KR101467618B1

KR101467618B1 - Processing container and plasma processing apparatus

Info

Publication number: KR101467618B1
Application number: KR1020110004189A
Authority: KR
Inventors: 도시히로 도조; 세이지 다나카; 신고 데구치
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2007-12-03
Filing date: 2011-01-14
Publication date: 2014-12-04
Also published as: JP5329072B2; TW200939378A; CN101452805B; KR20090057921A; KR20110011727A; JP2009140939A; TWI442500B; CN101452805A

Abstract

본 발명은 플라즈마 처리 장치에 있어서 처리 용기의 내면을 보호하는 보호 부재의 교환 작업이 용이해서, 부품 비용도 억제할 수 있는 처리 용기를 제공한다. 플라즈마 처리 장치의 처리 용기(101)에 있어서, 기판 반송용 개구(161)를 갖는 측벽(101b)의 내면은 보호 부재로서의 라이너(201a, 201b, 201c, 201d)에 의해 덮여 있다. 기판 반송용 개구(161)의 코너부(161a)에는 플라즈마가 집중하기 쉬워 소모가 심하기 때문에, 그 주위의 라이너(201a, 201c)를, 이것들에 비교해서 소모가 느린 라이너(201b, 201d)와 별도의 부재로 분리 가능하게 구성했다.An object of the present invention is to provide a processing container capable of easily replacing a protective member for protecting the inner surface of a processing vessel in a plasma processing apparatus and also capable of suppressing the cost of parts. In the processing vessel 101 of the plasma processing apparatus, the inner surface of the side wall 101b having the substrate transfer opening 161 is covered with liner 201a, 201b, 201c, 201d as protective members. Plasma is concentrated on the corner portion 161a of the substrate transfer opening 161 and is consumed extensively so that the liner 201a and 201c around the corner portion 161a are separated from the liner 201b and 201d, As shown in Fig.

Description

처리 용기 및 플라즈마 처리 장치{PROCESSING CONTAINER AND PLASMA PROCESSING APPARATUS}&Lt; Desc / Clms Page number 1 > PROCESSING CONTAINER AND PLASMA PROCESSING APPARATUS <

본 발명은 예를 들면 평판 디스플레이(FPD)용의 유리 기판 등의 피처리체에 대하여 플라즈마 처리를 실행할 때에 피처리체를 수용하는 처리 용기 및 상기 처리 용기를 구비한 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a processing container for accommodating an object to be processed when plasma processing is performed on an object to be processed such as a glass substrate for a flat panel display (FPD), and a plasma processing apparatus having the processing container.

액정 디스플레이(LCD)로 대표되는 FPD의 제조 과정에 있어서는, 진공하에서 유리 기판 등의 피처리체에 에칭, 성막 등의 각종 처리가 실시된다. 플라즈마를 이용해서 상기 처리를 실행하기 위해서, 진공 흡인 가능한 처리 용기를 구비한 플라즈마 처리 장치가 사용된다.In the process of manufacturing an FPD represented by a liquid crystal display (LCD), various treatments such as etching and film formation are performed on an object to be processed such as a glass substrate under vacuum. In order to perform the above-described processing using plasma, a plasma processing apparatus having a vacuum suctionable processing vessel is used.

플라즈마 처리 장치에서는, 플라즈마나 부식성 가스의 작용에 의해 금속제의 처리 용기의 내면이 손상을 받을 가능성이 있다. 이 때문에, 예를 들면 알루미늄제의 처리 용기 본체에는 양극 산화 처리(알루마이트 처리)가 실시되어 있다. 또한, 처리 용기 본체의 손상을 막기 위해서, 처리 용기의 내벽면에 보호 부재(라이너)를 배치하는 것도 행하여지고 있다. 라이너에 관한 기술로서, 예를 들면 특허문헌 1에서는, 처리 용기에 형성된 반송구의 내벽면을 따라서 착탈 가능한 라이너 부재를 배치하는 것이 제안되어 있다.In the plasma processing apparatus, there is a possibility that the inner surface of the processing vessel made of metal is damaged by the action of plasma or corrosive gas. For this reason, for example, a processing vessel body made of aluminum is subjected to anodizing treatment (alumite treatment). Further, in order to prevent damage to the processing container main body, a protective member (liner) is disposed on the inner wall surface of the processing container. As a technique relating to a liner, for example, in Patent Document 1, it has been proposed to dispose a liner member detachable along the inner wall surface of a transporting port formed in a process container.

그러나, 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내부에 있어서는, 플라즈마의 분포나 가스류가 편재한다. 이 때문에, 처리 용기 내부로 플라즈마나 가스 흐름이 집중하기 쉬운 장소에서는, 플라즈마나 부식성 가스의 작용에 의해 라이너가 국소적으로 격렬하게 소모한다. 이러한 국소적인 소모가 일어나면, 라이너의 수명이 줄어들고, 단기간에 라이너를 교환하지 않으면 안되었다.However, in the processing vessel of the plasma processing apparatus, the plasma distribution and the gas flow are unevenly distributed. Therefore, in a place where plasma or gas flow is likely to concentrate in the processing vessel, the liner is locally and vigorously consumed by the action of plasma or corrosive gas. When this local depletion occurs, the life of the liner is reduced and the liner has to be replaced in a short period of time.

국제공개공보 제 WO 2002/29877 호International Publication No. WO 2002/29877

최근, FPD용의 기판에 대해 대형화의 요구가 강해지고 있고, 한 변이 2m를 초과하는 거대한 기판을 처리 대상으로 하는 경우도 있다. 기판의 대형화에 대응해서 처리 용기도 대형화하고 있다. 이렇게 대형의 처리 용기를 보호하기 위해서, 라이너도 대형화하고 있다. 대형의 라이너에 국소적인 소모가 진행했을 경우, 짧은 사이클에 라이너 전체를 교환할 필요가 있었다. 이 때문에, 작업 시간과 라이너에 대한 부품 비용이 증대하고, 큰 부담이 되고 있다.In recent years, there has been a strong demand for a large-sized substrate for an FPD substrate. In some cases, a large substrate having more than 2 m in one side is to be treated. In response to the increase in the size of the substrate, the processing vessel is also becoming larger. In order to protect such a large processing vessel, the liner is also becoming larger. When the large-sized liner was locally consumed, it was necessary to replace the entire liner in a short cycle. Therefore, the working time and the parts cost for the liner increase, which is a great burden.

본 발명은 상기 실정을 감안하여 이뤄진 것으로서, 플라즈마 처리 장치에 있어서 처리 용기의 내면을 보호하는 보호 부재의 교환 작업이 용이하고, 부품 비용도 억제할 수 있는 처리 용기를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a processing container which is easy to replace a protective member for protecting the inner surface of a processing container in a plasma processing apparatus and can reduce component cost.

본 발명에 따른 처리 용기는, 피처리체를 내부에 수용해서 플라즈마 처리를 실행하는 처리 용기에 있어서,A processing container according to the present invention is a processing container for accommodating an object to be processed and performing a plasma process,

개구 부분을 갖는 용기 본체와,A container body having an opening portion,

상기 용기 본체를 플라즈마 및/또는 부식성 가스에 의한 손상으로부터 보호하는 보호 부재를 구비하고,And a protective member for protecting the container body from damage by plasma and / or corrosive gas,

상기 보호 부재는 상기 용기 본체의 내벽면을 따라 배치 마련된 제 1 보호 부재와, 상기 개구 부분의 주위에 있어서, 상기 제 1 보호 부재와 분리해서 착탈 가능하게 배치 마련된 제 2 보호 부재를 구비하고 있다.The protection member includes a first protection member arranged along the inner wall surface of the container body and a second protection member detachably disposed around the opening portion so as to be detachable from the first protection member.

본 발명의 처리 용기에 있어서, 상기 제 1 보호 부재는 상기 용기 본체의 개구 부분에 대응한 크기의 개구를 구비하여 상기 용기 본체에 직접 장착되어 있고,In the processing container of the present invention, the first protective member is directly mounted on the container body with an opening having a size corresponding to the opening portion of the container body,

상기 제 2 보호 부재는 상기 제 1 보호 부재보다 작은 조각으로 형성되어, 상기 제 1 보호 부재에 중첩되어 장착되어 있다.The second protection member is formed in a smaller size than the first protection member and is mounted on the first protection member in a superimposed manner.

또한, 본 발명의 처리 용기에 있어서, 상기 제 2 보호 부재의 표면에 플라즈마 부식 내성을 갖는 세라믹스 용사막을 마련하여도 좋다. 이 경우, 상기 세라믹스 용사막이 Y₂O₃ 또는 YF₃의 용사막이어도 좋다. 또한, 상기 제 1 보호 부재의 표면에, 알루마이트 처리에 의한 산화 피막 또는 Al₂O₃ 용사막을 마련하여도 좋다.In the processing vessel of the present invention, a ceramics sprayed film having plasma corrosion resistance may be provided on the surface of the second protective member. In this case, the ceramics sprayed film may be a Y ₂ O ₃ or YF ₃ sprayed film. Further, an oxide film or an Al ₂ O ₃ sprayed film by an alumite treatment may be provided on the surface of the first protective member.

또한, 본 발명의 처리 용기에 있어서, 상기 보호 부재는 상기 개구 부분의 내벽면을 따라 배치 마련된 통형상의 제 3 보호 부재를 더 구비하고 있고,In addition, in the processing container of the present invention, the protective member may further include a third protective member in the form of a tube arranged along the inner wall surface of the opening portion,

상기 제 3 보호 부재의 단부와 상기 제 1 보호 부재의 단부는, 접합 부분의 단면에 있어서의 양쪽 부재의 경계선이 비직선적으로 형성된 끼워맞춤 구조를 이뤄서 접합되어 있고, 상기 접합 부분을 상기 제 2 보호 부재가 덮고 있어도 좋다.Wherein an end portion of the third protection member and an end portion of the first protection member are joined to each other with a fitting structure in which boundary lines of both members are nonlinearly formed on the cross section of the joining portion, The member may be covered.

상기 제 3 보호 부재는 그 일 단부에 있어서 외측으로 돌출한 플랜지부를 구비하고,Wherein the third protection member has a flange portion protruding outward at one end thereof,

상기 제 1 보호 부재는 그 개구단에 있어서 단부를 구비하고,Wherein the first protective member has an end at an opening end thereof,

상기 제 3 보호 부재와 상기 제 1 보호 부재는 상기 플랜지부와 상기 단부가 끼워맞춤에 의해 접합되어 있고, 상기 접합 부분을 상기 제 2 보호 부재가 덮어도 좋다. 이 경우, 상기 제 3 보호 부재의 표면에 플라즈마 부식 내성을 갖는 세라믹스 용사막을 마련한 것이어도 좋고, 이 세라믹스 용사막이 Y₂O₃ 또는 YF3의 용사막이어도 좋다.The flange portion and the end portion of the third protective member and the first protective member may be joined by fitting, and the second protective member may cover the joint portion. In this case, a ceramics sprayed film having plasma corrosion resistance may be provided on the surface of the third protective member, and the ceramic thermal sprayed coating may be a Y ₂ O ₃ or YF ₃ thermal sprayed coating.

또한, 본 발명의 처리 용기에 있어서, 상기 제 2 보호 부재는 단면 L자형을 이루고 있어도 좋다.Further, in the treatment container of the present invention, the second protective member may have an L-shaped cross section.

또한, 본 발명의 처리 용기에 있어서, 상기 보호 부재는 상기 제 2 보호 부재상에 중첩되어 배치 마련된 제 4 보호 부재를 더 구비하고 있어도 좋다. 이 경우, 상기 제 4 보호 부재의 표면에 플라즈마 부식 내성을 갖는 세라믹스 용사막을 마련한 것이어도 좋고, 이 세라믹스 용사막이 Y₂O₃ 또는 YF₃의 용사막인 것이라도 좋다.Further, in the processing container of the present invention, the protective member may further comprise a fourth protective member disposed in a superimposed manner on the second protective member. In this case, a ceramics sprayed film having plasma corrosion resistance may be provided on the surface of the fourth protective member, and the ceramic sprayed film may be a Y ₂ O ₃ or YF ₃ sprayed film.

또한, 본 발명의 처리 용기에 있어서, 상기 용기 본체의 개구 부분이 기판을 반입·반출하는 폭이 넓은 반입·반출구이며, 상기 제 2 보호 부재가 상기 반입·반출구의 양 단부의 주위에 배치 마련되어 있어도 좋다.Further, in the processing container of the present invention, it is preferable that the opening portion of the container main body is a carry-in / carry-out opening having a wide width for loading and unloading the substrate, and the second protective member is disposed around both ends of the carry- May be provided.

또한, 본 발명의 처리 용기에 있어서, 상기 용기 본체의 개구 부분이 도어용의 개구이라도 좋다.Further, in the processing container of the present invention, the opening portion of the container body may be an opening for the door.

또한, 본 발명의 처리 용기는, 상기 용기 본체에 배치 마련된 배기구와,In addition, the processing container of the present invention comprises: an exhaust port provided in the container main body;

상기 배기구에의 가스 흐름을 조정하는 정류판과,A rectifying plate for regulating gas flow to the exhaust port,

상기 정류판의 단부에 연설되어, 상기 배기구를 향하는 가스류에 의한 손상으로부터 상기 정류판을 보호하는 정류판 보호 부재를 더 구비하여도 좋다. 이 경우, 상기 정류판 보호 부재의 표면에 플라즈마 부식 내성을 갖는 세라믹스 용사막을 마련한 것이라도 좋고, 이 세라믹스 용사막이 Y₂O₃ 또는 YF₃의 용사막이어도 좋다.And a rectifying plate protecting member which is provided at an end of the rectifying plate and protects the rectifying plate from damage caused by gas flow toward the exhaust port. In this case, a ceramics sprayed film having plasma corrosion resistance may be provided on the surface of the rectifying plate protecting member, or the ceramic thermal sprayed coating may be a Y ₂ O ₃ or YF ₃ thermal sprayed film.

본 발명의 플라즈마 처리 장치는 상기 처리 용기를 구비한 플라즈마 처리 장치이다.The plasma processing apparatus of the present invention is a plasma processing apparatus having the above-mentioned processing vessel.

본 발명의 처리 용기에 의하면, 용기 본체를 플라즈마 및/또는 부식성 가스에 의한 손상으로부터 보호하는 보호 부재로서, 상기 용기 본체의 내벽면을 따라 배치 마련된 제 1 보호 부재와, 플라즈마나 가스 흐름이 집중하기 쉬운 용기 본체의 개구 부분의 주위에 있어서, 제 1 보호 부재와 분리해서 착탈 가능하게 배치 마련된 제 2 보호 부재를 구비한 구성으로 하였다. 이에 의해, 제 2 보호 부재에 국소적인 소모가 생겼을 경우라도, 제 2 보호 부재만을 교환하면 좋다. 따라서, 종래의 큰 부담으로 되었던 보호 부재의 교환 작업을 단시간에 용이하게 실행할 수 있는 동시에, 교환 빈도와 교환 부품의 비용을 억제할 수 있다고 하는 효과를 거둘 수 있다.According to the processing container of the present invention, a protective member for protecting the container body from damage by plasma and / or corrosive gas, comprising: a first protection member arranged along the inner wall surface of the container body; And a second protective member provided around the opening portion of the easy-to-see container body, the second protective member being detachably arranged separately from the first protective member. Thereby, even when the second protective member is worn locally, only the second protective member may be replaced. Therefore, it is possible to easily carry out replacement work of the protective member, which has become a large burden in the related art, in a short period of time, and to reduce the frequency of replacement and the cost of replacement parts.

