JP5292850B2 - Manufacturing method of electro-optical device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent after-corrosion from occurring more securely in a method of forming a metal thin film pattern wherein an etching mask 140 is formed on an upper surface of a metal thin film 130 made of aluminum formed on a substrate 110 and dry etching using a mixed gas containing a halogen-based gas is carried out on the metal thin film through the etching mask to form the metal thin film pattern 130 in a predetermined shape, or in a method for manufacturing an electrooptical device. <P>SOLUTION: In the method of forming the metal thin film pattern or the method for manufacturing the electrooptical device, a process of removing deposits 150 left after the dry etching by discharging methanol with a single gas and a process of removing the etching mask 140 through an ashing process using oxygen plasma by discharging oxygen with a single gas are performed in order in the same chamber after a process of forming the metal thin film pattern in the predetermined shape by subjecting the metal thin film 130 to the dry etching. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置の素子基板等に設けられる金属薄膜パター
ンの形成方法および電気光学装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for forming a metal thin film pattern provided on an element substrate of an electro-optical device such as a liquid crystal device and a method for manufacturing the electro-optical device.

従来、例えば液晶装置等の電気光学装置の素子基板上に設けられる配線や電極等を構成
するアルミニウム（Ａｌ）系金属よりなる金属薄膜パターンは、通常、エッチングマスク
にレジストマスクを用い、塩素系ガスを含む混合ガスによるドライエッチングで金属薄膜
をエッチングすることによって形成されている。上記ドライエッチングでは塩素系ガスを
用いるために、反応生成物として塩化物が生成される。この塩化物が被エッチング面、特
に金属薄膜パターン表面に付着した状態で大気に触れると、塩化物と大気中の水分とが反
応して塩酸が生成される。このため、生成された塩酸によってアルミニウムが腐食される
、いわゆるアフターコロージョンが発生する。 Conventionally, for example, a metal thin film pattern made of an aluminum (Al) -based metal that constitutes a wiring, an electrode, or the like provided on an element substrate of an electro-optical device such as a liquid crystal device usually uses a resist mask as an etching mask and uses a chlorine-based gas. It is formed by etching the metal thin film by dry etching with a mixed gas containing. Since chlorine gas is used in the dry etching, chloride is generated as a reaction product. When this chloride is exposed to the atmosphere with the surface to be etched, particularly the metal thin film pattern surface, the chloride reacts with moisture in the atmosphere to generate hydrochloric acid. For this reason, so-called after-corrosion occurs in which aluminum is corroded by the generated hydrochloric acid.

上記のアフターコロージョンを防止するには、反応生成物が付着した基板を大気にさら
す前に、塩化物を含む反応生成物を除去すればよい。その方法の一つとしては、エッチン
グ装置に内蔵されたアッシング装置で塩素や塩化物を多く含んだレジストを、大気にさら
す前に除去する、いわゆるインラインアッシング処理がある。この処理によって、基板上
の残留塩素の量は処理前の２％程度までに減少させることが可能になる。上記インライン
アッシング処理で塩素が２％程度残留するのは、ドライエッチングで生成された蒸気圧の
低い塩化酸化アルミニウム（ＡｌＯｘＣｌｙ）またはプラズマ照射で強く架橋したポリマ
ーに含まれる塩素等が残留することによる。 In order to prevent the above-described after-corrosion, the reaction product containing chloride may be removed before the substrate to which the reaction product is attached is exposed to the atmosphere. As one of the methods, there is a so-called in-line ashing process in which a resist containing a large amount of chlorine or chloride is removed before being exposed to the atmosphere by an ashing apparatus built in the etching apparatus. By this treatment, the amount of residual chlorine on the substrate can be reduced to about 2% before the treatment. The reason why about 2% of chlorine remains in the in-line ashing treatment is that chlorine or the like contained in a low vapor pressure aluminum chloride oxide (AlOxCly) generated by dry etching or a polymer that is strongly crosslinked by plasma irradiation remains.

このうち塩化酸化アルミニウムは、インラインアッシングを２−プロパノール 〔（Ｃ
Ｈ3 ）2 ＣＨＯＨ〕と酸素との混合ガスで行えば除去することができる。また架橋ポリマ
ー中に含まれる塩素は、水素（Ｈ）を含んだプラズマでポリマーを低分子化して剥離すれ
ば除去が可能になる。さらに別のアフターコロージョン防止方法として、エッチングマス
クに無機質のマスクを用いる方法がある。 Of these, aluminum chloride oxide uses in-line ashing with 2-propanol [(C
It can be removed with a mixed gas of H3) 2CHOH] and oxygen. Chlorine contained in the crosslinked polymer can be removed if the polymer is depolymerized and peeled off with plasma containing hydrogen (H). As another after-corrosion prevention method, there is a method of using an inorganic mask as an etching mask.

そこで、下記特許文献１においては、エッチングマスクとして無機質のものを用い、臭
素ガスを含む混合ガスにより常温でドライエッチングすることによってアルミニウム系金
属パターンを形成すること、および上記のドライエッチングを行った後に２−プロパノー
ルと不活性なガスとよりなる混合ガスのプラズマを用いてドライエッチング時に生成した
反応生成物をドライクリーニングすることが提案されている。 Therefore, in the following Patent Document 1, an inorganic mask is used as an etching mask, an aluminum-based metal pattern is formed by dry etching at room temperature with a mixed gas containing bromine gas, and after the above dry etching is performed. It has been proposed to dry clean a reaction product generated during dry etching using plasma of a mixed gas composed of 2-propanol and an inert gas.

特開平５−１０２１４２号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-102142

しかしながら、上記のような方法によってもアルミニウム系金属等よりなる金属薄膜パ
ターンを必ずしも効率よく形成できるものではなく、またアフターコロージョンの発生を
確実に防止するのは難しい等の問題があった。 However, the metal thin film pattern made of an aluminum-based metal or the like cannot always be efficiently formed by the above method, and there is a problem that it is difficult to reliably prevent the occurrence of after-corrosion.

本発明は上記の問題点に鑑みて提案されたもので、アルミニウム系金属等よりなる金属
薄膜を塩素や臭素等のハロゲン系ガスを含む混合ガスでドライエッチングして金属薄膜パ
ターンを形成する場合のアフターコロージョンの発生をより確実に防止することのできる
金属薄膜パターンの形成方法およびそれを用いた液晶装置等の電気光学装置の製造方法を
提供することを目的とする。 The present invention has been proposed in view of the above-described problems. In the case of forming a metal thin film pattern by dry etching a metal thin film made of an aluminum-based metal or the like with a mixed gas containing a halogen-based gas such as chlorine or bromine. It is an object of the present invention to provide a method for forming a metal thin film pattern that can more reliably prevent the occurrence of after-corrosion and a method for manufacturing an electro-optical device such as a liquid crystal device using the same.

上記の目的を達成するために本件の参考発明による金属薄膜パターンの形成方法は、以下の構成としたものである。すなわち、基板上に形成したアルミニウムからなる金属薄膜の上面にエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクを介して前記金属薄膜をハロゲン系ガスを含む混合ガスでドライエッチングして所定形状の金属薄膜パターンを形成する工程と、前記エッチングマスクをアッシングにより除去する工程とを少なくとも有する金属薄膜パターンの形成方法において、前記金属薄膜をドライエッチングして所定形状の金属薄膜パターンを形成する工程を経た後に、メタノールを単ガスで放電して前記ドライエッチング後に残留するデポ物を除去する工程と、酸素を単ガスで放電して酸素プラズマによるアッシング処理で前記エッチングマスクを除去する工程とを順に同一のチャンバー内で行うようにしたことを特徴とする。
In order to achieve the above object, the metal thin film pattern forming method according to the present invention has the following configuration. That is, a step of forming an etching mask on the upper surface of a metal thin film made of aluminum formed on a substrate, and a metal thin film having a predetermined shape by dry etching the metal thin film with a mixed gas containing a halogen-based gas through the etching mask In a method for forming a metal thin film pattern having at least a step of forming a pattern and a step of removing the etching mask by ashing, after undergoing a step of dry etching the metal thin film to form a metal thin film pattern of a predetermined shape, The step of discharging methanol with a single gas to remove deposits remaining after the dry etching and the step of discharging oxygen with a single gas and removing the etching mask by ashing with oxygen plasma are sequentially performed in the same chamber. It is characterized in that it was done in

