JP5291453B2 - 非接触型データ受送信体およびその製造方法 - Google Patents
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Description
ICタグから発信された信号は、情報書込/読出装置のアンテナで受信され、コントローラーを介してデータ処理装置へ送られ、識別などのデータ処理が行われる。
このようなパッケージ化されたICタグの製造方法としては、インレットを熱可塑性樹脂シートで挟み込んだ後、熱プレス成形を行うことにより、インレットを熱可塑性樹脂で被覆する方法が開示されている(例えば、特許文献1参照)。ここでは、インレットの基材としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)基材などの可撓性の基材が用いられている。
また、インレットを熱可塑性樹脂シートで挟み込んだ後、この状態で熱可塑性樹脂シートの合わせ面を超音波溶着することによっても、ICタグをパッケージ化することができる。
このようにICチップが位置ずれすると、ICタグが通信不良を生じるという問題があった。
このように、ICタグの内部に空気層が存在すると、高温環境下にてICタグを使用した際、空気層が膨張してICタグが変形し、結果として、共振周波数がずれて、ICタグが通信不良を生じるという問題があった。
また、表面にレジスト層が設けられたインレットを、熱プレス成形により被覆材で被覆するので、インレットと被覆材の密着性が向上するから、インレットと被覆材の間に空気層が生じることがなく、得られた非接触型データ受送信体を高温環境下にて使用しても、空気層が膨張してインレットが変形することがなく、結果として、共振周波数がずれて、非接触型データ受送信体が通信不良を生じることがない。
なお、この形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
図1は、本発明の非接触型データ受送信体の第一の実施形態を示す概略図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A線に沿う断面図である。
この実施形態の非接触型データ受送信体10は、インレット11と、インレット11の一方の面全面に設けられたレジスト層17およびインレット11の他方の面全面に設けられたレジスト層18と、これらのレジスト層17,18を介してインレット11を被覆する被覆材23とから概略構成されている。
また、インレット11は、ガラスエポキシ基板12と、ガラスエポキシ基板12の一方の面12aに設けられた面状の第一導電体13と、ガラスエポキシ基板12の他方の面12bに設けられた面状の第二導電体14と、ガラスエポキシ基板12を厚み方向に貫通し、第一導電体13と第二導電体14を、それぞれの一端部側にて互いに接続する第三導電体15,16と、第一導電体13に接続されたICチップ20とから概略構成されている。
また、第一導電体13と第二導電体14は、ガラスエポキシ基板12を介して対向して配置されている。そして、第一導電体13と第二導電体14は、平行の関係にある。
これにより、第一導電体13と第二導電体14は、第三導電体15,16を介して電気的に接続され、第一導電体13、第二導電体14および第三導電体15,16は、ガラスエポキシ基板12の厚み方向の断面形状が略エの字型をなすアンテナ19を形成している。
また、貫通孔12c,12dの大きさは特に限定されず、アンテナ19の共振周波数などに応じて適宜調整される。
また、ガラスエポキシ基板12に実装されたICチップ19は、封止材22によって封止されている。
このレジスト層17は、インレット11と被覆材23の密着性を向上するために設けられる。なぜならば、ガラスエポキシ基板12の一方の面12aに設けられた第一導電体13を被覆材23で直接覆うと、第一導電体13と被覆材23の界面において、両者の密着性が悪く、界面剥離を生じる。そこで、第一導電体13と被覆材23の間にレジスト層17を介在させることにより、インレット11と被覆材23の密着性を向上させている。また、レジスト層17は、第一導電体13の一端側の角13bおよび他端側の角13cの近傍において、滑らかな曲線形状をなしているので、第一導電体13の一端側の角13bおよび他端側の角13cの近傍においても、インレット11の外形形状に追従して被覆材23が変形し易くなるから、インレット11と被覆材23の密着性が向上する。
