JP5282511B2 - Optical proximity effect correction pattern verification method and apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は,光近接効果補正パターンの検証方法及びその検証装置に関する。 The present invention relates to an optical proximity effect correction pattern verification method and a verification apparatus thereof.
大規模集積回路(LSI)のパターンは,近年ますます微細化の方向にある。一般に,LSIのレイアウト設計は,回路の機能をRTLレベルのHDLで記述し,それを論理合成してネットリストを生成する論理設計工程と,ネットリストからレイアウトライブラリに基づいてパターンレイアウトを行う物理設計工程とにより行われる。その結果,設計パターンデータとしてレイアウトデータが生成される。 The pattern of large scale integrated circuits (LSIs) has been increasingly miniaturized in recent years. In general, LSI layout design consists of a logic design process in which circuit functions are described in HDL at RTL level, and a netlist is generated by logically synthesizing the functions, and a physical design that performs pattern layout from the netlist based on a layout library. Process. As a result, layout data is generated as design pattern data.
このレイアウトデータに対して,デザインルールを満たしているか否かをチェックするレイアウト検証が行われる。このレイアウト検証では,レイアウトパターンのパターン幅(ライン幅)とパターン間隔(スペース)が規定値以上であることなどが検証される。 Layout verification is performed on the layout data to check whether the design rule is satisfied. In this layout verification, it is verified that the pattern width (line width) and pattern interval (space) of the layout pattern are equal to or greater than a predetermined value.
このように検証されたレイアウトデータによるパターンで露光マスクを生成すると,露光工程における光近接効果により,露光・現像後のパターンは設計パターンとは異なることが知られている。たとえば,露光後に現像されたパターンは,ラインパターンの先端が丸く縮んだり,孤立したラインパターンの中央部が細くなったり,大面積のパターンに隣接するラインパターンが太くなったりする。 When an exposure mask is generated with a pattern based on the layout data thus verified, it is known that the pattern after exposure / development differs from the design pattern due to the optical proximity effect in the exposure process. For example, in a pattern developed after exposure, the tip of the line pattern is rounded down, the center of the isolated line pattern is thinned, or the line pattern adjacent to the large area pattern is thickened.
そこで,光近接効果によるパターンの変動を見込んで,設計パターンに対して光近接効果補正(OPC:Optical Proximity Correction)が行われる。光近接効果補正では,パターン先端や角部にセリフパターンを追加したり,ラインパターンの中央部を太くしたり細くしたりする補正が行われる。そして,補正されたOPCパターンについて再度レイアウト検証が行われる。 Therefore, optical proximity correction (OPC: Optical Proximity Correction) is performed on the design pattern in anticipation of pattern variations due to the optical proximity effect. In the optical proximity correction, correction is performed by adding a serif pattern to the front end or corner of the pattern or making the center of the line pattern thicker or thinner. Then, the layout verification is performed again for the corrected OPC pattern.
本明細書では,設計パターンに対するレイアウト検証と区別するために,OPCパターンの検証をOPCパターン検証と称する。ただし,レイアウト検証もパターン検証も,あるパターン内に不適切なパターン間隔やパターン幅が存在しないことを検証するものであり,その点で同等の検証である。 In this specification, in order to distinguish from the layout verification for the design pattern, the verification of the OPC pattern is referred to as OPC pattern verification. However, both the layout verification and the pattern verification verify that there is no inappropriate pattern interval or pattern width in a certain pattern, and are equivalent in that respect.
以下の特許文献1〜4には,それぞれ設計パターンにOPC処理を行ってOPCパターンを生成し,そのOPCパターンについて種々の検証を行うことが記載されている。
OPCパターン検証では,近接する頂点間の距離が規定値未満か否かをチェックすることで,近接する頂点間のスペースが小さく露光・現像後に頂点どうしが接合される可能性がある箇所や,近接する頂点間のパターン幅が狭く露光・現像後にパターンが切断される可能性がある箇所などを検出する。もし検出される場合は,設計パターンのOPCやレイアウトを再度やり直す必要がある。 In OPC pattern verification, by checking whether the distance between adjacent vertices is less than the specified value, the space between adjacent vertices is small, and there is a possibility that vertices may be joined after exposure / development. A portion where the pattern width between vertices to be narrowed is likely to be cut after exposure / development is detected. If it is detected, it is necessary to redo the OPC and layout of the design pattern.
しかしながら,光近接効果補正により生成された正しい補正パターンでも,上記のOPCパターン検証工程でエラーパターンとして認識される場合がある。たとえば,パターン先端に追加されたアウターセリフパターンは部分的にパターン幅が狭くなる領域が存在し,また,パターンの角部に追加されたインナーセリフパターンは部分的に間隔が短くなる領域が存在する。そのような領域がOPCパターン検証でエラーパターンとして認識されると,パターン検証をパスすることができず,マスクパターンの生成を完了することができない。 However, even a correct correction pattern generated by optical proximity correction may be recognized as an error pattern in the above OPC pattern verification process. For example, the outer serif pattern added to the pattern tip has a region where the pattern width is partially narrowed, and the inner serif pattern added to the corner of the pattern has a region where the interval is partially shortened. . If such an area is recognized as an error pattern by the OPC pattern verification, the pattern verification cannot be passed and the generation of the mask pattern cannot be completed.
そこで,本発明の目的は,適切にOPCパターン検証を行う方法,そのプログラム及びその装置を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a method, a program thereof, and an apparatus for appropriately performing OPC pattern verification.
パターン検証方法は,光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証方法であって,
コンピュータが,頂点座標列を有するパターンデータを解析して,光近接効果補正により形成されたセリフパターン,ノッチパターン,凸状または凹状三角パターンのうち少なくとも1つを抽出する工程と,
コンピュータが,前記パターンデータを解析して,前記近接する2つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する工程とを有し,
前記検証工程において,前記抽出されたパターン内の2つの頂点間の距離を検証対象から除外する。
The pattern verification method is a pattern verification method for verifying whether a distance between adjacent vertices in a pattern corrected for optical proximity effect is less than a specified value,
A computer analyzing pattern data having a vertex coordinate sequence and extracting at least one of a serif pattern, notch pattern, convex or concave triangular pattern formed by optical proximity correction;
A computer analyzing the pattern data to verify that the distance between the two adjacent vertices is not less than a specified value;
In the verification step, the distance between two vertices in the extracted pattern is excluded from the verification target.
光近接効果補正により形成されたセリフパターン,ノッチパターン,凸状または凹状三角パターン内の2つの頂点間の距離が検証対象から除外されるので,これらのパターン内の2つの頂点間距離がエラーとして検出されることを回避することができ,適切にOPCパターン検証を行うことができる。 Since the distance between two vertices in the serif pattern, notch pattern, convex or concave triangular pattern formed by optical proximity correction is excluded from the verification target, the distance between the two vertices in these patterns is an error. Detection can be avoided, and OPC pattern verification can be performed appropriately.
パターン検証プログラムは,上記のOPCパターン検証方法をコンピュータに実行させるプログラムである。 The pattern verification program is a program that causes a computer to execute the above OPC pattern verification method.
パターン検証装置は,上記のOPCパターン検証方法を実行するコンピュータ装置である。 The pattern verification apparatus is a computer apparatus that executes the above OPC pattern verification method.
適切にOPCパターンのレイアウト検証を行う方法,そのプログラム及びその装置を提供することができる。 It is possible to provide a method, a program, and a device for appropriately verifying the layout of an OPC pattern.