上記のように金属薄膜をハロゲン系ガスを含む混合ガスでドライエッチングして所定形
状の金属薄膜パターンを形成する工程を経た後に、先ずメタノールを単ガスで放電するこ
とによって、前記のドライエッチング時に生成された反応生成物やエッチングガスを含ん
だエッチング残渣等のドライエッチング後に金属薄膜パターンの側面等に残留するデポ物
を除去することができる。すなわち、上記メタノールを単ガスで放電すると、前記ドライ
エッチング時に前記金属薄膜パターンの側面等に付着したデポ物である三塩化酸化アルミ
ニウム（ＡｌＯｘＣｌ３）等の塩化酸化アルミニウム（ＡｌＯｘＣｌｙ）をイソプロキシ
アルミニウムに変化させて昇華除去することができると共に、上記メタノールの放電時に
生成された水素を用いてポリマー中に含まれているデポ物の一種である塩素や臭素等のハ
ロゲン元素を置換除去することができる。その後、酸素を単ガスで放電して酸素プラズマ
によるアッシング処理でエッチングマスクを除去するもので、上記のようにメタノールを
単ガスで放電してデポ物を除去する工程（以下、デポ取り工程という）を行った後に、酸
素プラズマによるアッシング処理でエッチングマスクを除去する工程（以下、アッシング
工程という）を行うと、アッシング前にメタノールの単ガス放電で基板を充分に加熱した
状態で大幅にアッシングレートを稼ぎながらアッシング処理ができるので、ドライエッチ
ング後に残留するデポ物を良好に除去することができる。また上記のデポ取り工程とアッ
シング工程とを同一のチャンバー内、例えば同一のアッシング装置内等で行うようしたの
で、高いスループットで効率よい処理が可能となる。 After the process of forming a metal thin film pattern of a predetermined shape by dry etching the metal thin film with a mixed gas containing a halogen-based gas as described above, first, methanol is discharged with a single gas, which is generated during the dry etching. It is possible to remove deposits remaining on the side surfaces of the metal thin film pattern after the dry etching such as the reaction product and the etching residue containing the etching gas. That is, when the methanol is discharged with a single gas, aluminum chloride oxide (AlOxCly) such as aluminum trichloride oxide (AlOxCl 3 ), which is a deposit deposited on the side surface of the metal thin film pattern during the dry etching, is converted into isoproxyaluminum. It is possible to sublimate and remove by changing, and it is possible to replace and remove halogen elements such as chlorine and bromine which are one of the depots contained in the polymer using the hydrogen generated during the methanol discharge. . Thereafter, oxygen is discharged with a single gas and the etching mask is removed by an ashing process using oxygen plasma. As described above, a process of discharging methanol with a single gas to remove deposits (hereinafter referred to as a depot removing process). After performing the step of removing the etching mask by ashing treatment with oxygen plasma (hereinafter referred to as the ashing step), the ashing rate is greatly increased in a state where the substrate is sufficiently heated with a single gas discharge of methanol before ashing. Since ashing can be performed while earning, deposits remaining after dry etching can be removed well. Further, since the depot removing process and the ashing process are performed in the same chamber, for example, in the same ashing apparatus, an efficient process can be performed with high throughput.

また、必要に応じて上記のアッシング工程を行った後に、再度上記のデポ取り工程を前
記と同一のチャンバー内で行うようにしてもよい。そのようにすると、デポ物をより確実
に除去することが可能となると共に、例えば基板として熱伝導率の少ない石英基板を用い
た場合や金属薄膜の段差が大きくてデポ物が残りやすい場合にも該デポ物を良好に除去す
ることが可能となる。また上記のようにデポ取り工程とアッシング工程および再度のデポ
取り工程とからなる３つの工程を、同一のチャンバー内で行うと、その始まりと終わりの
工程で使用するガス（放電物質）が同一、すなわちメタノールで始まってメタノールで終
わることになるため、新たな処理を開始する度毎にチャンバー内をシーズニングする必要
がなく、連続処理が可能であり、また同条件では酸素のアッシングレート低下も発生しな
い等の利点がある。 In addition, after performing the ashing process as necessary, the depot removing process may be performed again in the same chamber as described above. By doing so, it becomes possible to remove deposits more reliably, and for example, when a quartz substrate with low thermal conductivity is used as the substrate, or when deposits are likely to remain because of a large metal thin film step. This deposit can be removed satisfactorily. Moreover, when the three steps consisting of the depot removal step, the ashing step, and the re-depot removal step are performed in the same chamber as described above, the gas (discharge substance) used in the beginning and end steps is the same. In other words, since it starts with methanol and ends with methanol, it is not necessary to season the inside of the chamber every time a new process is started, and continuous processing is possible. Under the same conditions, there is no decrease in the ashing rate of oxygen. There are advantages such as.

本発明による電気光学装置の製造方法は、石英基板上に、データ線と、該データ線に電気的に接続されたトランジスタと、該トランジスタに対応して設けられた画素電極とを備えた電気光学装置の製造方法であって、前記石英基板上に、アルミニウムからなる金属薄膜を形成する工程と、前記金属薄膜の上面にエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクを介して前記金属薄膜をハロゲン系ガスを含む混合ガスでドライエッチングして前記データ線を形成する工程と、前記エッチングマスクをアッシングにより除去する工程とを少なくとも有し、前記データ線を形成する工程を経た後に、メタノールを単ガスで放電して前記ドライエッチング後に残留するデポ物を除去する工程と、酸素を単ガスで放電して酸素プラズマによるアッシング処理で前記エッチングマスクを除去する工程と、メタノールを単ガスで放電して残りのデポ物を除去する工程とを順に同一のチャンバー内で行うようにしたことを特徴とする。
また、前記データ線と前記画素電極との間に設けられたシールド層を備え、アルミニウムを含む他の金属薄膜の上面に他のエッチングマスクを形成する工程と、前記他のエッチングマスクを介して前記他の金属薄膜をハロゲン系ガスを含む混合ガスでドライエッチングして前記シールド層を形成する工程と、前記他のエッチングマスクをアッシングにより除去する工程とを少なくとも有し、前記シールド層を形成する工程を経た後に、メタノールを単ガスで放電して前記他の金属薄膜をドライエッチングした後に残留するデポ物を除去する工程と、酸素を単ガスで放電して酸素プラズマによるアッシング処理で前記他のエッチングマスクを除去する工程と、メタノールを単ガスで放電して残りのデポ物を除去する工程とを順に同一のチャンバー内で行うようにしたことを特徴とする。 An electro-optical device manufacturing method according to the present invention includes a data line, a transistor electrically connected to the data line, and a pixel electrode provided corresponding to the transistor on a quartz substrate. A method of manufacturing an apparatus, comprising: forming a metal thin film made of aluminum on the quartz substrate ; forming an etching mask on an upper surface of the metal thin film; and halogenating the metal thin film through the etching mask. At least a step of forming the data line by dry etching with a mixed gas containing a system gas and a step of removing the etching mask by ashing. After passing through the step of forming the data line, methanol is a single gas. And removing the deposits remaining after the dry etching, and discharging oxygen with a single gas and using oxygen plasma Removing the etch mask ashing process, characterized in that to perform a step of removing the remaining deposits sequentially in the same chamber to discharge the methanol in a single gas.
A step of forming another etching mask on an upper surface of another metal thin film including aluminum, and a shield layer provided between the data line and the pixel electrode; A step of forming the shield layer by at least a step of forming the shield layer by dry-etching another metal thin film with a mixed gas containing a halogen-based gas and a step of removing the other etching mask by ashing. After the process, the methanol is discharged with a single gas and the other metal thin film is dry-etched to remove the remaining deposits. The oxygen is discharged with a single gas and the other etching is performed by an ashing process using oxygen plasma. The process of removing the mask and the process of discharging methanol with a single gas and removing the remaining deposits in the same chamber. Characterized in that to perform within.

上記のように構成された電気光学装置の製造方法によれば、上記金属薄膜パターンの形
成方法の場合と同様の作用効果が得られると共に、液晶装置等の電気光学装置にあっては
、例えば素子基板上に形成した金属薄膜をハロゲン系ガスを含む混合ガスでドライエッチ
ングして所定形状の金属薄膜パターンを形成するプロセスを簡単・確実に実行できると共
に、該プロセスによって製造された素子基板等の歩留まりや耐久性、信頼性を向上させる
ことが可能となる。 According to the method of manufacturing the electro-optical device configured as described above, the same operation effect as that of the method of forming the metal thin film pattern can be obtained, and in an electro-optical device such as a liquid crystal device, for example, an element The process of forming a metal thin film pattern of a predetermined shape by dry etching the metal thin film formed on the substrate with a mixed gas containing a halogen-based gas can be executed easily and reliably, and the yield of element substrates manufactured by the process In addition, durability and reliability can be improved.

また、上記の電気光学装置の製造方法においても、前記金属薄膜パターンの形成方法の
場合と同様に酸素プラズマによるアッシング処理でエッチングマスクを除去する工程を行
った後に、必要に応じて再度メタノールを単ガスで放電して前記デポ物を除去する工程を
前記と同一のチャンバー内で行うようにしてもよく、その場合にも前記の金属薄膜パター
ンの形成方法の場合と同様の作用効果が得られる。 Also in the method of manufacturing the electro-optical device, as in the case of the method of forming the metal thin film pattern, after performing the step of removing the etching mask by ashing with oxygen plasma, methanol is again used as necessary. The step of removing the deposit by discharging with a gas may be performed in the same chamber as described above, and in this case, the same effect as in the case of the method for forming the metal thin film pattern can be obtained.

