JP5285283B2 - Method for anodizing plasma processing vessel - Google Patents

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Description

本発明は、例えばフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用のガラス基板などの被処理体にプラズマ処理を行う際に用いるプラズマ処理容器に対して、陽極酸化処理（アルマイト処理）を行うプラズマ処理容器の陽極酸化処理方法に関する。   The present invention relates to an anodic oxidation of a plasma processing vessel that performs anodizing treatment (alumite treatment) on a plasma processing vessel used when a plasma treatment is performed on an object to be processed such as a glass substrate for a flat panel display (FPD). It relates to the processing method.

液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に代表されるＦＰＤの製造過程においては、真空下でガラス基板等の被処理体に、エッチング、成膜等の各種処理が施される。プラズマを利用して前記処理を行うために、真空引き可能な処理容器を備えたプラズマ処理装置が使用される。プラズマ処理容器の材質としては、通常アルミニウムが用いられる。   In an FPD manufacturing process typified by a liquid crystal display (LCD), various processes such as etching and film formation are performed on an object to be processed such as a glass substrate under vacuum. In order to perform the processing using plasma, a plasma processing apparatus including a processing container that can be evacuated is used. As a material for the plasma processing vessel, aluminum is usually used.

プラズマ処理の際には、プラズマや腐食性ガスの作用によってプラズマ処理容器の主に内面が損傷を受ける可能性がある。このため、アルミニウム製のプラズマ処理容器の表面に陽極酸化処理を施して耐食性を向上させている。陽極酸化処理は、通常、処理を受ける部材を硫酸や蓚酸を含む電解液に浸漬することによって行われる。   During plasma processing, the inner surface of the plasma processing container may be damaged mainly by the action of plasma or corrosive gas. For this reason, the surface of the aluminum plasma processing vessel is anodized to improve the corrosion resistance. The anodizing treatment is usually performed by immersing a member to be treated in an electrolytic solution containing sulfuric acid or oxalic acid.

ところで、近年、ＦＰＤ用の基板に対する大型化の要求が強まっており、それに対応してプラズマ処理容器も大型化する傾向にある。そして、大型のプラズマ処理容器に陽極酸化処理を施すためには、さらに大型の電解液槽を用意する必要がある。最近では一辺が２ｍを超える巨大な基板を処理対象とするプラズマ処理容器も製造されており、従来の浸漬方式による陽極酸化処理は限界に達しつつある。   By the way, in recent years, there has been an increasing demand for an increase in the size of a substrate for an FPD, and the plasma processing vessel tends to increase in size accordingly. In order to anodize the large plasma processing vessel, it is necessary to prepare a larger electrolytic bath. Recently, a plasma processing vessel for processing a huge substrate with a side exceeding 2 m has been manufactured, and the conventional anodic oxidation treatment is reaching its limit.

大型の処理対象に陽極酸化処理を行う技術として、例えば特許文献１では、陽極酸化処理すべき筒状体（内燃機関のシリンダブロックに挿入されるスリーブ）の内面に沿って棒状の電極を挿入し、筒状体を陽極とし、棒状の電極を陰極として筒状体の内部に電解液を流して陽極酸化処理を行う方法が提案されている。   As a technique for performing anodizing treatment on a large processing target, for example, in Patent Document 1, a rod-shaped electrode is inserted along the inner surface of a cylindrical body (a sleeve inserted into a cylinder block of an internal combustion engine) to be anodized. In addition, a method has been proposed in which an anodizing treatment is performed by flowing an electrolytic solution into a cylindrical body using the cylindrical body as an anode and a rod-shaped electrode as a cathode.

特開２０００−２６９９９号（図２など）JP 2000-26999 A (FIG. 2 etc.)

上記特許文献１の技術では、陽極酸化処理の処理対象である筒状体の内部で電解液を循環させるため、筒状体の全体を電解液に浸漬する必要はない。このため、大型の電解液槽を用いずに、大型の筒状体の内面に陽極酸化処理を行うことが可能である。   In the technique of the above-mentioned Patent Document 1, since the electrolytic solution is circulated inside the cylindrical body that is the object of the anodic oxidation treatment, it is not necessary to immerse the entire cylindrical body in the electrolytic solution. For this reason, it is possible to anodize the inner surface of a large cylindrical body without using a large electrolyte bath.

しかし、特許文献１の処理対象は、シリンダブロックに装着された縦長の筒状体の内面であり、その形状から、内部に電解液を充満させて循環させることが比較的容易な構造である。一方、ＦＰＤ用基板に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理容器は、上部が開放された箱形をなしており、側壁や底壁には、基板の搬入出口、観察用の窓、排気や給電のための開口部が形成されている。電解液は硫酸などの有害成分を含むことから、プラズマ処理容器自体を電解液槽として陽極酸化処理を行うためには、電解液を外部へ漏出させることなく、プラズマ処理容器内部で電解液を循環させて陽極酸化処理を施す必要がある。そのためには、前記開口部を確実に封止しておかなければならない。   However, the processing target of Patent Document 1 is the inner surface of a vertically long cylindrical body mounted on a cylinder block, and due to its shape, the structure is relatively easy to fill and circulate with an electrolyte. On the other hand, a plasma processing container for performing plasma processing on an FPD substrate has a box shape with an open top, and a side wall and a bottom wall are provided with a substrate loading / unloading port, an observation window, exhaust and power supply. An opening is formed for this purpose. Since the electrolyte contains harmful components such as sulfuric acid, in order to perform anodization using the plasma processing vessel itself as an electrolyte bath, the electrolyte is circulated inside the plasma processing vessel without causing the electrolyte to leak outside. It is necessary to perform anodizing treatment. For this purpose, the opening must be securely sealed.

ところで、プラズマ処理は、通常プラズマ処理容器内部を真空状態にして行われる。このため、プラズマ処理容器の外壁面の前記開口部の周囲に、Ｏリングなどのシール部材が配備されて処理容器内の気密性が維持されている。プラズマ処理中、プラズマや腐食性ガスは、上記開口部を介して外壁面の当該シール部材の配設位置まで廻り込むことがある。従って、プラズマ処理容器に陽極酸化処理を施す場合には、該容器の内壁面にとどまらず、上記開口部の周囲では外側（外壁面）にまで酸化被膜を形成しておく必要がある。   By the way, the plasma processing is usually performed with the inside of the plasma processing chamber in a vacuum state. For this reason, a sealing member such as an O-ring is provided around the opening of the outer wall surface of the plasma processing container to maintain the airtightness in the processing container. During the plasma treatment, plasma or corrosive gas may circulate through the opening to the position where the seal member is disposed on the outer wall surface. Therefore, when anodizing the plasma processing container, it is necessary to form an oxide film not only on the inner wall surface of the container but also on the outer side (outer wall surface) around the opening.

先に述べたように、陽極酸化処理を安全に行うためには、開口部を確実に封止する必要があるが、開口部の周囲の外壁面にも酸化被膜を形成するためには、当該部位まで電解液に浸漬する必要がある。これらの二つの必要性を両立させることは困難であったため、プラズマ処理容器自体を電解液槽として陽極酸化処理を行うことは行われていなかった。   As described above, in order to perform the anodizing process safely, it is necessary to securely seal the opening, but in order to form an oxide film on the outer wall surface around the opening, It is necessary to immerse it in the electrolyte up to the site. Since it was difficult to satisfy both of these needs, anodization treatment was not performed using the plasma processing vessel itself as an electrolytic solution tank.

本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、その第１の目的は、大型で、かつ開口部を有するプラズマ処理容器に対して、安全かつ確実に陽極酸化処理を行うことであり、その第２の目的は、プラズマ処理容器の貫通開口部の周囲の外壁面にもプラズマ処理容器の内壁面と同様に陽極酸化処理を行うことである。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and a first object of the present invention is to safely and reliably anodize a large-sized plasma processing vessel having an opening. The second object is to perform anodizing treatment on the outer wall surface around the through-opening portion of the plasma processing container in the same manner as the inner wall surface of the plasma processing container.

本発明に係るプラズマ処理容器の陽極酸化処理方法は、上部が開口した箱形をなすとともに壁面に貫通開口部を有するプラズマ処理容器の表面を陽極酸化処理するプラズマ処理容器の陽極酸化処理方法であって、
前記プラズマ処理容器の前記貫通開口部に蓋部材を装着した状態で前記プラズマ処理容器内に電解液を充填し、
前記プラズマ処理容器の内部に陰極としての電極を配備するとともに、前記プラズマ処理容器を陽極として陽極酸化処理を行うことを特徴とする。 The method for anodizing a plasma processing container according to the present invention is a method for anodizing a plasma processing container in which the surface of a plasma processing container having a box shape with an opening at the top and a through opening on a wall surface is anodized. And
Filling the plasma processing container with an electrolyte in a state where a lid member is attached to the through opening of the plasma processing container,
An electrode as a cathode is provided inside the plasma processing vessel, and anodization is performed using the plasma processing vessel as an anode.