도 1은 진공 처리 시스템을 개략적으로 도시하는 사시도,
도 2는 도 1의 진공 처리 시스템의 평면도,
도 3은 플라즈마 에칭 장치의 개략 구성을 도시하는 단면도,
도 4는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 플라즈마 에칭 장치의 내부의 구조를 설명하는 도면,
도 5는 플라즈마 에칭 장치의 내부의 구조를 설명하는 수평 단면도,
도 6은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 플라즈마 에칭 장치의 내부의 구조를 설명하는 도면,
도 7은 보조 라이너의 배치 예를 나타내는 요점부 단면도,
도 8은 보조 라이너의 배치 예를 나타내는 요점부 확대도,
도 9는 보조 라이너의 배치 예를 나타내는 요점부 단면도,
도 10은 보조 라이너의 배치 예를 나타내는 요점부 단면도,
도 11은 보조 라이너의 배치 예를 나타내는 요점부 단면도.1 is a perspective view schematically showing a vacuum processing system,
Figure 2 is a top view of the vacuum processing system of Figure 1,
3 is a sectional view showing a schematic configuration of a plasma etching apparatus,
4 is a view for explaining the internal structure of the plasma etching apparatus according to the first embodiment of the present invention,
5 is a horizontal cross-sectional view illustrating the internal structure of the plasma etching apparatus,
6 is a view for explaining the internal structure of the plasma etching apparatus according to the second embodiment of the present invention,
Fig. 7 is a main cross-sectional view showing an example of the arrangement of the auxiliary liner,
8 is an enlarged view of a main part showing an example of the arrangement of the auxiliary liner,
9 is a main cross-sectional view showing an example of the arrangement of the auxiliary liner,
10 is a main cross-sectional view showing an example of the arrangement of the auxiliary liner,
11 is a sectional view of a main part showing an example of the arrangement of the auxiliary liner.

[제 1 실시형태][First Embodiment]

이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 참조해서 상세하게 설명한다. 여기에서는, 본 발명의 제 1 실시형태의 처리 용기를 구비한 기판 처리 시스템을 예에 들어서 설명을 행한다. 도 1은 기판 처리 시스템으로서의 진공 처리 시스템(100)을 개략적으로 도시하는 사시도이며, 도 2는 각 챔버의 덮개(도시 생략)를 개방한 상태에서 내부를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 이 진공 처리 시스템(100)은 복수의 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)를 갖는 멀티 챔버 구조를 이루고 있다. 진공 처리 시스템(100)은, 예를 들면 FPD용의 유리 기판(이하, 간단히 "기판"이라고 한다)(S)에 대하여 플라즈마 처리를 실행하기 위한 처리 시스템으로서 구성되어 있다. 또한, FPD로서는, 액정 디스플레이(LCD), 전기 발광(Electro Luminescence ; EL) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등이 예시된다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Here, the substrate processing system having the processing container according to the first embodiment of the present invention will be described as an example. FIG. 1 is a perspective view schematically showing a vacuum processing system 100 as a substrate processing system, and FIG. 2 is a plan view schematically showing the interior of the chamber with a cover (not shown) opened. The vacuum processing system 100 has a multi-chamber structure including a plurality of process chambers 1a, 1b, and 1c. The vacuum processing system 100 is configured as a processing system for performing plasma processing on, for example, a glass substrate (hereinafter simply referred to as "substrate") S for an FPD. Examples of the FPD include a liquid crystal display (LCD), an electro luminescence (EL) display, a plasma display panel (PDP), and the like.

진공 처리 시스템(100)에서는 복수의 대형 챔버가 십자형으로 연결되어 있다. 중앙부에는 반송실(3)이 배치되고, 그 3방향의 측면에 인접해서 기판(S)에 대하여 플라즈마 처리를 실행하는 3개의 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)가 배치 마련되어 있다. 또한, 반송실(3)의 나머지의 한쪽의 측면에 인접해서 로드록실(5)이 배치 마련되어 있다. 이들 3개의 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c), 반송실(3) 및 로드록실(5)은 어느 것이나 진공 챔버로서 구성되어 있다. 반송실(3)과 각 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c) 사이에는 도시하지 않는 개구부가 마련되어 있고, 상기 개구부에는 개폐 기능을 갖는 게이트 밸브(7a)가 각각 배치 마련되어 있다. 또한, 반송실(3)과 로드록실(5) 사이에는 게이트 밸브(7b)가 배치 마련되어 있다. 게이트 밸브(7a, 7b)는 폐쇄 상태에서 각 챔버 사이를 기밀하게 밀봉하는 동시에, 개방 상태에서 챔버 사이를 연통시켜서 기판(S)의 이송을 가능하게 하고 있다. 또한, 로드록실(5)과 외부의 대기 분위기 사이에도 게이트 밸브(7c)가 배치되어 있고, 폐쇄 상태에서 로드록실(5)의 기밀성을 유지하는 동시에 개방 상태에서 로드록실(5) 내부와 외부 사이에서 기판(S)의 이송을 가능하게 하고 있다.In the vacuum processing system 100, a plurality of large chambers are connected in a cross shape. A transfer chamber 3 is disposed at the center and three process chambers 1a, 1b, and 1c are disposed adjacent to side surfaces in the three directions to perform plasma processing on the substrate S. Further, a load lock chamber 5 is disposed adjacent to the other side surface of the other of the transport chamber 3. The three process chambers 1a, 1b, 1c, the transport chamber 3, and the load lock chamber 5 are all configured as vacuum chambers. An opening (not shown) is provided between the transfer chamber 3 and each of the process chambers 1a, 1b, 1c, and gate valves 7a having an opening / closing function are disposed in the openings. Further, a gate valve 7b is disposed between the transfer chamber 3 and the load lock chamber 5. The gate valves 7a and 7b hermetically seal the chambers between the chambers in the closed state and communicate the chambers with each other in the open state to enable the transfer of the substrate S. [ The gate valve 7c is also disposed between the load lock chamber 5 and the outside air atmosphere to maintain airtightness of the load lock chamber 5 in the closed state and at the same time, So that the substrate S can be transported.

로드록실(5)의 외측에는 2개의 카세트 인덱서(9a, 9b)가 마련되어 있다. 각 카세트 인덱서(9a, 9b)상에는 각각 기판(S)을 수용하는 카세트(11a, 11b)가 탑재되어 있다. 각 카세트(11a, 11b)내에는 기판(S)이 상하로 간격을 두고서 다단으로 배치되어 있다. 또한, 각 카세트(11a, 11b)는 승강 기구부(13a, 13b)에 의해 각각 승강 가능하게 구성되어 있다. 본 실시형태에서는, 예를 들면 카세트(11a)에는 미처리 기판을 수용하고, 다른쪽의 카세트(11b)에는 처리완료 기판을 수용할 수 있게 구성되어 있다.On the outside of the load lock chamber 5, two cassette indexers 9a and 9b are provided. On the cassette indexers 9a and 9b, cassettes 11a and 11b, respectively, for housing the substrate S are mounted. In each of the cassettes 11a and 11b, a plurality of substrates S are arranged vertically with an interval therebetween. Each of the cassettes 11a and 11b is configured to be able to move up and down by the elevating mechanisms 13a and 13b. In the present embodiment, for example, the unprocessed substrate is accommodated in the cassette 11a and the processed substrate can be accommodated in the other cassette 11b.

이들 2개의 카세트(11a, 11b) 사이에는 기판(S)을 반송하기 위한 반송 장치(15)가 마련되어 있다. 이 반송 장치(15)는 상하 2단으로 마련된 기판 유지구로서의 포크(17a) 및 포크(17b)와, 이들 포크(17a), 포크(17b)를 진출, 퇴피 및 선회 가능하게 지지하는 구동부(19)와, 이 구동부(19)를 지지하는 지지대(21)를 구비하고 있다.Between the two cassettes 11a and 11b, a transport device 15 for transporting the substrate S is provided. The transfer device 15 includes a fork 17a and a fork 17b as upper and lower two stages of a substrate holding port and a driving unit 19 for supporting the fork 17a and the fork 17b so as to advance, And a support table 21 for supporting the drive section 19. [

프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)는 그 내부 공간을 소정의 감압 분위기(진공 상태)로 유지할 수 있게 구성되어 있다. 각 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)내에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 기판(S)을 탑재하는 탑재대로서의 서셉터(105)가 배치되어 있다. 그리고, 각 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)에서는, 기판(S)을 서셉터(105)에 탑재한 상태에서, 기판(S)에 대하여, 예를 들면 진공 조건에서의 에칭 처리, 애싱 처리, 성막 처리 등의 플라즈마 처리가 행하여진다.The process chambers 1a, 1b, and 1c are configured to maintain the internal space thereof in a predetermined reduced pressure atmosphere (vacuum state). In each of the process chambers 1a, 1b and 1c, as shown in Fig. 2, a susceptor 105 as a mounting table for mounting the substrate S is disposed. In each of the process chambers 1a, 1b and 1c, the substrate S is subjected to an etching treatment in an evacuated condition, an ashing treatment, an ashing treatment, and the like in a state where the substrate S is mounted on the susceptor 105, Plasma processing such as film formation processing is performed.

본 실시형태에서는, 3개의 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)에서 동종의 처리를 행하여도 좋고, 프로세스 챔버마다 다른 종류의 처리를 행하여도 좋다. 또한, 프로세스 챔버의 수는 3개로 한정되지 않고, 4개 이상이라도 좋다.In the present embodiment, the same kind of processing may be performed in the three process chambers 1a, 1b, and 1c, or different types of processing may be performed in each of the process chambers. The number of process chambers is not limited to three, and may be four or more.

반송실(3)은 진공 처리실인 프로세스 챔버(1a 내지 1c)와 같이 소정의 감압 분위기로 유지할 수 있게 구성되어 있다. 반송실(3)의 내부에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 반송 장치(23)가 배치 마련되어 있다. 반송 장치(23)는 회전 가능하게 구성되어 있고, 진출·퇴피해서 기판(S)을 반송하는 빗살 형상의 포크(25)를 구비하고 있다. 그리고, 반송 장치(23)에 의해, 3개의 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)와 로드록실(5) 사이에서 기판(S)의 반송이 행하여진다.The transfer chamber 3 is structured such that it can be maintained in a predetermined reduced pressure atmosphere like the process chambers 1a to 1c which are vacuum processing chambers. As shown in Fig. 2, a transfer device 23 is disposed inside the transfer chamber 3. As shown in Fig. The transfer device 23 is rotatable, and has a comb-like fork 25 for advancing and retracting and carrying the substrate S. Then, the substrate S is transferred between the three process chambers 1a, 1b, 1c and the load lock chamber 5 by the transfer device 23.

반송 장치(23)는 상하 2단으로 마련된 반송 기구를 구비하고, 각각 독립해서 기판(S)의 출납을 실행할 수 있게 구성되어 있다.The transfer device 23 is provided with a transfer mechanism provided in two upper and lower stages, and is configured to be able to independently carry out the loading and unloading of the substrate S.

로드록실(5)은 프로세스 챔버(1a 내지 1c) 및 반송실(3)과 마찬가지로 소정의 감압 분위기로 유지할 수 있게 구성되어 있다. 로드록실(5)은, 대기 분위기에 있는 카세트(11a, 11b)와 감압 분위기의 반송실(3) 사이에서 기판(S)의 주고받음을 실행하기 위한 것이다. 로드록실(5)은 대기 분위기와 감압 분위기를 반복하는 관계상 극히 그 내용적이 작게 구성되어 있다. 로드록실(5)에는 기판 수용부(27)가 상하 2단으로 마련되어 있고(도 2에서는 상단만 도시), 각 기판 수용부(27)에는 기판(S)을 지지하는 복수의 버퍼(28)가 간격을 두고 마련되어 있다. 이들 버퍼(28)끼리의 간극은 빗살 형상의 포크(예를 들면 포크(25))의 틈새 홈으로 되어 있다. 또한, 로드록실(5)내에는 직사각형 형상의 기판(S)의 서로 대향하는 각부(角部) 부근에 접촉해서 위치 맞춤을 실행하는 포지셔너(29)가 마련되어 있다.The load lock chamber 5 is configured to be maintained in a predetermined reduced pressure atmosphere in the same manner as the process chambers 1a to 1c and the transfer chamber 3. [ The load lock chamber 5 is for carrying out transfer of the substrate S between the cassettes 11a and 11b in the air atmosphere and the transfer chamber 3 in the reduced pressure atmosphere. The load lock chamber 5 is constituted so as to be extremely small in relation to repetition of the atmosphere and the reduced-pressure atmosphere. A plurality of buffers 28 for supporting the substrate S are provided in the substrate accommodating portions 27 in the upper and lower portions of the load lock chamber 5 Respectively. The clearance between the buffers 28 is a clearance groove of a comb-like fork (for example, the fork 25). In the load lock chamber 5, there is provided a positioner 29 for making contact with the vicinity of mutually opposing corner portions of the rectangular substrate S to perform alignment.

도 2에 도시하는 바와 같이, 진공 처리 시스템(100)의 각 구성부는 제어부(30)에 접속되어서 제어되는 구성으로 되어 있다(도 1에서는 도시를 생략). 제어부(30)는 CPU를 구비한 컨트롤러(31)와, 유저 인터페이스(32)와, 기억부(33)를 구비하고 있다. 컨트롤러(31)는 진공 처리 시스템(100)에 있어서, 예를 들면 프로세스 챔버(1a 내지 1c), 반송 장치(15), 반송 장치(23) 등의 각 구성부를 통괄해서 제어한다. 유저 인터페이스(32)는 공정 관리자가 진공 처리 시스템(100)을 관리하기 위해서 명령의 입력 조작 등을 실행하는 키보드나, 진공 처리 시스템(100)의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 구성된다. 기억부(33)에는, 진공 처리 시스템(100)에서 실행되는 각종 처리를 컨트롤러(31)의 제어로서 실현하기 위한 제어 프로그램(소프트웨어)이나 처리 조건 데이터 등이 기록된 레시피가 보존되어 있다. 유저 인터페이스(32) 및 기억부(33)는 컨트롤러(31)에 접속되어 있다.As shown in Fig. 2, each component of the vacuum processing system 100 is configured to be connected to and controlled by the control unit 30 (not shown in Fig. 1). The control unit 30 includes a controller 31 having a CPU, a user interface 32, and a storage unit 33. The controller 31 collectively controls the components of the vacuum processing system 100 such as the process chambers 1a to 1c, the transfer device 15 and the transfer device 23, for example. The user interface 32 is constituted by a keyboard for executing a command input operation or the like for the process manager to manage the vacuum processing system 100 or a display for visualizing and displaying the operating status of the vacuum processing system 100. The storage section 33 stores a recipe in which a control program (software) for realizing various processes executed in the vacuum processing system 100 as control of the controller 31, processing condition data, and the like is recorded. The user interface 32 and the storage unit 33 are connected to the controller 31. [

그리고, 필요에 따라서, 유저 인터페이스(32)로부터의 지시 등에서 임의의 레시피를 기억부(33)로부터 호출해서 컨트롤러(31)에 실행시키는 것에 의해, 컨트롤러(31)의 제어하에서, 진공 처리 시스템(100)에서의 원하는 처리가 행하여진다.If necessary, an arbitrary recipe is called from the storage unit 33 by an instruction from the user interface 32 and executed by the controller 31 so that the vacuum processing system 100 (100) is controlled under the control of the controller 31 The desired processing is performed.