以下、本発明による金属薄膜パターンの形成方法およびそれを適用した電気光学装置の
製造方法を、図に示す実施形態に基づいて具体的に説明する。 Hereinafter, a method for forming a metal thin film pattern according to the present invention and a method for manufacturing an electro-optical device to which the metal thin film pattern is applied will be described in detail based on embodiments shown in the drawings.

〔金属薄膜パターンの形成方法〕
図１は本発明による金属薄膜パターンの形成方法の一実施形態を示すプロセス説明図で
あり、本例はアルミニウム系金属よりなる金属薄膜をハロゲン系ガスとして塩素系のガス
を用いてドライエッチングして所定形状の金属薄膜パターンを形成する場合のプロセスの
一例を示すものである。 [Method for forming metal thin film pattern]
FIG. 1 is a process explanatory diagram showing an embodiment of a method for forming a metal thin film pattern according to the present invention. In this example, a metal thin film made of an aluminum-based metal is dry-etched using a chlorine-based gas as a halogen-based gas. An example of the process in the case of forming the metal thin film pattern of a predetermined shape is shown.

図１（ａ）は基板１１０上にアルミニウム系金属よりなる金属薄膜パターンを形成する
際の途中の状態を示すもので、上記基板１１０上には、例えばスパッタ法等によって所定
厚さの酸化膜１２０が形成され、その上に、それぞれ所定厚さの窒化チタン（ＴｉＮ）膜
１３１と、アルミニウム（Ａｌ）膜１３２および窒化チタン（ＴｉＮ）膜１３３とからな
る金属薄膜を所定の平面形状にパターニングした金属薄膜パターン１３０が形成されてい
る。 FIG. 1A shows a state in the middle of forming a metal thin film pattern made of an aluminum-based metal on a substrate 110. An oxide film 120 having a predetermined thickness is formed on the substrate 110 by, for example, sputtering. And a metal thin film comprising a titanium nitride (TiN) film 131 having a predetermined thickness, an aluminum (Al) film 132, and a titanium nitride (TiN) film 133, respectively, patterned into a predetermined planar shape. A thin film pattern 130 is formed.

その金属薄膜パターン１３０は、上記金属薄膜の上面に形成した所定厚さのレジスト膜
を公知のホトリソグラフィー技術で所定の平面形状に成形してエッチングマスク（レジス
トマスク）１４０を形成する工程と、そのエッチングマスク１４０を介して上記の金属薄
膜を塩素や臭素等のハロゲン系ガスを含む混合ガスによりドライエッチングして所定の平
面形状に形成する工程とを経て形成したものである。 The metal thin film pattern 130 includes a step of forming an etching mask (resist mask) 140 by forming a resist film having a predetermined thickness formed on the upper surface of the metal thin film into a predetermined plane shape by a known photolithography technique, The metal thin film is formed through a step of dry etching with a mixed gas containing a halogen-based gas such as chlorine or bromine through an etching mask 140 to form a predetermined planar shape.

なお、上記のドライエッチングは図に省略したエッチング装置内で行われ、上記金属薄
膜パターン１３０やエッチングマスク１４０の側面には、上記のドライエッチング時に生
成された反応生成物やエッチングガスを含んだエッチング残渣等のデポ物１５０が残留付
着している。 The dry etching is performed in an etching apparatus not shown in the drawing, and the side surfaces of the metal thin film pattern 130 and the etching mask 140 are etched including reaction products and etching gas generated during the dry etching. A deposit 150 such as a residue is adhered to the residue.

そして、本発明は上記のドライエッチングにより所定平面形状の金属薄膜パターン１３
０を形成した後に、メタノール（ＣＨ３ＯＨ）を単ガスで放電して上記デポ物１５０を除
去する工程と、酸素プラズマによるアッシング処理で前記エッチングマスク１４０を除去
する工程とを順に同一のチャンバー内で行うようにしたものである。 In the present invention, the metal thin film pattern 13 having a predetermined planar shape is formed by the dry etching.
After forming 0, methanol (CH 3 OH) is discharged with a single gas to remove the deposit 150, and the etching mask 140 is removed by oxygen plasma ashing in order in the same chamber. It is something that is done in.

図１（ｂ）は前記図１（ａ）の状態からメタノールを単ガスで放電してドライエッチン
グ後に残留したデポ物１５０を除去した状態を示す。上記のメタノールを単ガスで放電す
ると、ドライエッチング後に金属薄膜パターンの側面等に残留したデポ物１５０のうち三
塩化酸化アルミニウム（ＡｌＯｘＣｌ３）等の塩化酸化アルミニウム（ＡｌＯｘＣｌｙ）
をイソプロキシアルミニウムに変化させて昇華除去することができると共に、上記メタノ
ールの放電によって生成された水素によってポリマー中に含まれているデポ物１５０の一
種である塩素を置換除去することができる。 FIG. 1B shows a state in which the deposit 150 remaining after dry etching is removed by discharging methanol with a single gas from the state of FIG. When the methanol is discharged with a single gas, aluminum chloride oxide (AlOxCly) such as aluminum trichloride oxide (AlOxCl 3 ) out of the deposit 150 remaining on the side surface of the metal thin film pattern after dry etching.
Can be converted to isoproxyaluminum and sublimation can be removed, and chlorine, which is a kind of depot 150 contained in the polymer, can be replaced by hydrogen generated by the methanol discharge.

その後、酸素を単ガスで放電して酸素プラズマによるアッシング処理を行うもので、そ
れによって図１（ｄ）のようにエッチングマスク１４０を容易に除去することができる。
また上記のメタノールを単ガスで放電してデポ物１５０を除去する工程と、上記酸素を単
ガスで放電して酸素プラズマによるアッシング処理でエッチングマスク１４０を除去する
工程との２つの工程を同一のチャンバー、例えばエッチング装置に付帯するインラインア
ッシング用のアッシング装置内等で順に連続的に行うと、高いスループットで効率よく処
理することができる。 Thereafter, oxygen is discharged with a single gas and an ashing process using oxygen plasma is performed, whereby the etching mask 140 can be easily removed as shown in FIG.
Also, the two steps of discharging the methanol with a single gas and removing the deposit 150 and discharging the oxygen with a single gas and removing the etching mask 140 by ashing with oxygen plasma are the same. When it is successively performed in a chamber, for example, an ashing device for in-line ashing attached to an etching device, it can be processed efficiently with high throughput.

また通常は上記２つの工程で、デポ物１５０とエッチングマスク１４０とを良好に除去
することができるが、例えば基板として熱伝導率の少ない石英基板を用いた場合や金属薄
膜の段差が大きい場合などにおいては、酸素プラズマによるアッシング処理を行った後に
も図１（ｃ）のように金属薄膜パターン１３０の側面等に多少デポ物が残るおそれがあり
、そのような場合には、前記の酸素プラズマによるアッシング処理を行った後にも、再度
メタノールを単ガスで放電してデポ物を除去する工程を、前記と同一のチャンバー内で行
うようにしてもよい。 In general, the deposit 150 and the etching mask 140 can be removed satisfactorily by the above two steps. For example, when a quartz substrate with low thermal conductivity is used as the substrate, or when the step of the metal thin film is large. In FIG. 1, even after ashing with oxygen plasma, there is a possibility that some deposits may remain on the side surfaces of the metal thin film pattern 130 as shown in FIG. 1C. Even after the ashing process, the step of discharging methanol with a single gas again to remove deposits may be performed in the same chamber as described above.

上記のようにすると、デポ物をより確実に除去することが可能となると共に、上記のよ
うに基板として熱伝導率の少ない石英基板を用いた場合や金属薄膜の段差が大きくてデポ
物が残りやすい場合などにもデポ物を良好に除去してアフターコロージョンの発生を可及
的に低減することが可能となる。また上記３つの工程を、例えばエッチング装置に付帯す
るアッシング装置等の同一のチャンバー内で行うと、そのチャンバー内での始まりと終わ
りの工程で使用するガス（放電物質）が同一、本発明においては上記アッシング装置内で
の始めの工程と最後の工程が同じメタノールを使用することとなるため、上記アッシング
装置等のチャンバー内をシーズニングすることなく連続処理が可能となる等の効果が得ら
れる。 As described above, the deposits can be removed more reliably, and when the quartz substrate having a low thermal conductivity is used as the substrate as described above, or the metal deposits are large and the deposits remain. Even in cases where it is easy to remove deposits, the occurrence of after-corrosion can be reduced as much as possible. Further, when the above three steps are performed in the same chamber such as an ashing device attached to the etching device, for example, the gas (discharge substance) used in the beginning and end steps in the chamber is the same. Since the same methanol is used in the first step and the last step in the ashing apparatus, an effect is obtained such that continuous processing is possible without seasoning the chamber of the ashing apparatus or the like.