本発明に係るプラズマ処理容器の陽極酸化処理方法において、前記貫通開口部の周囲の壁面には、前記プラズマ処理容器の内部を真空状態に維持するために配設される第１のシール部材の配設予定部位が設けられており、該配設予定部位を前記電解液に浸した状態で陽極酸化処理を行ってもよい。この場合、少なくとも一つの前記貫通開口部を囲むように、前記電解液の漏洩を防ぐ第２のシール部材を前記プラズマ処理容器の外壁面に当接させ、該第２のシール部材を介して前記蓋部材を前記プラズマ処理容器の外側に装着してもよい。さらに、前記第１のシール部材の配設予定部位は、前記貫通開口部の周囲の外壁面に設けられており、前記第１のシール部材の配設予定部位の周りを前記第２のシール部材で囲むように前記蓋部材を装着してもよい。   In the anodizing method for a plasma processing container according to the present invention, the wall surface around the through opening is provided with a first seal member disposed to maintain the inside of the plasma processing container in a vacuum state. A site to be installed is provided, and the anodizing treatment may be performed in a state in which the site to be installed is immersed in the electrolytic solution. In this case, a second seal member that prevents leakage of the electrolyte solution is brought into contact with the outer wall surface of the plasma processing container so as to surround at least one of the through-opening portions, and the second seal member is interposed through the second seal member. A lid member may be attached to the outside of the plasma processing container. Furthermore, the arrangement | positioning plan site | part of the said 1st seal member is provided in the outer wall surface around the said through-opening part, and the circumference | surroundings of the arrangement | positioning plan site | part of the said 1st seal member are said 2nd seal members The lid member may be mounted so as to be surrounded by.

また、本発明に係るプラズマ処理容器の陽極酸化処理方法において、少なくとも一つの前記貫通開口部を囲むように、前記電解液の漏洩を防ぐ第２のシール部材を前記プラズマ処理容器の内壁面に当接させ、該第２のシール部材を介して前記蓋部材を前記プラズマ処理容器の内部に装着してもよい。この場合、前記貫通開口部と前記第１のシール部材の配設予定部位との間に、前記第２のシール部材を当接させてもよい。   Further, in the method for anodizing a plasma processing container according to the present invention, a second sealing member for preventing leakage of the electrolytic solution is applied to the inner wall surface of the plasma processing container so as to surround at least one of the through openings. The lid member may be attached to the inside of the plasma processing container through the second seal member. In this case, the second seal member may be brought into contact between the through opening and the portion where the first seal member is to be disposed.

また、本発明に係るプラズマ処理容器の陽極酸化処理方法は、少なくとも一つの前記貫通開口部において、前記蓋部材が外側から装着されることにより、前記プラズマ処理容器の外部に、内部と連通する電解液流入部が形成され、該電解液流入部に前記電解液を流入させることにより、前記プラズマ処理容器の前記貫通開口部の周囲の外壁面を前記電解液に浸した状態で陽極酸化処理を行うものであってもよい。この場合、前記蓋部材は、断面コの字形をなしているものであってもよい。   Further, the method for anodizing a plasma processing container according to the present invention is such that the lid member is attached from the outside in at least one of the through-openings, so that electrolysis communicates with the inside of the plasma processing container. A liquid inflow portion is formed, and the electrolytic solution is caused to flow into the electrolytic solution inflow portion, so that an anodizing process is performed in a state where the outer wall surface around the through-opening portion of the plasma processing vessel is immersed in the electrolytic solution. It may be a thing. In this case, the lid member may have a U-shaped cross section.

また、本発明に係るプラズマ処理容器の陽極酸化処理方法において、前記プラズマ処理容器の上部の前記開口を囲むように前記プラズマ処理容器の上端部に補助壁を配設し、前記電解液の水位が該補助壁に達するまで前記電解液を充填して陽極酸化処理を行ってもよい。   In the method for anodizing a plasma processing container according to the present invention, an auxiliary wall is disposed at the upper end of the plasma processing container so as to surround the opening at the top of the plasma processing container, and the water level of the electrolytic solution is The electrolytic solution may be filled and anodized until the auxiliary wall is reached.

この場合、前記プラズマ処理容器の上端部には、前記プラズマ処理容器の内部を真空状態に維持するために配設される第３のシール部材の配設予定部位が設けられており、前記補助壁は、前記第３のシール部材の配設予定部位を囲むように外側に配設されていてもよい。   In this case, the upper end portion of the plasma processing container is provided with a third seal member to be disposed in order to maintain the inside of the plasma processing container in a vacuum state, and the auxiliary wall May be arranged on the outside so as to surround the planned arrangement site of the third seal member.

また、本発明に係るプラズマ処理容器の陽極酸化処理方法において、前記電極は複数の平板状の電極によって形成されており、該平板状の電極を前記プラズマ処理容器の側壁および底壁の内面に対してそれぞれ平行に配置してもよい。この場合、陰極として、前記プラズマ処理容器の貫通開口部から前記電解液流入部に挿入される補助電極を配備して陽極酸化処理を行ってもよい。さらに、前記補助電極は、前記プラズマ処理容器の外壁面に平行に形成された対向部を有していてもよい。   In the method for anodizing a plasma processing container according to the present invention, the electrode is formed by a plurality of flat electrodes, and the flat electrodes are connected to the inner surfaces of the side wall and the bottom wall of the plasma processing container. May be arranged in parallel. In this case, an anodizing treatment may be performed by providing an auxiliary electrode inserted into the electrolyte solution inflow portion from the through-opening portion of the plasma processing vessel as the cathode. Furthermore, the auxiliary electrode may have a facing portion formed in parallel to the outer wall surface of the plasma processing container.

本発明のプラズマ処理容器の陽極酸化処理方法では、プラズマ処理容器の貫通開口部に蓋部材を装着した状態で、プラズマ処理容器内に電解液を充填して陽極酸化処理を行う構成とした。このため、電解液槽を使用する必要がなくなるほか、貫通開口部からの電解液の漏出を確実に防止しながら陽極酸化処理を実施できる。従って、大型のプラズマ処理容器に対しても、安全かつ容易に陽極酸化処理を行うことができる、という効果を奏する。また、電解液槽を用いる場合に比べて、使用する電解液の量や電解液槽に関する設備費用を大幅に節減できる、という効果を奏する。   In the method for anodizing a plasma processing container according to the present invention, the anodizing process is performed by filling the plasma processing container with an electrolytic solution in a state in which a lid member is attached to the through opening of the plasma processing container. For this reason, it is not necessary to use the electrolytic solution tank, and the anodizing treatment can be performed while reliably preventing leakage of the electrolytic solution from the through opening. Therefore, there is an effect that the anodizing process can be safely and easily performed on a large plasma processing vessel. Moreover, compared with the case where an electrolyte solution tank is used, there exists an effect that the amount of the electrolyte solution to be used and the equipment cost regarding an electrolyte solution tank can be reduced significantly.

また、本発明のプラズマ処理容器の陽極酸化処理方法では、前記貫通開口部の周囲の外壁面を電解液に浸した状態で陽極酸化処理を行うことができるので、プラズマ処理を行う場合に、各貫通開口部を介してプラズマや腐食性ガスが廻り込みやすい外壁部分についても、陽極酸化処理を施すことができる、という効果を奏する。   Further, in the anodizing method of the plasma processing container according to the present invention, the anodizing process can be performed in a state where the outer wall surface around the through opening is immersed in the electrolytic solution. There is an effect that the anodizing treatment can be performed also on the outer wall portion in which the plasma and the corrosive gas easily circulate through the through opening.

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
まず、図１を参照しながら、本発明の陽極酸化処理方法の処理対象となるプラズマ処理容器を備えたプラズマエッチング装置の概略構成について説明する。図１に示したように、プラズマエッチング装置２００は、例えばＦＰＤ用のガラス基板（以下、単に「基板」と記す）Ｓに対してエッチングを行なう容量結合型の平行平板プラズマエッチング装置として構成されている。なお、ＦＰＤとしては、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネセンス（Electro Luminescence；ＥＬ）ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等が例示される。 [First Embodiment]
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
First, a schematic configuration of a plasma etching apparatus provided with a plasma processing vessel to be processed by the anodizing method of the present invention will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 1, the plasma etching apparatus 200 is configured as a capacitively coupled parallel plate plasma etching apparatus that performs etching on, for example, an FPD glass substrate (hereinafter simply referred to as “substrate”) S. Yes. Examples of the FPD include a liquid crystal display (LCD), an electro luminescence (EL) display, a plasma display panel (PDP), and the like.

このプラズマエッチング装置２００は、表面が陽極酸化処理（アルマイト処理）されたアルミニウムからなる角筒形状に成形された処理容器１０１を有している。処理容器１０１の本体（容器本体）は、底壁１０１ａ、４つの側壁１０１ｂ（側壁１０１ｂ１，１０１ｂ２の２つのみ図示）により構成されている。また、処理容器１０１の本体の上部には、蓋体１０１ｃが接合されている。 This plasma etching apparatus 200 has a processing vessel 101 formed into a rectangular tube shape made of aluminum whose surface is anodized (anodized). The main body (container main body) of the processing container 101 includes a bottom wall 101a and four side walls 101b (only two of the side walls 101b 1 and 101b 2 are shown). A lid 101c is joined to the upper part of the main body of the processing container 101.