상기 제어 프로그램이나 처리 조건 데이터 등의 레시피는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체, 예를 들면 CD-ROM, 하드 디스크, 플랙시블 디스크, 플래시 메모리 등에 기억된 상태의 것을 이용할 수 있다. 또는, 다른 장치로부터, 예를 들면 전용 회선을 거쳐서 수시로 전송시켜서 온 라인으로 이용하거나 하는 것도 가능하다.Recipes such as the control program and processing condition data may be stored in a computer-readable storage medium such as a CD-ROM, a hard disk, a flexible disk, a flash memory or the like. Alternatively, it may be transmitted from another apparatus, for example, via a dedicated line at any time to be used online.

다음에, 이상과 같이 구성된 진공 처리 시스템(100)의 동작에 대해서 설명한다.Next, the operation of the vacuum processing system 100 configured as described above will be described.

우선, 반송 장치(15)의 2개의 포크(17a, 17b)를 진퇴 구동시켜서, 미처리 기판을 수용한 카세트(11a)로부터 기판(S)을 수취하고, 로드록실(5)의 상하 2단의 기판 수용부(27)의 버퍼(28)에 각각 탑재한다.First, the two forks 17a and 17b of the transfer device 15 are advanced and retreated to receive the substrate S from the cassette 11a containing the untreated substrate, And the buffer 28 of the accommodating portion 27, respectively.

포크(17a, 17b)를 퇴피시킨 후, 로드록실(5)의 대기측의 게이트 밸브(7c)를 폐쇄한다. 그 후, 로드록실(5)내를 배기하고, 내부를 소정의 진공도까지 감압한다. 다음에, 반송실(3)과 로드록실(5) 사이의 게이트 밸브(7b)를 개방하고, 반송 장치(23)의 포크(25)에 의해, 로드록실(5)의 기판 수용부(27)에 수용된 기판(S)을 수취한다.After the forks 17a and 17b are retracted, the gate valve 7c on the atmosphere side of the load lock chamber 5 is closed. Thereafter, the inside of the load lock chamber 5 is evacuated, and the inside is decompressed to a predetermined degree of vacuum. The gate valve 7b between the transfer chamber 3 and the load lock chamber 5 is opened and the substrate holding portion 27 of the load lock chamber 5 is opened by the fork 25 of the transfer device 23. Then, And receives a substrate S accommodated in the substrate.

다음에, 반송 장치(23)의 포크(25)에 의해, 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)중 어느 하나에 기판(S)을 반입하고, 서셉터(105)에 주고 받는다. 그리고, 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)내에서 기판(S)에 대하여 에칭 등의 소정의 처리가 실시된다. 다음에, 처리완료의 기판(S)은 서셉터(105)로부터 반송 장치(23)의 포크(25)에 주고 받아서, 프로세스 챔버(1a, 1b, 1c)로부터 반출된다.Next, the substrate S is carried into one of the process chambers 1a, 1b, and 1c by the fork 25 of the transfer device 23 and is transferred to the susceptor 105. Then, Then, predetermined processing such as etching is performed on the substrate S in the process chambers 1a, 1b, 1c. Subsequently, the processed substrate S is transferred from the susceptor 105 to the fork 25 of the transfer device 23, and is taken out of the process chambers 1a, 1b, and 1c.

그리고, 기판(S)은 상기와는 역의 경로로 로드록실(5)을 거쳐서, 반송 장치(15)에 의해 카세트(11b)에 수용된다. 또한, 처리완료의 기판(S)을 원래의 카세트(11a)에 복귀시켜도 좋다.Then, the substrate S is accommodated in the cassette 11b by the transport device 15 via the load lock chamber 5 in a path opposite to the above. Further, the processed substrate S may be returned to the original cassette 11a.

다음에, 도 3 내지 도 5를 참조하여, 본 실시형태에 따른 처리 용기, 및 이 처리 용기를 구비한 본 발명의 이 실시형태에 따른 플라즈마 에칭 장치에 대해서 설명을 실행한다. 도 3은 프로세스 챔버(1a, 1b 또는 1c)로서 적용 가능한 플라즈마 에칭 장치(200)의 개략 구성을 도시하는 단면도이다. 도 4는 플라즈마 에칭 장치(200)의 처리 용기(101)의 내부의 구성을 도시한 도면이다. 도 5는 처리 용기(101)의 내부의 구성을 도시하는 수평 단면도이다.Next, with reference to Figs. 3 to 5, a description will be given of a processing vessel according to this embodiment and a plasma etching apparatus according to this embodiment of the present invention having this processing vessel. 3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a plasma etching apparatus 200 applicable as a process chamber 1a, 1b, or 1c. Fig. 4 is a diagram showing the internal configuration of the processing vessel 101 of the plasma etching apparatus 200. Fig. 5 is a horizontal cross-sectional view showing the structure of the inside of the processing container 101. Fig.

도 3에 도시하는 바와 같이, 플라즈마 에칭 장치(200)는 직사각형을 이룬 기판(S)에 대하여 에칭을 실행하는 용량 결합형의 평행 평판 플라즈마 에칭 장치로서 구성되어 있다.As shown in Fig. 3, the plasma etching apparatus 200 is configured as a capacitively coupled parallel-plate plasma etching apparatus for etching a substrate S having a rectangular shape.

이 플라즈마 에칭 장치(200)는 예를 들면 표면이 알루마이트 처리(양극 산화 처리)된 알루미늄으로 이루어지는 각통(角筒) 형상으로 성형된 처리 용기(101)를 구비하고 있다. 처리 용기(101)의 본체(용기 본체)는 저벽(101a), 4방향의 측벽(101b, 101c, 101d, 101e) 및 덮개(101f)에 의해 구성되어 있다. 벽(101b)의 내면에는 판형상을 이룬 보호 부재로서의 라이너(201a 내지 201d)가, 벽(101c)의 내면에는 동일 라이너(203a 내지 203c)가, 벽(101d)의 내면에는 동일 라이너(205a 내지 205c)가, 벽(101e)의 내면에는 동일 라이너(207a 내지 207c)가, 각각 배치 마련되어 있다(도 5 참조).The plasma etching apparatus 200 is provided with a processing vessel 101 which is formed in the shape of an angular cylinder made of aluminum whose surface is anodized (anodized). The main body (container body) of the processing container 101 is constituted by a bottom wall 101a, four side walls 101b, 101c, 101d and 101e and a lid 101f. Liner 201a to 201d as plate-shaped protective members are provided on the inner surface of wall 101b and the same liners 203a to 203c are provided on the inner surface of wall 101c and on the inner surfaces of the same liner 205a to 201c on the inner surface of wall 101d. 205c and the liner 207a to 207c are arranged on the inner surface of the wall 101e (see Fig. 5).

덮개(101f)는 도시하지 않는 개폐 기구에 의해 개폐 가능하게 구성되어 있다. 덮개(101f)를 폐쇄한 상태에서 덮개(101f)와 측벽(101b, 101c, 101d, 101e)과의 접합 부분은 시일 부재(102)에 의해 시일되어, 처리 용기(101)내의 기밀성이 유지되어 있다.The lid 101f is configured to be openable and closable by an opening / closing mechanism (not shown). The sealing member 102 seals the joint between the lid 101f and the side walls 101b, 101c, 101d and 101e with the lid 101f closed and the airtightness in the processing vessel 101 is maintained .

처리 용기(101)내의 바닥부에는 프레임 형상의 절연 부재(103)가 배치되어 있다. 절연 부재(103)의 위에는 기판(S)을 탑재 가능한 탑재대인 서셉터(105)가 마련되어 있다.A frame-shaped insulating member 103 is disposed on the bottom of the processing vessel 101. Above the insulating member 103, there is provided a susceptor 105 which is a mounting base on which the substrate S can be mounted.

하부 전극이기도 하는 서셉터(105)는 기재(107)를 구비하고 있다. 기재(107)는 예를 들면 알루미늄이나 스테인리스강(SUS) 등의 도전성 재료로 형성되어 있다. 기재(107)는 절연 부재(103) 상에 배치되어, 양 부재의 접합 부분에는 O링 등의 시일 부재(113)가 배치되어서 기밀성이 유지되어 있다. 절연 부재(103)와 처리 용기(101)의 저벽(101a) 사이도 시일 부재(114)에 의해 기밀성이 유지되어 있다. 기재(107)의 측부 외주는 절연 부재(117)에 의해 둘러싸여져 있다. 이것에 의해, 서셉터(105)의 측면의 절연성이 확보되어, 플라즈마 처리시의 이상 방전이 방지되고 있다.The susceptor 105, which is also a lower electrode, is provided with a substrate 107. The base material 107 is made of a conductive material such as aluminum or stainless steel (SUS), for example. The substrate 107 is disposed on the insulating member 103, and a sealing member 113 such as an O-ring is disposed at the junction of the both members to maintain airtightness. The airtightness between the insulating member 103 and the bottom wall 101a of the processing vessel 101 is also maintained by the sealing member 114. [ The outer periphery of the side of the substrate 107 is surrounded by the insulating member 117. As a result, the insulating property of the side surface of the susceptor 105 is secured, and abnormal discharge during plasma processing is prevented.

서셉터(105)의 상방에는, 이 서셉터(105)와 평행하게, 또한 대향해서 상부 전극으로서 기능하는 샤워 헤드(131)가 마련되어 있다. 샤워 헤드(131)는 처리 용기(101)의 상부의 덮개(101f)에 지지되어 있다. 샤워 헤드(131)는 중공형상을 이루고, 그 내부에는 가스 확산 공간(133)이 마련되어 있다. 또한, 샤워 헤드(131)의 하면(서셉터(105)와의 대향면)에는 처리 가스를 토출하는 복수의 가스 토출 구멍(135)이 형성되어 있다. 이 샤워 헤드(131)는 접지되어 있고, 서셉터(105)와 함께 한쌍의 평행 평판 전극을 구성하고 있다.Above the susceptor 105, there is provided a showerhead 131 which is parallel to the susceptor 105 and which also functions as an upper electrode facing the susceptor 105. The shower head 131 is supported on the cover 101f on the upper part of the processing vessel 101. [ The shower head 131 has a hollow shape, and a gas diffusion space 133 is formed therein. A plurality of gas discharge holes 135 for discharging the process gas are formed on the lower surface of the shower head 131 (the surface facing the susceptor 105). The showerhead 131 is grounded and constitutes a pair of parallel flat plate electrodes together with the susceptor 105.

샤워 헤드(131)의 상부 중앙 부근에는 가스 도입구(137)가 마련되어 있다. 이 가스 도입구(137)에는 처리 가스 공급관(139)이 접속되어 있다. 이 처리 가스 공급관(139)에는, 2개의 밸브(141, 141) 및 매스 플로우 컨트롤러(143)를 거쳐서, 에칭을 위한 처리 가스를 공급하는 가스 공급원(145)이 접속되어 있다. 처리 가스로서는, 예를 들면 할로겐계 가스나 O₂가스 외에, Ar 가스 등의 희가스 등을 이용하는 것이 가능하다.A gas introducing port 137 is provided near the upper center of the shower head 131. A process gas supply pipe 139 is connected to the gas introduction port 137. A gas supply source 145 for supplying a process gas for etching is connected to the process gas supply pipe 139 via two valves 141 and 141 and a mass flow controller 143. As the process gas, for example, a halogen gas, an O ₂ gas, a rare gas such as Ar gas, or the like can be used.

상기 처리 용기(101)의 바닥부의 4 모서리에는 배기구(151)가 4개소에 형성되어 있다. 배기구(151)에는 배기관(153)이 접속되어 있고, 이 배기관(153)은 배기 장치(155)에 접속되어 있다. 배기 장치(155)는, 예를 들면 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 구비하고 있고, 이에 의해 처리 용기(101)내를 소정의 감압 분위기까지 진공 흡인하는 것이 가능하게 구성되어 있다.At four corners of the bottom of the processing vessel 101, four exhaust ports 151 are formed. An exhaust pipe 153 is connected to the exhaust port 151. The exhaust pipe 153 is connected to the exhaust device 155. [ The evacuation device 155 is provided with a vacuum pump such as a turbo molecular pump, for example, and is configured to evacuate the inside of the processing vessel 101 to a predetermined reduced-pressure atmosphere.

또한, 처리 용기(101)의 측벽(101b)에는, 상기 측벽(101b)에 관통 형성된 개구부로서의 기판 반송용 개구(161)가 마련되어 있다. 이 기판 반송용 개구(161)는 게이트 밸브(7a)에 의해 개폐된다(도 1 및 도 2 참조). 그리고, 이 게이트 밸브(7a)를 개방한 상태에서 기판(S)이 인접하는 반송실(3)과의 사이에서 반송되게 되어 있다(도 1 및 도 2 참조). 또한, 처리 용기(101)의 측벽(101c 내지 101e)에는, 이들의 측벽(101c 내지 101e)을 관통 형성된 개구부로서의 도어용 개구(163)가 마련되어 있다. 각 도어용 개구(163)에는 투명한 석영판(165)이 장착되어 있다.The side wall 101b of the processing vessel 101 is provided with a substrate carrying opening 161 as an opening formed through the side wall 101b. The substrate transfer opening 161 is opened and closed by a gate valve 7a (see Figs. 1 and 2). The substrate S is transported between the transfer chamber 3 and the adjacent transfer chamber 3 in a state where the gate valve 7a is opened (see FIGS. 1 and 2). The side walls 101c to 101e of the processing container 101 are provided with a door opening 163 as an opening formed through the side walls 101c to 101e. A transparent quartz plate 165 is attached to each door opening 163.

서셉터(105)의 기재(107)에는 급전선(171)이 접속되어 있다. 이 급전선(171)에는 매칭 박스(M.B.)(173)를 거쳐서 고주파 전원(175)이 접속되어 있다. 이에 의해, 고주파 전원(175)으로부터 예를 들면 13.56㎒의 고주파 전력이 하부 전극으로서의 서셉터(105)에 공급된다. 또한, 급전선(171)은 저벽(101a)에 형성된 개구(177)를 거쳐서 처리 용기내에 도입되어 있다.A feeder line 171 is connected to the base 107 of the susceptor 105. A high-frequency power supply 175 is connected to the feeder line 171 via a matching box (M.B.) 173. Thus, for example, 13.56 MHz high-frequency power is supplied from the high-frequency power supply 175 to the susceptor 105 as the lower electrode. Further, the feeder line 171 is introduced into the processing vessel through an opening 177 formed in the bottom wall 101a.

