに変換され、このエネルギーは外部エネルギー源なしに流れることができる。本明細書を読めば、当業者であれば、個別の要求に最適化された電子デバイス、周辺回路、および可能性のある遠隔回路を設計することができる。

図８は、それぞれが第１の電極６８、第２の電極８０、第１の電極６８または第２の電極８０の一部、あるいはそれらのあらゆる組み合わせを含むことができる電子部品と併用可能である制御回路を含む。

（７．別の実施形態）
別の一実施形態においては、制御回路内のトランジスタとそれに対応する電子部品（たとえば、電子部品１２８、１４８、または１６８）との間に、ある高度で黒色層を形成することができる。図１０および１１は、このような黒色層を有する特定の一実施形態に関する図である。

図５中に示されるように電子デバイスを部分的に形成した後、図１０に示されるように、基体２０の上に絶縁層１０２および黒色層１０６が順次形成される。絶縁層１０２は、絶縁層６２（図６参照）に関して説明したいずれか１つまたは複数の技術を使用して形成することができる１つまたは複数の材料を含む任意の１つまたは複数の層を含むことができる。特定の一実施形態においては、絶縁層１０２は絶縁層６２よりも薄い。一実施形態においては、絶縁層１０２の厚さは約２〜１００ｎｍの範囲内である。必要である場合または希望する場合には、絶縁層１０２は上記範囲外の厚さを有することもできる。

黒色層１０６は、黒色層２６（図２参照）に関して説明したようないずれか１つまたは複数の技術を使用して形成することができ、黒色層２６（図２参照）に関して説明したような厚さを有することができる、１つまたは複数の材料の任意の１つまたは複数の層を含むことができる。上面図から分かるように、黒色層１０６は、黒色層２６と実質的に同じパターンを有することができる。特定の一実施形態においては、同じステンシルマスクを使用して、黒色層２６および１０６のパターンを実現することができる。別の一実施形態においては、異なるステンシルマスクを黒色層２６および１０６に使用することができる。特定の一実施形態においては、黒色層２６、黒色層１０６、またはそれら両方が、目標波長または波長スペクトルにおける放射線に対して不透明であってよい。

絶縁層６２の形成から始まる説明と実質的に同様にしてプロセスが続けられる。図１１は、第２の電極８０が形成された後の図である。接触開口部６４は、黒色層１０６および絶縁層１０２を通過して導電部材５４まで延在している。上述の接触開口部内に導電性プラグ６６が形成される。

黒色層１０６の抵抗が不十分な場合には、望ましくない電気的接続またはリークパスが、同じまたは異なるピクセル内またはさらにはサブピクセル内の電子部品間に形成されうる。たとえば、特定の一実施形態においては、導電性プラグ６６を形成する前に、接触開口部６４内に絶縁スペーサー（図示せず）を形成することができる。この絶縁スペーサーは、黒色層１０６を導電性プラグ６６から電気的に絶縁しながら、導電部材５４に対する電気的に接触を維持するのに役立つ。絶縁スペーサーは、無機半導体技術分野において使用されるいずれか１つまたは複数の従来のまたは独自開発の堆積技術およびエッチング技術を使用して形成することができる。

さらに別の一実施形態（図示せず）においては、第１の電極６８は、第２の電極８０内の第２の層８４の代わりに、またはこれとともに黒色層を含むことができる。有機活性層７４が放射線を放出または受信することができるように、第１の電極６８内の黒色層は有意量の放射線を透過することができる。したがって、この実施形態においては、第１の電極６８中の黒色層は不透明層ではない。あるいは、第１の電極６８中の黒色層の材料、形成技術、および厚さは、第２の電極８０の第２の層８４に使用されるいずれか１つまたは複数の材料、形成技術、または厚さであってよい。第１の電極６８中の黒色層と第２の電極８０中の第２の層８４との両方が１つのデバイス中に含まれる場合、それらは同じまたは異なる材料、技術、厚さ、あるいはそれらのあらゆる組み合わせを使用して形成することができる。

