JP5289709B2 - 調光機能を備えた画像表示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 64
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 45
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 44
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 15
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 54
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 41
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 23
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 22
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- 102100036464 Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Human genes 0.000 description 18
- 101000713904 Homo sapiens Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Proteins 0.000 description 18
- 229910004444 SUB1 Inorganic materials 0.000 description 18
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 15
- 229910004438 SUB2 Inorganic materials 0.000 description 12
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 description 12
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- BXLICFUSUZPSHT-UHFFFAOYSA-N 1-(4-chlorophenyl)-3-fluoropropan-2-amine Chemical compound FCC(N)CC1=CC=C(Cl)C=C1 BXLICFUSUZPSHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 101000852539 Homo sapiens Importin-5 Proteins 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100036340 Importin-5 Human genes 0.000 description 1
- 101100218933 Pseudomonas aeruginosa pse4 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/14—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
- H01L31/141—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the semiconductor device sensitive to radiation being without a potential-jump barrier or surface barrier
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
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Description
本発明は、環境の照度に応じた制御信号を生成する光センサを用いて環境の照度に応じて表示画像の明るさを制御する調光機能を備えた画像表示装置に関する。
画像表示装置（以下、ディスプレイとも称する）の表示画像の明るさを周囲の環境光に合わせて調節する、いわゆる調光機能付きディスプレイが知られている。この種のディスプレイの基本構成は、通常、環境光（ディスプレイの周囲光）を検出する検出素子（光センサ）を1個と、該光センサの出力信号を処理する信号処理回路を備え、液晶表示装置ではそのバックライトあるいは有機ＥＬディスプレイ等の自発光型の画像表示装置ではその発光素子に明るさ制御信号を与えるフィードバック回路あるいはデバイスから構成される。
上記それぞれの回路あるいはデバイスは、半導体チップの形でディスプレイを構成する表示パネル部（以下、単にパネルとも称する）あるいはディスプレイの構成部材の適宜の部分に実装される。この場合、実装コスト、実装由来の機械的信頼性や製品歩留まりを確保しなければならない。
そこで、近年は、非特許文献１（環境光対応調光センサシステムをｐｏｌｙ‐Ｓｉで内蔵したシステムイン液晶ディスプレイ）に記載の様に、光センサ、信号処理回路、およびフィードバック回路を、表示部とおなじ半導体製造プロセスでディスプレイのパネルそのものに内蔵させる試みがなされている。
なお、別々の光波長域を検知するような複数のセンサ素子とそれらの出力を演算処理する回路で構成し、これを工業的に利用するものとして、特許文献１は、複数のセンサ素子からなるセンサ装置で、分光フィルタを用いて各光センサが特定波長を検出するようにし、分光分析を行なうマイクロ分光分析器を開示する。また、特許文献２は、検出波長域の異なる複数のホトダイオード（センサ）と、それらの出力を信号処理し、繊維の格付けを判定する処理手段を有する繊維色格付けシステムを開示する。
図１０は、従来の調光機能付きディスプレイのパネルの構成例としての液晶パネルを説明する図である。図１０の（ａ）はパネルの背面図（裏面平面図）、図１０の（ｂ）はパネルの下面図（下側面図）、図１０の（ｃ）はパネルの前面図（表示面平面図）である。パネルは、第１の基板（アクティブ基板、薄膜トランジスタ基板、ＴＦＴ基板）ＳＵＢ１と第２の基板（対向基板、カラーフィルタ基板）ＳＵＢ２の貼り合わせ間隙に液晶を封入して構成される。
第１の基板ＳＵＢ１の主面（内面）には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で構成した画素回路がマトリクス状に配列して作り込まれ、画素領域（表示領域）を形成している。第２の基板ＳＵＢ２の主面には縦電界方式（ＴＮ方式）系では複数のカラーフィルタと対向電極が形成されており、第１の基板ＳＵＢ１の画素回路を構成する画素電極と共にカラー画素を形成する。なお、横電界方式（ＩＰＳ方式）系では第１の基板ＳＵＢ１の主面に対向電極が形成される。また、カラーフィルタが第１の基板ＳＵＢ１側に形成されるものもある。画素を選択し表示信号を供給する駆動回路（ドライバ）などの周辺回路等は、第１の基板ＳＵＢ１の画素領域の周辺に半導体チップの形で実装されている。
第１の基板ＳＵＢ１の背面にはバックライトが設置されるが図示は省略した。そして、この背面に表示制御回路チップＤＬＳなどを搭載したプリント回路基板ＰＣＢが取り付けられている。駆動回路などを半導体チップの形で実装するものでは、第２の基板ＳＵＢ２の基板サイズは第１の基板ＳＵＢ１のそれよりも若干小さく、第２の基板ＳＵＢ２の端からはみ出た第１の基板ＳＵＢ１の周辺に駆動回路（ドライバ）ＤＲが形成されている。ドライバＤＲが画素領域ＡＲを構成する複数の画素の形成プロセスで基板上に形成されるものでは、ドライバＤＲの形成部分も第２の基板ＳＵＢ２で覆われる場合がある。その他の制御回路等は、プリント回路基板ＰＣＢ上に半導体チップ（ＬＳＩ）の形で実装されている。
ドライバＤＲとプリント回路基板ＰＣＢとの間は、フレキシブルプリント基板ＦＰＣＢで接続されている。第２の基板ＳＵＢ２からはみ出した第１の基板ＳＵＢ２の基板上で、ドライバＤＲの形成部分とは別の部分にはセンサ（光センサチップ）ＰＳＥが実装され、センサの信号処理回路が搭載されたプリント回路基板ＰＣＢとの間をフレキシブルプリント基板ＦＰＣＡで接続されている。
シャープ技報 Ｎｏ．２４ ９２号 ｐｐ３５‐３９ 特開平１０‐１２２９６１号公報
特表２００２‐５２２７６３号公報
シャープ技報 Ｎｏ．２４ ９２号 ｐｐ３５‐３９