処理容器１０１の側壁１０１ｂや蓋体１０１ｃの外壁には、例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）などの材質の薄板１０２が着脱可能に装着されている。薄板１０２は外部からの衝撃や損傷から処理容器１０１を保護する。この薄板１０２が損傷を受けた場合には、薄板１０２のみを交換すればよいため、処理容器１０１の寿命を長期化できる。   A thin plate 102 made of a material such as stainless steel (SUS) is detachably mounted on the side wall 101b of the processing container 101 and the outer wall of the lid 101c. The thin plate 102 protects the processing container 101 from external impact and damage. When the thin plate 102 is damaged, only the thin plate 102 needs to be replaced, so that the life of the processing vessel 101 can be extended.

蓋体１０１ｃは、図示しない開閉機構により開閉可能に構成されている。蓋体１０１ｃを閉じた状態で蓋体１０１ｃと各側壁１０１ｂとの接合部分は、第３のシール部材としてのＯリング１０３によってシールされ、処理容器１０１内の気密性が保たれている。   The lid 101c is configured to be opened and closed by an opening / closing mechanism (not shown). With the lid 101c closed, the joint between the lid 101c and each side wall 101b is sealed by an O-ring 103 as a third seal member, and the airtightness in the processing container 101 is maintained.

処理容器１０１内の底部には、枠形状の絶縁部材１０４が配置されている。絶縁部材１０４の上には、基板Ｓを載置可能な載置台であるサセプタ１０５が設けられている。下部電極でもあるサセプタ１０５は、基材１０７を備えている。基材１０７は、例えばアルミニウムやステンレス鋼（ＳＵＳ）などの導電性材料で形成されている。基材１０７は、絶縁部材１０４の上に配置され、両部材の接合部分にはＯリングなどのシール部材１１３が配備されて気密性が維持されている。絶縁部材１０４と処理容器１０１の底壁１０１ａとの間も、Ｏリングなどのシール部材１１４により気密性が維持されている。基材１０７の側部外周は、絶縁部材１１７により囲まれている。これによって、サセプタ１０５の側面の絶縁性が確保され、プラズマ処理の際の異常放電が防止されている。   A frame-shaped insulating member 104 is disposed at the bottom of the processing container 101. On the insulating member 104, a susceptor 105, which is a mounting table on which the substrate S can be mounted, is provided. The susceptor 105 that is also a lower electrode includes a base material 107. The base material 107 is formed of a conductive material such as aluminum or stainless steel (SUS). The base material 107 is disposed on the insulating member 104, and a sealing member 113 such as an O-ring is provided at a joint portion between the two members to maintain airtightness. Airtightness is also maintained between the insulating member 104 and the bottom wall 101a of the processing vessel 101 by a sealing member 114 such as an O-ring. The outer periphery of the side portion of the base material 107 is surrounded by an insulating member 117. Thereby, the insulation of the side surface of the susceptor 105 is ensured, and abnormal discharge during the plasma processing is prevented.

サセプタ１０５の上方には、このサセプタ１０５と平行に、かつ対向して上部電極として機能するシャワーヘッド１３１が設けられている。シャワーヘッド１３１は処理容器１０１の上部の蓋体１０１ｃに支持されている。シャワーヘッド１３１は中空状をなし、その内部には、ガス拡散空間１３３が設けられている。また、シャワーヘッド１３１の下面（サセプタ１０５との対向面）には、処理ガスを吐出する複数のガス吐出孔１３５が形成されている。このシャワーヘッド１３１は接地されており、サセプタ１０５とともに一対の平行平板電極を構成している。   Above the susceptor 105, a shower head 131 that functions as an upper electrode is provided in parallel to and opposite to the susceptor 105. The shower head 131 is supported by a lid body 101 c at the top of the processing container 101. The shower head 131 has a hollow shape, and a gas diffusion space 133 is provided therein. In addition, a plurality of gas discharge holes 135 for discharging a processing gas are formed on the lower surface of the shower head 131 (the surface facing the susceptor 105). The shower head 131 is grounded and constitutes a pair of parallel plate electrodes together with the susceptor 105.

シャワーヘッド１３１の上部中央付近には、ガス導入口１３７が設けられている。このガス導入口１３７には、処理ガス供給管１３９が接続されている。この処理ガス供給管１３９には、２つのバルブ１４１，１４１およびマスフローコントローラ１４３を介して、エッチングのための処理ガスを供給するガス供給源１４５が接続されている。処理ガスとしては、例えばハロゲン系ガスやＯ２ガスのほか、Ａｒガス等の希ガスなどを用いることができる。 A gas inlet 137 is provided near the upper center of the shower head 131. A processing gas supply pipe 139 is connected to the gas inlet 137. A gas supply source 145 for supplying a processing gas for etching is connected to the processing gas supply pipe 139 via two valves 141 and 141 and a mass flow controller 143. As the processing gas, for example, a rare gas such as Ar gas can be used in addition to a halogen-based gas or O 2 gas.

前記処理容器１０１内の４隅に近い位置には、底壁１０１ａに貫通開口部としての排気用開口１５１が４箇所形成されている。各排気用開口１５１には、排気管１５３が接続されている。排気管１５３は、その端部にフランジ部１５３ａを有しており、このフランジ部１５３ａと底壁１０１ａとの間にＯリング（図示省略）を介在させた状態で固定されている。排気管１５３は、排気装置１５５に接続されている。排気装置１５５は、例えばターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、これにより処理容器１０１内を所定の減圧雰囲気まで真空引きすることが可能に構成されている。   At positions close to the four corners in the processing container 101, four exhaust openings 151 as through openings are formed in the bottom wall 101a. An exhaust pipe 153 is connected to each exhaust opening 151. The exhaust pipe 153 has a flange portion 153a at an end thereof, and is fixed with an O-ring (not shown) interposed between the flange portion 153a and the bottom wall 101a. The exhaust pipe 153 is connected to the exhaust device 155. The exhaust device 155 includes a vacuum pump such as a turbo molecular pump, for example, and is configured so that the inside of the processing vessel 101 can be evacuated to a predetermined reduced pressure atmosphere.

また、処理容器１０１の側壁１０１ｂ１には、貫通開口部としての基板搬送用開口１６１が設けられている。この基板搬送用開口１６１は、ゲートバルブ１６２によって開閉され、基板Ｓを隣接する搬送室（図示省略）との間で搬送できるようになっている。ゲートバルブ１６２は、側壁１０１ｂ１との間に第１のシール部材であるＯリング１６３を介在させた状態で、螺子等の固定手段を用いて側壁１０１ｂ１に固定されている。 Further, the side wall 101b 1 of the processing chamber 101, an opening 161 is provided for the substrate transport as through openings. The substrate transfer opening 161 is opened and closed by a gate valve 162 so that the substrate S can be transferred to and from an adjacent transfer chamber (not shown). The gate valve 162, while interposing an O-ring 163 is a first sealing member between the side wall 101b 1, is fixed to the side wall 101b 1 by using fixing means such as screws.

また、処理容器１０１の側壁１０１ｂ２には、貫通開口部としての窓用開口１６４が設けられている。窓用開口１６４には、窓枠１６５に嵌め込まれた透明な石英板１６６が装着されている。窓枠１６５は、側壁１０１ｂ２との間に第１のシール部材であるＯリング１６７を介在させた状態で、螺子等の固定手段を用いて側壁１０１ｂ２に固定されている。 Further, the side wall 101b 2 of the processing chamber 101, an opening 164 is provided for a window of a through-opening. A transparent quartz plate 166 fitted into the window frame 165 is attached to the window opening 164. Window frame 165, while interposing an O-ring 167 is a first sealing member between the side wall 101b 2, is fixed to the side wall 101b 2 with a fixing means such as screws.

サセプタ１０５の基材１０７には、給電線１７１が接続されている。この給電線１７１には、マッチングボックス（Ｍ．Ｂ．）１７３を介して高周波電源１７５が接続されている。これにより、高周波電源１７５から例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が、下部電極としてのサセプタ１０５に供給される。なお、給電線１７１は、底壁１０１ａに形成された貫通開口部としての給電用開口１７７を介して処理容器１０１内に導入されている。   A power supply line 171 is connected to the base material 107 of the susceptor 105. A high frequency power source 175 is connected to the feeder line 171 via a matching box (MB) 173. Thereby, for example, high frequency power of 13.56 MHz is supplied from the high frequency power source 175 to the susceptor 105 as the lower electrode. The power supply line 171 is introduced into the processing container 101 through a power supply opening 177 as a through opening formed in the bottom wall 101a.

次に、以上のように構成されるプラズマエッチング装置２００における処理動作について説明する。まず、ゲートバルブ１６２が開放された状態で、被処理体である基板Ｓが、図示しない搬送装置のフォークによって基板搬送用開口１６１を介して処理容器１０１内へと搬入され、サセプタ１０５へ受渡される。その後、ゲートバルブ１６２が閉じられ、排気装置１５５によって、処理容器１０１内が所定の真空度まで真空引きされる。   Next, the processing operation in the plasma etching apparatus 200 configured as described above will be described. First, in a state where the gate valve 162 is opened, the substrate S, which is an object to be processed, is carried into the processing container 101 through the substrate transfer opening 161 by a fork of a transfer device (not shown) and delivered to the susceptor 105. The Thereafter, the gate valve 162 is closed, and the inside of the processing vessel 101 is evacuated to a predetermined degree of vacuum by the exhaust device 155.