このレジスト層18は、インレット11と被覆材23の密着性を向上するために設けられる。なぜならば、ガラスエポキシ基板12の他方の面12bに設けられた第二導電体14を被覆材23で直接覆うと、第二導電体14と被覆材23の界面において、両者の密着性が悪く、界面剥離を生じる。そこで、第二導電体14と被覆材23の間にレジスト層18を介在させることにより、インレット11と被覆材23の密着性を向上させている。また、レジスト層18は、第二導電体14の一端側の角14bおよび他端側の角14cの近傍において、滑らかな曲線形状をなしているので、第二導電体14の一端側の角14bおよび他端側の角14cの近傍においても、インレット11の外形形状に追従して被覆材23が変形し易くなるから、インレット11と被覆材23の密着性が向上する。
熱硬化型接着剤としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アクリル系反応樹脂などが挙げられる。具体的には、ビスフェノールF型エポキシドが挙げられる。
紫外線硬化型接着剤としては、紫外線硬化性アクリル樹脂、紫外線硬化性ウレタンアクリレート樹脂、紫外線硬化性ポリエステルアクリレート樹脂、紫外線硬化性ポリウレタン樹脂、紫外線硬化性エポキシアクリレート樹脂、紫外線硬化性イミドアクリレート樹脂などが挙げられる。
電子線硬化型接着剤としては、電子線硬化性アクリル樹脂、電子線硬化性ウレタンアクリレート樹脂、電子線硬化性ポリエステルアクリレート樹脂、電子線硬化性ポリウレタン樹脂、電子線硬化性エポキシアクリレート樹脂、カチオン硬化型樹脂などが挙げられる。
また、インレット11と被覆材23の間にレジスト層17,18が介在するとともに、レジスト層17が、第一導電体13の全面と、第一導電体13とガラスエポキシ基板12の境界とを覆い、さらに、第一導電体13の一端側の角13bおよび他端側の角13cの近傍において、滑らかな曲線形状をなしており、また、レジスト層18が、第二導電体14の全面と、第二導電体14とガラスエポキシ基板12の境界とを覆い、さらに、第二導電体14の一端側の角14bおよび他端側の角14cの近傍において、滑らかな曲線形状をなしているので、インレット11と被覆材23の密着性が向上するから、インレット11と被覆材23の間に空気層が生じることがなく、高温環境下にて非接触型データ受送信体10を使用しても、空気層が膨張してインレット11が変形することがなく、結果として、共振周波数がずれて、非接触型データ受送信体10が通信不良を生じることがない。
また、インレット11が被覆材23で被覆されているから、非接触型データ受送信体10は、耐薬品性、耐候性および耐熱性に優れている。
また、この実施形態では、ICチップ20が、ガラスエポキシ基板12の一方の面12aにおいて第一導電体13と接続されている非接触型データ受送信体10を例示したが、本発明の非接触型データ受送信体はこれに限定されない。本発明の非接触型データ受送信体にあっては、ICチップが、ガラスエポキシ基板の他方の面において第二導電体と接続されていてもよい。
図1〜7を参照して、本発明の非接触型データ受送信体の製造方法の第一の実施形態について説明する。
まず、図2,3に示すように、ガラスエポキシ基板12の一方の面12aに、接着材あるいは粘着材を介して、第一導電体13を配設するとともに、ガラスエポキシ基板12の他方の面12bに、接着材あるいは粘着材を介して、第二導電体14を配設する(工程A)。
そして、凹部31aと凹部32aが対向するようにして下型31と上型32を配置した金型30により、樹脂シート24,24で挟み込んだインレット11を熱プレス成形することにより、樹脂シート24,24がインレット11に密着するとともに、樹脂シート24,24同士が溶着して一体化し、インレット11が被覆材23で被覆された非接触型データ受送信体10が得られる。