光センサに使用されているシリコン（Ｓｉ）半導体、もしくは化合物半導体は、それぞれ特有の光吸収係数(透過率)を有し、波長依存性を持つ（例えば、後述の図３参照）。この場合、それぞれの波長帯の光における半導体の最適膜厚は異なる。したがって、１種のみのセンサを内蔵する場合、吸収特性が所望のものと異なる波長域があり、照度とセンサ出力の関係にずれが生じ、高精度の検出と制御が得られない(例えば、視感度に則した波長域、吸収強度分布は１種のセンサでは再現できない。
また、特許文献１、特許文献２が開示するように、各々のセンサが別々の波長域を検知する複数のセンサとそれらの出力を演算処理する回路で構成されるセンサ・制御構造を構成すれば、所望の光を検出できる。しかし、これらは画像表示装置への実装の困難性を解決するという現実的課題をも解決するものでない。
本発明の目的は、実装コスト、実装由来の機械的信頼性、製品歩留まり確保した照度センサを装備した画像表示装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は、画素回路を構成する絶縁基板上に、画素回路を構成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と同一の半導体膜で、ＴＦＴからなる検出波長域が異なる光を検出する複数の光センサと、光センサの出力に基づいて画素の明るさを制御する信号を生成する信号処理回路を構成する。光センサは半導体膜の膜厚、あるいは光の透過域が異なるフィルタで異なる波長域の光のエネルギーを検出する。信号処理回路で各センサの出力を処理して環境の照度を検出する。検出信号を画素の明るさ制御にフィードバックする構成とした。
画像表示装置の画素領域（および、駆動回路部）を形成する過程で、光センサや照度に応じた制御信号を生成する信号処理回路を形成でき、実装コスト、実装由来の機械的信頼性、製品歩留まり確保できる。
以下、本発明の最良の実施形態につき、添付図面を参照した実施例により詳細に説明する。
図１は、本発明による調光機能内蔵型のディスプレイのパネルの構成例としての液晶パネルを説明する図である。図１０と同様に、図１の（ａ）はパネルの背面図、図１の（ｂ）はパネルの下面図、図１の（ｃ）はパネルの前面図である。パネルは、第１の基板ＳＵＢ１と第２の基板ＳＵＢ２から構成される。図１０と同一符号は同一機能部分に対応する。なお、図１０と同様に、バックライトは図示していない。
実施例１の調光機能内蔵型の液晶パネルでは、複数の光センサＰＳＥ、信号処理回路ＰＳＰ、画素の明るさを制御する信号を生成する信号処理回路ＡＸＣが画素形成プロセスで同一基板（第１の基板ＳＵＢ１）上に同時に形成されている。信号処理回路ＰＳＰの出力、および制御信号系等の入力は、フレキシブルプリント基板ＦＰＣＢで第１の基板ＳＵＢ１の裏面に配置されたプリント基板ＰＣＢに搭載されたフィードバック回路と接続している。なお、信号処理回路ＡＸＣをプリント基板ＰＣＢにＬＳＩの形で搭載してもよい。
図２は、標準比視感度の波長依存性を説明する図である。人の感じる明るさは、入射光のエネルギーに比例するわけでない。図２に示すとおり、波長５５０ｎｍ付近にピークを持つ。例えば、同じエネルギーを持つ光を考えた場合、５５０ｎｍの光であった場合に比べ、７００ｎｍの光であった場合では、感じる明るさが２５０分の１になる。
調光機能は、人が感じる明るさに応じて、ディスプレイの輝度を調節する機能である。そのため、この用途に則した照度センサを考えた場合、センサ感度の波長依存性（以下、感度特性と表記する）は、視感度に合致したものであることが望ましい。ここでは、視感度を例に挙げたが、用途によって、必要とされる感度曲線は異なり、従って要求されるセンサ特性も異なる。
図３は、シリコン材料で作製した光センサの感度特性を説明する図である。図中、（１）はａ−Ｓｉセンサはシリコン膜厚２００ｎｍの薄膜トランジスタの感度特性、（２）はｐｏｌｙ―Ｓｉセンサはシリコン膜厚５０ｎｍの薄膜トランジスタの感度特性、（３）は標準比視感度の特性、（４）はａ−Ｓｉセンサで、シリコン膜厚５００ｎｍのＰＩＮダイオードの感度特性である。（１）、（２）、（４）それぞれの感度特性は、（３）の標準比視感度の特性とは一致しない。一種類のセンサ素子で、標準比視感度に一致する感度特性を得るためには、光学フィルタを装着して、不必要な波長帯（特に短波長側）をカットする方法があるが、完全に再現できるわけではなく、またコストも要する。