次に、バルブ１４１を開放して、処理ガスをガス供給源１４５から処理ガス供給管１３９、ガス導入口１３７を介してシャワーヘッド１３１のガス拡散空間１３３へ導入する。この際、マスフローコントローラ１４３によって処理ガスの流量制御が行われる。ガス拡散空間１３３に導入された処理ガスは、さらに複数の吐出孔１３５を介してサセプタ１０５上に載置された基板Ｓに対して均一に吐出され、処理容器１０１内の圧力が所定の値に維持される。   Next, the valve 141 is opened, and the processing gas is introduced from the gas supply source 145 into the gas diffusion space 133 of the shower head 131 through the processing gas supply pipe 139 and the gas introduction port 137. At this time, the flow rate of the processing gas is controlled by the mass flow controller 143. The processing gas introduced into the gas diffusion space 133 is further uniformly discharged to the substrate S placed on the susceptor 105 through the plurality of discharge holes 135, and the pressure in the processing container 101 becomes a predetermined value. Maintained.

この状態で高周波電源１７５から高周波電力がマッチングボックス１７３を介してサセプタ１０５に印加される。これにより、下部電極としてのサセプタ１０５と上部電極としてのシャワーヘッド１３１との間に高周波電界が生じ、処理ガスが解離してプラズマ化する。このプラズマにより、基板Ｓにエッチング処理が施される。   In this state, high frequency power is applied from the high frequency power supply 175 to the susceptor 105 via the matching box 173. As a result, a high-frequency electric field is generated between the susceptor 105 as the lower electrode and the shower head 131 as the upper electrode, and the processing gas is dissociated into plasma. The substrate S is etched by this plasma.

エッチング処理を施した後、高周波電源１７５からの高周波電力の印加を停止し、ガス導入を停止した後、処理容器１０１内を所定の圧力まで減圧する。次に、ゲートバルブ１６２を開放し、サセプタ１０５から図示しない搬送装置のフォークに基板Ｓを受け渡し、処理容器１０１の基板搬送用開口１６１から基板Ｓを搬出する。以上の操作により、基板Ｓに対するプラズマエッチング処理が終了する。   After performing the etching process, the application of the high frequency power from the high frequency power source 175 is stopped, the gas introduction is stopped, and then the inside of the processing container 101 is decompressed to a predetermined pressure. Next, the gate valve 162 is opened, the substrate S is transferred from the susceptor 105 to a fork of a transfer device (not shown), and the substrate S is transferred from the substrate transfer opening 161 of the processing container 101. With the above operation, the plasma etching process for the substrate S is completed.

プラズマエッチング装置２００内で行われるプラズマエッチング処理では、処理容器１０１内で生成されるプラズマや、ガス供給源１４５から供給されるハロゲン系の腐食性ガスから処理容器１０１の内面を保護する必要がある。このため、プラズマエッチング装置２００を組み立てる前の処理容器１０１に対して陽極酸化処理が施され、処理容器１０１の内面に酸化被膜が形成されている。処理容器１０１は、大型のＦＰＤ用の基板Ｓを処理するための大型容器であり、その全体を電解液に浸漬して陽極酸化処理を行うためには、さらに大型の電解液槽を用いなければならないという問題があった。   In the plasma etching process performed in the plasma etching apparatus 200, it is necessary to protect the inner surface of the processing container 101 from plasma generated in the processing container 101 and halogen-based corrosive gas supplied from the gas supply source 145. . For this reason, the anodizing process is performed on the processing container 101 before the plasma etching apparatus 200 is assembled, and an oxide film is formed on the inner surface of the processing container 101. The processing container 101 is a large container for processing a large FPD substrate S. In order to perform anodization by immersing the entire substrate in an electrolytic solution, a larger electrolytic solution tank must be used. There was a problem of not becoming.

上記問題は、処理容器１０１内に電解液を注入して、処理容器１０１自体を電解液槽として利用することによって解決できる。しかし、処理容器１０１は、上記のように複数の貫通開口部（排気用開口１５１、基板搬送用開口１６１、窓用開口１６４、給電用開口１７７）を有しているため、陽極酸化処理に使用する電解液が外部に漏れ出さないように、これらの貫通開口部を封止して陽極酸化処理を行う必要がある。このため、本実施の形態では、以下に説明する方法で陽極酸化処理を行う。   The above problem can be solved by injecting an electrolytic solution into the processing container 101 and using the processing container 101 itself as an electrolytic solution tank. However, since the processing container 101 has a plurality of through openings (exhaust opening 151, substrate transfer opening 161, window opening 164, power supply opening 177) as described above, it is used for anodizing treatment. It is necessary to seal these through-openings and perform anodization so that the electrolyte to be discharged does not leak outside. For this reason, in this Embodiment, an anodizing process is performed by the method demonstrated below.

図２は、底壁１０１ａと４方の側壁１０１ｂ（側壁１０１ｂ１および１０１ｂ２の二つのみ図示）により構成された処理容器１０１内に、直接電解液Ｅを入れて陽極酸化処理を行っている状態を模式的に説明する図面である。前記のとおり、底壁１０１ａの中央には給電用開口１７７が形成され、さらにその周囲に４つの排気用開口１５１（２つのみ図示）が形成されている。また、片方の側壁１０１ｂ１には、基板搬送用開口１６１が形成されている。側壁１０１ｂ１に対向して設けられた他方の側壁１０１ｂ２には、処理容器１０１内を観察するための窓用開口１６４が形成されている。そして、各貫通開口部には、それぞれ蓋部材が装着されて封止されている。すなわち、給電用開口１７７には、蓋部材２１１が装着されている。４つの排気用開口１５１には、それぞれ蓋部材２２１が装着されている。また、基板搬送用開口１６１には、蓋部材２３１が装着されている。さらに、窓用開口１６４には、蓋部材２４１が装着されている。また、側壁１０１ｂの上端には、補助壁２５１が設けられている。 2, the bottom wall 101a and configured processing chamber 101 by the four sides of the side wall 101b (shown only two side walls 101b 1 and 101b 2), is carried out anodizing put directly electrolyte E It is drawing explaining a state typically. As described above, the feeding opening 177 is formed in the center of the bottom wall 101a, and four exhaust openings 151 (only two are shown) are formed around the opening. Further, the side wall 101b 1 of the one substrate transport opening 161 is formed. A window opening 164 for observing the inside of the processing container 101 is formed in the other side wall 101b 2 provided to face the side wall 101b 1 . A lid member is attached to each through opening and sealed. That is, the lid member 211 is attached to the power supply opening 177. A lid member 221 is attached to each of the four exhaust openings 151. A lid member 231 is attached to the substrate transfer opening 161. Further, a lid member 241 is attached to the window opening 164. An auxiliary wall 251 is provided at the upper end of the side wall 101b.

処理容器１０１内には、４つの側壁１０１ｂの内壁面と略平行になるように、陰極プレート４０１が配備されている（３つのみ図示）。また、処理容器１０１の底壁１０１ａの近傍には、その底壁１０１ａの内壁面と平行になるように、陰極プレート４０３が配備されている。各陰極プレート４０１，４０３には、それぞれ給電線４０５が接続されている。給電線４０５の他端側は、電源４０７を介して陽極としての処理容器１０１の本体に接続されている。   In the processing vessel 101, cathode plates 401 are arranged so as to be substantially parallel to the inner wall surfaces of the four side walls 101b (only three are shown). Further, a cathode plate 403 is disposed in the vicinity of the bottom wall 101a of the processing container 101 so as to be parallel to the inner wall surface of the bottom wall 101a. A power supply line 405 is connected to each of the cathode plates 401 and 403. The other end side of the power supply line 405 is connected to the main body of the processing container 101 as an anode via a power source 407.

また、処理容器１０１には、電解液Ｅを吸入する吸入部５０１と、電解液Ｅを噴出する噴出部５０３と、ポンプ５０５とを有する液循環機構５０７が配備されている。この液循環機構５０７のポンプ５０５を作動させることによって、電解液Ｅを循環させて処理容器１０１内で攪拌できるように構成されている。   Further, the processing container 101 is provided with a liquid circulation mechanism 507 having a suction part 501 for sucking the electrolyte E, a jet part 503 for jetting the electrolyte E, and a pump 505. By operating the pump 505 of the liquid circulation mechanism 507, the electrolytic solution E can be circulated and stirred in the processing vessel 101.

陽極酸化処理は、陰極プレート４０１，４０３を配置した処理容器１０１内に電解液Ｅを入れ、液循環機構５０７で電解液Ｅを循環させながら直流電源４０７によって陰極プレート４０１，４０３と陽極としての処理容器１０１との間に所定の電流密度で電流を流すことにより行うことができる。なお、陽極酸化処理における電解液Ｅの種類、処理温度、電流密度などの条件は、適宜設定することが可能である。   In the anodic oxidation treatment, the electrolytic solution E is placed in the processing vessel 101 in which the cathode plates 401 and 403 are arranged, and the electrolytic solution E is circulated by the liquid circulation mechanism 507 while the cathode plates 401 and 403 and the anode are treated by the DC power source 407. This can be performed by flowing a current between the container 101 and the container 101 at a predetermined current density. In addition, conditions, such as the kind of the electrolyte solution E in an anodizing process, process temperature, and a current density, can be set suitably.