또한, 서셉터(105)의 측방에는, 처리 용기(101)내의 가스 흐름을 컨트롤하는 정류판으로서의 배플판(181)이 마련되어 있다. 배플판(181)은 평면 4각형의 서셉터(105)의 4변에 대응해서 4장 마련되어 있다. 각 배플판(181)은 처리 용기(101)의 저벽(101a)으로부터 입설된 절연벽(183) 및 절연벽(185)에 의해 대략 수평으로 지지되어 있다. 샤워 헤드(131)의 가스 토출 구멍(135)으로부터 서셉터(105)상의 기판(S)을 향해서 공급된 처리 가스는 기판(S)의 표면에서 사방으로 확산하고, 배플판(181)의 정류 작용에 의해, 처리 용기(101)의 바닥부 4개소에 마련된 배기구(151)를 향해서 가스류를 형성하면서 배기되는 구성으로 되어 있다.A baffle plate 181 as a rectifying plate for controlling the gas flow in the processing vessel 101 is provided at the side of the susceptor 105. Four baffle plates 181 are provided corresponding to the four sides of the flat four-sided susceptor 105. Each baffle plate 181 is supported substantially horizontally by an insulating wall 183 and an insulating wall 185 which are formed from the bottom wall 101a of the processing vessel 101. [ The process gas supplied from the gas discharge hole 135 of the shower head 131 toward the substrate S on the susceptor 105 is diffused from the surface of the substrate S in all directions and the rectifying action of the baffle plate 181 The exhaust gas is exhausted while forming a gas flow toward the exhaust port 151 provided at four places in the bottom portion of the processing container 101. [

다음에, 이상과 같이 구성되는 플라즈마 에칭 장치(200)에 있어서의 처리 동작에 대해서 설명한다. 우선, 게이트 밸브(7a)가 개방된 상태에서, 피처리체인 기판(S)이, 반송 장치(23)의 포크(25)에 의해 반송실(3)로부터 기판 반송용 개구(161)를 거쳐서 처리 용기(101)내에 반입된다. 기판(S)은 반송 장치(23)의 포크(25)에 지지된 상태에서 이송된다. 그리고, 포크(25)로부터 서셉터(105)에 기판(S)의 주고 받음이 행해진다. 그 후, 게이트 밸브(7a)가 폐쇄되고, 배기 장치(155)에 의해, 처리 용기(101)내가 소정의 진공도까지 진공 흡인된다.Next, the processing operation in the plasma etching apparatus 200 configured as described above will be described. The substrate S to be processed is transported from the transport chamber 3 to the substrate transport opening 161 by the fork 25 of the transport apparatus 23 in the state where the gate valve 7a is opened And is carried into the container 101. The substrate S is transported while being supported by the fork 25 of the transport apparatus 23. [ Then, the transfer of the substrate S from the fork 25 to the susceptor 105 is performed. Thereafter, the gate valve 7a is closed, and the processing container 101 is evacuated to a predetermined degree of vacuum by the exhaust device 155. [

다음에, 밸브(141)를 개방하고, 처리 가스를 가스 공급원(145)으로부터 처리 가스 공급관(139), 가스 도입구(137)를 거쳐서 샤워 헤드(131)의 가스 확산 공간(133)에 도입한다. 이 때, 매스 플로우 컨트롤러(143)에 의해 처리 가스의 유량 제어가 행하여진다. 가스 확산 공간(133)에 도입된 처리 가스는, 또한 복수의 토출 구멍(135)을 거쳐서 서셉터(105) 상에 탑재된 기판(S)에 대하여 균일하게 토출되고, 처리 용기(101)내의 압력이 소정의 값으로 유지된다.Next, the valve 141 is opened and the process gas is introduced into the gas diffusion space 133 of the shower head 131 from the gas supply source 145 via the process gas supply pipe 139 and the gas introduction port 137 . At this time, the flow rate of the process gas is controlled by the mass flow controller 143. The processing gas introduced into the gas diffusion space 133 is uniformly discharged to the substrate S mounted on the susceptor 105 via the plurality of discharge holes 135 and is uniformly discharged to the inside of the processing vessel 101 Is maintained at a predetermined value.

이 상태에서 고주파 전원(175)으로부터 고주파 전력이 매칭 박스(173)를 거쳐서 서셉터(105)에 인가된다. 이에 의해, 하부 전극으로서의 서셉터(105)와 상부전극으로서의 샤워 헤드(131) 사이에 고주파 전계가 발생하고, 처리 가스가 분해해서 플라즈마화한다. 이 플라즈마에 의해, 기판(S)에 에칭 처리가 실시된다.In this state, high-frequency power is applied from the high-frequency power supply 175 to the susceptor 105 through the matching box 173. Thereby, a high frequency electric field is generated between the susceptor 105 serving as the lower electrode and the showerhead 131 serving as the upper electrode, and the process gas is decomposed and plasmaized. By this plasma, the substrate S is etched.

에칭 처리를 실시한 후, 고주파 전원(175)으로부터의 고주파 전력의 인가를 정지하고, 가스 도입을 정지한 후, 처리 용기(101)내를 소정의 압력까지 감압한다. 다음에, 게이트 밸브(7a)를 개방하고, 서셉터(105)로부터 반송 장치(23)의 포크(25)에 기판(S)을 주고 받고, 처리 용기(101)의 기판 반송용 개구(161)로부터 반송실(3)에 반출한다. 이상의 조작에 의해, 기판(S)에 대하는 에칭 처리가 종료한다.After the etching treatment, the application of the high-frequency power from the high-frequency power source 175 is stopped and the gas introduction is stopped, and then the pressure in the processing vessel 101 is reduced to a predetermined pressure. Next, the gate valve 7a is opened, the substrate S is transferred from the susceptor 105 to the fork 25 of the transfer device 23, and the substrate transfer opening 161 of the process container 101 is transferred, To the transport chamber 3. By the above operation, the etching process for the substrate S is completed.

도 4는 제 1 실시형태에 따른 처리 용기(101)의 내부를 도시한 도면이다. 여기에서는, 처리 용기(101)의 기판 반송용 개구(161)를 갖는 측벽(101b)과, 도어용 개구(163)를 갖는 측벽(101c)의 내면을 도시하고 있다.4 is a view showing the inside of the processing container 101 according to the first embodiment. Here, the side wall 101b having the substrate transfer opening 161 of the processing container 101 and the inner surface of the side wall 101c having the door opening 163 are shown.

기판 반송용 개구(161)를 갖는 측벽(101b)의 내면은 보호 부재로서의 라이너(201a, 201b, 201c, 201d)에 의해 덮여 있다. 제 2 보호 부재로서의 라이너(201a 및 201c)는 횡 길이(폭 넓이)로 형성된 기판 반송용 개구(161)의 양단의 코너부(161a)의 주위의 내벽면을 각각 보호하고 있다. 제 1 보호 부재로서의 라이너(201b, 201d)는 횡 길이로 형성된 기판 반송용 개구(161)의 중앙 부근의 직선 부분(161b)의 주위의 내벽면을 보호하고 있다.The inner surface of the side wall 101b having the substrate transfer opening 161 is covered with liner 201a, 201b, 201c, 201d as a protective member. The liners 201a and 201c as the second protection members respectively protect the inner wall surfaces around the corner portions 161a at both ends of the substrate transport opening 161 formed in the transverse length (width). The liner 201b or 201d as the first protective member protects the inner wall surface around the straight portion 161b near the center of the substrate transport opening 161 formed in the transverse length.

플라즈마 에칭 장치(200)의 내부에 발생하는 플라즈마는, 횡 길이로 형성된 기판 반송용 개구(161)의 직선 부분(161b)보다도, 양단 부근의 코너부(161a)에 집중하기 쉽다. 이 때문에, 측벽(101b)을 한장의 대형의 라이너로 보호했을 경우, 기판 반송용 개구(161)의 코너부(161a)의 주위에서 소모가 격렬하고, 직선 부분(161b)의 주위에서는 소모의 진행이 늦어진다. 그리고, 코너부(161a)의 주위의 소모에 맞추어 라이너의 교환을 실행한다고 하면, 교환 빈도가 많아지고, 교환 부품의 비용도 증대해 버린다.The plasma generated in the plasma etching apparatus 200 is more likely to concentrate on the corner portions 161a near both ends than the straight portion 161b of the substrate transport opening 161 formed in the transverse length. Therefore, when the side wall 101b is protected by a single large-sized liner, consumption is intense around the corner portion 161a of the substrate carrying opening 161, and consumption is progressed around the straight portion 161b Is delayed. If the replacement of the liner is performed in accordance with the consumption of the periphery of the corner portion 161a, the frequency of replacement becomes large and the cost of replacement parts increases.

여기에서, 본 실시형태에서는, 측판(101b)에 배치되는 보호 부재를, 기판 반송용 개구(161)의 코너부(161a)의 주위를 덮는 라이너(201a), 라이너(201c)와, 기판 반송용 개구(161)의 직선 부분(161b)을 덮는 라이너(201b), 라이너(201d)로 4분할했다. 기판 반송용 개구(161)의 코너부(161a)를 덮는 라이너(201a, 201c)와, 직선 부분(161b)을 덮는 라이너(201b, 201d)를 비교하면, 라이너(201a, 201c)쪽이 손상을 받기 쉽고, 교환 사이클이 짧다. 이러한 분할 구조에 의해, 소모가 심한 라이너(201a, 201c)만을, 이것과 비교해서 소모의 진행이 느린 라이너(201b, 201d)와는 별도로 교환할 수 있다.Here, in the present embodiment, the protective member disposed on the side plate 101b is divided into a liner 201a and a liner 201c that cover the periphery of the corner portion 161a of the substrate carrying opening 161, The liner 201b covering the straight portion 161b of the opening 161 and the liner 201d. The liners 201a and 201c covering the corner portion 161a of the substrate carrying opening 161 are compared with the liner 201b and 201d covering the straight portion 161b. Easy to receive, exchange cycle is short. Due to such a divided structure, only the consumed liner 201a or 201c can be exchanged separately from the liner 201b or 201d, which consumes less time than the liner 201b or 201d.

라이너(201a 내지 201d)의 두께는 예를 들면 3 내지 5㎜의 범위내로 할 수 있다. 또한, 플라즈마에 의한 손상을 받기 쉬운 라이너(201a, 201c)의 두께를 라이너(201b, 201d)의 두께보다도 크게 해도 좋다.The thickness of the liner 201a to 201d may be, for example, in the range of 3 to 5 mm. Further, the thickness of the liner 201a or 201c, which is liable to be damaged by the plasma, may be larger than the thickness of the liner 201b or 201d.

라이너(201a 내지 201d)로서는, 예를 들면 처리 용기(101)를 구성하는 측벽(101b 내지 101e)과 마찬가지의 재질, 예를 들면 알루미늄 등의 기재 표면에 알루마이트 처리(양극 산화 처리)를 실시한 것을 이용할 수 있다. 또한, 라이너(201a 내지 201d)로서, 알루미늄 등의 기재 표면에 플라즈마 부식 내성을 갖는 세라믹스 용사막을 형성한 것을 사용하는 것도 바람직하다. 플라즈마 부식 내성을 갖는 세라믹스 용사막으로서는, 예를 들면 Y₂O₃ 용사막, YF₃ 용사막, Al₂O₃ 용사막, B₄C 용사막 등을 이용할 수 있다. 이들 중에서도, 우수한 플라즈마 부식 내성을 가지는 Y₂O₃ 용사막 또는 YF₃ 용사막이 보다 바람직하다.As the liner 201a to 201d, for example, the same material as the side walls 101b to 101e constituting the processing vessel 101, for example, an alumite treatment (anodic oxidation treatment) is applied to the surface of a base material such as aluminum . It is also preferable to use, as the liner 201a to 201d, a ceramic sprayed film having plasma corrosion resistance on the surface of a substrate such as aluminum. As the ceramics thermal spraying film having plasma corrosion resistance, for example, Y ₂ O ₃ Dragon Desert, YF ₃ Desiccant, Al ₂ O ₃ It can be used for the desert, desert, etc. for B ₄ C. Among them, Y ₂ O ₃ having excellent plasma corrosion resistance Dragon desert or YF ₃ The thermal sprayed coating is more preferable.

본 실시형태에서는, 라이너마다 그 표면을 피복하는 보호막(예컨대, 알루마이트 처리에 의한 산화 피막이나, 세라믹스 용사막 등)의 종류를 바꿀 수도 있다. 예를 들면, 플라즈마가 집중하기 쉬운 코너부(161a)의 주위의 라이너(201a, 201c)에 대해서는, Y₂O₃용사막이나 YF₃용사막 등의 높은 플라즈마 부식 내성을 갖는 세라믹스 용사막으로 표면을 피복하고, 다른 부분, 예를 들면 라이너(201b, 201d)에 대해서는, Al₂O₃용사막이나 알루마이트 처리에 의한 산화 피막으로 표면을 피복해 둘 수 있다. 이와 같이, 플라즈마가 집중하기 쉬운 코너부(161a)의 주위에, 높은 플라즈마 부식 내성을 갖는 세라믹스 용사막으로 피복된 라이너(201a, 201c)를 이용하는 것에 의해, 소분할된 라이너(201a, 201c)로 교환 회수를 저감할 수 있다. 또한, 산화 환원 반응이 심한 BCl₃가스 분위기에 노출되는 부위에는, 표면에 산화 피막을 갖는 금속이나 스테인리스 등의 합금을 이용하는 것도 가능하다.In this embodiment, it is also possible to change the type of protective film covering the surface of each liner (for example, an oxide film formed by an alumite treatment, a ceramics coating film, or the like). For example, with respect to the liner 201a, 201c around the corner portion 161a where the plasma is liable to concentrate, the ceramics coating film having high plasma corrosion resistance, such as Y ₂ O ₃ coating film or YF ₃ coating film, And the other portions, for example, the liner 201b and 201d, can be covered with an Al ₂ O ₃ coating film or an oxide film formed by an alumite treatment. By using the liners 201a and 201c covered with the ceramics thermal spraying film having high plasma corrosion resistance around the corner portion 161a where the plasma is easily concentrated, The number of exchange times can be reduced. It is also possible to use a metal having an oxide film on its surface or an alloy such as stainless steel for a portion exposed to a BCl ₃ gas atmosphere where oxidation-reduction reaction is severe.

상기 세라믹스 용사막은 그 막 두께가 지나치게 두껍게 되면 벗겨지기 쉽기 때문에, 예를 들면 50㎛ 내지 200㎛의 범위내의 막 두께로 하는 것이 가능하다.Since the ceramic thermal sprayed coating tends to be peeled off when the thickness of the ceramic thermal sprayed coating is excessively large, the thickness of the ceramic thermal sprayed coating can be, for example, in the range of 50 탆 to 200 탆.

라이너(201a 내지 201d)는 측벽(101b)에 착탈 가능하게 장착되어 있다. 라이너(201a 내지 201d)를 측벽(101b)에 장착하는 방법은 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들면 나사 등의 고정 수단으로 측벽(101b)에 라이너(201a 내지 201d)를 접합하면 좋다. 또한, 전기적으로 접지된 측벽(101b)과 라이너(201a 내지 201d)의 도통이 얻어지지 않고, 라이너(201a 내지 201d)가 전기적으로 플로팅 상태로 되면, 이들에 전하가 축적해서 이상 방전의 원인이 되고, 또한 처리 용기(101)내로 생성하는 플라즈마의 안정성이 손상될 경우가 있다. 따라서, 측벽(101b)과 라이너(201a 내지 201d) 사이의 도통을 확보해 두는 것이 바람직하다. 측벽(101b)과 라이너(201a 내지 201d)의 도통을 확보하기 위해서, 측벽(101b)과 각 라이너(201a 내지 201d) 사이에, 예를 들면 실드 스파이럴 등의 도통 부재를 각각 배치해도 좋다.The liners 201a to 201d are detachably mounted on the side wall 101b. The method of mounting the liner 201a to 201d to the side wall 101b is not particularly limited. The liner 201a to 201d may be joined to the side wall 101b by a fixing means such as a screw, for example. Further, when conduction between the electrically grounded side wall 101b and the liner 201a to 201d can not be obtained and the liner 201a to 201d is electrically floated, electric charge accumulates in them and causes an abnormal discharge And the stability of the plasma generated in the processing vessel 101 may be impaired. Therefore, it is preferable to secure the conduction between the side wall 101b and the liner 201a to 201d. A conductive member such as a shield spiral may be disposed between the side wall 101b and each of the liner units 201a to 201d in order to ensure conduction between the side wall 101b and the liner units 201a to 201d.