図1、図8〜10を参照して、本発明の非接触型データ受送信体の製造方法の第二の実施形態について説明する。
この実施形態では、上述の第一の実施形態の工程A〜Dと同様にして、インレット11を得る。
図8に示すように、筐体25の外形形状と等しい形状のキャビティ42を有する金型41を用いた射出成形により、ゲート43からキャビティ42内に、被覆材23をなすエラストマー材料を充填した後、このエラストマー材料からなる成形体を金型41から離型することによって、この筐体25が得られる(工程F)。
図11は、本発明の非接触型データ受送信体の第二の実施形態を示す概略断面図である。
図11において、図1に示した構成要素と同じ構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
この実施形態の非接触型データ受送信体60が、上述の非接触型データ受送信体10と異なる点は、被覆材23のICチップ20と対向している面とは反対側の面23aに金属層61が設けられている点である。
Claims (3)
- インレットと、該インレットの一方の面および他方の面に設けられたレジスト層と、該レジスト層を介して前記インレットを被覆する被覆材と、を備えた非接触型データ受送信体であって、
前記インレットは、ガラスエポキシ基板と、該ガラスエポキシ基板の一方の面に設けられた第一導電体と、前記ガラスエポキシ基板の他方の面に設けられた第二導電体と、前記ガラスエポキシ基板を厚み方向に貫通する貫通孔の内面に設けられ、前記第一導電体と前記第二導電体を接続する第三導電体と、前記第一導電体または前記第二導電体に接続されたICチップと、を有し、
前記レジスト層は、少なくとも前記第一導電体、前記第二導電体、前記第一導電体と前記ガラスエポキシ基板の境界、および、前記第二導電体と前記ガラスエポキシ基板の境界を覆い、かつ、前記第一導電体の一端側の角および他端側の角の近傍において、前記第一導電体と前記ガラスエポキシ基板の境界が滑らかな曲線形状をなすとともに、前記第二導電体の一端側の角および他端側の角の近傍において、前記第二導電体と前記ガラスエポキシ基板の境界が滑らかな曲線形状をなすように設けられたことを特徴とする非接触型データ受送信体。 - 前記貫通孔には、前記第三導電体を介して前記被覆材をなす樹脂材が充填されたことを特徴とする請求項1に記載の非接触型データ受送信体。
- インレットと、該インレットの一方の面および他方の面に設けられたレジスト層と、該レジスト層を介して前記インレットを被覆する被覆材と、を備えた非接触型データ受送信体の製造方法であって、
ガラスエポキシ基板の一方の面に第一導電体を設け、前記ガラスエポキシ基板の他方の面に第二導電体を設ける工程Aと、
前記ガラスエポキシ基板の一方の面から他方の面にわたって、前記ガラスエポキシ基板に対して略垂直の貫通孔を穿設するとともに、前記貫通孔の内面全面に第三導電体を形成することにより、該第三導電体を介して、前記第一導電体と前記第二導電体を接続する工程Bと、
少なくとも前記第一導電体、前記第二導電体、前記第一導電体と前記ガラスエポキシ基板の境界、および、前記第二導電体と前記ガラスエポキシ基板の境界を覆い、かつ、前記第一導電体の一端側の角および他端側の角の近傍において、前記第一導電体と前記ガラスエポキシ基板の境界が滑らかな曲線形状をなすとともに、前記第二導電体の一端側の角および他端側の角の近傍において、前記第二導電体と前記ガラスエポキシ基板の境界が滑らかな曲線形状をなすように、前記レジスト層を設ける工程Cと、
前記ガラスエポキシ基板の一方の面において、前記第一導電体にICチップを接続し、インレットを得る工程Dと、
前記被覆材をなす樹脂シートで前記インレットを挟み込み、熱プレス成形する工程E、または、前記被覆材の外形形状と等しい形状のキャビティを有する金型を用いた射出成形により、前記キャビティ内に、前記被覆材をなすエラストマー材料を充填する工程Fと、を有することを特徴とする非接触型データ受送信体の製造方法。
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