次に、側壁１０１ｂ２に装着された蓋部材２４１を例に挙げて、蓋部材の構成と作用について詳細に説明する。図３は窓用開口１６４と蓋部材２４１の接合部分の拡大図を示したものである。側壁１０１ｂ２の窓用開口１６４は、処理容器１０１の外側から蓋部材２４１により封止されている。蓋部材２４１は、例えばアルミニウム、チタン等の材質で構成され、図示しない螺子等の固定手段で側壁１０１ｂ２に固定されている。 Next, taking the lid member 241 mounted on the side wall 101b 2 as an example, the configuration and operation of the lid member will be described in detail. FIG. 3 is an enlarged view of a joint portion between the window opening 164 and the lid member 241. The window opening 164 in the side wall 101b 2 is sealed from the outside of the processing container 101 by a lid member 241. The lid member 241, for example, aluminum, is composed of a material such as titanium, is fixed to the side wall 101b 2 with fixing means such as screws (not shown).

蓋部材２４１は、本体２４１ａと、この本体２４１ａに対して垂直に設けられた枠状壁２４１ｂとを備えた浅い箱形をしており、その断面はコの字形をなしている。蓋部材２４１の枠状壁２４１ｂの端部は、窓用開口１６４の形状に合わせて矩形をなしており、かつ窓用開口１６４よりも大きく形成されている。蓋部材２４１は、本体２４１ａと枠状壁２４１ｂとによって窓用開口１６４の面積より大きな開口面積を持つ凹部を有している。この凹部は、窓用開口１６４を介して処理容器１０１の内部と連通しており、蓋部材２４１を側壁１０１ｂ２に装着した状態で電解液Ｅを流入させる電解液流入部２４３を形成している。 The lid member 241 has a shallow box shape including a main body 241a and a frame-like wall 241b provided perpendicular to the main body 241a, and has a U-shaped cross section. The end of the frame-like wall 241 b of the lid member 241 has a rectangular shape that matches the shape of the window opening 164 and is larger than the window opening 164. The lid member 241 has a recess having an opening area larger than the area of the window opening 164 by the main body 241a and the frame-like wall 241b. The recess is in communication with the interior of the processing chamber 101 through the window opening 164, to form an electrolyte inlet 243 for flowing electrolyte E in a state of mounting the lid member 241 on the side wall 101b 2 .

蓋部材２４１の枠状壁２４１ｂは、第２のシール部材としてのＯリング２０３を介して側壁１０１ｂ２に当接されている。従って、蓋部材２４１と側壁１０１ｂ２との当接部位は、電解液流入部２４３に電解液Ｅが充満した状態でも電解液Ｅの漏出が生じないようにシールされている。なお、第２のシール部材としては、Ｏリングに限らず、例えばシールテープ等を用いることも可能である（他の蓋部材２１１，２２１，２３１についても同様である）。 Frame-shaped wall 241b of the cover member 241 is in contact with the side wall 101b 2 via the O-ring 203 as a second seal member. Thus, contact portions between the cover member 241 and the side wall 101b 2 is electrolyte leakage E even when the electrolyte E is filled into the electrolyte inlet 243 is sealed so as not to cause. The second seal member is not limited to the O-ring, and for example, a seal tape or the like can be used (the same applies to the other lid members 211, 221, and 231).

側壁１０１ｂ２の窓用開口１６４の周囲には、窓用開口１６４に窓枠１６５（図１参照）を装着する際に気密性を維持する目的でＯリング１６７を配設するためのＯリング配設用溝３０１が形成されている。蓋部材２４１の枠状壁２４１ｂは、このＯリング配設用溝３０１を外側から囲むように、その外周側に当接されている。 An O-ring arrangement is provided around the window opening 164 of the side wall 101b 2 to provide an O-ring 167 for the purpose of maintaining airtightness when the window frame 165 (see FIG. 1) is attached to the window opening 164. An installation groove 301 is formed. The frame-like wall 241b of the lid member 241 is in contact with the outer peripheral side so as to surround the O-ring disposing groove 301 from the outside.

図４は、側壁１０１ｂ２の窓用開口１６４と、Ｏリング配設用溝３０１と、蓋部材２４１の枠状壁２４１ｂがＯリング２０３を介して側壁１０１ｂ２に当接する当接部位２０３ａと、の位置関係を示している。図４中、網掛けで示す領域Ｒは、処理容器１０１の外壁面でありながら、窓用開口１６４を介して外壁面側に廻り込んだプラズマや腐食性ガスに曝される領域である。 FIG. 4 illustrates a window opening 164 in the side wall 101b 2 , an O-ring disposition groove 301, a contact portion 203 a where the frame-like wall 241 b of the lid member 241 contacts the side wall 101 b 2 via the O-ring 203, The positional relationship is shown. In FIG. 4, a region R indicated by hatching is a region exposed to the plasma or corrosive gas that wraps around the outer wall surface through the window opening 164 while being the outer wall surface of the processing vessel 101.

図４に示したように、本実施の形態では、蓋部材２４１の枠状壁２４１ｂの当接部位２０３ａを、第１のシール部材の配設予定位置であるＯリング配設用溝３０１よりも外側に形成している。これにより、側壁１０１ｂ２の外壁において、Ｏリング配設用溝３０１の位置よりも外側まで電解液Ｅを到達させることが可能になる。従って、網掛けで示す領域Ｒは確実に電解液Ｅで浸すことができる。従って、網掛けで示す領域Ｒを含めてＯリング配設用溝３０１の位置まで確実に陽極酸化処理を施すことができる。なお、図２から図４では、側壁１０１ｂ２にＯリング配設用溝３０１が形成されている場合を例に挙げたが、窓枠１６５（図１参照）の側にＯリング配設用の溝を形成しておくこともできる。その場合にも、枠状壁２４１ｂがＯリング１６７の当接予定位置の外側に配置されるようにすればよい。 As shown in FIG. 4, in the present embodiment, the contact portion 203a of the frame-like wall 241b of the lid member 241 is positioned more than the O-ring disposition groove 301 which is the position where the first seal member is disposed. It is formed on the outside. Thus, in the outer wall of the side wall 101b 2, it is possible to reach the electrolyte E to the outside than the position of the O-ring arranging groove 301. Therefore, the area R indicated by hatching can be surely immersed in the electrolytic solution E. Therefore, it is possible to reliably perform the anodic oxidation treatment up to the position of the O-ring disposing groove 301 including the region R indicated by shading. In FIGS. 2-4, has been mentioned the case in which is formed an O-ring arranging groove 301 on the side wall 101b 2 as an example, on the side of the window frame 165 (see FIG. 1) of the O-ring arrangement設用A groove can also be formed. Even in such a case, the frame-like wall 241b may be disposed outside the expected contact position of the O-ring 167.

また、図２から図４では、側壁１０１ｂ２に装着した蓋部材２４１を例に挙げて説明したが、底壁１０１ａの給電用開口１７７や排気用開口１５１、側壁１０１ｂ１の基板搬送用開口１６１をそれぞれ封止する蓋部材２１１，２２１，２３１の取付構造およびその作用についても上記と同様である。 2 to 4, the lid member 241 mounted on the side wall 101b 2 is described as an example. However, the power supply opening 177 and the exhaust opening 151 of the bottom wall 101a, and the substrate transfer opening 161 of the side wall 101b 1 are described. The attachment structure of lid members 211, 221, and 231 and the operation thereof are the same as described above.

すなわち、図２に示したように、給電用開口１７７を封止する蓋部材２１１は、第２のシール部材としてのＯリング２０５を介して底壁１０１ａに装着され、電解液Ｅの漏出を防いでいる。なお、給電用開口１７７の周囲では、第１のシール部材としてのシール部材１１４（Ｏリング）により、絶縁部材１０４と処理容器１０１の底壁１０１ａの内壁面との間で気密性を確保できる構造になっており（図１参照）、給電用開口１７７の周囲の外壁面にはプラズマや腐食性ガスが廻り込むことがないため、第１のシール部材(Ｏリング)を配備するための溝は設けられていない。   That is, as shown in FIG. 2, the lid member 211 that seals the power supply opening 177 is attached to the bottom wall 101a via the O-ring 205 as the second seal member to prevent the electrolyte E from leaking out. It is out. In addition, around the power supply opening 177, a structure that can ensure airtightness between the insulating member 104 and the inner wall surface of the bottom wall 101a of the processing vessel 101 by a seal member 114 (O-ring) as a first seal member. (See FIG. 1), and plasma and corrosive gas do not enter the outer wall surface around the power supply opening 177, so the groove for installing the first seal member (O-ring) is Not provided.