처리 용기(101)에 있어서, 도어용 개구(163)를 갖는 측벽(101c)의 내면은 보호 부재로서의 라이너(203a, 203b, 203c)로 덮여 있다. 제 2 보호 부재로서의 라이너(203b)는 측벽(101c)의 도어용 개구(163)의 주위의 내벽면을 보호하고 있다. 제 1 보호 부재로서의 라이너(203a, 203b)는 도어용 개구(163)가 형성되어 있지 않은 부분의 측벽(101c)의 내벽면을 보호하고 있다.In the processing container 101, the inner surface of the side wall 101c having the door opening 163 is covered with liner 203a, 203b, 203c as a protecting member. The liner 203b as the second protective member protects the inner wall surface around the door opening 163 of the side wall 101c. The liner 203a or 203b as the first protective member protects the inner wall surface of the side wall 101c of the portion where the door opening 163 is not formed.

플라즈마 에칭 장치(200)의 내부에 발생하는 플라즈마는 각을 가진 도어용 개구(163)의 연부(163a)에 집중하기 쉽다. 이 때문에, 측벽(101c)을 한장의 대형의 라이너로 보호했을 경우, 도어용 개구(163)의 주위에서 소모가 격렬하고, 도어용 개구(163)로부터 벗어난 부위에서는 소모의 진행이 늦어진다. 그리고, 도어용 개구(163)의 주위의 소모에 맞춰서 라이너의 교환을 실행한다고 하면, 교환 빈도가 많아지고, 교환 부품의 비용도 증대해 버린다.The plasma generated inside the plasma etching apparatus 200 is likely to concentrate on the edge 163a of the door opening 163 having an angle. Therefore, when the side wall 101c is protected by a single large-sized liner, consumption is intense around the door opening 163, and the progress of consumption is delayed at a portion deviating from the door opening 163. If replacement of the liner is performed in accordance with the consumption of the periphery of the door opening 163, the frequency of replacement is increased and the cost of replacement parts is also increased.

여기에서, 본 실시형태에서는, 측벽(101c)에 배치되는 보호 부재를, 도어용 개구(163)의 주위를 덮는 라이너(203b)와, 도어용 개구(163)로부터 벗어난 부위를 덮는 라이너(203a, 203c)로 3분할했다. 도어용 개구(163)의 주위를 덮는 라이너(203b)와, 그 양측의 라이너(203a, 203c)를 비교하면, 라이너(203b)쪽이 손상을 받기 쉽고, 교환 사이클이 짧다. 이러한 분할 구조에 의해, 소모가 심한 라이너(203b)만을, 이것과 비교해서 소모의 진행이 느린 라이너(203a, 203c)와는 별도로 교환하는 것이 가능하다.The liner 203b covering the periphery of the door opening 163 and the liner 203b covering the portion deviating from the door opening 163 are formed on the side wall 101c in this embodiment, 203c. When the liner 203b covering the periphery of the door opening 163 is compared with the liner 203a or 203c on both sides thereof, the liner 203b is easily damaged and the replacement cycle is short. Due to such a divided structure, it is possible to replace only the consumed liner 203b separately from the liner 203a, 203c, which consumes less time than the liner 203b.

라이너(203a 내지 203c)로서는, 상기 라이너(201a 내지 201d)와 마찬가지의 재질, 구성의 것을 이용하는 것이 가능하다. 예를 들면, 플라즈마가 집중하기 쉬운 도어용 개구(163)의 주위에 배치되는 라이너(203b)에 대해서는, 알루미늄 등의 기재 표면에 우수한 플라즈마 부식 내성을 갖는 Y₂O₃용사막이나 YF₃용사막 등의 세라믹스 용사막을 형성한 것을 사용하는 것이 바람직하다. 한편, 라이너(203b)와 비교해서 플라즈마의 집중이 생기기 어려운 위치에 배치된 라이너(203a, 203c)에 대해서는, Al₂O₃용사막이나 알루마이트 처리에 의한 산화 피막에서 표면을 피복해 둘 수 있다. 물론, 라이너(203a 내지 203c)에 보호막으로서 함께 알루마이트 처리에 의한 산화 피막을 형성해 두어도 좋고, 동일한 재질의 세라믹스 용사막을 형성해 두어도 좋다. 또한, 라이너(203a, 203b, 203c)와 측벽(101c) 사이는, 예를 들면 실드 스파이럴 등의 도통 부재에 의해 도통을 도모해 두는 것이 바람직하다.As the liners 203a to 203c, materials and structures similar to those of the liners 201a to 201d can be used. For example, with respect to the liner 203b disposed around the door opening 163 where the plasma can easily concentrate, a Y ₂ O ₃ coating film or YF ₃ coating film having excellent plasma corrosion resistance on the surface of a substrate such as aluminum Or the like is formed on the surface of the ceramic film. On the other hand, with respect to the liner 203a or 203c disposed at a position where concentration of plasma is less likely to occur as compared with the liner 203b, the surface can be coated with an Al ₂ O ₃ coating film or an oxide film formed by an alumite treatment. Of course, the liner 203a to 203c may be formed with an oxide film by an alumite treatment together as a protective film, or a ceramic thermal sprayed film of the same material may be formed. It is preferable that conduction is provided between the liner 203a, 203b, 203c and the side wall 101c by a conductive member such as a shield spiral.

또한, 설명은 생략하지만, 측벽(101c)과 마찬가지로, 처리 용기(101)의 측벽(101d)에는 보호 부재로서의 라이너(205a, 205b, 205c)가 배치되어 있고, 측벽(101e)에는 라이너(207a, 207b, 207c)가 배치되어 있다. 그리고, 도어용 개구(163)의 주위의 라이너(205b) 및 라이너(207b)는 다른 부분과는 분할 가능하게 형성되어 있다.The liner 205a, 205b and 205c as protection members are arranged on the side wall 101d of the processing vessel 101 in the same manner as the side wall 101c and the liner 207a, 207b, and 207c are disposed. The liner 205b and the liner 207b around the door opening 163 are formed so as to be separable from other parts.

또한, 도 5에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 처리 용기(101)에서는, 서셉터(105)의 주위에 배치된 배플판(181)의 양단에 정류판 보호 부재로서의 연결판(209)이 마련되어 있다. 샤워 헤드(131)로부터 기판(S)을 향해서 공급된 가스류는, 기판(S)에 충돌해서 일단 기판(S)과 평행한 방향으로 흐름의 방향을 바꾼 후, 또한 배플판(181)의 단부 부근에 있어서 하방의 배기구(151)를 향해서 흐름의 방향을 바꾼다. 이 때문에, 배플판(181)의 양 단부에는 가스류가 집중하는 결과가 된다. 따라서, 배플판(181)의 양 단부는 다른 부위에 비교해서 부식성 가스 등에 의한 소모가 심하다.5, in the processing vessel 101 of the present embodiment, a connecting plate 209 as a rectifying plate protecting member is provided at both ends of a baffle plate 181 disposed around the susceptor 105 Lt; / RTI > The gas flow supplied from the shower head 131 toward the substrate S collides against the substrate S and once the direction of the flow is changed in the direction parallel to the substrate S, The flow direction is changed toward the exhaust port 151 in the downward direction. As a result, gas flows are concentrated on both ends of the baffle plate 181. Therefore, both end portions of the baffle plate 181 are consumed by corrosive gas or the like in comparison with other portions.

여기에서, 본 실시형태에서는, 배플판(181)의 양 단부에 연결판(209)을 마련했다. 연결판(209)은 평판 형상을 이루고, 배플판(181)의 양단에 예를 들면 나사 등의 고정 수단으로 연결되어 있다. 이와 같이, 배플판(181)의 양단에 연결판(209)을 연장하여 설치한 것에 의해, 배플판(181) 본체의 열화 스피드를 늦출 수 있다. 또한, 연결판(209)이 열화했을 경우에는, 연결판(209)만을 교환하면 좋기 때문에, 배플판(181)의 전체를 교환할 경우에 비교해서 교환 작업이 용이해서 부품비용도 대폭 억제할 수 있다.Here, in this embodiment, the connecting plate 209 is provided at both ends of the baffle plate 181. The connecting plate 209 has a flat plate shape and is connected to both ends of the baffle plate 181 by fixing means such as screws or the like. As described above, by extending the connecting plate 209 at both ends of the baffle plate 181, the deterioration speed of the main body of the baffle plate 181 can be reduced. In addition, when the connection plate 209 deteriorates, only the connection plate 209 needs to be replaced. Therefore, the replacement operation is easier than the case of replacing the entire baffle plate 181, have.

배플판(181) 및 연결판(209)으로서는, 상기 라이너(201a 내지 201d)와 마찬가지의 재질의 것을 이용할 수 있다. 예를 들면, 가스류가 집중하기 쉬운 부위에 배치되는 연결판(209)에 대해서는, 알루미늄 등의 기재 표면에, 우수한 플라즈마 부식 내성을 갖는 Y₂O₃용사막이나 YF₃ 용사막 등의 세라믹스 용사막을 형성한 것을 사용하는 것이 바람직하다. 한편, 배플판(181)에 대해서는, Al₂O₃ 용사막이나 알루마이트 처리에 의한 산화 피막으로 표면을 피복해 둘 수 있다. 물론, 배플판(181) 및 연결판(209)에, 보호막으로서 함께 알루마이트 처리에 의한 산화 피막을 형성해 두어도 좋고, 동일한 재질의 세라믹스 용사막을 형성해 두어도 좋다.The baffle plate 181 and the connecting plate 209 may be made of the same material as the liner 201a to 201d. For example, as for the connecting plate 209 disposed at a portion where gas flow is likely to be concentrated, a ceramics spraying process such as a Y ₂ O ₃ coating film or a YF ₃ coating film having excellent plasma corrosion resistance It is preferable to use one having a film formed thereon. On the other hand, the surface of the baffle plate 181 can be covered with an Al ₂ O ₃ coating film or an oxide film formed by alumite treatment. Of course, the baffle plate 181 and the connecting plate 209 may be formed with an oxide film by an alumite treatment together as a protective film, or a ceramic sprayed film of the same material may be formed.

이상과 같이 , 본 실시형태에서는, 처리 용기(101)내로 플라즈마가 집중하기 쉬운 개구 부분의 주위에 있어서, 제 2 보호 부재로서의 라이너(201a, 201c) 및 라이너(203b, 205b, 207b)를, 다른 부분과는 분리해서 착탈 가능하게 배치 마련하는 구성을 채용했다. 이러한 구성에 의해, 작은 조각으로 형성된 라이너(201a, 201c) 또는 라이너(203b, 205b, 207b)에 국소적인 손상이 생겼을 경우에는, 라이너(201a, 201c) 또는 라이너(203b, 205b, 207b)만을 교환하면 좋다. 따라서, 종래의 큰 부담으로 되고 있던 라이너의 교환 작업을 단시간에 용이하게 실행할 수 있는 동시에, 교환 빈도와 교환 부품의 비용도 억제할 수 있다.As described above, in the present embodiment, the liner 201a, 201c as the second protecting member and the liner 203b, 205b, 207b are arranged in the vicinity of the opening portion where the plasma is concentrated in the processing vessel 101, So as to be detachably arranged. With this configuration, when local damage is caused to the liner 201a, 201c or the liner 203b, 205b, 207b formed in a small piece, only the liner 201a, 201c or the liner 203b, 205b, It is good. Therefore, it is possible to easily carry out replacement work of the liner, which has been a great burden in the past, in a short time, and also to reduce the frequency of replacement and the cost of replacement parts.

또한, 본 실시형태에서는, 처리 용기(101)내로 가스류가 집중하기 쉬운 배플판(181)의 양단에 착탈 가능한 연결판(209)을 마련했다. 이에 의해, 배플판(181)을 보호해서 부품 수명을 장기화할 수 있는 동시에, 연결판(209)이 소모했을 경우에는 연결판(209)만을 교환하면 좋다. 작은 조각의 연결판(209)의 교환 작업은 용이하기 때문에, 교환 작업 시간이 짧게 종료하고, 교환 부품의 비용도 억제할 수 있다.In this embodiment, a connection plate 209 is provided at both ends of the baffle plate 181 where gas flow easily concentrates into the processing vessel 101. Thus, it is possible to protect the baffle plate 181 and prolong the service life of the parts, and when the connection plate 209 is consumed, only the connection plate 209 can be replaced. Since the replacement work of the small connecting plate 209 is easy, the replacement work time is shortened and the cost of the replacement part can be suppressed.

[제 2 실시형태] [Second Embodiment]

다음에, 도 6 내지 도 11을 참조하면서, 본 발명의 제 2 실시형태에 대해서 설명한다. 도 6은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 처리 용기의 내부를 도시한 도면이다. 여기에서는, 처리 용기(101)의 기판 반송용 개구(161)를 갖는 측벽(101b)과, 도어용 개구(163)를 갖는 측벽(101c)의 내벽면을 도시하고 있다.Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 6 to 11. Fig. 6 is a view showing the inside of a processing container according to a second embodiment of the present invention. Here, the side wall 101b having the substrate transfer opening 161 of the processing container 101 and the inner wall surface of the side wall 101c having the door opening 163 are shown.

기판 반송용 개구(161)를 갖는 측벽(101b)의 내면은, 제 1 보호 부재로서의 판 형상의 주 라이너(211)에 의해 피복되어 플라즈마나 부식성 가스로부터 보호되어 있다. 주 라이너(211)는 기판 반송용 개구(161)에 대응한 크기의 개구를 갖고 있다.The inner surface of the side wall 101b having the substrate transfer opening 161 is covered with a plate-like main liner 211 as a first protective member and protected from plasma or corrosive gas. The main liner 211 has an opening corresponding to the substrate transport opening 161.

기판 반송용 개구(161)의 양단의 코너부(161a)의 주위에 있어서는, 주 라이너(211)상에 중첩되고, 주 라이너(211)보다 작은 조각으로 형성된 제 2 보호 부재로서의 보조 라이너(301a, 301b)가 2중으로 배치되어 있다. 즉, 기판 반송용 개구(161)의 코너부(161a)의 주위는 주 라이너(211)와 보조 라이너(301a 또는 301b)에 의한 2중 접합 구조로 되어 있다.The auxiliary liners 301a and 301b as the second protective members which are superimposed on the main liner 211 and formed in a smaller size than the main liner 211 are formed around the corner portions 161a at both ends of the substrate transfer opening 161, 301b are arranged in two. That is, the periphery of the corner portion 161a of the substrate transfer opening 161 has a double-junction structure of the main liner 211 and the auxiliary liner 301a or 301b.

보조 라이너(301a, 301b)는, 기판 반송용 개구(161)의 코너부(161a)의 형상에 맞춰서 ⊃자형(U자형)을 이루고 있고, 측벽(101b)에 착탈 가능하게 마련되어 있다.The auxiliary liners 301a and 301b have a U shape in conformity with the shape of the corner portion 161a of the substrate transport opening 161 and are detachably provided on the side wall 101b.