以上のように本発明による金属薄膜パターンの形成方法は、ハロゲン系ガスを含む混合
ガスによるドライエッチングで所定形状の金属薄膜パターンを形成する工程を経た後に、
先ずメタノールを単ガスで放電したことによって、ドライエッチング時に金属薄膜パター
ンの側面等に付着したデポ物である塩化酸化アルミニウム（ＡｌＯｘＣｌｙ）をイソプロ
キシアルミニウムに変化させて昇華除去することができると共に、上記メタノールの放電
時に生成された水素を用いてポリマー中に含まれているデポ物の一種である塩素や臭素等
のハロゲン元素を置換除去することができる。又その後、酸素を単ガスで放電して酸素プ
ラズマによるアッシング処理でエッチングマスクを除去するようにしたから、上記のメタ
ノールの単ガス放電で基板を充分に加熱した状態で大幅にアッシングレートを稼ぎながら
効率よくアッシング処理ができると共に、ドライエッチング後に残留するデポ物を良好に
除去することができる。また上記のデポ取り工程とアッシング工程とを同一のチャンバー
内で行うようしたので、高いスループットで効率よく処理することができるものである。 As described above, the method for forming a metal thin film pattern according to the present invention includes a step of forming a metal thin film pattern having a predetermined shape by dry etching using a mixed gas containing a halogen-based gas.
First, by discharging methanol with a single gas, aluminum chloride oxide (AlOxCly), which is a deposit deposited on the side surface of the metal thin film pattern during dry etching, can be changed to isoproxyaluminum and sublimated and removed. Hydrogen generated during the discharge of methanol can be used to replace and remove halogen elements such as chlorine and bromine, which are one of the deposits contained in the polymer. After that, the oxygen was discharged with a single gas and the etching mask was removed by an ashing process using oxygen plasma, so that the ashing rate was greatly increased while the substrate was sufficiently heated with the above single gas discharge of methanol. An ashing process can be performed efficiently, and deposits remaining after dry etching can be removed well. Further, since the depot removing step and the ashing step are performed in the same chamber, the processing can be efficiently performed with high throughput.

なお、上記実施形態は、ハロゲン系ガスとして塩素を含む混合ガスによりドライエッチ
ングした場合を例にして説明したが、他のハロゲン系ガス、例えば臭素やフッ素等を含む
混合ガスによりドライエッチングした場合にも上記と同様に適用可能であり、同様の作用
効果が得られる。また本発明による金属薄膜パターンの形成方法は、基板上に形成した金
属薄膜の上面にエッチングマスクを形成する工程と、該エッチングマスクを介して上記金
属薄膜をハロゲン系ガスを含む混合ガスでドライエッチングして所定形状の金属薄膜パタ
ーンを形成する工程と、上記エッチングマスクをアッシングにより除去する工程とを少な
くとも有するものであれば、各種の金属薄膜パターンの形成プロセスに適用することがで
きる。 In the above embodiment, the case where dry etching is performed using a mixed gas containing chlorine as a halogen-based gas has been described as an example. However, when dry etching is performed using a mixed gas including other halogen-based gases such as bromine and fluorine. Can be applied in the same manner as described above, and the same effects can be obtained. The method for forming a metal thin film pattern according to the present invention includes a step of forming an etching mask on an upper surface of a metal thin film formed on a substrate, and dry etching the metal thin film with a mixed gas containing a halogen-based gas through the etching mask. As long as it has at least a step of forming a metal thin film pattern of a predetermined shape and a step of removing the etching mask by ashing, it can be applied to various metal thin film pattern forming processes.

〔電気光学装置の製造方法〕
以下、その一例として電気光学装置の一種である液晶装置において、その素子基板等の
基板上に各種の配線やシールド層等の金属薄膜パターンを形成するプロセスに適用した場
合の実施形態について説明する。 [Method of manufacturing electro-optical device]
As an example, an embodiment in which a liquid crystal device, which is a kind of electro-optical device, is applied to a process of forming a metal thin film pattern such as various wirings and a shield layer on a substrate such as an element substrate will be described.

図２〜図４は液晶装置における画素部の構成の一例を示すもので、図２は液晶装置の画
像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素におけるＴＦＴ等の各種素子
や配線等の等価回路図、図３はデータ線、走査線、画素電極等が形成された素子基板（Ｔ
ＦＴアレイ基板）の隣接する複数の画素群の平面図、図４は図３におけるＡ−Ａ´断面図
である。なお、図４においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさにする
ため、各層・各部材の縮尺を適宜異ならせて表している。 2 to 4 show an example of the structure of the pixel portion in the liquid crystal device. FIG. 2 shows various elements such as TFTs, wiring, etc. in a plurality of pixels formed in a matrix forming the image display area of the liquid crystal device. FIG. 3 shows an element substrate (T) on which data lines, scanning lines, pixel electrodes and the like are formed.
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 3. In FIG. 4, the scales of the layers and members are appropriately changed in order to make the layers and members large enough to be recognized on the drawing.

図２において、上記液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数
の画素には、それぞれ画素電極９ａとその各画素電極９ａをスイッチング制御するための
トランジスタであるＴＦＴ３０とが設けられており、上記画素電極９ａに画像信号を供給
する複数本のデータ線６ａが上記各ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。その
各データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給して
もよいし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給してもよい。 In FIG. 2, each of a plurality of pixels formed in a matrix that forms the image display area of the liquid crystal device is provided with a pixel electrode 9a and a TFT 30 that is a transistor for controlling the switching of each pixel electrode 9a. A plurality of data lines 6 a for supplying image signals to the pixel electrodes 9 a are electrically connected to the sources of the TFTs 30. The image signals S1, S2,..., Sn to be written to the data lines 6a may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied for each group of a plurality of adjacent data lines 6a. Good.

また上記データ線６ａと交差する方向に複数本設けた走査線３ａが上記各ＴＦＴ３０の
ゲートに電気的に接続されており、上記各走査線３ａに所定のタイミングでパルス的に走
査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。上記
各画素電極９ａは、上記各ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチン
グ素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、上記データ線
６ａから供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが上記各画素電極９ａを介して各画素
内の液晶に所定のタイミングで印加される。 A plurality of scanning lines 3a provided in the direction intersecting with the data lines 6a are electrically connected to the gates of the TFTs 30, and the scanning signals G1, G2 are pulsed to the scanning lines 3a at a predetermined timing. ,..., Gm are applied in this order in a line sequential manner. The pixel electrodes 9a are electrically connected to the drains of the TFTs 30, and the image signals S1 and S2 supplied from the data line 6a are closed by closing the TFT 30 as a switching element for a certain period. ,..., Sn is applied to the liquid crystal in each pixel at a predetermined timing via each pixel electrode 9a.

上記各画素電極９ａを介して各画素内の液晶に印加された所定レベルの画像信号Ｓ１、
Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持され、各画素内
の液晶は、印加される電圧レベルにより液晶分子の配向や秩序が変化することにより、各
画素内に入射する光を変調して所望の表示を可能とする。例えばノーマリーホワイトモー
ドであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノ
ーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対す
る透過率が増加され、全体として電気光学装置としての液晶装置からは画像信号に応じた
コントラストをもつ光が出射する。 A predetermined level of image signal S1 applied to the liquid crystal in each pixel via each pixel electrode 9a;
S2,..., Sn are held for a certain period with the counter electrode formed on the counter substrate, and the liquid crystal in each pixel changes in the orientation and order of the liquid crystal molecules depending on the applied voltage level. The light that enters the pixel is modulated to enable a desired display. For example, in the normally white mode, the transmittance for incident light is reduced according to the voltage applied in units of pixels, and in the normally black mode, the transmittance is applied in units of pixels. The transmittance for incident light is increased, and light having a contrast corresponding to an image signal is emitted from a liquid crystal device as an electro-optical device as a whole.

なお、上記図２においては、上記各画素電極９ａを介して各画素内の液晶に印加された
画像信号がリークするのを防ぐために、上記各画素電極９ａと対向電極との間に形成され
る液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。この蓄積容量７０は、走査線３ａに
並んで設けられ、固定電位側の容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電極３０
０を含んでいる。 In FIG. 2, in order to prevent an image signal applied to the liquid crystal in each pixel from leaking through each pixel electrode 9a, it is formed between each pixel electrode 9a and the counter electrode. A storage capacitor 70 is added in parallel with the liquid crystal capacitor. The storage capacitor 70 is provided side by side along the scanning line 3a, and includes a capacitor electrode on the fixed potential side and a capacitor electrode 30 fixed at a constant potential.
Contains zero.