また、排気用開口１５１を封止する蓋部材２２１は、第２のシール部材としてのＯリング２０７を介して底壁１０１ａに装着され、電解液Ｅの漏出を防いでいる。この場合、Ｏリング２０７は、排気管１５３のフランジ部１５３ａと底壁１０１ａとの間に介在させる第１のシール部材としてのＯリング（図示省略）を配設する予定位置であるＯリング配設用溝３０３よりも外側に配備されている。従って、Ｏリング配設用溝３０３の位置まで電解液Ｅを到達させて確実に陽極酸化処理を施すことができる。   A lid member 221 that seals the exhaust opening 151 is attached to the bottom wall 101a via an O-ring 207 as a second seal member to prevent the electrolyte E from leaking out. In this case, the O-ring 207 is an O-ring arrangement that is a planned position for arranging an O-ring (not shown) as a first seal member interposed between the flange portion 153a of the exhaust pipe 153 and the bottom wall 101a. It is arranged outside the groove 303 for use. Therefore, the electrolytic solution E can reach the position of the O-ring disposition groove 303 and the anodic oxidation treatment can be reliably performed.

また、基板搬送用開口１６１を封止する蓋部材２３１は、第２のシール部材としてのＯリング２０９を介して側壁１０１ｂ１に装着され、電解液Ｅの漏出を防いでいる。この場合、Ｏリング２０９は、ゲートバルブ１６２と側壁１０１ｂ１との間に介在させる第１のシール部材としてのＯリング（図示省略）を配設する予定位置であるＯリング配設用溝３０５よりも外側に配備されている。従って、Ｏリング配設用溝３０５の位置まで電解液Ｅを到達させて確実に陽極酸化処理を施すことができる。 The lid member 231 for sealing the substrate transfer opening 161 is mounted on the side wall 101b 1 through the O-ring 209 as a second sealing member, thereby preventing leakage of electrolyte E. In this case, the O-ring 209, from the O-ring arranging groove 305 is scheduled position to dispose the O-ring as a first sealing member to be interposed (not shown) between the gate valve 162 and the side wall 101b 1 Is also deployed on the outside. Therefore, the electrolytic solution E can reach the position of the O-ring disposing groove 305 and the anodic oxidation treatment can be reliably performed.

次に、再び図２および図３を参照しながら、４つの側壁１０１ｂの上端に配設された補助壁２５１の構成と作用について説明する。補助壁２５１は、断面Ｌ字形の枠体として形成されている。補助壁２５１は、例えばアルミニウム、チタン等の材質により構成され、側壁１０１ｂの上端に図示しない螺子等の固定手段で固定されている。補助壁２５１は、Ｏリング２５３を介して側壁１０１ｂの上端に固定されている。従って、補助壁２５１と側壁１０１ｂとの当接部位は、電解液Ｅの漏出が生じないようにシールされている。   Next, the configuration and operation of the auxiliary wall 251 provided at the upper ends of the four side walls 101b will be described with reference to FIGS. 2 and 3 again. The auxiliary wall 251 is formed as a frame having an L-shaped cross section. The auxiliary wall 251 is made of, for example, a material such as aluminum or titanium, and is fixed to the upper end of the side wall 101b by a fixing means such as a screw (not shown). The auxiliary wall 251 is fixed to the upper end of the side wall 101b through an O-ring 253. Therefore, the contact portion between the auxiliary wall 251 and the side wall 101b is sealed so that leakage of the electrolyte E does not occur.

補助壁２５１は、処理容器１０１の側壁１０１ｂの上端を超えて電解液Ｅを貯留した場合に、電解液Ｅが流出しない程度の十分な高さＨをもって形成されている。補助壁２５１を設けることにより、電解液Ｅの液面が側壁１０１ｂの上端を超える高さ位置まで、処理容器１０１内に電解液Ｅを注入することができる。液面が補助壁２５１に達する高さまで電解液Ｅを注入して陽極酸化処理を行うことにより、側壁１０１ｂの頂部にも酸化被膜を形成できる。   The auxiliary wall 251 is formed with a sufficient height H such that the electrolytic solution E does not flow out when the electrolytic solution E is stored beyond the upper end of the side wall 101b of the processing vessel 101. By providing the auxiliary wall 251, the electrolytic solution E can be injected into the processing vessel 101 to a height position where the liquid level of the electrolytic solution E exceeds the upper end of the side wall 101b. By injecting the electrolytic solution E to the height where the liquid level reaches the auxiliary wall 251 and performing anodizing treatment, an oxide film can also be formed on the top of the side wall 101b.

側壁１０１ｂの上端には、第３のシール部材としてのＯリング１０３を配設するためのＯリング配設用溝３０７が形成されている。Ｏリング１０３は、前記のとおり蓋体１０１ｃを閉じた状態で蓋体１０１ｃと各側壁１０１ｂとの接合部分の気密性を維持するものである（図１参照）。蓋体１０１ｃと側壁１０１ｂとの接合境界には僅かな隙間が形成されるため、その隙間にＯリング１０３の配設位置までプラズマや腐食性ガスが進入して側壁１０１ｂの上端面が劣化する場合がある。本実施の形態においては、補助壁２５１は、このＯリング配設用溝３０７を囲むようにその外周側に設けられている。つまり、補助壁２５１をＯリング１０３の配設予定位置であるＯリング配設用溝３０７よりも外側に配置している。かかる配置により、Ｏリング配設用溝３０７の位置まで確実に電解液Ｅで浸すことが可能になり、Ｏリング配設用溝３０７の位置まで確実に陽極酸化処理を施すことができる。このようにして、蓋体１０１ｃと側壁１０１ｂとの接合境界におけるプラズマエロージョン耐性および耐食性を向上させることができる。   An O-ring disposing groove 307 for disposing an O-ring 103 as a third seal member is formed at the upper end of the side wall 101b. As described above, the O-ring 103 maintains the airtightness of the joint portion between the lid 101c and each side wall 101b with the lid 101c closed (see FIG. 1). Since a slight gap is formed at the joining boundary between the lid 101c and the side wall 101b, the upper end surface of the side wall 101b deteriorates due to plasma or corrosive gas entering the gap to the position where the O-ring 103 is disposed. There is. In the present embodiment, the auxiliary wall 251 is provided on the outer peripheral side so as to surround the O-ring disposing groove 307. That is, the auxiliary wall 251 is disposed outside the O-ring disposing groove 307 where the O-ring 103 is to be disposed. With this arrangement, it is possible to reliably immerse the electrolyte ring E up to the position of the O-ring arrangement groove 307, and to reliably perform the anodization treatment up to the position of the O-ring arrangement groove 307. In this way, plasma erosion resistance and corrosion resistance at the junction boundary between the lid 101c and the side wall 101b can be improved.

なお、図２および図３では、側壁１０１ｂの上端にＯリング配設用溝３０７が形成されている場合を例に挙げたが、蓋体１０１ｃの側にＯリング配設用の溝を形成しておくこともできる。その場合にも、補助壁２５１をＯリング１０３の当接予定位置の外側に配置するようにすればよい。   2 and 3 exemplify the case where the O-ring disposing groove 307 is formed at the upper end of the side wall 101b, but the O-ring disposing groove is formed on the lid 101c side. You can also keep it. Even in that case, the auxiliary wall 251 may be disposed outside the expected contact position of the O-ring 103.

本実施の形態の陽極酸化処理方法では、処理容器１０１の貫通開口部（給電用開口１７７、排気用開口１５１、基板搬送用開口１６１、窓用開口１６４）を封止する蓋部材２１１，２２１，２３１，２４１を、貫通開口部の外側から装着した状態で、処理容器１０１内に電解液Ｅを充填して陽極酸化処理を行う構成とした。このため、電解液槽を使用する必要がなくなるほか、貫通開口部からの電解液の漏出を確実に防止しながら陽極酸化処理を実施できる。従って、大型の処理容器１０１に対しても、安全かつ容易に陽極酸化処理を行うことができる。また、電解液槽を用いる場合に比べて、使用する電解液の量や電解液槽に関する設備費用を大幅に節減できる。   In the anodizing method of the present embodiment, lid members 211, 221 for sealing the through-openings (feeding opening 177, exhaust opening 151, substrate transfer opening 161, window opening 164) of the processing vessel 101 are provided. In the state where 231 and 241 are mounted from the outside of the through-opening portion, the processing vessel 101 is filled with the electrolytic solution E to perform anodization. For this reason, it is not necessary to use the electrolytic solution tank, and the anodizing treatment can be performed while reliably preventing leakage of the electrolytic solution from the through opening. Therefore, it is possible to safely and easily anodize the large processing container 101. Moreover, compared with the case where an electrolytic solution tank is used, the amount of electrolytic solution to be used and the equipment cost relating to the electrolytic solution tank can be greatly reduced.

また、本実施の形態の陽極酸化処理方法では、各貫通開口部の周囲の外壁面まで電解液Ｅで浸すことができるように蓋部材２１１，２２１，２３１，２４１を装着した。そのため、プラズマエッチング装置２００でプラズマエッチング処理を行う場合に、各貫通開口部を介してプラズマや腐食性ガスが廻り込みやすい外壁部分についても、陽極酸化処理を施すことができる。また、蓋部材２２１，２３１，２４１の大きさを調節することにより、第１のシール部材の配設予定部位（Ｏリング配設用溝３０３，３０５，３０１）の位置まで、確実に陽極酸化処理を行うことができる。   Further, in the anodizing method of the present embodiment, the lid members 211, 221, 231, 241 are mounted so that the outer wall surface around each through-opening can be immersed in the electrolytic solution E. Therefore, when the plasma etching process is performed by the plasma etching apparatus 200, the anodic oxidation process can be performed also on the outer wall portion where the plasma and the corrosive gas easily flow through each through opening. In addition, by adjusting the size of the cover members 221, 231, 241 to the position of the first seal member planned location (O-ring placement grooves 303, 305, 301), anodization is ensured. It can be performed.