図４Ａは、本発明の実施例１における光センサ出力部分のエネルギースペクトルを示す図である。図４Ｂは、本発明の実施例１における検出域の異なる３種の光センサ出力部分のエネルギースペクトルを示す図である。図４Ｃは、本発明の実施例１における光センサ出力部分の信号演算の例を説明する図である。
検出光が図４Ａに示すようなエネルギースペクトルを持ち、ある３つの波長成分がＡ、Ｂ、Ｃであるとする。そして、検出したい出力が標準比視感度に準じたデータでαＡ＋βＢ＋γＣである場合を例とする。これを求めるために、感度特性の異なる３種のセンサＸ、Ｙ、Ｚを、画素回路形成プロセスで同一基板上に形成する。それぞれセンサの感度特性が、それぞれ図４Ｂに示したものである場合、センサ出力はそれぞれＸ＝ａＡ＋ｂＢ＋ｃＣ、Ｙ＝ｄＡ＋ｅＢ＋ｆＣ、Ｚ＝ｇＡ＋ｈＢ＋ｉＣとなる。
これらの式を行列の形にまとめると、図４Ｃの上側の形となり、これを解くと検出光の成分Ａ、Ｂ、Ｃが算出できる。算出値に既知の係数をかけて、信号αＡ＋βＢ＋γＣを出力する。より視感度にあわせた出力に近づけたい場合、検出したい波長成分の数が増える。Ｎ個の波長成分を検出する必要がある場合は、原理的には、Ｎ種のセンサを用意すれば良いことになる。Ｎは要求する精度や、コストを鑑みて設定する。
図５は、図４で説明した処理を行ない、液晶バックライトの光源（ここでは、ＬＥＤ）の輝度（明るさ）を調整する回路のブロック構成例を説明する図である。図５では、外部信号入力として５種のセンサＰＳＥ１、ＰＳＥ２、ＰＳＥ３、ＰＳＥ４、ＰＳＥ５からの５本の出力がある例を示しているが、その数は先に述べたとおり、要求する精度や、コストを鑑みて設定する。各センサの感度特性はあらかじめ調べられ、既知であるものを採用する。センサからの出力は電流値もしくは電圧値で供給される。これをアナログデジタル変換機ＡＤＣでデジタル値に変換する。Ｎ次（図５では５次）方程式を解く回路ＰＣ１を構成し、Ｎ個の特定の波長における検出光のエネルギー強度を出力する。
所望の成分組合せを行なう回路ＰＣ２において、Ｎ個の信号を線形結合して出力する。線形結合における各成分の係数は、調光機能の場合は、標準比視感度に準じた値（図４の例では、α、β、γ）を設定する。任意の係数を設定したい場合は、図５にあるように、外部から入力設定ＣＳができるような回路を組んでも良い。線形結合された出力信号はバックライトＢＬＬの光源（例えば、ＬＥＤ）のドライバＢＬＤに入力され、ＬＥＤに投入される電流値を制御する。ＬＥＤの輝度は投入される平均化された電流値で決まるため、直流電流値を制御しても良いし、電流振幅を一定にして交流化した電流のデューティー比を変えても良い。後者の方が、バックライトの色度変化量が小さいため、液晶ディスプレイの調光に望ましいとされる。
図５では、センサ素子からＬＥＤドライバまでを画素回路形成プロセスで同一基板上に形成するが、Ｎ次方程式を解く回路からＬＥＤドライバＢＬＤまでをＬＳＩで形成し、半導体チップを実装する形式としてもよい。これは実装コストはかかるが、複数センサ分の実装コストで、機械的信頼性を確保することができる。
図６Ａ〜図６Ｅと図７Ａ〜図７Ｈは、調光機能内蔵型液晶パネルの作製方法の一例のプロセスを説明する断面図である。図６Ａ〜図６Ｅではポリシリコン（ｐｏｌｙ―Ｓｉ）で光センサを構成するプロセス例、図７Ａ〜図７Ｈではアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）で光センサを構成する例を示す。
まず、ガラスを好適とする絶縁基板である第１の基板ＳＵＢ１（以下、ガラス基板）に化学気相成長法（ＣＶＤ）により、下層下地膜ＢＦ１としてシリコン窒化膜（ＳｉＮ）を、上層下地膜ＢＦ２としてシリコン酸化膜（ＳｉＯ）を成膜し、その上に半導体膜としてポリシリコン（ｐｏｌｙ―Ｓｉ）ＰＳＩ-１膜を順に成膜する。最初の２層ＢＦ１、ＢＦ２（シリコン窒化膜、シリコン酸化膜）からなる下地膜は、ガラス基板ＳＵＢ１からの汚染を防ぐ役割を果たす。ポリシリコン膜はＣＶＤで直接成膜しても良いが、水素含有量の少ないアモルファスシリコン膜を形成した後、エキシマレーザ、固体レーザ、ＲＴＡなどで溶融と固化により形成するか、炉体アニール、ＲＴＡ、赤外レーザなどで固相成長により形成する方法がある。ホトリソ工程により、ポリシリコン膜を加工して島状ポリシリコンＰＳＩに加工する（図６Ａ）、（図６Ｂ）。