さらに別の一実施形態においては、第１の電極６８および第２の電極８０の位置関係を逆にすることができる。この実施形態においては、第２の電極８０が利用者面２２のより近くに位置する。別の実施形態においては、第１および第２の電極６８および８０を逆にすることができる。この実施形態においては、基体２０に対して、第２の電極８０は第１の電極６８よりも近くに位置する。第２の電極８０は、制御回路（図示せず）にそれぞれ接続された複数の第２の電極を含むことができる。また、第１の電極６８は、共通の第１の電極で置き換えることができる。さらに別の一実施形態においては、制御回路は、基体２０に対して、他方の種類の電極よりも離れた位置にある一方の種類の電極に接続することができる。第１の電極６８、第２の電極８０、またはそれら両方が黒色層を含むことができる。

本明細書において説明した概念は、ＬＣＤなどの他の電子デバイスに拡張することができる。液晶の制御回路内のトランジスタに到達する可視光スペクトル内の放射線などの放射線を減少させるために、黒色層２６および１０６を使用することができる。電子部品１２８、１４８、１６８、またはそれらのあらゆる組み合わせは、１つまたは複数の液晶で置き換えることができる。さらに別の実施形態においては、本明細書において説明した概念は、無機半導体を含むものなどの他のディスプレイ、またはコントラスト比を比較的高く維持すべき他の用途まで拡張することができる。

（８．利益）
黒色層２６、および黒色層を含むこともできる第２の層８４を使用することによって、従来の電子デバイスよりも比較的高いコントラストを得るための費用対効果が大きく製造可能な解決方法を提供することができる。黒色層２６は、制御回路（たとえば、トランジスタ）内の電子部品からの反射を軽減するのに役立てることができ、第２の層８４は、第２の電極内の第３の層８６からの反射を軽減するのに役立たせることができる。第１の電極６８内の黒色層は、第２の電極８０内の第２の層８４と同様の目的を果たすことができるため、第１の電極６８、第２の電極８０、またはそれら両方が黒色層を含むことができる。

本発明の実施形態は、円偏光子が不要となりうる。低反射率の電子デバイスを設計することによってＬ_backgroundが実現できる。影響を与えるこれらの層は、電子デバイス全体の厚さに有意な影響を与えない。

電子デバイスの分野における現行材料を交換することなく、既存の材料を電子デバイス内に使用できるので、本明細書に記載される実施形態は、従来の電子デバイスよりも低いＬ_backgroundを得るための費用対効果が大きく製造可能な解決方法を提供することができる。現行材料を使用できることで、統合が単純となり、デバイスの再設計の可能性、材料適合性の問題、またはデバイス信頼性の問題が軽減される。

ピクセルまたはサブピクセルの制御回路の少なくとも一部の近傍に１つまたは複数の黒色層を有することによって、電子デバイスの性能を改善することができる。一実施形態においては、黒色層２６によって、選択トランジスタおよびパワートランジスタ１２２および１２６の一部またはすべてを周囲放射線から保護することができる。電界効果トランジスタは、そのチャネル領域（たとえば、半導体層４４内）が周囲放射線に曝露した場合を、そのチャネル領域が周囲放射線に曝露しない場合と比較すると、異なる電気的特性を有することがある。トランジスタを停止させるかチャネル領域内を流れる電流が少なくなるようにバイアスをかけた場合に、周囲放射線が、チャネル領域内で電子−正孔対を発生させ、電流の漏れが多くなる場合がある。

選択トランジスタ１２２を停止し、そのチャネル領域を周囲放射線に曝露すると、増加した漏れ電流のために、電荷蓄積部品１２４内の電荷の減少または増加に悪影響を与えうる。電荷の変化は、パワートランジスタ１２６のゲート電極の電極に影響を与える場合があり、放射線放出部品の場合には、その部品からの放射線の強度を変化させることがあり、ピクセル内のカラーバランスに影響を与えうる。

パワートランジスタ１２６が停止されるか、またはそのゲート電極が他の方法でその最低動作電位となるかであり、さらにそのチャネル領域が周囲放射線に曝露すると、希望するよりも多くの電流がパワートランジスタ１２６中に流れうる。パワートランジスタ１２６に結合した放射線放出部品の場合、電流量が増えることで、その部品からの放射線の強度が変化して、ピクセル内のカラーバランスに影響を与えうる。したがって、黒色層２６は、トランジスタが停止しているときまたは低電流動作モードにあるときに、トランジスタ１２２および１２６内の電流を減少させるのに役立てることができる。