また、本実施の形態の陽極酸化処理方法では、処理容器１０１の側壁１０１ｂの上端に補助壁２５１を配備し、該補助壁２５１の高さ位置まで電解液Ｅを注入して陽極酸化処理を行うようにした。これにより側壁１０１ｂの上端の高さ位置を超えて電解液Ｅを注入することが可能であり、側壁１０１ｂの上端面まで確実に陽極酸化処理を行うことができる。また、補助壁２５１は、側壁１０１ｂの上端面におけるＯリング配設用溝３０７を囲むようにその外側に配備した。従って、プラズマや腐食性ガスに曝される可能性がある側壁１０１ｂの上端面におけるＯリング配設用溝３０７の位置まで確実に陽極酸化処理を施すことができる。   In the anodizing method of the present embodiment, the auxiliary wall 251 is provided at the upper end of the side wall 101b of the processing vessel 101, and the electrolytic solution E is injected up to the height of the auxiliary wall 251 to perform the anodizing process. I did it. As a result, the electrolyte solution E can be injected beyond the height position of the upper end of the side wall 101b, and the anodic oxidation process can be reliably performed up to the upper end surface of the side wall 101b. Further, the auxiliary wall 251 is disposed outside the O-ring disposing groove 307 on the upper end surface of the side wall 101b. Therefore, the anodic oxidation treatment can be reliably performed up to the position of the O-ring disposing groove 307 on the upper end surface of the side wall 101b that may be exposed to plasma or corrosive gas.

なお、処理容器１０１の上部に接合される蓋体１０１ｃについても、以上で説明した方法と同様にして陽極酸化処理を施すことができる。   It should be noted that the lid 101c joined to the upper portion of the processing vessel 101 can be subjected to anodizing treatment in the same manner as described above.

［第２の実施の形態］
次に、図５を参照しながら、本発明の第２の実施の形態について説明する。図５は、窓用開口１６４付近の陰極の配設例を示す図面である。本実施の形態では、陰極としての陰極プレート４０１，４０３に加えて、窓用開口１６４の内部に挿入される小型の補助電極４０９を配設した。陰極である補助電極４０９は、窓用開口１６４を貫通して電解液流入部２４３まで挿入されている。図５では、上下１対の補助電極４０９を図示したが、左右（図５の紙面の手前側および奥側）にも同様に補助電極４０９を配置できる。 [Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a drawing showing an example of the arrangement of the cathode near the window opening 164. In the present embodiment, in addition to the cathode plates 401 and 403 serving as cathodes, a small auxiliary electrode 409 inserted into the window opening 164 is provided. The auxiliary electrode 409 serving as a cathode passes through the window opening 164 and is inserted to the electrolyte inflow portion 243. In FIG. 5, a pair of upper and lower auxiliary electrodes 409 are illustrated, but the auxiliary electrodes 409 can be similarly disposed on the left and right sides (the front side and the rear side of the sheet of FIG. 5).

補助電極４０９の形状は、例えば板状、棒状など適宜の形状とすることができるが、本実施の形態では、図５に示したように、長尺部分４０９ａと、そこから略直角に折曲して側壁１０１ｂ２の外壁面に対して平行な壁面対向部分４０９ｂとを有する断面Ｌ字形の板状とした。 The shape of the auxiliary electrode 409 can be an appropriate shape such as a plate shape or a rod shape, but in this embodiment, as shown in FIG. 5, the elongated portion 409a is bent at a substantially right angle therefrom. Thus, a plate shape having an L-shaped cross section having a wall facing portion 409b parallel to the outer wall surface of the side wall 101b 2 was formed.

このように、側壁１０１ｂに装着された蓋部材２４１によって形成された電解液流入部２４３に、陰極としての補助電極４０９を挿入・配置したことで、窓用開口１６４の内周部分１６４ａを含めて、窓用開口１６４の周囲に酸化皮膜を形成することができる。特に、外壁面に対して平行な壁面対向部分４０９ｂを有する補助電極４０９を用いることで、窓用開口１６４の周囲の外壁面に対しても確実に陽極酸化処理を施すことができる。   As described above, the auxiliary electrode 409 as the cathode is inserted and arranged in the electrolyte inflow portion 243 formed by the lid member 241 mounted on the side wall 101b, so that the inner peripheral portion 164a of the window opening 164 is included. An oxide film can be formed around the window opening 164. In particular, by using the auxiliary electrode 409 having the wall facing portion 409b parallel to the outer wall surface, the outer wall surface around the window opening 164 can be reliably anodized.

なお、図示および説明は省略するが、補助電極４０９は、窓用開口１６４だけでなく、処理容器１０１における他の貫通開口部（排気用開口１５１、基板搬送用開口１６１、給電用開口１７７）にも配設することが可能であり、その場合も上記と同様の効果が得られる。   Although not shown and described, the auxiliary electrode 409 is provided not only in the window opening 164 but also in other through openings (the exhaust opening 151, the substrate transfer opening 161, and the power supply opening 177) in the processing container 101. Can be provided, and in this case, the same effect as described above can be obtained.

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。   Other configurations, operations, and effects in the present embodiment are the same as those in the first embodiment.

以上、本発明の実施形態を述べたが、本発明は上記実施形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明の陽極酸化処理方法は、ＦＰＤ用基板を処理対象とする処理容器に限らず、例えば半導体ウエハを処理対象とする処理容器にも適用できる。また、プラズマエッチング装置の処理容器に限らず、例えばプラズマアッシング処理、プラズマＣＶＤ処理等の他のプラズマ処理を行う処理容器にも適用することができる。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not restrict | limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible. For example, the anodic oxidation processing method of the present invention is not limited to a processing container for processing an FPD substrate, but can be applied to a processing container for processing a semiconductor wafer, for example. Further, the present invention can be applied not only to a processing container of a plasma etching apparatus but also to a processing container that performs other plasma processing such as plasma ashing processing and plasma CVD processing.

また、上記実施の形態では、処理容器１０１の貫通開口部を封止する蓋部材２１１，２２１，２３１，２４１をすべての貫通開口部において外側から装着する構成とした。しかし、蓋部材を貫通開口部の内側から装着してもよい場合もある。例えば、図６に示したように、給電用開口１７７を封止するための蓋部材として、蓋部材２１１ａを処理容器１０１の内側に装着することも可能である。なお、この場合の蓋部材２１１ａは、図示の如く平板状であってもよい。給電用開口１７７の周囲では、第１のシール部材としてのシール部材１１４（Ｏリング）により絶縁部材１０４と処理容器１０１の底壁１０１ａの内壁面との間で気密性を確保できる構造になっている（図１参照）。このため、シール部材１１４を配備するためのＯリング配設用溝３０９の内側（つまり、給電用開口１７７とＯリング配設用溝３０９との間）に、第２のシール部材としてのＯリング２１０を介して蓋部材２１１ａを配備することにより、Ｏリング配設用溝３０９に確実に陽極酸化処理を施すことができる。   Moreover, in the said embodiment, it was set as the structure which mounts the cover members 211, 221, 231, 241 which seal the through-opening part of the processing container 101 from the outside in all the through-opening parts. However, the lid member may be mounted from the inside of the through opening. For example, as illustrated in FIG. 6, a lid member 211 a can be mounted inside the processing container 101 as a lid member for sealing the power supply opening 177. In this case, the lid member 211a may have a flat plate shape as illustrated. Around the power supply opening 177, a seal member 114 (O-ring) as a first seal member has a structure that can ensure airtightness between the insulating member 104 and the inner wall surface of the bottom wall 101a of the processing vessel 101. (See FIG. 1). For this reason, an O-ring as a second seal member is provided inside the O-ring disposing groove 309 for disposing the seal member 114 (that is, between the power supply opening 177 and the O-ring disposing groove 309). By providing the lid member 211 a via 210, the anodizing treatment can be reliably performed on the O-ring disposing groove 309.