その上に、ゲート絶縁膜ＧＩ、ゲート電極用金属膜ＧＴ-Ａを形成する。ゲート絶縁膜ＧＩは、シリコン酸化膜、もしくはシリコン窒化膜を用いるのが望ましい。ホトリソ工程によりゲート電極用金属膜ＧＴ-Ａを加工し、金属膜をゲート電極ＧＴに加工する。その後、ホトレジストＰＲをマスクとしてイオン注入ＩＰにより、島状ポリシリコンＰＳＩにソース・ドレイン領域ＨＤＮを形成する（図６Ｃ、図６Ｄ）。
図６Ｄでは、一種の不純物を導入するため、一種類の極性のＴＦＴのみが形成される（ＮＭＯＳ、あるいはＰＭＯＳ）。しかし、ホトリソ工程を追加することにより、ＣＭＯＳ、ゲート付ＰＩＮ構造を形成することも可能となる。特に、センサ部の薄膜トランジスタＴＦＴ（ＰＳＥ）に関してはＰＩＮ構造の方が感度確保のためには望ましい。レーザアニール、もしくは、炉体アニール処理で導入不純物を活性化した後、絶縁保護膜ＰＡＳを形成、ホトリソ工程により、配線ＭＬを形成する（図６Ｅ）。
図７Ａ〜図７Ｈは、図６Ａ〜図６Ｅで製作したセンサとは異種のセンサ（ａ−Ｓｉ ＰＩＮ）を用いた調光機能内蔵型液晶パネルの作製方法の一例のプロセスを説明する断面図である。形成法の例を示したものである。図７Ａ〜図７Ｄまでは、図６Ａ〜図６Ｄまでと同様の工程であるので、重複説明はしない。
次に、ホトリソ工程により配線ＭＬを形成する。同時に、配線ＭＬと連接するセンサ用の下部電極を形成する（図７Ｅ）。絶縁保護膜ＰＡＳを形成し、ホトリソ工程によりセンサ部分に開口を形成する（図７Ｆ）。ＣＶＤにより、Ｎ型のアモルファスシリコン層ＮＡＳＩ、真性のアモルファスシリコン層ＡＳＩ、Ｐ型のアモルファスシリコン層ＰＡＳＩを連続成膜する。成膜時間によって膜厚を制御する。上下電極の組み合わせにより、Ｎ型、Ｐ型の順序は入れ替えることができる。続いて、その上部に透明導電膜ＴＰＥ-Ａ（ここでは、ＩＴＯ）を形成する（図７Ｇ）。
ホトリソ工程により、ＰＩＮセンサ部を島状に加工し、センサを形成する（図７Ｈ）。有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ）の対向電極は上記透明電極ＴＰＥ-Ａで同時に形成してもよい。センサ部の外装に対する保護が必要な場合は、別途対向電極を形成してもよい。更に、絶縁保護膜を形成、透明導電膜を形成した後、ホトリソ工程により対向電極ＴＰＥに加工する。
図８Ａ〜図８Ｇは、図６、図７のセンサとは別種のセンサ（ａ−Ｓｉ ＴＦＴ）の形成法の一例を説明する工程図である。図８Ａ〜図８Ｄまでは、図６Ａ〜図６Ｄまでと同様の工程であるので、重複説明はしない。
図６Ａ〜図６Ｄまでのプロセスを完了後、ホトリソ工程により配線ＭＬを形成する。同時に、センサ用のゲート電極ＧＴＳを形成する（図８Ｅ）。ＣＶＤでゲート絶縁膜ＧＩＳを形成した後、ＣＶＤで真性のａ−Ｓｉ層ＡＳＩ、Ｎ型のａ−Ｓｉ層ＮＡＳＩを連続成膜する。更に、ソース・ドレイン電極用の導電膜ＳＤ-Ａを成膜する（図８Ｆ）。ホトリソ工程により、センサ部を島状に加工し、センサＰＳＥを形成する。上部に絶縁保護膜ＰＡＳを形成した後、透明導電膜ＴＰＥを形成する（図８ＧではＩＴＯを例とした）（図８Ｇ）。
以上説明した図６Ａ〜図６Ｅ、図７Ａ〜図７Ｈ、図８Ａ〜図８Ｇの工程を平行して行なうことにより、図４Ａ〜図４Ｃ、図５で説明した別種のａ−Ｓｉセンサ形成と信号処理回路を形成する。
なお、絶縁性基板はガラスに限らず、石英ガラスやプラスチックのような他の絶縁性基板であってもよい。石英ガラスを用いれば、プロセス温度を高くできるため、センサ、およびＴＦＴの信頼性が向上し、センサ間バラツキが低減する。また、プラスチック基板を用いれば、軽量で、耐衝撃性に優れた画像表示装置を提供できる。
異なる感度特性のセンサ出力を得るために、複数種の構造のセンサ素子を作製し、照度センサを構成したが、画像表示装置が液晶パネルに代表されるようなライトバルブ方式の場合、センサ部分に画素と同じ液晶層、カラーフィルタを設けることで、一種のセンサを複数作製してセンサを構成すれば、図４Ａ〜図４Ｃ、図５で説明したセンサを実現できる。
図９Ａは、本発明の画像表示装置の実施例としての液晶表示装置のパネルにおける照度検出回路内蔵領域の光センサ等配置を説明する平面図である。第１の基板ＳＵＢ１の主面にシリコン半導体膜ＰＳＩに作り込まれたセンサ部ＰＳＥ-Ａ、ＰＳＥ-Ｂ、ＰＳＥ-Ｃ、ＰＳＥ-Ｄが配置されている。このセンサ部を構成する光センサは画素領域を構成する画素の薄膜トランジスタと同じ半導体膜に同じプロセスで同時に形成される。