次に、上記データ線６ａ、走査線３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が
実現される液晶装置の実際の構成について、図３および図４を参照して説明する。先ず、
図３において画素電極９ａは、素子基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており、
画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。
データ線６ａは、後述するようにアルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線３ａ
は、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また走査線３ａは、半導体層１ａのうち
図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するように配置されており、
該走査線３ａはゲート電極として機能する。すなわち、走査線３ａとデータ線６ａとの交
差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に走査線３ａの本線部がゲート電極として
対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。 Next, an actual configuration of the liquid crystal device that realizes the above-described circuit operation by the data line 6a, the scanning line 3a, the TFT 30, and the like will be described with reference to FIGS. First,
In FIG. 3, a plurality of pixel electrodes 9a are provided in a matrix on the element substrate 10,
Data lines 6a and scanning lines 3a are provided along the vertical and horizontal boundaries of the pixel electrode 9a.
The data line 6a has a laminated structure including an aluminum film as will be described later, and the scanning line 3a.
Is made of, for example, a conductive polysilicon film. Further, the scanning line 3a is disposed so as to face the channel region 1a ′ indicated by the hatched region rising to the right in the drawing in the semiconductor layer 1a.
The scanning line 3a functions as a gate electrode. That is, each of the intersections between the scanning lines 3a and the data lines 6a is provided with a pixel switching TFT 30 in which the main line portion of the scanning line 3a is disposed opposite to the channel region 1a ′ as a gate electrode.

また本例の液晶装置は、図４に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン
基板からなる素子基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板から
なる対向基板２０とを備えている。上記素子基板１０の側には、図４に示すように、前記
の画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施
された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜
からなる。他方、対向基板２０の側には、その全面にわたって対向電極２１が設けられて
おり、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられ
ている。このうち対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透
明導電性膜からなり、前記の配向膜１６及び２２は、例えばポリイミド膜等の透明な有機
膜からなる。 Further, as shown in FIG. 4, the liquid crystal device of this example includes an element substrate 10 made of, for example, a quartz substrate, a glass substrate, or a silicon substrate, and a counter substrate 20 made of, for example, a glass substrate or a quartz substrate. And. As shown in FIG. 4, the pixel electrode 9a is provided on the element substrate 10 side, and an alignment film 16 subjected to a predetermined alignment process such as a rubbing process is provided above the pixel electrode 9a. ing. The pixel electrode 9a is made of a transparent conductive film such as an ITO film. On the other hand, a counter electrode 21 is provided on the entire surface of the counter substrate 20, and an alignment film 22 subjected to a predetermined alignment process such as a rubbing process is provided below the counter electrode 21. The counter electrode 21 is made of a transparent conductive film such as an ITO film, for example, and the alignment films 16 and 22 are made of a transparent organic film such as a polyimide film, similarly to the pixel electrode 9a.

上記のように対向配置された素子基板１０と対向基板２０との間には、不図示のシール
材によって囲まれた領域内において電気光学物質としての液晶を封入することによって液
晶層５０が形成されている。この液晶層５０内の液晶分子は、画素電極９ａからの電界が
印加されていない状態で配向膜１６および２２により所定の配向状態をとる。上記液晶層
５０内の液晶としては、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合したものが用い
られる。また上記シール材は、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０を、それらの周辺で貼り
合わせるために例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤が用いられ、上記両基
板間には、その間の間隔を一定に保つためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等より
なるスペーサが介在されている。 A liquid crystal layer 50 is formed between the element substrate 10 and the counter substrate 20 facing each other as described above by sealing liquid crystal as an electro-optical material in a region surrounded by a sealing material (not shown). ing. The liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 50 take a predetermined alignment state by the alignment films 16 and 22 in a state where an electric field from the pixel electrode 9a is not applied. As the liquid crystal in the liquid crystal layer 50, for example, one or a mixture of several types of nematic liquid crystals is used. The sealing material uses an adhesive made of, for example, a photocurable resin or a thermosetting resin in order to bond the TFT substrate 10 and the counter substrate 20 around them, and the gap between the two substrates is between them. Spacers made of glass fiber or glass beads for interposing a constant distance are interposed.

一方、素子基板１０上には、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６の他、これらを含む各
種の構成が積層構造をなして備えられている。この積層構造は、図４に示すように、素子
基板１０から順に、走査線を兼ねる下側遮光膜１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａａを
有するＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第
４層、シールド層４０４が形成される第５層、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６等を含
む第６層（最上層）からなる。また上記第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第２
層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４２
が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３が、第５層及び第６層間には第４層間絶
縁膜４４が、それぞれ設けられ、前述の各要素が電気的に短絡するのを防止している。ま
た上記絶縁膜１２、４１、４２、４３には、例えばＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度
ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール等も設けられてい
る。以下これらの各要素について下から順に説明する。 On the other hand, on the element substrate 10, in addition to the pixel electrode 9a and the alignment film 16, various configurations including these are provided in a laminated structure. As shown in FIG. 4, this stacked structure includes, in order from the element substrate 10, a first layer including a lower light-shielding film 11a also serving as a scanning line, a second layer including a TFT 30 having a gate electrode 3aa, and a storage capacitor 70. A third layer including the data line 6a, a fifth layer on which the shield layer 404 is formed, and a sixth layer (uppermost layer) including the pixel electrode 9a and the alignment film 16 and the like. A base insulating film 12 is provided between the first layer and the second layer.
A first interlayer insulating film 41 is provided between the layers and the third interlayer, and a second interlayer insulating film 42 is provided between the third layer and the fourth interlayer.
However, a third interlayer insulating film 43 is provided between the fourth layer and the fifth layer, and a fourth interlayer insulating film 44 is provided between the fifth layer and the sixth layer, and the above-described elements are electrically short-circuited. Is preventing. The insulating films 12, 41, 42, 43 are also provided with contact holes for electrically connecting the high concentration source region 1d in the semiconductor layer 1a of the TFT 30 and the data line 6a, for example. Hereinafter, each of these elements will be described in order from the bottom.

先ず、上記第１層には、例えばＴｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）
、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうちの少なくとも１つを含む
、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる
下側遮光膜１１ａが設けられている。この下側遮光膜１１ａは、平面的にみて格子状にパ
ターニングされており、これにより各画素の開口領域を規定している（図３参照）。下側
遮光膜１１ａの走査線３ａとデータ線６ａが交差する領域では、画素電極９ａの角を面取
りするように突出した領域が形成されている。そして、下側遮光膜１１ａは、ＴＦＴ３０
、走査線３ａ、データ線６ａ、蓄積容量７０、シールド用中継層６ａ１、第２中継層６ａ
２、第３中継層４０２を、下側から見て覆うように形成されている。 First, the first layer includes, for example, Ti (titanium), Cr (chromium), W (tungsten).
A lower light-shielding film 11a made of a simple metal, an alloy, a metal silicide, a polysilicide, or a laminate of these including at least one of refractory metals such as Ta (tantalum) and Mo (molybdenum). It has been. The lower light-shielding film 11a is patterned in a lattice shape in plan view, thereby defining an opening area of each pixel (see FIG. 3). In a region where the scanning line 3a and the data line 6a of the lower light shielding film 11a intersect, a region protruding so as to chamfer the corner of the pixel electrode 9a is formed. The lower light shielding film 11a is formed of the TFT 30.
, Scanning line 3a, data line 6a, storage capacitor 70, shield relay layer 6a1, second relay layer 6a
2. The third relay layer 402 is formed so as to cover the lower relay layer 402 when viewed from below.

次に、第２層には、半導体層１ａのチャネル領域１ａ´に対向するように、ゲート電極
３ａａが形成されている。このゲート電極３ａａは、線状には形成されておらず、半導体
層１ａないしチャネル領域１ａ´が素子基板１０上に島状に形成されていることに応じて
、島状に形成されている。また、これに応じて、コンタクトホールを成す溝１２ｃｖの底
が、第１層の下側遮光膜１１ａの表面に接する深さを有しているとともに、該下側遮光膜
１１ａは図３中のＸ方向に延在するストライプ状に形成されている。これにより溝１２ｃ
ｖ上に形成されたゲート電極３ａａは、該溝１２ｃｖを介して下側遮光膜１１ａと電気的
に接続されることになる。すなわち、ゲート電極３ａａには、下側遮光膜１１ａを通じて
走査信号が供給されるようになっており、この下側遮光膜１１ａは、走査線としての機能
を担っている。 Next, a gate electrode 3aa is formed in the second layer so as to face the channel region 1a ′ of the semiconductor layer 1a. The gate electrode 3aa is not formed in a linear shape, and is formed in an island shape in response to the semiconductor layer 1a to the channel region 1a ′ being formed in an island shape on the element substrate 10. In accordance with this, the bottom of the groove 12cv forming the contact hole has a depth in contact with the surface of the lower light-shielding film 11a of the first layer, and the lower light-shielding film 11a is shown in FIG. It is formed in a stripe shape extending in the X direction. As a result, the groove 12c
The gate electrode 3aa formed on v is electrically connected to the lower light shielding film 11a through the groove 12cv. That is, a scanning signal is supplied to the gate electrode 3aa through the lower light shielding film 11a, and the lower light shielding film 11a functions as a scanning line.