以下,図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し,本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず,特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the technical scope of the present invention is not limited to these embodiments, but extends to the matters described in the claims and equivalents thereof.
図1は,OPCパターン検証方法を説明する図である。図1(A)では,2つのパターンP10,P12が四角形のパターンからなり,パターンP10の頂点V10とパターンP12の頂点V12とが,間隔spaceを隔てて近接している。この間隔spaceが規定値である最小間隔値未満の場合は,露光後にパターンP10とP12とが接合される可能性が高いので,エラー図形として検出される。 FIG. 1 is a diagram for explaining an OPC pattern verification method. In FIG. 1A, the two patterns P10 and P12 are square patterns, and the vertex V10 of the pattern P10 and the vertex V12 of the pattern P12 are close to each other with an interval space. If this interval space is less than the predetermined minimum interval value, the pattern P10 and P12 are likely to be joined after exposure, so that it is detected as an error graphic.
また,図1(B)では,単一のパターンP20において,頂点V21とV22とが,幅widthを隔てて近接している。この幅widthが規定値である最小幅値未満の場合は,露光・現像後に頂点V21,V22の部分が切断される可能性が高いので,エラー図形として検出される。さらに,図1(B)では,パターンP20において,頂点V23とV24とが,間隔spaceを隔てて近接している。この間隔spaceも規定値である最小間隔値未満の場合は,露光・現像後に頂点V23,V24が接合される可能性が高いので,エラー図形として検出される。 In FIG. 1B, in a single pattern P20, the vertices V21 and V22 are close to each other with a width width. If the width width is less than the minimum width value, which is a specified value, there is a high possibility that the vertices V21 and V22 will be cut off after exposure / development. Further, in FIG. 1B, in the pattern P20, the vertices V23 and V24 are close to each other with an interval space. If this interval space is also less than the minimum interval value, which is a prescribed value, there is a high possibility that the vertices V23 and V24 are joined after exposure / development, and this is detected as an error graphic.
図2,図3,図4は,光近接効果補正を説明する図である。光近接効果によれば,パターン領域に露光エネルギー,たとえば電子ビームや荷電粒子ビームなどが照射されると,ビームの散乱により,孤立パターンの露光量は不足気味になり,高いパターン密度内のパターンの露光量は過剰になる。そのため,孤立パターンでは,ライン状パターンの先端が丸みを帯びて収縮し,ライン状パターンの幅が細くなり,凸部が丸くなる。また,高いパターン密度内のパターンでは,ライン状パターンの幅が太くなり,凹部が丸く太くなる。 2, 3 and 4 are diagrams for explaining optical proximity effect correction. According to the optical proximity effect, when the pattern area is exposed to exposure energy, such as an electron beam or a charged particle beam, the amount of exposure of the isolated pattern becomes insufficient due to the scattering of the beam. The amount of exposure becomes excessive. Therefore, in the isolated pattern, the tip of the line pattern is rounded and contracted, the width of the line pattern is narrowed, and the convex part is rounded. Further, in a pattern having a high pattern density, the width of the line-shaped pattern becomes thick and the concave portion becomes round and thick.
図2には,L字型のパターンP30とライン状のパターンP31とが示されている。実線で示されている設計パターンに対して,光近接効果によるパターン変形が破線で示されている。前述のとおり,光近接効果により,孤立パターンP30やP31では,先端部が丸く収縮し,ライン幅が狭くなり,凸部は丸くなり,凹部は丸く太くなる。そのため,一点鎖線で示したOPCパターンが追加される。パターンP30では,先端部にアウターセリフS10,S11,S12,S13が形成され,凸部にアウターセリフS14が形成され,凹部にインナーセリフS15が形成され,ライン部にはライン幅を太くするパターンOP16,OP17,OP18,OP19が形成される。同様に,パターンP31では,先端部にアウターセリフS20,S21が形成される。上記セリフS10〜S15,S20,S21と,パターンOP16〜OP19は,OPCにより追加されたパターンである。 FIG. 2 shows an L-shaped pattern P30 and a line-shaped pattern P31. In contrast to the design pattern indicated by the solid line, the pattern deformation due to the optical proximity effect is indicated by the broken line. As described above, due to the optical proximity effect, in the isolated patterns P30 and P31, the tip portion contracts in a round shape, the line width becomes narrow, the convex portion becomes round, and the concave portion becomes round and thick. Therefore, an OPC pattern indicated by a one-dot chain line is added. In the pattern P30, outer serifs S10, S11, S12, and S13 are formed at the tip portion, outer serif S14 is formed at the convex portion, inner serif S15 is formed at the concave portion, and pattern OP16 that increases the line width at the line portion. , OP17, OP18, OP19 are formed. Similarly, in the pattern P31, outer serifs S20 and S21 are formed at the tip. The lines S10 to S15, S20, and S21 and the patterns OP16 to OP19 are patterns added by OPC.
図2において,OPCによりパターンが追加された一点鎖線のOPCパターンでは,セリフS10,S20の近接する2頂点間の間隔SP1が極端に狭くなっている。この間隔SP1は,図1に示したOPCパターン検証によりエラー図形として検出される。つまり,間隔SP1は露光・現像によりパターン接合の可能性があるのでOPCパターン検証でエラー図形として検出される必要がある。 In FIG. 2, in the one-dot chain line OPC pattern to which the pattern is added by OPC, the interval SP1 between two adjacent vertices of the lines S10 and S20 is extremely narrow. This interval SP1 is detected as an error graphic by the OPC pattern verification shown in FIG. That is, the interval SP1 needs to be detected as an error graphic in the OPC pattern verification because there is a possibility of pattern joining by exposure and development.
図3には,逆T字型のパターンP32が示されている。パターンP32は孤立パターンであるので,前述のとおり,露光・現像工程を経ると,光近接効果により破線で示されたようにパターンの変形が生じる。そこで,OPCにより,先端部にはアウターセリフS22〜S27が,凹部にはインナーセリフS28,S29が追加され,ライン部にはパターンOP30〜OP32が追加される。 FIG. 3 shows an inverted T-shaped pattern P32. Since the pattern P32 is an isolated pattern, as described above, after the exposure / development process, the pattern is deformed as indicated by the broken line due to the optical proximity effect. Therefore, by OPC, outer serifs S22 to S27 are added to the leading end, inner serifs S28 and S29 are added to the concave portion, and patterns OP30 to OP32 are added to the line portion.
図3において,一点鎖線のOPCパターンでは,インナーセリフS28,S29の近接頂点間の幅WD1が極端に狭くなっている。この幅WD1は,図1に示したOPCパターン検証によりエラー図形として検出される。つまり,幅WD1は露光・現像によりパターンP32が切断される可能性があるので,OPCパターン検証でエラー図形として検出される必要がある。 In FIG. 3, in the one-dot chain line OPC pattern, the width WD1 between adjacent vertices of the inner serifs S28 and S29 is extremely narrow. The width WD1 is detected as an error graphic by the OPC pattern verification shown in FIG. That is, the width WD1 needs to be detected as an error graphic in the OPC pattern verification because the pattern P32 may be cut by exposure / development.
