JP5290549B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図7は、SJMOSFETを備える半導体装置の模式的な断面図である。
半導体装置101は、N+(高濃度N型)型基板102を備えている。N+型基板102上には、N型のドリフト層103が積層されている。一方、N+型基板102の裏面(ドリフト層103が積層されている側と反対側の面)には、ドレイン電極(図示せず)が形成されている。
ドリフト層103上には、SiO2(酸化シリコン)からなるゲート酸化膜106が形成されている。ゲート酸化膜106上には、ゲート電極107が形成されている。ゲート電極107は、所定方向に隣り合うベース領域104間に跨るように設けられ、所定方向と直交する方向に延びている。また、ゲート酸化膜106上には、SiO2からなる層間絶縁膜108が積層され、この層間絶縁膜108により、ゲート電極107が被覆されている。
また、ドリフト層103には、各ベース領域104に対応して、P型のリサーフ層111が形成されている。各リサーフ層111は、ベース領域104からN+型基板102に向けて延びている。これにより、ドリフト層103とリサーフ層111とが交互に並ぶ、SJ構造が形成されている。
しかし、SJMOSFETでは、寄生ダイオードに逆バイアスが印加されると、ドリフト層103が急速に空乏化するため、寄生ダイオードがオンの状態でドリフト層103に蓄積されたキャリアは、寄生ダイオードのターンオフ時に一気に消失してしまう。そのため、図8に示すように、寄生ダイオードのターンオフ時には、寄生ダイオードに逆方向電流が流れ、この逆方向電流が急激に零に戻る(逆方向電流の時間変化率が大きい)、いわゆるハードリカバリ特性が現れる。このようなハードリカバリ特性は、ノイズ(リカバリノイズ)の発生の原因となる。
この構造によれば、SJMOSFETおよびSBDを備えている。SBDは、SJMOSFETの寄生ダイオードと並列に設けられている。そのため、SBDおよびSJMOSFETの寄生ダイオードのターンオフ時にSJMOSFETのソース−ドレイン間を流れる電流の波形は、SBDを流れる電流の波形と寄生ダイオードを流れる電流の波形とを合成して得られる波形となる。SBDは、キャリアの蓄積効果がなく、ターンオフ時に逆方向電流が流れない。したがって、ターンオフ時にSJMOSFETのソース−ドレイン間を流れる電流の波形は、逆方向電流が小さく、かつ、逆方向電流が零へ戻るときの変化が緩やかな波形となる。逆方向電流が小さいので、SBDおよびSJMOSFETの寄生ダイオードのターンオフから逆方向電流が零になるまでに要する時間(リバースリカバリ時間)が短い。また、SBDが設けられることによって、SJ構造による低オン抵抗化および高耐圧化に影響はない。よって、SJ構造による効果を損なうことなく、高速かつソフトなリカバリ特性を発揮することができる。その結果、低オン抵抗、高耐圧、高速スイッチングおよび低ノイズを並立させることができる。
また、SJMOSFETのソース電極をSBDのアノード電極と兼用することにより、半導体装置の構造を簡素化することができる。
請求項2に記載の発明は、前記ショットキー接合は、隣り合う2つの前記ベース領域の間に形成されている、請求項1に記載の半導体装置である。
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の図解的な平面図である。図2は、図1に示す切断線II−IIで半導体装置を切断したときの模式的な断面図である。図3は、図1に示す切断線III−IIIで半導体装置を切断したときの模式的な断面図である。
図2および図3に示すように、半導体装置1は、N+型基板2を備えている。N+型基板2上には、N型の半導体層としてのドリフト層3が積層されている。一方、N+型基板2の裏面(ドリフト層3が積層されている側と反対側の面)には、ドレイン電極(図示せず)が形成されている。
また、ドリフト層3には、各ベース領域4に対応して、P型のリサーフ層6が形成されている。各リサーフ層6は、ベース領域4からN+型基板2に向けて延びている。これにより、N型のドリフト層3とP型のリサーフ層6とが交互に並ぶ、SJ構造が形成されている。
ゲート絶縁膜7およびゲート電極10上には、SiO2からなる層間絶縁膜11が積層(被覆)されている。層間絶縁膜11には、ゲート絶縁膜7の貫通孔8と対向する位置に、貫通孔8と同じサイズの貫通孔12が形成されている。また、層間絶縁膜11には、ゲート絶縁膜7の貫通孔9と対向する位置に、貫通孔9と同じサイズの貫通孔13が形成されている。