第１の基板ＳＵＢ１の薄膜トランジスタで駆動される画素領域では画素電極である電極と同じ電極ＰＸを覆って配向膜ＯＲＩが形成されている。第２の基板ＳＵＢ２の主面には、ブラックマトリクスＢＭで区画された複数種のカラーフィルタＣＦ-Ａ、ＣＦ-Ｂ、ＣＦ-Ｃ、ＣＦ-Ｄが形成されている。その上に、オーバコート層ＯＣ、対向電極ＣＴ、配向膜ＯＲＩが形成されている。
図９Ｂは、図９ＡのＡ―Ｂ線に沿った断面図である。ここでは、４つのｐｏｌｙ―Ｓｉ ＴＦＴセンサ素子（図６Ａ〜図６Ｅ参照）で構成される光センサを例に挙げた。これらの光センサは、ａ−Ｓｉ ＰＩＮセンサ（図７Ａ〜図７Ｈ参照）、ａ−Ｓｉ ＴＦＴセンサ（図８Ａ〜図８Ｇ参照）でもよい。第１の基板ＳＵＢ１と第２の基板ＳＵＢ２の間にはスペーサＳＰＣが介在し、両基板の間のセルギャップを規定している。
図９Ｂにおいて、図の上部から来る検知光は、ガラス基板である第２の基板ＳＵＢ２、カラーフィルタＣＦ-Ａ、ＣＦ-Ｂ、ＣＦ-Ｃ、ＣＦ-Ｄ、液晶層ＬＣを通過してセンサ部ＰＳＥ-Ａ、ＰＳＥ-Ｂ、ＰＳＥ-Ｃ、ＰＳＥ-Ｄへ進入する。カラーフィルタＣＦ-Ａ、ＣＦ-Ｂ、ＣＦ-Ｃ、ＣＦ-Ｄ、液晶層ＬＣを通過することによって、センサ部に入射する検出光のスペクトル、強度が変化する。各センサに対応するカラーフィルタを選択し、カラーフィルタの透過光特性、センサの感度特性を把握することによって、図４Ａ〜図４Ｃと同じ効果を得ることが可能になる。
また、環境光の照度が非常に強く、検知限界を超える場合は液晶層を絞りとして利用することができる。絞りの度合いは対向電極に印加する電圧で制御することができ、内蔵回路で制御（フィードバック）できるシステムを追加すれば、検出照度範囲の広い光センサの実現が可能になる。バックライトからの光はセンサの下にバックライトが存在しない、もしくは遮光されているため、迷光を除いてセンサに到達しない。
実施例２は、本発明の画像表示装置を有機ＥＬ表示装置に適用したものである。有機ＥＬ表示装置を構成するパネルは、実施例１で説明した液晶表示装置を構成する液晶パネルの第１基板において、薄膜トランジスタまでの構成は同じである。有機ＥＬパネルでは、薄膜トランジスタの電極（ソース・ドレイン）電極で駆動される画素電極を一方の電極とし、この一方の電極の上に有機ＥＬ発光層を塗布し、複数の画素を覆って他方の電極を成膜して構成される。そして、他方の電極の上を覆って第２の基板が封止板として設置される。複数の光センサの一方の電極には有機ＥＬ発光層を塗布しない。
実施例２では、複数の光センサを実施例１と同様に、第１の基板の主面に設け、それらの半導体膜の膜厚の相違で検出する光波長域を変化させる。あるいは、光センサ薄膜トランジスタの半導体幕の膜厚は一様とし、第２の基板の主面の光センサ対応部分に液晶パネルと同等のカラーフィルタを設けて、光波長域を変化させてもよい。他の構成は実施例１と同様である。
本発明は、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置に限らず、薄膜トランジスタ基板を用いた他の画像表示装置についても同様に適用できる。
ＳＵＢ１・・・第１の基板、ＳＵＢ２・・・第２の基板、ＤＬＳ・・・表示制御回路チップ、ＰＣＢ・・・プリント回路基板、ＤＲ・・・駆動回路、ＡＲ・・・画素領域、ＦＰＣＡ,ＦＰＣＢ・・・フレキシブルプリント基板、ＰＳＥ・・・光センサ、ＰＳＰ・・・信号処理回路。
Claims (7)
- 主面に薄膜トランジスタを有する複数の画素をマトリクス状に配置して画素領域を形成した第１のガラス絶縁基板と、前記第１のガラス絶縁基板の前記主面に所定の間隙で対向させて貼り合わせた第２のガラス絶縁基板とからなる表示パネルと、前記第１のガラス絶縁基板の前記画素領域の外側に設けて、当該画素領域を構成する画素を駆動する駆動回路と、前記駆動回路に表示のための信号を供給する表示制御回路を搭載したプリント回路基板を備えた画像表示装置であって、
前記第１のガラス絶縁基板の前記主面の前記画素領域の近傍に、前記駆動回路の前記薄膜トランジスタの能動層と同材料の半導体薄膜で構成された複数の光センサを備え、
前記複数の光センサは、前記半導体薄膜の膜厚の相違によって異なる波長域の光を検出することを特徴とする画像表示装置。 - 請求項１において、