図4には,ライン状パターンP33と,大面積のパターン34とが示されている。破線は光近接効果によりパターン変形を示す。OPCにより,ライン状パターンP33のパターン34から離れている部分は,前述の孤立パターンと同様に先端部にアウターセリフS30〜S33が形成され,パターンOP34,OP35が形成される。一方,パターンP33のうちパターン34に近接する辺は,パターン34に対する露光エネルギーの散乱により破線のごとく太くなるため,OPCによりライン幅を狭くするパターンOP36が形成される。 FIG. 4 shows a line pattern P33 and a large area pattern. A broken line shows pattern deformation by the optical proximity effect. Outer lines S30 to S33 are formed at the tip of the portion of the line-shaped pattern P33 away from the pattern 34 by OPC, as in the case of the above-described isolated pattern, and patterns OP34 and OP35 are formed. On the other hand, the side of the pattern P33 that is close to the pattern 34 becomes thicker as shown by the broken line due to the scattering of exposure energy with respect to the pattern 34, so that a pattern OP36 that narrows the line width is formed by OPC.
図2〜4で説明したとおり,設計パターンにはOPCによりアウターセリフ,インナーセリフ,ライン幅を太くするパターン,細くするパターンなどが追加される。そして,OPCパターンに対してパターン検証がされ,図2の狭い間隔SP1や図3の細い幅WD1などがエラー図形として検出される。 As described with reference to FIGS. 2 to 4, an outer serif, an inner serif, a pattern for increasing the line width, a pattern for reducing the thickness, and the like are added to the design pattern by OPC. Then, pattern verification is performed on the OPC pattern, and the narrow interval SP1 in FIG. 2 and the narrow width WD1 in FIG. 3 are detected as error graphics.
しかしながら,OPCにより追加されたパターンには,近接する2つの頂点間の距離が規定値よりも短くなる場合がある。そのため,OPCパターン検証ではエラー図形として検出される。本実施の形態では,OPCパターン検証で,エラー図形とすべきでない近接する2つの頂点を検証対象から除外する。 However, in a pattern added by OPC, the distance between two adjacent vertices may be shorter than a specified value. Therefore, it is detected as an error graphic in the OPC pattern verification. In the present embodiment, in the OPC pattern verification, two adjacent vertices that should not be an error graphic are excluded from the verification target.
図5は,不適切にエラー図形として検出されるセリフパターンを示す図である。OPCにより,パターンP40の凸部にはアウターセリフパターンS40が形成され,凹部にはインナーセリフパターンS42が形成されている。アウターセリフパターンS40は,凸部が丸く収縮するのを回避するための凸パターンであり,5つの頂点による形状を有する。そして,頂点V40,V41は近接しており,OPCパターン検証においてその間の距離はパターン幅WD40として検出される。このパターン幅WD40が規定値より細いとエラー図形として検出される。 FIG. 5 is a diagram showing a serif pattern that is inappropriately detected as an error graphic. By OPC, the outer serif pattern S40 is formed on the convex portion of the pattern P40, and the inner serif pattern S42 is formed on the concave portion. The outer serif pattern S40 is a convex pattern for avoiding the convex portion from contracting in a round shape, and has a shape with five vertices. The vertices V40 and V41 are close to each other, and the distance between them is detected as the pattern width WD40 in the OPC pattern verification. If the pattern width WD40 is smaller than a specified value, it is detected as an error graphic.
一方,インナーセリフパターンS42は,凹部が丸く拡大するのを回避するための凹パターンであり,5つの頂点による形状を有する。そして,頂点V42,V43は近接しており,OPCパターン検証においてその間の距離はパターン間隔SP42として検出される。このパターン間隔SP42が規定値より短いとエラー図形として検出される。 On the other hand, the inner serif pattern S42 is a concave pattern for avoiding the concave portion from expanding in a round shape, and has a shape with five vertices. The vertices V42 and V43 are close to each other, and the distance between them is detected as the pattern interval SP42 in the OPC pattern verification. If this pattern interval SP42 is shorter than a specified value, it is detected as an error graphic.
しかしながら,図5に示したパターン幅WD40やパターン間隔SP42は,OPCにより形成されたセリフパターンに起因するものであり,これらをエラー図形として検出する必要はない。逆に,これらをエラー図形として検出すると,OPCパターンはOPCパターン検証をパスすることができず,マスク設計を完了することができなくなる。そこで,本実施の形態では,これらをOPCパターン検証の対象から外すようにする。具体的な方法は後述する。 However, the pattern width WD40 and the pattern interval SP42 shown in FIG. 5 are caused by the serif pattern formed by OPC, and it is not necessary to detect these as error figures. Conversely, if these are detected as error graphics, the OPC pattern cannot pass the OPC pattern verification, and the mask design cannot be completed. Therefore, in this embodiment, these are excluded from the target of OPC pattern verification. A specific method will be described later.
図6は,不適切にエラー図形として検出されるノッチパターンを示す図である。OPCにより,パターンP50には,アウターノッチパターンOP50と,インナーノッチパターンOP52とが形成されている。アウターノッチパターンOP50は,図2のパターンOP19のように,ライン幅が狭くなることを回避するために形成されるパターンであり,且つ,そのパターン長が極端に短くなったものである。一方,インナーノッチパターンOP52は,図4のパターンOP36のように,ライン幅が太くなることを回避するために形成されるパターンであり,且つそのパターン長が極端に短くなったものである。 FIG. 6 is a diagram showing a notch pattern that is inappropriately detected as an error graphic. By OPC, an outer notch pattern OP50 and an inner notch pattern OP52 are formed in the pattern P50. The outer notch pattern OP50 is a pattern formed to avoid a reduction in line width as in the pattern OP19 in FIG. 2, and the pattern length is extremely shortened. On the other hand, the inner notch pattern OP52 is a pattern formed in order to avoid an increase in line width as the pattern OP36 in FIG. 4, and the pattern length is extremely shortened.
アウターノッチパターンOP50は,4つの頂点による形状を有し,頂点V50,V51は近接しており,OPCパターン検証においてそれらの間の距離はパターン幅WD50として検出される。このパターン幅WD50が規定値より狭いとエラー図形として検出される。同様に,インナーノッチパターンOP52は,4つの頂点による形状を有し,頂点V52,V53は近接しており,OPCパターン検証においてそれらの間の距離はパターン間隔SP52として検出される。このパターン間隔SP52が規定値より短いとエラー図形として検出される。 The outer notch pattern OP50 has a shape with four vertices, and the vertices V50 and V51 are close to each other, and the distance between them is detected as a pattern width WD50 in the OPC pattern verification. If the pattern width WD50 is narrower than a specified value, an error graphic is detected. Similarly, the inner notch pattern OP52 has a shape with four vertices, and the vertices V52 and V53 are close to each other, and the distance between them is detected as a pattern interval SP52 in the OPC pattern verification. If the pattern interval SP52 is shorter than the specified value, it is detected as an error graphic.
しかし,上記のパターン幅WD50やパターン間隔SP52は,OPCにより形成されたセリフパターンに起因するものであり,エラー図形として検出する必要はない。そこで,本実施の形態では,これらをOPCパターン検証の対象から除外する。 However, the pattern width WD50 and the pattern interval SP52 are caused by a serif pattern formed by OPC, and need not be detected as an error graphic. Therefore, in the present embodiment, these are excluded from the targets for OPC pattern verification.