別の一実施形態においては、黒色層１０６は、電子デバイス内のパワートランジスタ１２６に到達する放射線を減少させることができる。電子部品が放射線放出部品である場合の特定の一実施形態においては、黒色層１０６は、パワートランジスタ１２６、特に半導体層４４内のそのチャネル領域に到達する放射線の強度を低下させたり放射線が到達するのを防止するのに役立てたりすることができる。いずれか電極内に黒色層が存在しない場合でも、黒色層２６および１０６は、制御回路内のトランジスタに到達する放射線を減少させるのに役立つ場合があり、その放射線が、周囲放射線であるか、制御回路の対応する放射線放出部品から来るか、異なるサブピクセルまたはピクセルの中の別の放射線放出部品から来るか、それらのあらゆる組み合わせであるかのいずれであるかは無関係である。

黒色層２６、黒色層１０６、またはそれら両方の使用は、ＯＬＥＤディスプレイに関して説明した方法と同様の方法で、ＬＣＤ内のバックライトからの放射線を減少させるのに役立てることができる。

概要または実施例において前述したすべての行為が必要なわけではなく、特定の行為の一部は不要である場合があり、１つまたは複数のさらに別の行為が、前述の行為に加えて実施される場合があることに留意されたい。さらに、行為が列挙されている順序は、必ずしもそれらが実施される順序ではない。

以上の本明細書において、特定の実施形態を参照しながら本発明の概念を説明してきた。しかし、当業者には理解できるように、特許請求の範囲に記載される本発明の範囲から逸脱しない種々の変更および変形を行うことが可能である。したがって、本明細書および図面は、限定的ではなく説明的な意味があると見なすべきであり、このようなすべての変更が、本発明の範囲内に含まれることを意図している。

特定の実施形態に関して、利益、その他の利点、および問題に対する解決法を以上に記載してきた。しかし、これらの利益、利点、問題の解決法、ならびに、なんらかの利益、利点、または解決法を発生させたり、より顕著にしたりすることがある、あらゆる特徴が、特許請求の範囲のいずれかまたはすべての重要、必要、または本質的な特徴として解釈されるものではない。

別々の実施形態の状況において、明確にするために本明細書に記載されている特定の複数の特徴は、１つの実施形態の中で組み合わせても提供できることを理解されたい。逆に、簡潔にするために１つの実施形態の状況において説明した種々の特徴も、別々に提供したり、あらゆる副次的な組み合わせで提供したりすることができる。さらに、ある範囲において記載される値への言及は、その範囲内にあるすべての値を含んでいる。

電子デバイスの一部の回路図である。 基体の一部の上に黒色層を形成した後の基体の一部の断面図である。 制御回路の一部の導電部材を形成した後の図２の基体の断面図である。 誘電体層および半導体層を形成した後の図８の基体の断面図である。 制御回路の別の部分の導電部材を形成した後の図４の基体の断面図である。 絶縁層の一部、導電性プラグ、および第１の電極の一部を形成した後の図５の基体の断面図である。 第１の電極の上に有機層の一部を形成した後の図６の基体の断面図である。 第２の電極の一部の導電部材を形成した後の図７の基体の断面図である。 実質的に完成した電子デバイスを形成した後の図８の基体の断面図である。 別の一実施形態による異なる黒色層を含む基体の一部の図である。 別の一実施形態による異なる黒色層を含む基体の一部の図である。

Claims (19)