なお、上記下側遮光膜１１ａについては、図３に示すように、データ線６ａが延在する
方向に沿って突出部を有している。これにより、下側遮光膜１１ａは、遮光機能をも発揮
することになる。ただし、相隣接する下側遮光膜１１ａから延びる突出部は相互に接触す
ることはなく、互いに電気的に絶縁されている。こうしないと、下側遮光膜１１ａを、走
査線として機能させることができないからである。 The lower light-shielding film 11a has a protruding portion along the direction in which the data line 6a extends as shown in FIG. Thus, the lower light shielding film 11a also exhibits a light shielding function. However, the protrusions extending from the adjacent lower light-shielding films 11a are not in contact with each other and are electrically insulated from each other. Otherwise, the lower light shielding film 11a cannot function as a scanning line.

そして、上述のゲート電極３ａａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。そ
の中継電極７１９は、平面的に見て、図３に示すように、各画素電極９ａの一辺の略中央
に位置するように、島状に形成されている。その中継電極７１９と、ゲート電極３ａａと
は上記のように同一膜として形成されているから、後者が例えば導電性ポリシリコン膜等
からなる場合においては、前者もまた、導電性ポリシリコン膜等からなる。 A relay electrode 719 is formed as the same film as the gate electrode 3aa described above. The relay electrode 719 is formed in an island shape so as to be positioned substantially at the center of one side of each pixel electrode 9a as shown in FIG. Since the relay electrode 719 and the gate electrode 3aa are formed as the same film as described above, when the latter is made of a conductive polysilicon film or the like, the former is also made of a conductive polysilicon film or the like. Become.

次に、第３層には、蓄積容量７０を構成する第１中継層７１、誘電体膜７５及び容量電
極３００が形成されている。このうち第１中継層７１はポリシリコンで形成される。そし
て、容量電極３００は、データ線６ａと同時に形成されるわけではないので、該データ線
６ａ及びＴＦＴ３０間の電気的接続に対する配慮を払う意味を込めて、アルミニウム膜及
び導電性のポリシリコン膜という二層構造をとる必要は必ずしもない。したがって、該容
量電極３００は、例えば、下側遮光膜１１ａと同様に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の
高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリ
サイド、これらを積層したもの等の遮光性材料から構成するとよい。これによれば、容量
電極３００は、上述の「上側遮光膜」ないし「内蔵遮光膜」としての機能をよりよく発揮
し得る。また、容量電極３００とデータ線６ａとが別々の層に形成されることにより、容
量電極３００は、走査線３ａの方向に延在する容量線の一部として形成することが可能で
ある。 Next, a first relay layer 71, a dielectric film 75, and a capacitor electrode 300 constituting the storage capacitor 70 are formed in the third layer. Of these, the first relay layer 71 is made of polysilicon. Since the capacitor electrode 300 is not formed at the same time as the data line 6a, an aluminum film and a conductive polysilicon film are referred to for the purpose of paying attention to the electrical connection between the data line 6a and the TFT 30. It is not always necessary to take a two-layer structure. Therefore, the capacitor electrode 300 includes, for example, at least one of refractory metals such as Ti, Cr, W, Ta, and Mo, as well as the lower light-shielding film 11a, a simple metal, an alloy, a metal silicide, It is good to comprise from light-shielding materials, such as polysilicide and what laminated | stacked these. According to this, the capacitor electrode 300 can better exhibit the function as the above-mentioned “upper light shielding film” or “built-in light shielding film”. Further, since the capacitor electrode 300 and the data line 6a are formed in different layers, the capacitor electrode 300 can be formed as part of the capacitor line extending in the direction of the scanning line 3a.

また上記蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０とデータ線６ａとの間に形成されるので、図３に
示すように走査線３ａの延設方向並びにデータ線６ａの延設方向に十字形状に形成されて
いる。これにより、蓄積容量を増大化でき、遮光性の容量電極３００により、ＴＦＴ３０
への遮光性を高めることができる。また、蓄積容量７０は、下側遮光膜１１やシールド層
４００が形成されている画素電極９ａの角部に形成すると、より蓄積容量の増大化、遮光
性を高めることができる。 Since the storage capacitor 70 is formed between the TFT 30 and the data line 6a, it is formed in a cross shape in the extending direction of the scanning line 3a and the extending direction of the data line 6a as shown in FIG. . As a result, the storage capacity can be increased, and the TFT 30 can be formed by the light-shielding capacity electrode 300.
The light shielding property to the can be improved. Further, if the storage capacitor 70 is formed at the corner of the pixel electrode 9a where the lower light-shielding film 11 and the shield layer 400 are formed, the storage capacitor can be further increased and the light shielding property can be improved.

以上述べたゲート電極３ａａ及び中継電極７１９の上で、かつ蓄積容量７０の下側には
第１層間絶縁膜４１が形成されているが、その第１層間絶縁膜４１は、例えばＮＳＧ、Ｐ
ＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等で
構成すればよい。また、この第１層間絶縁膜４１には、第１中継層７１の図４中で下面に
電気的接続点をもつように配置されたコンタクトホール８８１が開孔されている。これに
より、第１中継層７１及び中継電極７１９間の電気的接続が図られている。また第１層間
絶縁膜４１には、後述する第２中継層６ａ２との電気的接続を図るため、第２層間絶縁膜
４２をも貫通するように開孔されたコンタクトホール８８２が開孔されている。 A first interlayer insulating film 41 is formed on the gate electrode 3aa and the relay electrode 719 described above and on the lower side of the storage capacitor 70. The first interlayer insulating film 41 is formed of, for example, NSG, P
What is necessary is just to comprise by silicate glass films, such as SG, BSG, and BPSG, a silicon nitride film, a silicon oxide film, etc. In addition, a contact hole 881 is formed in the first interlayer insulating film 41 so as to have an electrical connection point on the lower surface of the first relay layer 71 in FIG. Thereby, electrical connection between the first relay layer 71 and the relay electrode 719 is achieved. The first interlayer insulating film 41 is provided with a contact hole 882 that is opened so as to penetrate the second interlayer insulating film 42 in order to achieve electrical connection with a second relay layer 6a2 described later. Yes.

他方、第４層には前述のようにアルミニウム膜等を含む積層構造からなるデータ線６ａ
が設けられている。そのデータ線６ａは、アルミニウム単体、あるいはアルミニウム合金
で構成してもよい。そして、上述のようにアルミニウム系金属によって構成されたデータ
線６ａは、本実施形態においては下層より順に、窒化チタン（ＴｉＮ）からなる層４１Ａ
、アルミニウム（Ａｌ）からなる層４１ＴＮ、窒化チタン（ＴｉＮ）からなる層４０１の
三層構造よりなる金属薄膜として形成されている。上側の窒化チタンからなる層４０１は
、その下のアルミニウムからなる層４１ＴＮと、下側の窒化チタンからなる層４１Ａとを
覆うように少し大きなサイズにパターンニングされている。このうちデータ線６ａが、比
較的低抵抗な材料たるアルミニウムを含むことにより、ＴＦＴ３０、画素電極９ａに対す
る画像信号の供給を滞りなく実現することができる。 On the other hand, the data line 6a having a laminated structure including an aluminum film or the like in the fourth layer as described above.
Is provided. The data line 6a may be made of aluminum alone or an aluminum alloy. As described above, the data line 6a made of an aluminum-based metal is a layer 41A made of titanium nitride (TiN) in order from the lower layer in this embodiment.
, A metal thin film having a three-layer structure of a layer 41TN made of aluminum (Al) and a layer 401 made of titanium nitride (TiN). The upper layer 401 made of titanium nitride is patterned in a slightly larger size so as to cover the lower layer 41TN made of aluminum and the lower layer 41A made of titanium nitride. Of these, the data line 6a contains aluminum, which is a relatively low resistance material, so that the supply of image signals to the TFT 30 and the pixel electrode 9a can be realized without delay.

また上記第４層には、データ線６ａと同一膜として、シールド層用中継層６ａ１及び第
２中継層６ａ２が形成されている。このうち前者は、遮光性のシールド層４０４と容量電
極３００とを電気的に接続するための中継層であり、後者は、画素電極９ａと第１中継層
７１とを電気的に接続するための中継層である。なお、これらは、データ線６ａと同一材
料により構成されることとなるのはいうまでもない。 In the fourth layer, a shield layer relay layer 6a1 and a second relay layer 6a2 are formed as the same film as the data line 6a. Among these, the former is a relay layer for electrically connecting the light shielding shield layer 404 and the capacitor electrode 300, and the latter is for electrically connecting the pixel electrode 9 a and the first relay layer 71. It is a relay layer. Needless to say, these are made of the same material as the data line 6a.

以上述べた蓄積容量７０の上で、かつデータ線６ａとシールド用中継層６ａ１及び第２
中継層６ａ２の下側には、第２層間絶縁膜４２が形成されているが、その第２層間絶縁膜
４２は、上述と略同様に、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、
窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等で構成すればよい。なお、容量電極３００にアルミニ
ウムを用いた場合には、プラズマＣＶＤで低温成膜する必要がある。また上記第２層間絶
縁膜４２には、前述のシールド層用中継層６ａ１及び第２中継層６ａ２に対応するように
、コンタクトホール８０１及び前記のコンタクトホール８８２が開孔されている。 On the storage capacitor 70 described above, the data line 6a, the shield relay layer 6a1, and the second
A second interlayer insulating film 42 is formed below the relay layer 6a2, and the second interlayer insulating film 42 is formed of a silicate glass film such as NSG, PSG, BSG, BPSG,
A silicon nitride film, a silicon oxide film, or the like may be used. When aluminum is used for the capacitor electrode 300, it is necessary to form a film at a low temperature by plasma CVD. The second interlayer insulating film 42 is provided with a contact hole 801 and the contact hole 882 so as to correspond to the shield layer relay layer 6a1 and the second relay layer 6a2.