プラズマエッチング装置の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of a plasma etching apparatus. 本発明の第１の実施の形態に係る陽極酸化処理方法について説明する図面である。It is drawing explaining the anodic oxidation processing method which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 側壁における蓋部材および補助壁の装着例を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the example of mounting | wearing with the cover member and auxiliary wall in a side wall. 窓用開口の周囲を拡大して示す図面である。It is drawing which expands and shows the circumference | surroundings of the opening for windows. 本発明の第２の実施の形態に係る陽極酸化処理方法における補助電極の配置例を説明する図面である。It is drawing explaining the example of arrangement | positioning of the auxiliary electrode in the anodic oxidation processing method which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 第１の実施の形態に係る陽極酸化処理方法の変形例の説明に供する図面である。It is drawing used for description of the modification of the anodic oxidation processing method which concerns on 1st Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１０１…処理容器、１０１ａ…底壁、１０１ｂ(１０１ｂ１，１０１ｂ２）…側壁、１０１ｃ…蓋体、１０５…サセプタ、１５１…排気用開口、１６１…基板搬送用開口、１６４…窓用開口、１７７…給電用開口、２０３，２０５，２０７，２０９，２１０…Ｏリング、２１１，２１１ａ，２２１，２３１，２４１…蓋部材、２５１…補助壁、３０１，３０３，３０５，３０７，３０９…Ｏリング配設用溝、４０１，４０３…陰極プレート、５０１…吸入部、５０３…噴出部、５０５…ポンプ、５０７…液循環機構 101 ... processing container, 101a ... bottom wall, 101b (101b 1, 101b 2 ) ... side wall, 101c ... lid, 105 ... susceptor, 151 ... exhaust opening, 161 ... substrate transfer opening, 164 ... window opening, 177 ... Power supply opening, 203, 205, 207, 209, 210 ... O-ring, 211, 211a, 221, 231, 241 ... Lid member, 251 ... Auxiliary wall, 301, 303, 305, 307, 309 ... O-ring arrangement Groove, 401, 403 ... cathode plate, 501 ... suction part, 503 ... ejection part, 505 ... pump, 507 ... liquid circulation mechanism

Claims (12)

上部が開口した箱形をなすとともに壁面に貫通開口部を有するプラズマ処理容器の表面を陽極酸化処理するプラズマ処理容器の陽極酸化処理方法であって、
前記貫通開口部の周囲の壁面には、前記プラズマ処理容器の内部を真空状態に維持するために配設される第１のシール部材の配設予定部位が設けられており、
前記プラズマ処理容器の前記貫通開口部に蓋部材を装着した状態で前記プラズマ処理容器内に電解液を充填し、前記配設予定部位を前記電解液に浸した状態で、
前記プラズマ処理容器の内部に陰極としての電極を配備するとともに、前記プラズマ処理容器を陽極として陽極酸化処理を行うことを特徴とするプラズマ処理容器の陽極酸化処理方法。 An anodizing method for a plasma processing container, wherein the surface of the plasma processing container having a box shape with an open top and a through-opening on a wall surface is anodized,
The wall surface around the through-opening portion is provided with a planned location of the first seal member that is disposed to maintain the inside of the plasma processing container in a vacuum state,
In the state where the plasma processing container is filled with an electrolytic solution in a state in which a lid member is attached to the through-opening portion of the plasma processing container ,
A method for anodizing a plasma processing vessel, comprising disposing an electrode as a cathode inside the plasma processing vessel and performing an anodizing treatment using the plasma processing vessel as an anode. 少なくとも一つの前記貫通開口部を囲むように、前記電解液の漏洩を防ぐ第２のシール部材を前記プラズマ処理容器の外壁面に当接させ、該第２のシール部材を介して前記蓋部材を前記プラズマ処理容器の外側に装着していることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理容器の陽極酸化処理方法。 A second seal member that prevents leakage of the electrolyte solution is brought into contact with the outer wall surface of the plasma processing container so as to surround at least one of the through-openings, and the lid member is interposed via the second seal member. The method for anodizing a plasma processing container according to claim 1 , wherein the anodizing method is attached to the outside of the plasma processing container. 前記第１のシール部材の配設予定部位は、前記貫通開口部の周囲の外壁面に設けられており、前記第１のシール部材の配設予定部位の周りを前記第２のシール部材で囲むように前記蓋部材を装着していることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理容器の陽極酸化処理方法。 The site where the first seal member is to be disposed is provided on the outer wall surface around the through-opening, and the region where the first seal member is to be disposed is surrounded by the second seal member. The method for anodizing a plasma processing container according to claim 2 , wherein the lid member is attached as described above. 少なくとも一つの前記貫通開口部を囲むように、前記電解液の漏洩を防ぐ第２のシール部材を前記プラズマ処理容器の内壁面に当接させ、該第２のシール部材を介して前記蓋部材を前記プラズマ処理容器の内部に装着していることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプラズマ処理容器の陽極酸化処理方法。 A second seal member that prevents leakage of the electrolyte solution is brought into contact with the inner wall surface of the plasma processing container so as to surround at least one of the through-openings, and the lid member is interposed via the second seal member. The method for anodizing a plasma processing container according to any one of claims 1 to 3 , wherein the method is installed inside the plasma processing container. 前記貫通開口部と前記第１のシール部材の配設予定部位との間に、前記第２のシール部材を当接させることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理容器の陽極酸化処理方法。 The method for anodizing a plasma processing container according to claim 4 , wherein the second seal member is brought into contact with the through-opening portion and a portion where the first seal member is to be disposed. . 上部が開口した箱形をなすとともに壁面に貫通開口部を有するプラズマ処理容器の表面を陽極酸化処理するプラズマ処理容器の陽極酸化処理方法であって、
前記プラズマ処理容器の前記貫通開口部に蓋部材を装着した状態で前記プラズマ処理容器内に電解液を充填し、
前記プラズマ処理容器の内部に陰極としての電極を配備するとともに、前記プラズマ処理容器を陽極とし、
少なくとも一つの前記貫通開口部において、前記蓋部材が外側から装着されることにより、該蓋部材によって前記プラズマ処理容器の外部に、内部と連通する電解液流入部が形成され、該電解液流入部に前記電解液を流入させることにより、前記プラズマ処理容器の前記貫通開口部の周囲の外壁面を前記電解液に浸した状態で陽極酸化処理を行うことを特徴とするプラズマ処理容器の陽極酸化処理方法。 An anodizing method for a plasma processing container, wherein the surface of the plasma processing container having a box shape with an open top and a through-opening on a wall surface is anodized,
Filling the plasma processing container with an electrolyte in a state where a lid member is attached to the through opening of the plasma processing container,
While arranging an electrode as a cathode inside the plasma processing container, the plasma processing container as an anode,
In at least one of the through openings, the lid member is attached from the outside, whereby an electrolyte inflow portion communicating with the inside is formed outside the plasma processing container by the lid member, and the electrolyte inflow portion An anodizing treatment for the plasma processing vessel, wherein the anodizing treatment is performed in a state where the outer wall surface around the through-opening portion of the plasma processing vessel is immersed in the electrolytic solution by causing the electrolyte solution to flow into Method. 前記蓋部材は、断面コの字形をなしていることを特徴とする請求項６に記載のプラズマ処理容器の陽極酸化処理方法。 The method for anodizing a plasma processing container according to claim 6 , wherein the lid member has a U-shaped cross section. 前記プラズマ処理容器の上部の前記開口を囲むように前記プラズマ処理容器の上端部に補助壁を配設し、前記電解液の水位が該補助壁に達するまで前記電解液を充填して陽極酸化処理を行うことを特徴とする請求項６又は請求項７のいずれか１項に記載のプラズマ処理容器の陽極酸化処理方法。 An auxiliary wall is disposed at the upper end of the plasma processing container so as to surround the opening at the upper part of the plasma processing container, and the electrolytic solution is filled until the water level of the electrolytic solution reaches the auxiliary wall, and an anodic oxidation treatment is performed. The method for anodizing a plasma processing container according to claim 6, wherein: 前記プラズマ処理容器の上端部には、前記プラズマ処理容器の内部を真空状態に維持するために配設される第３のシール部材の配設予定部位が設けられており、前記補助壁は、前記第３のシール部材の配設予定部位を囲むように外側に配設されていることを特徴とする請求項８に記載のプラズマ処理装置の陽極酸化処理方法。 The upper end portion of the plasma processing container is provided with a third sealing member to be disposed in order to maintain the inside of the plasma processing container in a vacuum state, and the auxiliary wall includes the auxiliary wall, 9. The anodizing method for a plasma processing apparatus according to claim 8 , wherein the anodic oxidation method is disposed outside so as to surround a portion where the third seal member is to be disposed. 前記電極は複数の平板状の電極によって形成されており、該平板状の電極を前記プラズマ処理容器の側壁および底壁の内面に対してそれぞれ平行に配置したことを特徴とする請求項６又は７に記載のプラズマ処理容器の陽極酸化処理方法。 The electrode is formed by a plurality of plate-like electrodes, according to claim 6 or 7, characterized in that arranged parallel to each tabular electrode against the inner surface of the side and bottom walls of said plasma processing chamber The anodizing method of the plasma processing container as described in 2. さらに、陰極として、前記プラズマ処理容器の貫通開口部から前記電解液流入部に挿入される補助電極を配備して陽極酸化処理を行うことを特徴とする請求項１０に記載のプラズマ処理容器の陽極酸化処理方法。 The anode of a plasma processing container according to claim 10 , further comprising an auxiliary electrode inserted into the electrolyte inflow portion from a through opening of the plasma processing container as a cathode to perform anodization. Oxidation method. 前記補助電極は、前記プラズマ処理容器の外壁面に平行に形成された対向部を有していることを特徴とする請求項１１に記載のプラズマ処理容器の陽極酸化処理方法。
The method for anodizing a plasma processing container according to claim 11 , wherein the auxiliary electrode has a facing portion formed in parallel to the outer wall surface of the plasma processing container.
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