図7は,本実施の形態におけるセリフパターンの検出方法を説明する図である。図7の(A)はアウターセリフパターンS60を,(B)(C)はインナーセリフパターンS62,S64を示している。いずれのセリフパターンも,5つの頂点h,i,j,k,lからなる図形である。 FIG. 7 is a diagram illustrating a method for detecting a serif pattern in the present embodiment. 7A shows the outer serif pattern S60, and FIGS. 7B and C show the inner serif patterns S62 and S64. Each serif pattern is a figure composed of five vertices h, i, j, k, and l.
そこで,OPCパターン検証プログラムは,OPCパターンについての頂点座標列を有するOPCパターンデータを解析することで,これらのセリフパターンを構成可能な5つの頂点を検出することができる。つまり,OPCパターン検証プログラムは,頂点座標に基づいて図7に示したセリフパターンを構成可能な辺a,b,c,dの図形を抽出することで,5つの頂点を抽出する。そして,OPCパターン検証プログラムは,検出されたセリフパターンを構成可能な5つの頂点について,各頂点間の辺a,b,c,dの長さの合計a+b+c+dが,セリフ判定値以下の場合に,OPCにより形成されたセリフパターンであると決定する。 Therefore, the OPC pattern verification program can detect five vertices that can constitute these serif patterns by analyzing the OPC pattern data having the vertex coordinate sequence for the OPC pattern. That is, the OPC pattern verification program extracts five vertices by extracting the figures of sides a, b, c, and d that can form the serif pattern shown in FIG. 7 based on the vertex coordinates. Then, the OPC pattern verification program, for the five vertices that can form the detected serif pattern, when the total a + b + c + d of the sides a, b, c, d between the vertices is less than the serif judgment value, It is determined that the line pattern is formed by OPC.
通常の設計パターンには,上記のように5つの頂点からなる図形の辺の長さの合計a+b+c+dがセリフ判定値以下になることはないので,上記の判定基準でOPCにより形成されたセリフパターンと判定することができる。 In a normal design pattern, as described above, the total a + b + c + d of the lengths of the figure consisting of five vertices never falls below the serif judgment value, so that the serif pattern formed by OPC based on the judgment criteria described above Can be determined.
このように抽出されたOPCによるセリフ補正部は,OPCパターン検証の対象から外されて,エラー図形として検出されることはない。 The extracted OPC serif correction unit is excluded from the OPC pattern verification target and is not detected as an error graphic.
図8は,本実施の形態におけるノッチパターンの検出方法を説明する図である。図8の(A)はアウターノッチパターンOP66を,(B)(C)はインナーノッチパターンOP68,OP70を示している。いずれのノッチパターンも4つの頂点m,n,o,pからなる図形である。 FIG. 8 is a diagram for explaining a notch pattern detection method according to the present embodiment. 8A shows the outer notch pattern OP66, and FIGS. 8B and 8C show the inner notch patterns OP68 and OP70. Each notch pattern is a figure composed of four vertices m, n, o, and p.
セリフパターンの検出と同様に,OPCパターン検証プログラムは,OPCパターンについての頂点座標列を有するOPCパターンデータを解析して,これらのノッチパターンを構成可能な4つの頂点を検出する。つまり,OPCパターン検証プログラムは,頂点座標に基づいて図8のノッチパターンを構成可能な辺a,b,cの図形を抽出することで,4つの頂点を抽出する。そして,OPCパターン検証プログラムは,検出されたノッチパターンを構成可能な4つの頂点について,各頂点間の辺a,b,cの長さの合計a+b+cが,ノッチ判定値以下の場合に,OPCにより形成されたノッチパターンであると決定する。 Similar to the detection of the serif pattern, the OPC pattern verification program analyzes the OPC pattern data having the vertex coordinate sequence for the OPC pattern, and detects four vertices that can constitute these notch patterns. That is, the OPC pattern verification program extracts four vertices by extracting the figures of sides a, b, and c that can form the notch pattern of FIG. 8 based on the vertex coordinates. Then, the OPC pattern verification program uses OPC when the total length a + b + c of the sides a, b, and c between the vertices is less than or equal to the notch determination value for the four vertices that can form the detected notch pattern. It is determined that the notch pattern is formed.
通常の設計パターンには,上記のように4つの頂点からなる図形の辺の長さの合計a+b+cがノッチ判定値以下になることはないので,上記の判定基準でOPCにより形成されたノッチパターンと判定することができる。そして,この抽出されたノッチ補正部は,OPCパターン検証の対象から外されるので,エラー図形として検出されることはない。 In a normal design pattern, as described above, the total a + b + c of the sides of the figure composed of four vertices is not less than or equal to the notch determination value. Therefore, the notch pattern formed by OPC based on the above determination criteria Can be determined. Since the extracted notch correction unit is excluded from the target of OPC pattern verification, it is not detected as an error graphic.
図9は,OPCにより形成されるパターンであって,エラー図形として検出される三角パターンを示す図である。図9には,設計パターンP60,P62と,OPCにより補正されたOPCパターンP60とが示されている。パターンP60は,2カ所で直交するライン状パターンであり,その近傍に大面積のパターンP62が存在している。そのため,OPCにより,パターンP62と面する辺には凹状のパターンOP61が形成され,面していない辺には凸状のパターンOP60が形成される。 FIG. 9 is a diagram showing a triangular pattern which is a pattern formed by OPC and detected as an error graphic. FIG. 9 shows design patterns P60 and P62 and an OPC pattern P60 corrected by OPC. The pattern P60 is a line-shaped pattern that is orthogonal at two locations, and a large-area pattern P62 exists in the vicinity thereof. Therefore, by OPC, a concave pattern OP61 is formed on the side facing the pattern P62, and a convex pattern OP60 is formed on the side not facing.
その結果,OPCされたパターンP60(OPC)は,設計パターンの直交形状にOPCにより形成されたパターンOP60,OP61が加わって,頂点q,r,s,t,u,vからなるジグザグ形状になる。つまり,頂点q,r,sによる凸状の三角パターン,頂点s,t,uによる凸状の三角パターンが形成される。 As a result, the OPC pattern P60 (OPC) has a zigzag shape composed of vertices q, r, s, t, u, and v by adding the patterns OP60 and OP61 formed by OPC to the orthogonal shape of the design pattern. . That is, a convex triangular pattern with vertices q, r, and s and a convex triangular pattern with vertices s, t, and u are formed.
このパターンP60(OPC)は,OPCパターン検証プログラムにより,頂点q,s間の幅,頂点s,u間の幅がそれぞれ検出され,これらの幅が既定値より狭いとエラー図形として不適切に検出される。 In this pattern P60 (OPC), the width between the vertices q and s and the width between the vertices s and u are detected by the OPC pattern verification program, respectively. Is done.
逆に,頂点r,s,tによる凹状の三角パターン,頂点t,u,vによる凹状の三角パターンが形成されているとも識別可能である。その場合は,OPCパターン検証プログラムは,頂点r,t間の間隔,頂点t,v間の間隔がそれぞれ検出され,これらの間隔が既定値より短いとエラー図形として不適切に検出する。 On the contrary, it can be identified that a concave triangular pattern by vertices r, s, and t and a concave triangular pattern by vertices t, u, and v are formed. In this case, the OPC pattern verification program detects the interval between the vertices r and t and the interval between the vertices t and v, respectively. If these intervals are shorter than a predetermined value, it is inappropriately detected as an error graphic.