도 7에 보조 라이너(301a(301b))가 배치된 기판 반송용 개구(161)의 코너부(161a) 부근의 단면 구조를 도시했다. 기판 반송용 개구(161)의 내면에는 제 3 보호 부재로서, 가로에 폭이 넓은 통형상을 이룬 각통 라이너(213)가 삽입되어 있다. 각통 라이너(213)는 주 라이너(211)에 대하여 대략 수직하게 배치되어 있다. 각통 라이너(213)는 도시하지 않은 나사 등의 고정 수단으로 측벽(101b)에 고정되어 있다.Fig. 7 shows a sectional structure near the corner portion 161a of the substrate transport opening 161 in which the auxiliary liner 301a (301b) is disposed. On the inner surface of the substrate transport opening 161, a barrel liner 213 having a wide transverse width as a third protective member is inserted. The square liner 213 is arranged substantially perpendicular to the main liner 211. The square liner 213 is fixed to the side wall 101b by a fixing means such as a screw (not shown).

각통 라이너(213)의 단부에는 외측을 향해서 돌출한 소형 플랜지부(213a)가 형성되어 있다. 한편, 주 라이너(211)의 개구의 연부(개구 단부)에는 노치 단차부(211a)가 형성되어 있다. 그리고, 각통 라이너(213)의 소형 플랜지부(213a)가 주 라이너(211)의 노치 단차부(211a)와 끼워맞춤될 수 있도록 해서, 주 라이너(211)와 각통 라이너(213)가 접합되어 있다. 즉, 주 라이너(211)의 단부와 각통 라이너(213)의 단부는, 접합 부분의 단면에 있어서의 양쪽 부재의 경계선이 비직선적으로 형성되도록 끼워맞춤 구조를 해서 접합되어 있다.A small flange portion 213a protruding outward is formed at the end of the square liner 213. [ On the other hand, a notch step portion 211a is formed at the edge portion (opening end portion) of the opening of the main liner 211. The main liner 211 and the saddle liner 213 are joined so that the small flange portion 213a of the saddle liner 213 can be fitted to the notch step portion 211a of the main liner 211 . That is, the end of the main liner 211 and the end of the square liner 213 are joined together in a fitting structure so that the boundary line of both members on the end face of the joining portion is formed non-linearly.

보조 라이너(301a(301b))는 주 라이너(211)와 각통 라이너(213)의 상기 접합 부위를 내측으로부터 덮도록 주 라이너(211)에 중첩해서 배치되어 있다. 보조 라이너(301a(301b))는 주 라이너(211)를 관통하는 나사(401)에 의해 측벽(101b)에 고정되어 있다. 이 나사(401)에 의해, 보조 라이너(301a(301b))와 주 라이너(211)와 측벽(101b)의 도통이 확보된다. 따라서, 보조 라이너(301a(301b))와 주 라이너(211)는 접지 전위로 유지된다. 또한, 측벽(101b)과 주 라이너(211)와 보조 라이너(301a(301b)) 사이의 도통을 확보할 목적으로, 이들의 사이에 예컨대 실드 스파이럴 등의 도통 부재를 배치해도 좋다.The auxiliary liner 301a (301b) is disposed so as to overlap the main liner 211 so as to cover the above-mentioned joint portions of the main liner 211 and the sidewall liner 213 from the inside. The auxiliary liner 301a (301b) is fixed to the side wall 101b by a screw 401 passing through the main liner 211. [ The screw 401 secures conduction between the auxiliary liner 301a (301b), the main liner 211, and the side wall 101b. Therefore, the auxiliary liner 301a (301b) and the main liner 211 are kept at the ground potential. A conductive member such as a shield spiral may be disposed between the side wall 101b and the main liner 211 and the auxiliary liner 301a (301b) for the purpose of securing conduction between them.

상기와 같이, 플라즈마 에칭 장치(200)의 내부에 발생하는 플라즈마는, 기판 반송용 개구(161)의 중앙의 직선 부분(161b)보다도 양단의 코너부(161a)에 집중하기 쉽다. 이 때문에 본 실시형태에서는, 측벽(101b)의 기판 반송용 개구(161)의 코너부(161a)의 주위에 있어서, 주 라이너(211)상에 중첩되어 보조 라이너(301a(301b))를 배치했다. 이와 같이, 플라즈마에 의한 손상을 받기 쉬운 개소의 라이너를 이중 구조로 하는 것에 의해, 코너부(161a)의 주위의 주 라이너(211)의 소모를 막고, 주 라이너(211)의 교환 회수를 저감할 수 있다. 또한, 손상을 받기 쉬운 부분에 배치된 보조 라이너(301a, 301b)는 주 라이너(211)와 비교해서 작은 조각이기 때문에, 교환 작업이 용이해서, 주 라이너(211) 전체를 교환할 경우에 비교해서 교환 시간과 부품 비용을 억제할 수 있다.As described above, the plasma generated in the plasma etching apparatus 200 is more likely to concentrate on the corner portions 161a at both ends than the linear portion 161b at the center of the substrate transport opening 161. [ For this reason, in the present embodiment, the auxiliary liner 301a (301b) is disposed on the main liner 211 in the periphery of the corner portion 161a of the substrate transport opening 161 of the side wall 101b . In this way, by making the liner of the portion of the position susceptible to damage by the plasma double structured, consumption of the main liner 211 around the corner portion 161a is prevented, and the number of times of replacement of the main liner 211 is reduced . Since the auxiliary liners 301a and 301b disposed in the portions susceptible to damage are small in size as compared with the main liner 211, the replacement operation is easy, and therefore, compared with the case of replacing the entire main liner 211 The exchange time and the component cost can be suppressed.

또한, 보조 라이너(301a, 301b) 뿐만 아니라, 주 라이너(211)와 각통 라이너(213)에 대해서도, 일체 성형하지 않고 별도의 부재에 의해 분할 형성했으므로, 가공이 용이해져서 제조 비용을 억제할 수 있는 것 외에, 각 부재의 교환 작업도 용이하게 실행할 수 있다. 본 실시형태에서는, 주 라이너(211)와 각통 라이너(213)의 접합 부분을 주 라이너(211)의 노치 단차부(211a)와 각통 라이너(213)의 소형 플랜지부(213a)의 끼워맞춤 구조로 했다. 주 라이너(211)와 각통 라이너(213)를 분할 형성했을 경우, 부품 가공 정밀도나 조립 정밀도의 부족, 또는 플라즈마 에칭 처리중의 열팽창 등이 원인이 되어서 접합 부분에 간극이 생기면, 상기 접합 부분에서 이상 방전이 발생하기 쉬워진다. 이 때문에, 접합 부분의 구조를 상기와 같은 끼워맞춤 구조로 하는 것에 의해, 접합 부분에서의 이상 방전을 생기기 어렵게 하고 있다. 그리고, 또한 접합 부분의 위로부터 보조 라이너(301a(301b))를 장착함으로써, 접합 부분에서의 이상 방전의 발생을 확실하게 방지할 수 있다.Further, not only the auxiliary liners 301a and 301b but also the main liner 211 and the sidewall liner 213 are formed integrally with each other without being integrally formed, so that the process can be easily performed, In addition to this, replacement of each member can be easily carried out. The joining portion of the main liner 211 and the sidewall liner 213 is formed in the fitting structure of the notch step portion 211a of the main liner 211 and the small flange portion 213a of the sidewall liner 213 did. When the main liner 211 and the sidewall liner 213 are formed by division, if there is a gap in the joining portion due to lack of component machining accuracy, assembly accuracy, or thermal expansion during the plasma etching process, Discharge is likely to occur. Therefore, by making the structure of the joining portion into the above-described fitting structure, an abnormal discharge at the joining portion is hardly generated. Moreover, by mounting the auxiliary liner 301a (301b) from above the joint portion, it is possible to reliably prevent occurrence of an abnormal discharge at the joint portion.

주 라이너(211)나 보조 라이너(301a, 301b)로서는, 제 1 실시형태의 라이너(201a 내지 201d)와 마찬가지의 재질의 이용할 수 있다. 예를 들면, 플라즈마가 집중하기 쉬운 기판 반송용 개구(161)의 내주면을 덮는 각통 라이너(213)나, 동일 코너부(161a)의 주위를 덮는 보조 라이너(301a, 301b)로서는, 알루미늄 등의 기재 표면에, 우수한 플라즈마 부식 내성을 갖는 Y₂O₃ 용사막이나 YF₃ 용사막 등의 세라믹스 용사막을 형성한 것을 사용하는 것이 바람직하다. 도 7의 A부분의 확대도에, 보조 라이너(301a(301b))로서, 알루미늄 기재(501)의 표면에 Y₂O₃ 용사막(503)을 형성한 상태를 예시했다. 한편, 각통 라이너(213)나 보조 라이너(301a, 301b)와 비교해서 플라즈마의 영향을 직접 받기 어려운 주 라이너(211)에 대해서는, Al₂O₃ 용사막이나 알루마이트 처리에 의한 산화 피막에서 표면을 피복해 둘 수 있다. 물론, 주 라이너(211), 각통 라이너(213) 및 보조 라이너(301a, 301b)에 보호막으로서 함께 알루마이트 처리에 의한 산화 피막을 형성해 두어도 좋고, 동일 재질의 세라믹스 용사막을 형성해 두어도 좋다.As the main liner 211 or the auxiliary liner 301a or 301b, the same material as the liner 201a to 201d of the first embodiment can be used. For example, the sidewall liner 213 that covers the inner circumferential surface of the substrate transfer opening 161 where the plasma is liable to concentrate, and the auxiliary liner 301a, 301b that covers the periphery of the same corner portion 161a, It is preferable to use a ceramic substrate on which a ceramic sprayed film such as a Y ₂ O ₃ coating film or a YF ₃ coating film having excellent plasma corrosion resistance is formed on the surface thereof. In an enlarged view of portion A of Figure 7, a secondary liner (301a (301b)), the surface state was exemplified to form a desert 503 Y ₂ O ₃ on an aluminum substrate 501. The Meanwhile, the angular cylindrical liner (213) or the secondary liner (301a, 301b) and the comparison, for the effect of the plasma in the direct receive hard main liner 211, and covers the surface in the oxide film by the Al ₂ O ₃ for desert or Anodized I can do it. Of course, an oxide film formed by an alumite treatment may be formed as a protective film on the main liner 211, the sidewall liner 213 and the auxiliary liner 301a, 301b, or a ceramics sprayed film of the same material may be formed.

도 8은 본 실시형태의 변형예에 있어서의 기판 반송용 개구(161)의 코너부(161a) 부근의 확대도이다. 도 9는 도 8의 Ⅸ-Ⅸ선 단면 구조를 도시하고 있다. 이 변형예에서는, 기판 반송용 개구(161)의 코너부(161a)의 양단(한 단만을 도시함)에 있어서, 개구의 연부를 덮도록 주 라이너(211)에 중첩해서 ⊃자형(U자형)을 이룬 제 2 보호 부재로서의 보조 라이너(303)를 배치했다. 또한, 주 라이너(211)의 구성은 상기로 마찬가지다.8 is an enlarged view of the vicinity of the corner portion 161a of the substrate transport opening 161 in the modified example of the present embodiment. Fig. 9 shows a cross-sectional structure taken along line IX-IX of Fig. (U-shaped) is superimposed on the main liner 211 so as to cover the edge portion of the opening at both ends (only one end) of the corner portion 161a of the substrate carrying opening 161, The auxiliary liner 303 as the second protective member is disposed. The configuration of the main liner 211 is the same as described above.

기판 반송용 개구(161)의 내면에는, 주 라이너(211)와 직교하고, 제 3 보호 부재로서의 가로로 폭이 넓은 통형상을 이룬 각통 라이너(213)가 배치되어 있다. 이 각통 라이너(213)의 구성 및 주 라이너(211)와 각통 라이너(213)의 접합 구조 및 그 작용은 전술한 바와 같다.On the inner surface of the substrate transport opening 161 is disposed a barrel liner 213 which is orthogonal to the main liner 211 and has a large width in the lateral direction as the third protective member. The configuration of the square liner 213 and the bonding structure and action of the main liner 211 and the square liner 213 are as described above.

단면 L자형의 보조 라이너(303)는, 기판 반송용 개구(161)의 코너부(161a)에 있어서, 주 라이너(211)와 각통 라이너(213)의 상기 접합 부위를 내측으로부터 덮도록 각부에 중첩해서 배치되어 있다. 보조 라이너(303)는 나사(402)에 의해 각통 라이너(213)에 고정되어 있다. 보조 라이너(303)의 단면 형상을 L자형으로 하는 것에 의해, 기판 반송용 개구(161)의 연부에 형성되는 각부에 장착하기 쉬워지는 동시에, 주 라이너(211)와 각통 라이너(213)의 접합 부분을 피복하기 쉬워진다고 하는 이점이 있다.The auxiliary liner 303 of the cross sectional L-shape is provided at the corner portion 161a of the substrate transport opening 161 so as to overlap the main liner 211 and the saddle liner 213 from the inside, Respectively. The auxiliary liner 303 is fixed to the saddle liner 213 by means of screws 402. The sectional shape of the auxiliary liner 303 is L-shaped so that it can be easily attached to the corner portions formed at the edge of the substrate transport opening 161 and the joint portion between the main liner 211 and the saddle liner 213 It is advantageous that it becomes easy to cover the surface.

본 변형예에서는, 플라즈마가 집중하기 쉬운 기판 반송용 개구(161)의 코너부(161a)에 보조 라이너(303)가 배치되어 있다. 이러한 구조에 의해, 주 라이너(211) 및 각통 라이너(213)의 소모를 막는 동시에, 양쪽 부재의 접합 부분으로부터의 이상 방전을 확실하게 방지할 수 있다. 보조 라이너(303)로서는, 제 1 실시형태의 라이너(201a 내지 201d)와 마찬가지의 재질의 것을 이용할 수 있다. 예를 들면, 플라즈마가 집중하기 쉬운 부위에 배치되는 보조 라이너(303)로서는, 알루미늄 등의 기재 표면에, 우수한 플라즈마 부식 내성을 갖는 Y₂O₃ 용사막이나 YF₃ 용사막 등의 세라믹스 용사막을 형성한 것을 사용하는 것이 바람직하다. 주 라이너(211) 및 각통 라이너(213)에 대해서는 상기와 마찬가지의 구성의 것을 사용할 수 있다.In this modified example, the auxiliary liner 303 is disposed at the corner portion 161a of the substrate carrying opening 161 where the plasma is easily concentrated. With this structure, it is possible to prevent consumption of the main liner 211 and the sidewall liner 213, and to reliably prevent abnormal discharge from the joint portions of both members. As the auxiliary liner 303, materials of the same material as the liner 201a to 201d of the first embodiment can be used. For example, as the auxiliary liner 303 disposed at a portion where the plasma is likely to concentrate, a ceramics sprayed film such as a Y ₂ O ₃ coating film or a YF ₃ coating film having excellent plasma corrosion resistance is formed on the surface of a substrate such as aluminum Is preferably used. As the main liner 211 and the saddle liner 213, those having the same constitution as described above can be used.