前記第１のガラス絶縁基板の主面に、前記複数の光センサの出力に基いて前記画素の明るさを変化させる制御信号を生成する信号処理回路を備えたことを特徴とする画像表示装置。 - 請求項２において、
前記信号処理回路は、前記駆動回路の薄膜トランジスタの能動層と同層の半導体膜で構成されたものであることを特徴とする画像表示装置。 - 請求項３において、
前記信号処理回路が生成した制御信号に基いて前記表示制御回路が前記駆動回路に前記画素の明るさを変化させる制御信号を印加するフィードバック回路を有することを特徴とする画像表示装置。 - 請求項４において、
前記フィードバック回路は、前記プリント回路基板に搭載されていることを特徴とする画像表示装置。 - 請求項１において、
前記第１のガラス絶縁基板と前記第２のガラス絶縁基板の前記間隙に液晶を封入してなり、前記第１のガラス絶縁基板の背面に設置したバックライトと、該バックライトを点灯制御する電源回路とを具備したことを特徴とする画像表示装置。 - 請求項１において、
前記第１のガラス絶縁基板の主面に有する画素を構成する複数の薄膜トランジスタで駆動される一方の電極の上に発光色が異なる複数の有機ＥＬ発光層と、前記複数の有機ＥＬ発光層を覆う他方の電極を具備したことを特徴とする画像表示装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007001117A JP5289709B2 (ja) | 2007-01-09 | 2007-01-09 | 調光機能を備えた画像表示装置 |
| US11/987,852 US20080164481A1 (en) | 2007-01-09 | 2007-12-05 | Image display apparatus with ambient light sensing system |
| CN2007101604085A CN101221307B (zh) | 2007-01-09 | 2007-12-19 | 具有调光功能的图像显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007001117A JP5289709B2 (ja) | 2007-01-09 | 2007-01-09 | 調光機能を備えた画像表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008170509A JP2008170509A (ja) | 2008-07-24 |
| JP5289709B2 true JP5289709B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=39593495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007001117A Active JP5289709B2 (ja) | 2007-01-09 | 2007-01-09 | 調光機能を備えた画像表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080164481A1 (ja) |
| JP (1) | JP5289709B2 (ja) |
| CN (1) | CN101221307B (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009011178A1 (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置、およびその駆動方法 |
| JPWO2010116467A1 (ja) | 2009-03-30 | 2012-10-11 | Ｎｅｃディスプレイソリューションズ株式会社 | 画像表示装置、及び画像処理方法 |
| CN101614900B (zh) * | 2009-07-22 | 2011-01-05 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶显示面板和液晶显示装置 |
| JP5830711B2 (ja) * | 2010-10-25 | 2015-12-09 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光モジュール |