しかし,上記の三角パターンは,通常の設計パターンには存在せず,OPCにより形成されたパターンであるので,エラー図形として検出される必要はない。そこで,本実施の形態では,これらの三角パターンの2つの頂点間の幅や間隔が,OPCパターン検証の対象から外されるようにする。 However, the above-described triangular pattern does not exist in a normal design pattern, and is a pattern formed by OPC, and therefore does not need to be detected as an error graphic. Therefore, in this embodiment, the width and interval between the two vertices of these triangular patterns are excluded from the OPC pattern verification target.
図10は,本実施の形態における三角パターンの2頂点間の間隔や幅をOPCパターン検証の対象から外す方法を説明する図である。図10(A)は,凸状の三角パターンの2頂点を示している。OPCパターン検証プログラムは,頂点座標列を有するOPCパターンデータを解析して,近接する2頂点の組み合わせを抽出し,それらの間の距離(間隔または幅)が既定値未満か否かをチェックする。その場合,OPCパターン検証プログラムは,近接する2頂点が連続する3頂点内の2頂点の場合は,その近接する2頂点を判定対象から除外する。図10(A)の例では,近接する2つの頂点V60とV61,V60とV62の対は,同じパターン内の頂点であって,連続する3頂点内に属する2頂点である。そのような2頂点の組み合わせは,判定対象から除外される。 FIG. 10 is a diagram for explaining a method of removing the interval or width between two vertices of the triangular pattern from the target of OPC pattern verification in the present embodiment. FIG. 10A shows two vertices of a convex triangular pattern. The OPC pattern verification program analyzes OPC pattern data having a vertex coordinate sequence, extracts a combination of two adjacent vertices, and checks whether the distance (interval or width) between them is less than a predetermined value. In this case, the OPC pattern verification program excludes the two adjacent vertices from the determination target when the two adjacent vertices are two vertices in the three consecutive vertices. In the example of FIG. 10A, a pair of two adjacent vertices V60 and V61, and V60 and V62 are vertices in the same pattern and two vertices belonging to three consecutive vertices. Such a combination of two vertices is excluded from the determination target.
図10(B)は,凹状の三角パターンの2頂点を示している。上記と同様に,近接する2つの頂点V64とV65,V64とV66の対は,同じパターン内の頂点であって,連続する3頂点内に属する2頂点である。よって,そのような2頂点の組み合わせは,判定対象から除外される。 FIG. 10B shows two vertices of a concave triangular pattern. Similarly to the above, the pair of two adjacent vertices V64 and V65, and V64 and V66 are vertices in the same pattern and two vertices belonging to three consecutive vertices. Therefore, such a combination of two vertices is excluded from the determination target.
図11は,本実施の形態における検証装置の構成図である。検証装置は,汎用コンピュータに検証プログラムをインストールすることにより実現される。図11の汎用コンピュータは,演算処理ユニット100と,メモリユニット102と,入出力ユニット104と,モニタ106とを有し,それらがバス107を介して接続されている。そして検証装置は,設計パターンデータファイル114と,OPCパターンデータファイル116と,エラー図形データファイル118とを有する。さらに,検証装置は,設計パターンの検証を行うレイアウト検証プログラム108と,設計パターンにOPCを行うOPCプログラム110と,OPCパターンの検証を行うOPCパターン検証プログラム112とを有する。レイアウト検証プログラムやOPCパターン検証プログラムでエラー図形として検出されたものがエラー図形データファイル118として出力される。上記のうち,OPCパターン検証プログラムを実行する検証装置が,本実施の形態におけるOPCパターン検証方法を行う。 FIG. 11 is a configuration diagram of the verification apparatus according to the present embodiment. The verification device is realized by installing a verification program in a general-purpose computer. The general-purpose computer shown in FIG. 11 has an arithmetic processing unit 100, a memory unit 102, an input / output unit 104, and a monitor 106, which are connected via a bus 107. The verification apparatus includes a design pattern data file 114, an OPC pattern data file 116, and an error graphic data file 118. The verification apparatus further includes a layout verification program 108 for verifying the design pattern, an OPC program 110 for performing OPC on the design pattern, and an OPC pattern verification program 112 for verifying the OPC pattern. What is detected as an error graphic by the layout verification program or the OPC pattern verification program is output as an error graphic data file 118. Among the above, the verification apparatus that executes the OPC pattern verification program performs the OPC pattern verification method according to the present embodiment.
図12は,LSIのマスク生成工程の概略を示すフローチャート図である。このフローチャートでは,LSIの論理設計工程が終了してネットリストが生成済である。マスク生成工程は,ネットリストに基づいて自動レイアウトツールによりパターンレイアウトが行われ(S100),設計パターンデータ(図11の114)が生成される。レイアウト検証プログラム(図11の108)により,この設計パターンがデザインルールに整合しているか否かを検証するレイアウト検証が行われる(S102)。このレイアウト検証でエラーが検出されると(S104のYES),再度レイアウト工程S100からやり直しが行われる。 FIG. 12 is a flowchart showing an outline of the LSI mask generation process. In this flowchart, the logic design process of the LSI has been completed and the net list has been generated. In the mask generation process, pattern layout is performed by an automatic layout tool based on the net list (S100), and design pattern data (114 in FIG. 11) is generated. The layout verification program (108 in FIG. 11) performs layout verification to verify whether or not this design pattern is consistent with the design rule (S102). If an error is detected in the layout verification (YES in S104), the layout process S100 is performed again.
設計パターンのレイアウト検証がパスすると(S104のNO),OPCプログラムにより,光近接効果補正(OPC)が行われ,OPCパターンデータ(図11の116)が生成される(S106)。OPCパターンは,設計パターンにセリフパターン,拡大パターン,縮小パターンなどが形成された露光マスク用のパターンである。 When the layout verification of the design pattern is passed (NO in S104), optical proximity effect correction (OPC) is performed by the OPC program, and OPC pattern data (116 in FIG. 11) is generated (S106). The OPC pattern is a pattern for an exposure mask in which a serif pattern, an enlarged pattern, a reduced pattern, etc. are formed on a design pattern.
そして,OPCパターン検証プログラム(図11の112)により,OPCパターン内に既定値未満のパターン間隔やパターン幅が存在しないか否かの検証が行われる(S108)。そして,エラー図形が検出されると(S110のYES),レイアウト工程S100から再度やり直しがされる。つまり,OPCを行ってもOPCパターン検証でエラーが発生しないような設計パターンの生成が行われる。このOPCパターン検証をパスすると(S110のNO),それがマスクパターンとなり,電子ビーム露光装置などマスク形成装置の入力データとなる。 Then, the OPC pattern verification program (112 in FIG. 11) verifies whether or not there is a pattern interval or pattern width less than the predetermined value in the OPC pattern (S108). When an error graphic is detected (YES in S110), the layout process S100 is performed again. That is, a design pattern is generated so that an error does not occur in OPC pattern verification even if OPC is performed. If this OPC pattern verification is passed (NO in S110), it becomes a mask pattern and becomes input data for a mask forming apparatus such as an electron beam exposure apparatus.
図13は,本実施の形態におけるOPCパターン検証方法のフローチャート図である。このOPCパターン検証方法は,OPCパターン内に,近接する頂点間の距離が既定値未満になっている図形が存在しないことを検証し,OPCパターン検証プログラムにより行われる。設計パターンに対して行うレイアウト検証とは異なり,OPCパターン検証では,レイアウト検証をパスした設計パターンには存在しないがOPCにより生成された微少パターンを抽出し,検証対象から除外する。 FIG. 13 is a flowchart of the OPC pattern verification method in the present embodiment. This OPC pattern verification method is performed by an OPC pattern verification program by verifying that there is no figure in the OPC pattern whose distance between adjacent vertices is less than a predetermined value. Unlike layout verification performed on a design pattern, in OPC pattern verification, a minute pattern that does not exist in a design pattern that has passed layout verification but is generated by OPC is extracted and excluded from the verification target.