다시 도 6을 참조한다. 도어용 개구(163)를 갖는 측벽(101c)의 내면은, 제 1 보호 부재로서의 판형상의 주 라이너(215)에 피복되어 플라즈마나 부식성 가스로부터 보호되어 있다. 주 라이너(215)는 도어용 개구(163)에 대응한 크기의 개구를 갖고 있다.Referring back to FIG. The inner surface of the side wall 101c having the door opening 163 is covered with a plate-shaped main liner 215 as a first protective member and protected from plasma or corrosive gas. The main liner 215 has an opening corresponding to the opening 163 for the door.

도어용 개구(163)의 주위에 있어서는, 주 라이너(215)상에 중첩되어 제 2 보호 부재로서의 작은 조각의 보조 라이너(305)가 2중으로 배치되어 있다. 즉, 도어용 개구(163)의 주위는 주 라이너(215)와 보조 라이너(305)에 의한 2중 접착 구조로 되어 있다.In the periphery of the door opening 163, a small piece of auxiliary liner 305, which is superimposed on the main liner 215 and serves as a second protective member, is arranged in two. That is, the periphery of the door opening 163 has a double bonding structure by the main liner 215 and the auxiliary liner 305.

보조 라이너(305)는 도어용 개구(163)에 대응한 크기의 개구를 구비하여 전체로서 액자형(프레임 형상)을 이루고 있고, 측벽(101c)에 착탈 가능하게 마련되어 있다.The auxiliary liner 305 has an opening with a size corresponding to the door opening 163 and is formed as a frame as a whole and is detachably provided on the side wall 101c.

도 10에, 보조 라이너(305)가 배치된 도어용 개구(163) 부근의 단면 구조를 도시했다. 도어용 개구(163)의 내면에는, 제 3 보호 부재로서의 각통 형상을 이룬 각통 라이너(217)가 삽입되어 있다. 각통 라이너(217)는 주 라이너(215)에 대하여 대략 수직하게 배치되어 있다. 각통 라이너(217)는 도시하지 않은 나사 등의 고정 수단으로 측벽(101c)에 고정되어 있다.Fig. 10 shows a sectional structure near the door opening 163 in which the auxiliary liner 305 is disposed. On the inner surface of the door opening 163, a square liner 217 having an angular cylinder shape as a third protecting member is inserted. The square liner 217 is arranged substantially perpendicular to the main liner 215. The square liner 217 is fixed to the side wall 101c by a fixing means such as a screw (not shown).

각통 라이너(217)의 단부에는, 외측을 향해서 돌출한 소형 플랜지부(217a)가 형성되어 있다. 한편, 주 라이너(215)의 개구의 연부(개구 단부)에는 노치 단차부(215a)가 형성되어 있다. 그리고, 각통 라이너(217)의 소형 플랜지부(217a)가 주 라이너(215)의 노치 단차부(215a)와 끼워맞춰질 수 있도록 하여, 주 라이너(215)와 각통 라이너(217)가 접합되어 있다. 즉, 주 라이너(215)의 단부와 각통 라이너(217)의 단부는, 접합 부분의 단면에 있어서의 양쪽 부재의 경계선이 비직선적으로 형성되도록 끼워맞춤 구조를 해서 접합되어 있다.A small flange portion 217a protruding outward is formed at the end of the square liner 217. [ On the other hand, a notch stepped portion 215a is formed in the edge portion (opening end portion) of the opening of the main liner 215. [ The main liner 215 and the barrel liner 217 are joined so that the small flange portion 217a of the square liner 217 can be fitted to the notch step portion 215a of the main liner 215. [ That is, the end of the main liner 215 and the end of the square liner 217 are joined together with a fitting structure so that the boundary line of both members on the cross section of the joining portion is formed non-linearly.

단면 L자형을 이루는 보조 라이너(305)는 주 라이너(215)와 각통 라이너(217)의 상기 접합 부위를 내측으로부터 덮도록 주 라이너(215)에 중첩해서 배치되어 있다. 보조 라이너(305)의 단면을 L자형으로 하는 것에 의해, 도어용 개구(163)의 연부에 형성되는 각부에 장착하기 쉬워지는 동시에, 주 라이너(215)와 각통 라이너(217)의 접합 부분을 피복하기 쉬워진다는 이점이 있다. 보조 라이너(305)는 주 라이너(215)를 관통하는 나사(403)에 의해 측벽(101c)에 고정되어 있다. 이 나사(403)에 의해, 보조 라이너(305)와 주 라이너(215)와 측벽(101c)의 도통이 확보된다. 따라서, 보조 라이너(305)와 주 라이너(215)는 접지 전위로 유지된다. 또한, 측벽(101c)과 주 라이너(215)와 보조 라이너(305) 사이의 도통을 확보할 목적으로, 이들의 사이에 예컨대 실드 스파이럴 등의 도통 부재를 배치해도 좋다.The auxiliary liner 305 having an L-shaped cross section is disposed so as to overlap with the main liner 215 so as to cover the above-mentioned joint portions of the main liner 215 and the sidewall liner 217 from the inside. The cross section of the auxiliary liner 305 is L-shaped so that it can be easily attached to the corner portion formed at the edge of the door opening 163 and the joint portion of the main liner 215 and the square liner 217 is covered There is an advantage that it becomes easier to do. The auxiliary liner 305 is fixed to the side wall 101c by a screw 403 passing through the main liner 215. [ This screw 403 secures conduction between the auxiliary liner 305, the main liner 215, and the side wall 101c. Thus, the auxiliary liner 305 and the main liner 215 are maintained at the ground potential. A conductive member such as a shield spiral may be disposed between the side wall 101c and the main liner 215 and the auxiliary liner 305 for the purpose of securing conduction between them.

상기와 같이, 플라즈마 에칭 장치(200)의 내부에 발생하는 플라즈마는 도어용 개구(163)의 연부(163a)에 집중하기 쉽다. 이 때문에, 본 실시형태에서는, 도어용 개구(163)의 주위에, 주 라이너(215)상에 중첩되어 보조 라이너(305)를 배치했다. 이와 같이, 플라즈마에 의한 손상을 받기 쉬운 개소의 라이너를 이중 구조로 하는 것에 의해, 도어용 개구(163)의 주위에서 주 라이너(215)의 소모를 막고, 주 라이너(215)의 교환 회수를 저감할 수 있다. 또한, 손상을 받기 쉬운 부분에 배치된 보조 라이너(305)는, 주 라이너(215)와 비교해서 소형이기 때문에, 교환 작업이 용이해서, 주 라이너(215) 전체를 교환할 경우에 비교해서 교환 시간과 부품 비용을 억제할 수 있다.As described above, the plasma generated in the plasma etching apparatus 200 is likely to concentrate on the edge 163a of the door opening 163. Therefore, in the present embodiment, the auxiliary liner 305 is disposed on the main liner 215 in the periphery of the door opening 163. In this way, by making the liner of the portion of the structure susceptible to damage by the plasma to have a double structure, consumption of the main liner 215 around the opening 163 for the door is prevented, and the number of times of exchanging the main liner 215 is reduced can do. Further, since the auxiliary liner 305 disposed in the portion liable to be damaged is small in size as compared with the main liner 215, the replacement operation is easy, and compared with the case of replacing the entire main liner 215, And the component cost can be suppressed.

또한, 보조 라이너(305) 뿐만 아니라, 주 라이너(215)와 각통 라이너(217)에 있어도, 일체 성형하지 않고 별도의 부재에 의해 분할 형성했으므로, 가공이 용이해져서 제조 비용을 억제할 수 있는 것 외에, 각 부재의 교환 작업도 용이하게 실행할 수 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 주 라이너(215)와 각통 라이너(217)의 접합 부분을, 주 라이너(215)의 노치 단차부(215a)와 각통 라이너(217)의 소형 플랜지부(217a)의 끼워맞춤 구조로 하고, 그 위에 보조 라이너(305)를 장착했다. 이에 의해, 주 라이너(215)와 각통 라이너(217)를 분할 형성한 것에 의해 발생하기 쉬워지는 접합 부분으로부터의 이상 방전을 확실하게 방지할 수 있다.Since not only the auxiliary liner 305 but also the main liner 215 and the sidewall liner 217 are divided and formed by separate members instead of integrally molding them, it is easy to work and the manufacturing cost can be suppressed , The exchange operation of each member can be easily carried out. The joint portion between the main liner 215 and the sidewall liner 217 is sandwiched between the notch stepped portion 215a of the main liner 215 and the small flange portion 217a of the sidewall liner 217, And the auxiliary liner 305 was mounted thereon. This makes it possible to reliably prevent an abnormal discharge from a joint portion which is liable to be generated by dividing the main liner 215 and the sidewall liner 217.

주 라이너(215), 각통 라이너(217)나 보조 라이너(305)로서는, 제 1 실시형태의 라이너(201a 내지 201d)와 마찬가지의 재질의 것을 이용할 수 있다. 예를 들면, 플라즈마가 집중하기 쉬운 도어용 개구(163)의 내주면을 덮는 각통 라이너(217)나 동일 연부(163a)를 덮는 보조 라이너(305)에 대해서는, 알루미늄 등의 기재 표면에, 우수한 플라즈마 부식 내성을 갖는 Y₂O₃ 용사막이나 YF₃ 용사막 등의 세라믹스 용사막을 형성한 것을 사용하는 것이 바람직하다. 한편, 각통 라이너(217)나 보조 라이너(305)와 비교해서 플라즈마의 영향을 직접 받기 어려운 주 라이너(215)에 대해서는, Al₂O₃ 용사막이나 알루마이트 처리에 의한 산화 피막으로 표면을 피복해 둘 수 있다. 물론, 주 라이너(215), 각통 라이너(217) 및 보조 라이너(305)에, 보호막으로서 함께 알루마이트 처리에 의한 산화 피막을 형성해 두어도 좋고, 동일 재질의 세라믹스 용사막을 형성해 두어도 좋다.As the main liner 215, the square liner 217 and the auxiliary liner 305, materials of the same material as the liner 201a to 201d of the first embodiment can be used. For example, with respect to the sidewall liner 217 covering the inner peripheral surface of the door opening 163 where the plasma is likely to concentrate and the auxiliary liner 305 covering the same edge portion 163a, excellent plasma corrosion Resistant Y ₂ O ₃ coating film or a YF ₃ coating film is preferably used as the coating film. On the other hand, for the main liner 215, which is less susceptible to plasma directly than the square liner 217 and the auxiliary liner 305, the surface of the main liner 215 is coated with an Al ₂ O ₃ coating film or an alumite- . Of course, the main liner 215, the sidewall liner 217, and the auxiliary liner 305 may be formed with an oxide film by an alumite treatment together as a protective film, or may be formed with a ceramics sprayed film of the same material.

도 11은 본 실시형태의 변형예에 있어서의 도어용 개구(163) 부근의 단면 구조를 도시하고 있다. 본 변형예에서는, 제 1 보호 부재로서의 주 라이너(215)상에, 제 2 보호 부재로서의 보조 라이너(307)가 배치되고, 또한 그 위에 중첩해서 제 4 보호 부재로서의 보조 라이너(309)가 배치된 3중 구조를 이루고 있다. 또한, 주 라이너(215)의 구성은 상기와 동일하다.11 shows a sectional structure near the door opening 163 in the modified example of this embodiment. In this modified example, the auxiliary liner 307 as the second protecting member is disposed on the main liner 215 as the first protecting member, and the auxiliary liner 309 as the fourth protecting member is disposed over the auxiliary liner 307 Triple structure. The configuration of the main liner 215 is the same as described above.

도어용 개구(163)의 내면에는, 주 라이너(215)와 직교하고, 제 3 보호 부재로서의 각통 형상을 이룬 각통 라이너(217)가 배치되어 있다. 각통 라이너(217)는 도시하지 않은 나사에 의해 측벽(101c)에 고정되어 있다. 주 라이너(215)와 각통 라이너(217)의 접합 구조 및 그 작용은 상술한 바와 같다.On the inner surface of the door opening 163, a square liner 217, which is orthogonal to the main liner 215 and has a square cylindrical shape as a third protective member, is disposed. The square liner 217 is fixed to the side wall 101c by a not shown screw. The joining structure of the main liner 215 and the sidewall liner 217 and their operation are as described above.

도어용 개구(163)의 주위에는, 개구를 갖는 평판상의 보조 라이너(307)가 주 라이너(215)에 중첩되어 배치되어 있다. 그리고, 단면 L자형을 이룬 액자 형상(프레임 형상)의 보조 라이너(309)는 주 라이너(215)와 보조 라이너(307)와 각통 라이너(217)를 덮도록 배치되어 있다. 보조 라이너(309)는 보조 라이너(307) 및 주 라이너(215)를 관통하는 도시하지 않는 나사에 의해 측벽(101c)에 고정되어 있다. 보조 라이너(309)의 단면을 L자형으로 이룬 것에 의해, 도어용 개구(163)의 연부에 형성되는 각부에 장착하기 쉬워지는 동시에, 주 라이너(215)와 각통 라이너(217)와 보조 라이너(309)의 접합 부분을 피복하기 쉬워진다고 하는 이점이 있다.On the periphery of the door opening 163, a flat auxiliary liner 307 having an opening is placed over the main liner 215. A frame-shaped auxiliary liner 309 having an L-shaped cross section is disposed so as to cover the main liner 215, the auxiliary liner 307, and the saddle liner 217. The auxiliary liner 309 is fixed to the side wall 101c by a screw (not shown) passing through the auxiliary liner 307 and the main liner 215. [ The main liner 215 and the side liner 217 and the auxiliary liner 309 can be easily attached to the corner portions formed at the edge of the door opening 163 by making the cross section of the auxiliary liner 309 L- In the present invention.

주 라이너(215)와 각통 라이너(217) 사이에는, 도통을 확보할 목적으로 도통 부재로서의 실드 스파이럴(404)이 개재 배치되어 있다. 또한, 주 라이너(215)와 보조 라이너(307) 사이에도, 동일한 목적으로 실드 스파이럴(405)이 개재 배치되어 있다. 또한, 보조 라이너(307)와 보조 라이너(309) 사이에도 동일 목적으로 실드 스파이럴(406)이 개재 배치되어 있다. 실드 스파이럴(404 내지 406)에 의해, 각통 라이너(217)와 주 라이너(215)와 보조 라이너(307)와 보조 라이너(309)의 도통이 확보되어 있다. 또한, 상기와 같이, 각통 라이너(217)는 측벽(101c)에 나사 고정되어 있기 때문에, 이 나사(도시 생략)를 거쳐서, 각통 라이너(217), 주 라이너(215), 보조 라이너(307, 309)가 접지 전위로 되어서 이상 방전이 방지되어 있다.A shield spiral 404 as a conducting member is interposed between the main liner 215 and the saddle liner 217 in order to secure conduction. A shield spiral 405 is interposed between the main liner 215 and the auxiliary liner 307 for the same purpose. A shield spiral 406 is interposed between the auxiliary liner 307 and the auxiliary liner 309 for the same purpose. The shield spirals 404 to 406 ensure the conduction between the square liner 217, the main liner 215, the auxiliary liner 307, and the auxiliary liner 309. As described above, since the square liner 217 is screwed to the side wall 101c, the square liner 217, the main liner 215, the auxiliary liner 307, 309 (not shown) Becomes a ground potential and an abnormal discharge is prevented.