バリア膜14およびソース電極15は、貫通孔8,12内に入り込み、各ベース領域4の中央部およびその周囲のソース領域5の一部に接続されている。すなわち、貫通孔8,12は、ソースコンタクトホール16をなし、バリア膜14およびソース電極15は、ソースコンタクトホール16を介して、各ベース領域4の中央部およびその周囲のソース領域5の一部に接続されている。これにより、半導体装置1は、N+型基板2、ドリフト層3、ベース領域4、ソース領域5、リサーフ層6、ゲート絶縁膜7、ゲート電極10、ソース電極15およびドレイン電極からなるSJMOSFET17を備えている。ソース電極15の表面には、各ソースコンタクトホール16と対向する位置に、図1に示す平面視円形状の凹部18が形成されている。
半導体装置1では、SJMOSFET17の寄生ダイオードと並列に、SBD20が設けられている。これにより、SBD20およびSJMOSFET17の寄生ダイオードのターンオフ時に、ソース電極15とドレイン電極との間(ソース−ドレイン間)を流れる電流の波形は、SBD20を流れる電流の波形と寄生ダイオードを流れる電流の波形とを合成して得られる波形となる。SBD20は、キャリアの蓄積効果がなく、ターンオフ時に逆方向電流が流れない。したがって、ターンオフ時にソース−ドレイン間を流れる電流の波形は、逆方向電流が小さく、かつ、逆方向電流が零へ戻るときの変化が緩やかな波形となる。逆方向電流が小さいので、SBD20およびSJMOSFET17の寄生ダイオードのターンオフから逆方向電流が零になるまでに要する時間(リバースリカバリ時間)が短い。また、SBD20が設けられることによって、SJ構造による低オン抵抗化および高耐圧化に影響はない。よって、半導体装置1では、SJ構造による効果を損なうことなく、高速かつソフトなリカバリ特性を発揮することができる。その結果、低オン抵抗、高耐圧、高速スイッチングおよび低ノイズを並立させることができる。
また、半導体装置1では、SJMOSFET17のソース電極15がSBD20のアノード電極と兼用されることにより、半導体装置1の構造の簡素化が図られている。
さらにまた、半導体装置1では、図3に示すように、ドリフト層3におけるアノードコンタクトホール19と対向する領域22には、P型不純物がドーピングされている。領域22を低濃度で厚さの小さいP型領域とすることにより、そのP型の領域22とN型のドリフト層3とによる弱いPN接合を形成することができ、SBD20におけるリーク電流の発生を抑制することができる。
図5は、本発明の他の実施形態に係る半導体装置の図解的な平面図である。図6は、図5に示す切断線VI−VIで半導体装置を切断したときの模式的な断面図である。図5および図6において、前述の各部に相当する部分には、それらの各部と同一の参照符号を付して示している。また、以下では、同一の参照符号を付した部分についての詳細な説明を省略する。
以上、本発明の2つの実施形態を説明したが、本発明は、さらに他の形態で実施することもできる。たとえば、半導体装置1,51の各半導体部分の導電型を反転した構成が採用されてもよい。すなわち、半導体装置1,51において、P型の部分がN型であり、N型の部分がP型であってもよい。
3 ドリフト層
4 ベース領域
5 ソース領域
11 層間絶縁膜
15 ソース電極
16 ソースコンタクトホール
17 SJMOSFET
19 アノードコンタクトホール
20 SBD
22 領域
51 半導体装置
52 アノードコンタクトホール
Claims (2)
- 互いに間隔を空けて形成された複数のベース領域を有するSJMOSFET(Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)と、
複数の前記ベース領域の間にショットキー接合を有し、前記SJMOSFETが有する寄生ダイオードと並列に設けられたSBD(Schottky Barrier Diode)とを含む半導体装置であって、
第1導電型の半導体層と、
前記半導体層上に形成された層間絶縁膜とを含み、
前記ベース領域は、第2導電型を有し、前記半導体層の表層部に千鳥配列され、
前記SJMOSFETは、前記層間絶縁膜上に形成されたソース電極と、前記ベース領域の表層部に形成され、前記ソース電極が前記層間絶縁膜に形成されたソースコンタクトホールを介して接続された第1導電型のソース領域とを有し、
前記層間絶縁膜には、互いに隣り合う3つの前記ベース領域を頂点とする平面視三角形状の領域内の中心の位置に、前記ソースコンタクトホールと同一の孔径を有するアノードコンタクトホールが形成され、
前記半導体層の表層部における前記アノードコンタクトホールと対向する領域には、第2導電型不純物のドーピングによって第2導電型不純物領域が形成され、
前記ショットキー接合は、前記ソース電極が前記アノードコンタクトホールに入り込み、前記第2導電型不純物領域に接続されることにより形成されている、半導体装置。 - 前記ショットキー接合は、隣り合う2つの前記ベース領域の間に形成されている、請求項1に記載の半導体装置。
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