図13に沿って説明すると,まず,OPCパターン検証プログラムは,検証条件が入力される(S200)。検証条件には,エラー判定の基準となる既定値や,三角パターンの部分を除外するか否かなどの条件が含まれる。次に,OPCパターン検証プログラムは,検証対象のOPCパターンデータファイル116からOPCパターン検証プログラムで分析可能な入力図形テーブル120を生成する(S202)。OPCパターンデータ116は,パターンの頂点座標列であったり,ポリゴンデータの集合であったりするが,入力図形テーブル120はパターンの頂点座標列になる。 Explaining along FIG. 13, first, verification conditions are input to the OPC pattern verification program (S200). The verification condition includes conditions such as a default value as a criterion for error determination and whether or not to exclude a triangular pattern portion. Next, the OPC pattern verification program generates an input graphic table 120 that can be analyzed by the OPC pattern verification program from the OPC pattern data file 116 to be verified (S202). The OPC pattern data 116 is a pattern vertex coordinate sequence or a set of polygon data, but the input figure table 120 is a pattern vertex coordinate sequence.
そして,OPCパターン検証プログラムは,入力図形テーブル120を解析して,図5に示したセリフパターンS40,S42からなるセリフ補正部と,図6に示したノッチパターンOP50,OP52からなるノッチ補正部とを検出し,そのパターンの頂点にセリフ補正部またはノッチ補正部であることを示すフラグを立てる(S204)。このフラグは,同じセリフ補正部またはノッチ補正部内の頂点か,異なるセリフ補正部またはノッチ補正部内の頂点かを区別可能なフラグである。 Then, the OPC pattern verification program analyzes the input figure table 120 and includes a serif correction unit including the serif patterns S40 and S42 illustrated in FIG. 5 and a notch correction unit including the notch patterns OP50 and OP52 illustrated in FIG. Is detected, and a flag indicating that it is a serif correction unit or notch correction unit is set at the apex of the pattern (S204). This flag is a flag that can distinguish between a vertex in the same serif correction unit or notch correction unit or a vertex in a different serif correction unit or notch correction unit.
セリフ補正部とノッチ補正部を検出するアルゴリズムは,図7,図8の説明箇所ですでに記載したとおりである。つまり,連続する頂点座標列に基づいて,セリフパターンまたはノッチパターンを構成可能な図形を検出し,その図形の辺の長さの合計値が,セリフ判定値またはノッチ判定部以下の場合に,セリフパターンまたはノッチパターンであることを検出する。 The algorithm for detecting the serif correction unit and the notch correction unit is as already described in the explanation of FIGS. In other words, if a figure that can form a serif pattern or notch pattern is detected based on successive vertex coordinate sequences, and the total length of the sides of the figure is less than or equal to the serif judgment value or notch judgment part, A pattern or notch pattern is detected.
さらに,OPCパターン検証プログラムは,入力図形テーブルの頂点座標列を分析して,パターンの凹部の頂点座標列からなる頂点テーブル122と,パターンの凸部の頂点座標列からなる頂点テーブル124とを区別して生成する(S206)。凹部では図3に示したパターン幅WD1が検証され,凸部では図2で示したパターン間隔SP1が検証されるので,それらの頂点テーブルは区別して生成することが望ましい。 Further, the OPC pattern verification program analyzes the vertex coordinate sequence of the input graphic table and distinguishes the vertex table 122 composed of the vertex coordinate sequence of the concave portion of the pattern from the vertex table 124 composed of the vertex coordinate sequence of the convex portion of the pattern. Separately generated (S206). Since the pattern width WD1 shown in FIG. 3 is verified in the concave portion and the pattern interval SP1 shown in FIG. 2 is verified in the convex portion, it is desirable to generate these vertex tables separately.
そして,OPCパターン検証プログラムは,凹部の頂点テーブル122について,凹部の幅検証サブルーチンを実行する(S208)。また,OPCパターン検証プログラムは,凸部の間隔検証サブルーチンを実行する(S210)。各検証サブルーチンにより,エラー図形テーブル126が生成される。エラー図形テーブル126は,たとえば,近接する2頂点間の幅が規定値未満である頂点座標のデータを有する。そして,最後に,OPCパターン検証プログラムは,エラー図形テーブル126からエラー図形データ118を生成する(S212)。エラー図形データ118は,たとえば,エラー図形を表示可能にするデータフォーマットであり,または,再度レイアウト工程をやり直すときに参照されるデータフォーマットである。 Then, the OPC pattern verification program executes a concave width verification subroutine for the concave vertex table 122 (S208). Further, the OPC pattern verification program executes a convex interval verification subroutine (S210). An error graphic table 126 is generated by each verification subroutine. The error graphic table 126 has, for example, vertex coordinate data in which the width between two adjacent vertices is less than a specified value. Finally, the OPC pattern verification program generates error graphic data 118 from the error graphic table 126 (S212). The error graphic data 118 is, for example, a data format that enables an error graphic to be displayed, or a data format that is referred to when the layout process is performed again.
図14は,本実施の形態におけるOPCパターン検証方法内の凹部の幅検証サブルーチンと凸部の間隔検証サブルーチンのフローチャート図である。まず,サブルーチンプログラムは,図10に示した連続するN頂点(N=3)以内の近接頂点を検証対象外にする指定があるか否かをチェックする(S300)。指定がある場合は(S300のYES),サブルーチンプログラムは,近接する2つの頂点がN頂点(N=3)内に含まれる頂点であって,同じ図形(多角形,パターン)に属するか否かをチェックする(S302)。工程S302がYESの場合は,図10に示した三角パターンの2つの頂点であるので,それらの2つの頂点は検証対象から外される。 FIG. 14 is a flowchart of a concave width verification subroutine and a convex interval verification subroutine in the OPC pattern verification method according to the present embodiment. First, the subroutine program checks whether there is a designation for excluding the adjacent vertices within the consecutive N vertices (N = 3) shown in FIG. 10 (S300). If specified (YES in S300), the subroutine program determines whether two adjacent vertices are vertices included in N vertices (N = 3) and belong to the same figure (polygon, pattern). Is checked (S302). When step S302 is YES, since these are the two vertices of the triangular pattern shown in FIG. 10, these two vertices are excluded from the verification target.
そして,サブルーチンプログラムは,2つの頂点が共に同じセリフ補正部またはノッチ補正部のフラグを有するか否かをチェックする(S304)。同じセリフ補正部またはノッチ補正部のフラグが立っている場合は(S304),その2つの頂点は検証対象から除外される。2つの頂点が異なるセリフ補正部またはノッチ補正部のフラグを有する場合は,検証対象にすべきであり,検証対象からは除外されない。図2のSP1,図3のWD1に示した通りである。 Then, the subroutine program checks whether the two vertices have the same serif correction unit or notch correction unit flag (S304). If the same serif correction unit or notch correction unit flag is set (S304), the two vertices are excluded from the verification target. When two vertices have different serif correction unit or notch correction unit flags, they should be verified and are not excluded from the verification target. This is as shown in SP1 of FIG. 2 and WD1 of FIG.