본 변형예에서는, 주 라이너(215)상에 보조 라이너(307)가 배치되고, 또한 그 위에 중첩되어 보조 라이너(309)가 배치된 3중 구조를 이루고 있다. 이러한 3중 구조에 의해, 플라즈마가 집중하기 쉬운 도어용 개구(163)의 연부(163a)에 있어서, 주 라이너(215) 및 각통 라이너(217)의 소모를 막는 동시에, 양쪽 부재의 접합 부분으로부터의 이상 방전을 확실하게 방지할 수 있다. 이 때문에, 주 라이너(215)의 교환 회수를 저감할 수 있다.In this modified example, the auxiliary liner 307 is disposed on the main liner 215, and the auxiliary liner 309 is disposed on the auxiliary liner 307 to form a triple structure. This triple structure prevents the consumption of the main liner 215 and the sidewall liner 217 at the edge portion 163a of the door opening 163 where the plasma can easily concentrate, Abnormal discharge can be reliably prevented. Therefore, the number of replacement of the main liner 215 can be reduced.

또한, 도어용 개구(163)의 주위에 있어서, 교환 부품인 보조 라이너를 보조 라이너(307)와 보조 라이너(309)로 세분화해서 배치했기 때문, 이들의 교환 작업이 용이해서, 주 라이너(215) 전체를 교환할 경우에 비교해서 교환 시간과 부품 비용을 억제할 수 있다.The auxiliary liner 307 and the auxiliary liner 309 are subdivided in the vicinity of the door opening 163 so that replacement of the main liner 215 is facilitated. The exchange time and the component cost can be suppressed as compared with the case of exchanging the whole.

보조 라이너(307), 보조 라이너(309)로서는, 제 1 실시형태의 라이너(201a 내지 201d)와 마찬가지의 재질의 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 플라즈마가 집중하기 쉬운 부위에 배치되는 보조 라이너(307) 및 보조 라이너(309)로서는, 알루미늄 등의 기재 표면에, 우수한 플라즈마 부식 내성을 갖는 Y₂O₃ 용사막이나 YF₃ 용사막 등의 세라믹스 용사막을 형성한 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 보조 라이너(307)와 보조 라이너(309)에 각각 다른 재질의 세라믹스 용사막을 형성해 두는 것도 가능하다. 주 라이너(215) 및 각통 라이너(217)에 대해서는 상기와 같은 구성의 것을 사용할 수 있다.As the auxiliary liner 307 and the auxiliary liner 309, those of the same material as the liner 201a to 201d of the first embodiment can be used. For example, as the auxiliary liner 307 and the auxiliary liner 309 disposed on the portion where the plasma is likely to concentrate, a Y ₂ O ₃ coating film or YF ₃ coating film having excellent plasma corrosion resistance Or the like is formed on the surface of the ceramic film. It is also possible to form a ceramics sprayed film of different material on the auxiliary liner 307 and the auxiliary liner 309, respectively. As the main liner 215 and the saddle liner 217, those having the above-described structure can be used.

또한, 도시 및 설명은 생략하지만, 처리 용기(101)의 측벽(101d 및 101e)에 관해서도, 도어용 개구(163)의 주위에 측벽(101c)과 마찬가지의 라이너 구조를 갖고 있다.The side walls 101d and 101e of the processing vessel 101 have the same liner structure as the side wall 101c around the door opening 163 although not shown and described.

이상과 같이, 본 실시형태에서는, 처리 용기(101)내로 플라즈마나 가스류가 집중하기 쉬운 부분에 있어서, 보호 부재로서의 라이너를 주 라이너(주 라이너(211, 215))와 보조 라이너(보조 라이너(301a, 301b, 303, 305, 307, 309))의 2층 이상의 다중 구조로 하고, 또한 보조 라이너를 작은 조각으로 형성했다. 이러한 구성에 의해, 주 라이너의 교환 빈도를 저감하고, 보조 라이너의 교환 작업을 용이하게 실행할 수 있다. 또한, 교환 부품의 비용도 억제할 수 있다.The main liner (main liner 211, 215) and the auxiliary liner (auxiliary liner (main liner) 211, 215) as the protective member are provided in the portion where plasma or gas flow is likely to concentrate into the processing vessel 101, 301a, 301b, 303, 305, 307, 309), and the auxiliary liner was formed into a small piece. With this configuration, the replacement frequency of the main liner can be reduced, and the replacement work of the auxiliary liner can be easily performed. In addition, the cost of replacement parts can be suppressed.

본 실시형태에 있어서의 그 밖의 구성, 작용 및 효과는 제 1 실시형태와 동일하다.Other configurations, actions, and effects in this embodiment are the same as those in the first embodiment.

이상, 본 발명의 실시형태를 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 제약되는 일은 없고, 다양한 변형이 가능하다. 예를 들면, 상기 실시형태에서는, 하부 전극(기재(107))에 고주파 전력을 인가하는 RIE 타입의 용량 결합형 평행 평판 플라즈마 에칭 장치를 예시해서 설명했지만, 상부 전극에 고주파 전력을 공급하는 타입이여도 좋고, 용량 결합형에 한정되지 않고 유도 결합형이여도 좋다.Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications are possible. For example, in the above embodiment, the RIE type capacitively coupled parallel flat plate plasma etching apparatus for applying a high frequency power to the lower electrode (base material 107) has been described as an example, but a type that supplies high frequency power to the upper electrode Or may be inductively coupled, not limited to the capacitive coupling type.

또한, 본 발명의 처리 용기는, FPD용 기판을 처리 대상으로 하는 플라즈마 에칭 장치에 한정되지 않고, 예를 들면 반도체 웨이퍼를 대상으로 하는 것이라도 좋고, 플라즈마 에칭 장치에 한정되지 않고, 예를 들면 플라즈마 애싱 장치, 플라즈마 CVD 장치 등의 다른 플라즈마 처리 장치에도 적용할 수 있다.Further, the processing container of the present invention is not limited to a plasma etching apparatus to be processed with an FPD substrate, and may be, for example, a semiconductor wafer, and is not limited to a plasma etching apparatus. For example, But also to other plasma processing apparatuses such as an ashing apparatus and a plasma CVD apparatus.

또한, 상기 실시형태에서 도시한 보호 부재로서의 라이너(주 라이너, 각통 라이너 및 보조 라이너)의 형상이나, 측벽에의 고정 방법, 및 라이너끼리의 접합 구조는 어디까지나 예시이며, 수많은 변형예가 존재할 수 있지만, 그것들도 본 발명의 기술적 범위에 속한다.The shape of the liner (main liner, square liner and auxiliary liner) as the protective members shown in the above-described embodiment, the fixing method to the side wall, and the bonding structure of the liner are only examples, and many variations may exist , They are also within the technical scope of the present invention.

1a, 1b, 1c : 프로세스 챔버 3 : 반송실
5 : 로드록실 100 : 진공 처리 시스템
101 : 처리 용기 101a : 저벽
101b 내지 101d : 측벽 101f : 덮개
105 : 서셉터 151 : 배기구
161 : 기판 반송용 개구 161a : 코너부
163 : 도어용 개구 163a : 연부
201a 내지 201d : 라이너 203a 내지 203c : 라이너1a, 1b, 1c: Process chamber 3: Transport chamber
5: Load lock chamber 100: Vacuum processing system
101: processing vessel 101a: bottom wall
101b to 101d: side wall 101f:
105: susceptor 151: exhaust port
161: Substrate transport opening 161a:
163: door opening 163a: edge
201a to 201d: liner 203a to 203c:

Claims

피처리체를 내부에 수용하여 플라즈마 처리를 행하는 처리 용기에 있어서,
개구 부분을 갖는 용기 본체와,
상기 용기 본체를 플라즈마 및 부식성 가스 중 적어도 어느 하나에 의한 손상으로부터 보호하는 보호 부재를 구비하고,
상기 보호 부재는,
상기 용기 본체의 내벽면을 따라 배치 마련된 제 1 보호 부재와,
상기 개구 부분의 주위에서, 상기 제 1 보호 부재와 분리하여 착탈 가능하게 배치 마련된 제 2 보호 부재와,
상기 개구 부분의 내벽면을 따라서 배치 마련된 통형상의 제 3 보호 부재를 갖고,
상기 제 1 보호 부재와 상기 제 3 보호 부재는, 상기 제 3 보호 부재의 단부와 상기 제 1 보호 부재의 단부의 접합 부분의 단면에 있어서의 양쪽 부재의 경계선이 비직선적으로 형성된 끼워맞춤 구조에 의해 서로 접합되어 있으며, 상기 접합 부분을 상기 제 2 보호 부재가 덮고 있으며,
상기 제 1 보호 부재는 상기 용기 본체의 개구 부분에 대응한 크기의 개구를 구비하여 상기 용기 본체에 직접 장착되어 있고, 상기 제 2 보호 부재는 상기 제 1 보호 부재보다 작은 조각으로 형성되어, 상기 제 1 보호 부재에 중첩하여 장착되어 있는 것을 특징으로 하는
처리 용기.1. A processing container for accommodating an object to be processed and performing a plasma process,
A container body having an opening portion,
And a protective member for protecting the container body from damage by at least one of plasma and corrosive gas,
Wherein,
A first protective member arranged along the inner wall surface of the container body,
A second protection member detachably disposed in the periphery of the opening portion so as to be detachable from the first protection member;
And a third tubular protective member arranged along the inner wall surface of the opening portion,
The first protection member and the third protection member are formed by a fitting structure in which the boundary line of both members on the end surface of the joint portion of the end portion of the third protection member and the end portion of the first protection member is non- And the second protection member covers the joint portion,
Wherein the first protection member is directly attached to the container body with an opening corresponding to the opening portion of the container body and the second protection member is formed in a smaller size than the first protection member, 1) < / RTI >
Processing vessel.

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제 1 항에 있어서,
상기 제 2 보호 부재의 표면에 플라즈마 부식 내성을 갖는 세라믹스 용사막을 마련한 것을 특징으로 하는
처리 용기.The method according to claim 1,
Characterized in that a ceramics sprayed film having plasma corrosion resistance is provided on the surface of the second protective member
Processing vessel.

제 3 항에 있어서,
상기 세라믹스 용사막이 Y₂O₃ 또는 YF₃의 용사막인 것을 특징으로 하는
처리 용기.The method of claim 3,
Wherein the ceramic thermal sprayed coating is a thermal sprayed coating of Y ₂ O ₃ or YF ₃
Processing vessel.

제 4 항에 있어서,
상기 제 1 보호 부재의 표면에, 알루마이트 처리에 의한 산화 피막 또는 Al₂O₃ 용사막을 마련한 것을 특징으로 하는
처리 용기.5. The method of claim 4,
Characterized in that an oxide film or an Al ₂ O ₃ sprayed film by an alumite treatment is provided on the surface of the first protective member
Processing vessel.

제 1 항에 있어서,
상기 제 3 보호 부재는 그 일 단부에서 외측으로 돌출한 플랜지부를 갖고,
상기 제 1 보호 부재는 그 개구단에서 단차부를 갖고,
상기 제 3 보호 부재와 상기 제 1 보호 부재는 상기 플랜지부와 상기 단차부가 끼워맞워지는 끼워맞춤 구조에 의해 접합되어 있는 것을 특징으로 하는
처리 용기.The method according to claim 1,
The third protection member has a flange portion protruding outward at one end thereof,
Wherein the first protective member has a stepped portion at an opening end thereof,
And the third protection member and the first protection member are joined to each other by a fitting structure in which the flange portion and the step portion are fitted to each other
Processing vessel.

제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,
상기 제 3 보호 부재의 표면에 플라즈마 부식 내성을 갖는 세라믹스 용사막을 마련한 것을 특징으로 하는
처리 용기.7. The method according to claim 1 or 6,
And a ceramics sprayed film having plasma corrosion resistance is provided on the surface of the third protective member
Processing vessel.

제 7 항에 있어서,
상기 세라믹스 용사막이 Y₂O₃ 또는 YF₃의 용사막인 것을 특징으로 하는
처리 용기.8. The method of claim 7,
Wherein the ceramic thermal sprayed coating is a thermal sprayed coating of Y ₂ O ₃ or YF ₃
Processing vessel.

제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 제 2 보호 부재는 단면 L자형을 이루고 있는 것을 특징으로 하는
처리 용기.The method according to claim 1 or 3,
And the second protective member has an L-shaped cross section
Processing vessel.

제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 보호 부재는 상기 제 2 보호 부재의 위에 중첩하여 배치 마련된 제 4 보호 부재를 더 갖고 있는 것을 특징으로 하는
처리 용기.The method according to claim 1 or 3,
Wherein the protection member further comprises a fourth protection member arranged in a superposed manner on the second protection member
Processing vessel.

제 10 항에 있어서,
상기 제 4 보호 부재의 표면에 플라즈마 부식 내성을 갖는 세라믹스 용사막을 마련한 것을 특징으로 하는
처리 용기.11. The method of claim 10,
Characterized in that a ceramics sprayed film having plasma corrosion resistance is provided on the surface of the fourth protection member
Processing vessel.

제 11 항에 있어서,
상기 세라믹스 용사막이 Y₂O₃ 또는 YF₃의 용사막인 것을 특징으로 하는
처리 용기.12. The method of claim 11,
Wherein the ceramic thermal sprayed coating is a thermal sprayed coating of Y ₂ O ₃ or YF ₃
Processing vessel.

제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 용기 본체의 개구 부분이 기판을 반입·반출하는 폭이 넓은 반입·반출구이며, 상기 제 2 보호 부재가 상기 반입·반출구의 양 단부의 주위에 배치 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
처리 용기.The method according to claim 1 or 3,
Characterized in that the opening portion of the container main body is a carry-in / carry-out opening having a wide width for loading and unloading the substrate, and the second protective member is disposed around both ends of the carry-
Processing vessel.

제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 용기 본체의 개구 부분이 도어용의 개구인 것을 특징으로 하는
처리 용기.The method according to claim 1 or 3,
Characterized in that the opening portion of the container body is an opening for a door
Processing vessel.

제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 용기 본체에 배치 마련된 배기구와,
상기 배기구로의 가스 흐름을 조정하는 정류판과,
상기 정류판의 단부에 연설(連設)되어, 상기 배기구를 향하는 가스류에 의한 손상으로부터 상기 정류판을 보호하는 정류판 보호 부재를 더 구비한 것을 특징으로 하는
처리 용기.The method according to claim 1 or 3,
An exhaust port arranged in the container body,
A rectifying plate for regulating gas flow to the exhaust port,
Further comprising a rectifying plate protecting member which is connected to the end of the rectifying plate and protects the rectifying plate from damage due to gas flow toward the exhaust port
Processing vessel.

제 15 항에 있어서,
상기 정류판 보호 부재의 표면에 플라즈마 부식 내성을 갖는 세라믹스 용사막을 마련한 것을 특징으로 하는
처리 용기.16. The method of claim 15,
Characterized in that a ceramics sprayed film having plasma corrosion resistance is provided on the surface of the rectifying plate protecting member
Processing vessel.

제 16 항에 있어서,
상기 세라믹스 용사막이 Y₂O₃ 또는 YF₃의 용사막인 것을 특징으로 하는
처리 용기.17. The method of claim 16,
Wherein the ceramic thermal sprayed coating is a thermal sprayed coating of Y ₂ O ₃ or YF ₃
Processing vessel.

제 1 항 또는 제 3 항에 기재된 처리 용기를 구비한
플라즈마 처리 장치.A process for manufacturing a semiconductor device comprising the process container according to claim 1 or 3
Plasma processing apparatus.