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| US9574747B2 (en) * | 2014-06-09 | 2017-02-21 | Telelumen, LLC | Spectrally controllable light valve |
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| US10317712B2 (en) * | 2017-05-12 | 2019-06-11 | HKC Corporation Limited | Display panel and display device |
| CN107621857A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-01-23 | 联想(北京)有限公司 | 一种显示屏、电子设备及光强检测方法 |
| WO2019085989A1 (en) | 2017-11-03 | 2019-05-09 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display panel, driving method thereof, and display apparatus |
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| CN108962942B (zh) * | 2018-06-12 | 2021-01-26 | 信利半导体有限公司 | 一种自动调节亮度的pm-oled显示器及其制作方法 |
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| JP4720188B2 (ja) * | 2005-01-18 | 2011-07-13 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置及び電子機器 |
| JP2006245264A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体受光素子を有する集積回路 |
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| JP2007065243A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 表示装置 |
| KR101256663B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2013-04-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치와 그의 제조 및 구동방법 |
-
2007
- 2007-01-09 JP JP2007001117A patent/JP5289709B2/ja active Active
- 2007-12-05 US US11/987,852 patent/US20080164481A1/en not_active Abandoned
- 2007-12-19 CN CN2007101604085A patent/CN101221307B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2008170509A (ja) | 2008-07-24 |
| CN101221307B (zh) | 2011-02-23 |
| CN101221307A (zh) | 2008-07-16 |
| US20080164481A1 (en) | 2008-07-10 |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A711 | Notification of change in applicant |
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| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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