工程S302,S304で除外されなかった2つの頂点について,サブルーチンプログラムは,2つの頂点間の間隔または幅が,規定値以上であるか否か(または規定値未満であるか否か)をチェックし(S306),既定値以上であれば(S306のYES)エラーではなく,既定値未満であれば(S306のNO)エラー図形としてエラー図形テーブルにその頂点データを格納する(S308)。上記の工程S300〜S308が,全ての頂点について繰り返される。 For the two vertices not excluded in steps S302 and S304, the subroutine program checks whether the interval or width between the two vertices is greater than or equal to a specified value (or less than a specified value). (S306) If it is equal to or greater than the predetermined value (YES in S306), it is not an error, and if it is less than the predetermined value (NO in S306), the vertex data is stored in the error graphic table as an error graphic (S308). The above steps S300 to S308 are repeated for all vertices.
以上の通り,工程S302では,OPCにより生成された三角パターンの2頂点が検証対象から除外され,工程S304では,OPCにより生成されたセリフ補正部とノッチ補正部の2頂点が検証対象から除外される。よって,OPCに起因して生成されたパターンにより,本来エラーにすべきでない図形がエラーとして検出されることを回避することができる。 As described above, in step S302, the two vertices of the triangular pattern generated by OPC are excluded from the verification target, and in step S304, the two vertices of the serif correction unit and the notch correction unit generated by OPC are excluded from the verification target. The Therefore, it is possible to avoid a figure that should not be an error from being detected as an error due to a pattern generated due to OPC.
以上の実施の形態をまとめると,次の付記のとおりである。 The above embodiment is summarized as follows.
(付記1)
光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証方法において,
コンピュータが,頂点座標列を有するパターンデータを解析して,光近接効果補正により形成されたセリフパターン,ノッチパターン,凸状または凹状三角パターンのうち少なくとも1つを抽出する工程と,
コンピュータが,前記パターンデータを解析して,前記近接する2つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する工程とを有し,
前記検証工程において,前記抽出されたパターン内の2つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証方法。
(Appendix 1)
In a pattern verification method for verifying whether or not the distance between adjacent vertices in a pattern corrected for optical proximity effect is less than a specified value,
A computer analyzing pattern data having a vertex coordinate sequence and extracting at least one of a serif pattern, notch pattern, convex or concave triangular pattern formed by optical proximity correction;
A computer analyzing the pattern data to verify that the distance between the two adjacent vertices is not less than a specified value;
The pattern verification method characterized in that, in the verification step, a distance between two vertices in the extracted pattern is excluded from a verification target.
(付記2)
光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証方法において,
コンピュータが,頂点座標列を有するパターンデータを解析して,光近接効果補正により形成されたセリフパターンを抽出する工程と,
コンピュータが,前記パターンデータを解析して,前記近接する2つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する工程とを有し,
前記検証工程において,前記セリフパターン内の2つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証方法。
(Appendix 2)
In a pattern verification method for verifying whether or not the distance between adjacent vertices in a pattern corrected for optical proximity effect is less than a specified value,
A computer analyzing pattern data having a vertex coordinate sequence to extract a serif pattern formed by optical proximity correction;
A computer analyzing the pattern data to verify that the distance between the two adjacent vertices is not less than a specified value;
The pattern verification method characterized in that, in the verification step, a distance between two vertices in the serif pattern is excluded from verification targets.
(付記3)
付記2において,
前記セリフパターンの抽出工程は,凸状または凹状セリフパターンを構成可能な5つの連続する頂点間の距離の合計がセリフ判定値以下の場合に前記光近接効果補正により追加されたセリフパターンと判定することを特徴とするパターン検証方法。
(Appendix 3)
In Appendix 2,
In the process of extracting the serif pattern, when the sum of the distances between five consecutive vertices that can form a convex or concave serif pattern is equal to or less than the serif determination value, the serif pattern is determined as the serif pattern added by the optical proximity correction A pattern verification method characterized by that.
(付記4)
光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証方法において,
コンピュータが,頂点座標列を有するパターンデータを解析して,光近接効果補正により形成されたノッチパターンを抽出する工程と,
コンピュータが,前記パターンデータを解析して,前記近接する2つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する工程とを有し,
前記検証工程において,前記ノッチパターン内の2つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証方法。
(Appendix 4)
In a pattern verification method for verifying whether or not the distance between adjacent vertices in a pattern corrected for optical proximity effect is less than a specified value,
A computer analyzing pattern data having a vertex coordinate sequence and extracting a notch pattern formed by optical proximity correction;
A computer analyzing the pattern data to verify that the distance between the two adjacent vertices is not less than a specified value;
In the verification step, the distance between two vertices in the notch pattern is excluded from verification targets.
(付記5)
付記4において,
前記ノッチパターンの抽出工程は,凸状または凹状ノッチパターンを構成可能な4つの連続する頂点間の距離の合計がノッチ判定値以下の場合に前記光近接効果補正により追加されたノッチパターンと判定することを特徴とするパターン検証方法。
(Appendix 5)
In Appendix 4,
The notch pattern extraction step determines that a notch pattern is added by the optical proximity effect correction when the total distance between four consecutive vertices that can form a convex or concave notch pattern is equal to or less than a notch determination value. A pattern verification method characterized by that.
(付記6)
光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証方法において,
コンピュータが,頂点座標列を有するパターンデータを解析して,光近接効果補正により形成された凸状または凹状三角パターンを抽出する工程と,
コンピュータが,前記パターンデータを解析して,前記近接する2つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する工程とを有し,
前記検証工程において,前記三角パターン内の2つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証方法。
(Appendix 6)
In a pattern verification method for verifying whether or not the distance between adjacent vertices in a pattern corrected for optical proximity effect is less than a specified value,
A step of analyzing a pattern data having a vertex coordinate sequence and extracting a convex or concave triangular pattern formed by optical proximity correction;
A computer analyzing the pattern data to verify that the distance between the two adjacent vertices is not less than a specified value;
A pattern verification method characterized in that, in the verification step, a distance between two vertices in the triangular pattern is excluded from verification targets.
(付記7)
付記6において,
前記三角パターンの抽出工程は,前記近接する2つの頂点が前記頂点座標列の連続する3頂点内の頂点である場合に,当該近接する2つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証方法。
(Appendix 7)
In Appendix 6,
The step of extracting the triangular pattern excludes the distance between the two adjacent vertices from the verification target when the two adjacent vertices are vertices in three consecutive vertices of the vertex coordinate sequence. Pattern verification method.
(付記8)
光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証方法をコンピュータに実行させるコンピュータ読み取り可能なパターン検証プログラムにおいて,前記パターン検証プログラムは,
頂点座標列を有するパターンデータを解析して,光近接効果補正により形成されたセリフパターン,ノッチパターン,凸状または凹状三角パターンのうち少なくとも1つを抽出する工程と,
前記パターンデータを解析して,前記近接する2つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する工程とをコンピュータに実行させ,
前記検証工程において,前記抽出されたパターン内の2つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証プログラム。
(Appendix 8)
In a computer-readable pattern verification program for causing a computer to execute a pattern verification method for verifying whether a distance between adjacent vertices in a pattern subjected to optical proximity effect correction is less than a specified value, the pattern verification program includes:
Analyzing pattern data having vertex coordinate sequences and extracting at least one of serif patterns, notch patterns, convex or concave triangular patterns formed by optical proximity correction;
Analyzing the pattern data and verifying that the distance between the two adjacent vertices is not less than a specified value;
A pattern verification program characterized in that, in the verification step, a distance between two vertices in the extracted pattern is excluded from a verification target.