次に、第５層には、遮光性のシールド層４０４が形成されている。これは例えば、上述
のシールド層４００と同様に、上層に窒化チタンからなる層、下層にアルミニウムからな
る層という二層構造で構成してもよいし、或いは上記データ線６ａと同様に、上層に窒化
チタンからなる層、中間にアルミニウムからなる層、下層に窒化チタンからなる層の三層
構造で構成してもよい。また、場合によっては、ＩＴＯその他の導電性材料で構成しても
よい。上記シールド層４０４は、前述のシールド層用中継層６ａ１を介して、容量電極３
００と電気的に接続されている。これにより、シールド層４０４は固定電位とされており
、画素電極９ａ及びデータ線６ａ間に生じる容量カップリングの影響を排除することがで
きる。遮光性のシールド層４００は、下側遮光膜１１ａと同じ幅でもよいし、下側遮光膜
１１ａより幅が広くても、あるいは幅が狭くてもよい。 ただし、第３中継層４０６を除
いて、ＴＦＴ３０、走査線３ａ、データ線６ａ、蓄積容量７０を上側から見て覆うように
形成されている。そして、シールド層４００と下側遮光膜１１とで、画素開口領域の角部
、すなわち４つの角部、画素開口領域の各辺を規定することになる。また、この第５層に
は、シールド層４０４と同一膜として、第３中継層４０６が形成されている。 Next, a light shielding shield layer 404 is formed on the fifth layer. For example, the shield layer 400 may have a two-layer structure in which the upper layer is made of titanium nitride and the lower layer is made of aluminum, or, like the data line 6a, You may comprise by the three-layer structure of the layer which consists of titanium nitride, the layer which consists of aluminum in the middle, and the layer which consists of titanium nitride in the lower layer. Moreover, you may comprise with ITO and other electroconductive materials depending on the case. The shield layer 404 is connected to the capacitor electrode 3 via the shield layer relay layer 6a1.
00 is electrically connected. Thereby, the shield layer 404 is set to a fixed potential, and the influence of capacitive coupling generated between the pixel electrode 9a and the data line 6a can be eliminated. The light shielding shield layer 400 may have the same width as the lower light shielding film 11a, or may be wider or narrower than the lower light shielding film 11a. However, except for the third relay layer 406, the TFT 30, the scanning line 3a, the data line 6a, and the storage capacitor 70 are formed so as to cover when viewed from above. The shield layer 400 and the lower light-shielding film 11 define the corners of the pixel opening region, that is, the four corners and the sides of the pixel opening region. In addition, a third relay layer 406 is formed on the fifth layer as the same film as the shield layer 404.

以上述べたデータ線６ａの上で、かつシールド層４０４の下側には、第３層間絶縁膜４
３が形成されている。この第３層間絶縁膜４３を構成する材料等についても、上記の第２
層間絶縁膜４２と同様でよい。ただし、データ線６ａ等が、上述のようにアルミニウム系
金属を含む場合には、これを高温環境下に曝すことを避けるため、上記第３層間絶縁膜４
３は、好ましくはプラズマＣＶＤ法等の低温成膜法を用いて形成することが好ましい。 On the data line 6a described above and below the shield layer 404, the third interlayer insulating film 4 is provided.
3 is formed. The material constituting the third interlayer insulating film 43 is also the second
It may be the same as the interlayer insulating film 42. However, when the data line 6a or the like includes an aluminum-based metal as described above, the third interlayer insulating film 4 is used to avoid exposing it to a high temperature environment.
3 is preferably formed using a low temperature film forming method such as a plasma CVD method.

また上記第３層間絶縁膜４３には、シールド層４０４と前述のシールド層用中継層６ａ
１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３が形成され、さらに前述の第２中
継層６ａ２と第３中継層４０６とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４が形
成されている。 The third interlayer insulating film 43 includes a shield layer 404 and the above-described shield layer relay layer 6a.
1 is formed, and further, a contact hole 804 for electrically connecting the second relay layer 6a2 and the third relay layer 406 is formed.

最後に、第６層には画素電極９ａ及び配向膜１６が形成されると共に、該第６層及び第
５層間には第４層間絶縁膜４４が形成されており、その第４層間絶縁膜４４には、画素電
極９ａと第３中継層４０６とを電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔され
ている。 Finally, the pixel electrode 9a and the alignment film 16 are formed in the sixth layer, and the fourth interlayer insulating film 44 is formed between the sixth layer and the fifth layer, and the fourth interlayer insulating film 44 is formed. A contact hole 89 for electrically connecting the pixel electrode 9a and the third relay layer 406 is formed.

以上のように構成された液晶装置において、例えば前記のデータ線６ａを形成する際に
は、前記の金属薄膜パターンの形成方法を適用することができる。その場合、上記素子基
板１０上には、上記第１層から第３層までの各構成部材と、下地絶縁膜１２および第１，
第２層間絶縁膜４１，４２を下から順に形成してから、その第２層間絶縁膜４２の上に上
記データ線６ａを前記図１における金属薄膜パターン１３０と同様の要領で形成すればよ
い。 In the liquid crystal device configured as described above, for example, when the data line 6a is formed, the metal thin film pattern forming method can be applied. In that case, on the element substrate 10, the constituent members from the first layer to the third layer, the base insulating film 12, and the first and first layers
After the second interlayer insulating films 41 and 42 are formed in order from the bottom, the data line 6a may be formed on the second interlayer insulating film 42 in the same manner as the metal thin film pattern 130 in FIG.

具体的には、先ず、前記図１における酸化膜１２０の上に形成される窒化チタン（Ｔｉ
Ｎ）膜１３１、アルミニウム（Ａｌ）膜１３２、窒化チタン（ＴｉＮ）膜１３３とからな
る金属薄膜１３０の代わりに、上記第２層間絶縁膜４２上に、上記データ線６ａを構成す
る窒化チタン（ＴｉＮ）からなる層４１Ａ、アルミニウム（Ａｌ）からなる層４１ＴＮ、
窒化チタン（ＴｉＮ）からなる層４０１を順に形成する。 Specifically, first, titanium nitride (Ti) formed on the oxide film 120 in FIG.
In place of the metal thin film 130 formed of the N) film 131, the aluminum (Al) film 132, and the titanium nitride (TiN) film 133, the titanium nitride (TiN) constituting the data line 6a is formed on the second interlayer insulating film 42. ) Layer 41A, aluminum (Al) layer 41TN,
A layer 401 made of titanium nitride (TiN) is sequentially formed.

次いで、その上側の窒化チタンからなる層４０１の上に前記と同様にレジスト層を形成
し、そのレジスト膜を前記と同様の要領で上記データ線６ａに対応する平面形状に成形す
ることによってエッチングマスク（レジストマスク）１４０を形状する。そして、前記と
同様に上記エッチングマスク１４０を介して上記３つの層４１Ａ、４１ＴＮ、４０１を塩
素や臭素等のハロゲン系ガスを含む混合ガスによりドライエッチングして所定平面形状の
データ線６ａを形成する。 Next, a resist layer is formed on the upper layer 401 made of titanium nitride in the same manner as described above, and the resist film is formed into a planar shape corresponding to the data line 6a in the same manner as described above. A (resist mask) 140 is formed. Similarly to the above, the three layers 41A, 41TN, 401 are dry-etched with a mixed gas containing a halogen-based gas such as chlorine or bromine through the etching mask 140 to form a data line 6a having a predetermined planar shape. .

以後は前記と同様の要領で前記のデポ取り工程とアッシング工程の２つの工程、若しく
は上記アッシング工程の後に再度デポ取り工程を行う３つの工程を同一のチャンバーで行
えばよく、前記と同様の作用効果が得られる。 Thereafter, the two steps of the depot removing step and the ashing step or the three steps of performing the depot removing step again after the ashing step may be performed in the same chamber in the same manner as described above. An effect is obtained.

なお、上記のプロセスは、データ線６ａに限らず、例えば前記第５層に設けられるシー
ルド層４０４を形成する場合にも適用可能であり、特に上記のシールド層４０４を前記の
ように、上層に窒化チタンからなる層、中間にアルミニウムからなる層、下層に窒化チタ
ンからなる層の三層構造で構成する場合には、それらの層を、前記基板１０上に順に形成
した第１層〜第４層の上の第３層間絶縁膜４３上に上記と同様の要領で形成すればよく、
上記と同様の作用効果が得られる。 Note that the above process is not limited to the data line 6a, but can be applied to, for example, the case where the shield layer 404 provided in the fifth layer is formed. In particular, the shield layer 404 is formed as an upper layer as described above. In the case of a three-layer structure including a layer made of titanium nitride, a layer made of aluminum in the middle, and a layer made of titanium nitride in the lower layer, these layers are formed on the substrate 10 in order. It may be formed in the same manner as described above on the third interlayer insulating film 43 on the layer,
The same effect as described above can be obtained.