1. ピクセルの制御回路と、
   開口部を含む第１の黒色層と、
   第２の黒色層と、
   を含み、
   前記制御回路が、前記第１の黒色層と前記第２の黒色層との間にそれぞれから離間して位置し、
   前記第１の黒色層内の前記開口部が、前記ピクセルの利用者放射線経路に対応しており、
   前記制御回路の少なくとも一部が、前記ピクセルの前記利用者放射線経路の内部にあり、
   前記制御回路が、チャネル領域を含むパワートランジスタを含み、前記チャネル領域の少なくとも大部分が、前記利用者放射線経路の外部にある、
   ことを特徴とする電子デバイス。
2. 前記ピクセルが、第２の電極を含み、
   前記第２の電極が、前記第２の黒色層の一部を含み、さらに、前記制御回路に電気的に結合している、
   ことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
3. 前記ピクセルが、前記制御回路に電気的に接続された第１の電極をさらに含む、ことを特徴とする請求項２に記載の電子デバイス。
4. 前記第２の黒色層に対してよりも、前記第１の黒色層に対して近くに位置する利用者面を含む基体をさらに含む、ことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
5. 前記制御回路が電荷蓄積部品を含み、
   前記電荷蓄積部品の少なくとも一部が、前記ピクセルの前記利用者放射線経路の内部にある、
   ことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
6. 前記電荷蓄積部品の少なくとも大部分が、前記利用者放射線経路の内部にあり、
   前記チャネル領域の実質的にすべてが、前記利用者放射線経路の外部にある、
   ことを特徴とする請求項５に記載の電子デバイス。
7. 前記第１の黒色層、前記第２の黒色層、またはそれら両方が、前記可視光スペクトル内の放射線に対して実質的に不透明である、ことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
8. 前記ピクセルが有機活性層を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
9. 利用者側を有する基体をさらに含み、
   前記ピクセルが、第１の電極と第２の電極とを含み、
   前記第２の電極が、前記制御回路に電気的に接続されており、
   前記第１および第２の電極のそれぞれが、前記第１および第２の黒色層のそれぞれよりも前記基体の前記利用者側から離れていることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
10. 前記第２の黒色層が、前記ピクセルの放出放射線経路に対応する開口部を含み、
    前記制御回路の少なくとも一部が、前記ピクセルの前記放出放射線経路の外部にある、
    ことを特徴とする請求項９に記載の電子デバイス。
11. 前記制御回路が、チャネル領域を含むパワートランジスタを含み、
    前記チャネル領域の少なくとも大部分が、前記放出放射線経路の外部にある、
    ことを特徴とする請求項１０に記載の電子デバイス。
12. 前記制御回路が電荷蓄積部品を含み、
    前記電荷蓄積部品の少なくとも一部が、前記ピクセルの前記放出放射線経路の内部にある、
    ことを特徴とする請求項１１に記載の電子デバイス。
13. 前記電荷蓄積部品の少なくとも大部分が、前記放出放射線経路の内部にあり、
    前記チャネル領域の実質的にすべてが、前記放出放射線経路の外部にある、
    ことを特徴とする請求項１２に記載の電子デバイス。
14. 基体上に第１の黒色層を形成するステップであって、前記第１の黒色層が開口部を含むステップと、
    前記第１の黒色層を形成するステップの後に、前記基体上にピクセルの制御回路を形成するステップと、
    前記制御回路を形成するステップの後に、前記基体上に第２の黒色層を形成するステップと、
    を含み、
    前記第１の黒色層内の前記開口部が、前記ピクセルの利用者放射線経路に対応しており、
    前記制御回路の少なくとも一部が、前記ピクセルの前記利用者放射線経路の内部にあり、
    前記制御回路が、チャネル領域を含むパワートランジスタを含み、前記チャネル領域の少なくとも大部分が、前記利用者放射線経路の外部にある、
    ことを特徴とする電子デバイスの形成方法。
15. 前記制御回路を形成するステップの後で前記第２の黒色層を形成するステップの前に、第１の電極を形成するステップと、
    前記第１の電極を形成するステップの後に、第２の電極を形成するステップと、
    をさらに含み、
    前記第２の電極を形成するステップが、前記第２の黒色層を形成することを含む、
    ことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
16. 前記第１の電極が、前記制御回路に電気的に接続される、ことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
17. 前記第２の黒色層が、前記第１の黒色層の前記開口部と実質的に境界線を共にする開口部を含み、
    前記制御回路を形成するステップと前記第２の黒色層を形成するステップとの後に、第１の電極を形成するステップと、
    前記第１の電極を形成するステップの後に、第２の電極を形成するステップと、
    をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
18. 前記電子デバイスが、放射線を放出するように、または前記基体を透過した放射線に応答するように構成される、ことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
19. 前記第１の黒色層を形成するステップと前記制御回路を形成するステップとの後に、前記基体上に有機活性層を形成するステップ、をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。

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