また上記各実施形態は、窒化チタンからなる層と、アルミニウムからなる層、および窒
化チタンからなる層の三層構造のアルミニウム系金属よりなる金属薄膜パターンを形成す
る場合を例にして説明したが、上記以外のアルミニウム系金属よりなる金属薄膜パターン
を形成する場合にも適用可能であり、例えば上記のシールド層４０４を、前記のように上
層に窒化チタンからなる層、下層にアルミニウムからなる層という二層構造で構成する場
合にも適用することができる。 Each of the above embodiments has been described by taking as an example the case of forming a metal thin film pattern made of an aluminum-based metal having a three-layer structure of a layer made of titanium nitride, a layer made of aluminum, and a layer made of titanium nitride. The present invention can also be applied to the case where a metal thin film pattern made of an aluminum-based metal other than the above is formed. For example, the shield layer 404 has two layers, a layer made of titanium nitride as described above and a layer made of aluminum as a lower layer. The present invention can also be applied to a case of a layer structure.

さらに本発明は、ハロゲン系ガスを含む混合ガスでドライエッチングしてパターンを形
成するものであれば、アルミニウム系金属以外の金属薄膜パターン（、もしくは金属以外
の薄膜パターン）を形成する場合にも適用することができる。 Furthermore, the present invention is also applicable to the case of forming a metal thin film pattern (or a thin film pattern other than a metal) other than an aluminum metal, as long as the pattern is formed by dry etching with a mixed gas containing a halogen-based gas. can do.

そして、上記いずれの場合にも前記と同様の作用効果が得られるもので、特に液晶装置
等の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板等の素子基板上に形成される配線やシールド
層等の金属薄膜パターン、とりわけアルミニウム系金属よりなる薄膜パターンをハロゲン
系ガスを含む混合ガスでドライエッチングして形成するプロセスやそのようなプロセスを
含む電気光学装置の製造方法に良好に適用することができる。 In any of the above cases, the same effect as described above can be obtained. Metal thin film patterns such as wiring and shield layers formed on element substrates such as TFT array substrates in electro-optical devices such as liquid crystal devices. In particular, the present invention can be favorably applied to a process of forming a thin film pattern made of an aluminum-based metal by dry etching with a mixed gas containing a halogen-based gas and a method of manufacturing an electro-optical device including such a process.

また上記のような金属薄膜パターンの形成プロセスを含む電気光学装置の製造方法にあ
っては、上記のプロセスを電気光学装置の製造プロセスに容易に組み込むことができると
共に、上記金属薄膜パターンの形成プロセスを含む電気光学装置の製造プロセスを簡単・
確実に且つ効率よく実行することが可能となる。その結果、上記プロセスによって製造さ
れた素子基板や電気光学装置の歩留まりや耐久性および信頼性を向上させることができる
等の効果が得られるものである。 In the electro-optical device manufacturing method including the metal thin film pattern forming process as described above, the above-described process can be easily incorporated into the electro-optical device manufacturing process, and the metal thin film pattern forming process. Simplify the manufacturing process of electro-optical devices including
It is possible to execute reliably and efficiently. As a result, it is possible to obtain an effect that the yield, durability, and reliability of the element substrate and the electro-optical device manufactured by the above process can be improved.

なお、上記実施形態は、電気光学装置として液晶装置を例にして説明したが、これに限
らず、例えばエレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラ
ズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、フィールド・エミッション・ディス
プレイ（電界放出表示装置）などの各種の電気光学装置やそれに用いる基板の検査方法や
製造方法にも適用することができる。 In the above-described embodiment, the liquid crystal device has been described as an example of the electro-optical device. However, the present invention is not limited to this. For example, an electroluminescence device, an organic electroluminescence device, a plasma display device, an electrophoretic display device, and a field emission display. The present invention can also be applied to various electro-optical devices such as (field emission display device) and a substrate inspection method and manufacturing method used therefor.

本発明による金属薄膜パターンの形成方法の一例を示すプロセス説明図。Process explanatory drawing which shows an example of the formation method of the metal thin film pattern by this invention. 本発明を適用した電気光学装置としての液晶装置における画像表示領域の等価回路図。3 is an equivalent circuit diagram of an image display region in a liquid crystal device as an electro-optical device to which the present invention is applied. FIG. 上記液晶装置の素子基板側の画像表示領域の平面図Plan view of image display area on element substrate side of liquid crystal device 図３におけるＡ−Ａ´線に沿う断面図。Sectional drawing which follows the AA 'line in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１ａ…半導体層、３ａ…走査線、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…素子基板、
１１ａ…下側遮光膜、１６…配向膜、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ、４３…第３層間絶
縁膜、５０…液晶層、７０…蓄積容量、１１０…基板、１２０…酸化膜、１３０…金属薄
膜パターン、１３１、１３３…窒化チタン膜、１３２…アルミニウム膜、１４０…エッチ
ングマスク（レジストマスク）、１５０…デポ物、３００…容量電極、４００、４０４…
シールド層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1a ... Semiconductor layer, 3a ... Scan line, 6a ... Data line, 9a ... Pixel electrode, 10 ... Element substrate,
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11a ... Lower side light shielding film, 16 ... Orientation film, 20 ... Opposite substrate, 30 ... TFT, 43 ... 3rd interlayer insulation film, 50 ... Liquid crystal layer, 70 ... Storage capacity, 110 ... Substrate, 120 ... Oxide film, 130 ... Metal thin film pattern 131, 133 ... titanium nitride film, 132 ... aluminum film, 140 ... etching mask (resist mask), 150 ... deposit, 300 ... capacitive electrode, 400, 404 ...
Shield layer

Claims (2)

石英基板上に、データ線と、該データ線に電気的に接続されたトランジスタと、該トランジスタに対応して設けられた画素電極とを備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記石英基板上に、アルミニウムからなる金属薄膜を形成する工程と、前記金属薄膜の上面にエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクを介して前記金属薄膜をハロゲン系ガスを含む混合ガスでドライエッチングして前記データ線を形成する工程と、前記エッチングマスクをアッシングにより除去する工程とを少なくとも有し、
前記データ線を形成する工程を経た後に、メタノールを単ガスで放電して前記ドライエッチング後に残留するデポ物を除去する工程と、酸素を単ガスで放電して酸素プラズマによるアッシング処理で前記エッチングマスクを除去する工程と、メタノールを単ガスで放電して残りのデポ物を除去する工程とを順に同一のチャンバー内で行うようにしたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 A method of manufacturing an electro-optical device comprising a data line on a quartz substrate , a transistor electrically connected to the data line, and a pixel electrode provided corresponding to the transistor,
Forming a metal thin film made of aluminum on the quartz substrate ; forming an etching mask on the upper surface of the metal thin film; and drying the metal thin film with a mixed gas containing a halogen-based gas through the etching mask. Etching to form the data line, and at least removing the etching mask by ashing,
After the step of forming the data line, the etching mask is formed by discharging methanol with a single gas to remove deposits remaining after the dry etching, and discharging oxygen with a single gas and ashing with oxygen plasma. And a step of discharging methanol with a single gas and removing the remaining deposits in order in the same chamber. 前記データ線と前記画素電極との間に設けられたシールド層を備え、A shield layer provided between the data line and the pixel electrode;
アルミニウムを含む他の金属薄膜の上面に他のエッチングマスクを形成する工程と、前記他のエッチングマスクを介して前記他の金属薄膜をハロゲン系ガスを含む混合ガスでドライエッチングして前記シールド層を形成する工程と、前記他のエッチングマスクをアッシングにより除去する工程とを少なくとも有し、Forming another etching mask on the upper surface of another metal thin film containing aluminum, and dry-etching the other metal thin film with a mixed gas containing a halogen-based gas through the other etching mask to form the shield layer. Forming at least a step of removing the other etching mask by ashing,
前記シールド層を形成する工程を経た後に、メタノールを単ガスで放電して前記他の金属薄膜をドライエッチングした後に残留するデポ物を除去する工程と、酸素を単ガスで放電して酸素プラズマによるアッシング処理で前記他のエッチングマスクを除去する工程と、メタノールを単ガスで放電して残りのデポ物を除去する工程とを順に同一のチャンバー内で行うようにしたことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。After the step of forming the shield layer, the step of discharging methanol with a single gas to remove the remaining deposits after dry etching the other metal thin film, and the step of discharging oxygen with a single gas and using oxygen plasma 2. The step of removing the other etching mask by ashing and the step of discharging methanol with a single gas to remove the remaining deposits are sequentially performed in the same chamber. A method for manufacturing the electro-optical device according to claim 1.
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