(付記9)
光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証装置において,
頂点座標列を有するパターンデータを解析して,光近接効果補正により形成されたセリフパターン,ノッチパターン,凸状または凹状三角パターンのうち少なくとも1つを抽出する抽出手段と,
前記パターンデータを解析して,前記近接する2つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する検証手段とを有し,
前記検証手段は,前記抽出されたパターン内の2つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証装置。
(Appendix 9)
In a pattern verification apparatus for verifying whether the distance between adjacent vertices in a pattern corrected for optical proximity effect is less than a specified value,
Extracting means for analyzing pattern data having a vertex coordinate sequence and extracting at least one of a serif pattern, notch pattern, convex or concave triangular pattern formed by optical proximity correction;
Analyzing the pattern data and verifying that the distance between the two adjacent vertices is not less than a specified value;
The pattern verification apparatus, wherein the verification means excludes a distance between two vertices in the extracted pattern from a verification target.
(付記10)
光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証装置において,
頂点座標列を有するパターンデータを解析して,光近接効果補正により形成されたセリフパターンを抽出する抽出手段と,
前記パターンデータを解析して,前記近接する2つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する検証手段とを有し,
前記検証手段は,前記セリフパターン内の2つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証装置。
(Appendix 10)
In a pattern verification apparatus for verifying whether the distance between adjacent vertices in a pattern corrected for optical proximity effect is less than a specified value,
An extracting means for analyzing the pattern data having the vertex coordinate sequence and extracting a serif pattern formed by optical proximity correction;
Analyzing the pattern data and verifying that the distance between the two adjacent vertices is not less than a specified value;
The pattern verification apparatus, wherein the verification means excludes a distance between two vertices in the serif pattern from a verification target.
(付記11)
付記10において,
前記セリフパターンの抽出手段は,凸状または凹状セリフパターンを構成可能な5つの連続する頂点間の距離の合計がセリフ判定値以下の場合に前記光近接効果補正により追加されたセリフパターンと判定することを特徴とするパターン検証装置。
(Appendix 11)
In Appendix 10,
The line pattern extraction means determines that the line pattern is added by the optical proximity effect correction when the total distance between five consecutive vertices that can form a convex or concave line pattern is equal to or less than the line determination value. A pattern verification apparatus characterized by that.
(付記12)
光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証装置において,
頂点座標列を有するパターンデータを解析して,光近接効果補正により形成されたノッチパターンを抽出する抽出手段と,
前記パターンデータを解析して,前記近接する2つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する検証手段とを有し,
前記検証手段は,前記ノッチパターン内の2つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証装置。
(Appendix 12)
In a pattern verification apparatus for verifying whether the distance between adjacent vertices in a pattern corrected for optical proximity effect is less than a specified value,
An extraction means for analyzing pattern data having a vertex coordinate sequence and extracting a notch pattern formed by optical proximity correction;
Analyzing the pattern data and verifying that the distance between the two adjacent vertices is not less than a specified value;
The pattern verification apparatus, wherein the verification means excludes a distance between two vertices in the notch pattern from a verification target.
(付記13)
付記12において,
前記ノッチパターンの抽出手段は,凸状または凹状ノッチパターンを構成可能な4つの連続する頂点間の距離の合計がノッチ判定値以下の場合に前記光近接効果補正により追加されたノッチパターンと判定することを特徴とするパターン検証装置。
(Appendix 13)
In Appendix 12,
The notch pattern extraction means determines the notch pattern added by the optical proximity effect correction when the total distance between four consecutive vertices that can form a convex or concave notch pattern is equal to or less than a notch determination value. A pattern verification apparatus characterized by that.
(付記14)
光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証装置において,
頂点座標列を有するパターンデータを解析して,光近接効果補正により形成された凸状または凹状三角パターンを抽出する抽出手段と,
前記パターンデータを解析して,前記近接する2つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する検証手段とを有し,
前記検証手段は,前記三角パターン内の2つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証装置。
(Appendix 14)
In a pattern verification apparatus for verifying whether the distance between adjacent vertices in a pattern corrected for optical proximity effect is less than a specified value,
Extracting means for analyzing pattern data having a vertex coordinate sequence and extracting a convex or concave triangular pattern formed by optical proximity correction;
Analyzing the pattern data and verifying that the distance between the two adjacent vertices is not less than a specified value;
The pattern verification apparatus, wherein the verification means excludes a distance between two vertices in the triangular pattern from a verification target.
(付記15)
付記14において,
前記三角パターンの抽出手段は,前記近接する2つの頂点が前記頂点座標列の連続する3頂点内の頂点である場合に,当該近接する2つの頂点間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターン検証装置。
(Appendix 15)
In Appendix 14,
The triangle pattern extraction means excludes the distance between two adjacent vertices from the verification target when the two adjacent vertices are vertices within three consecutive vertices of the vertex coordinate sequence. A pattern verification device.
P10,P12:パターン V10,V12:近接する2頂点
P20:パターン V21,V22:近接する2頂点
V23,V24:近接する頂点
P10, P12: Pattern V10, V12: Two adjacent vertices P20: Pattern V21, V22: Two adjacent vertices V23, V24: Near vertices
Claims (8)
コンピュータが,前記パターンデータに含まれるパターンの各頂点の座標を示す頂点座標列を解析し,前記頂点座標列における連続する複数の頂点座標に基づいて前記光近接効果補正により形成されたセリフパターン,ノッチパターン,凸状または凹状三角パターンのうち少なくとも1つを抽出する抽出工程と,
コンピュータが,前記頂点座標列を解析し,近接する2つの頂点座標間の距離が規定値未満か否かを検証する検証工程とを有し,
前記検証工程において,前記抽出工程で抽出されたパターン内の2つの頂点座標間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターンデータの検証方法。 In the verification method of pattern data corrected for optical proximity effect,
A computer that analyzes a vertex coordinate sequence indicating coordinates of each vertex of the pattern included in the pattern data, and a serif pattern formed by the optical proximity effect correction based on a plurality of consecutive vertex coordinates in the vertex coordinate sequence ; An extraction step of extracting at least one of a notch pattern, a convex or concave triangular pattern;
Computer, and a verification step of the analyzing the vertex coordinates columns, the distance between the two vertex coordinates adjacent to verify whether less than a specified value,
In the verification step, a pattern data verification method, wherein a distance between two vertex coordinates in the pattern extracted in the extraction step is excluded from a verification target.
コンピュータが,前記パターンデータに含まれるパターンの各頂点の座標を示す頂点座標列を解析し,前記頂点座標列における連続する複数の頂点座標に基づいて前記光近接効果補正により形成されたセリフパターンを抽出する抽出工程と,
コンピュータが,前記頂点座標列を解析し,近接する2つの頂点座標間の距離が規定値未満か否かを検証する検証工程とを有し,
前記検証工程において,前記セリフパターン内の2つの頂点座標間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターンデータの検証方法。 In the verification method of pattern data corrected for optical proximity effect,
A computer analyzes a vertex coordinate sequence indicating the coordinates of each vertex of the pattern included in the pattern data, and determines a serif pattern formed by the optical proximity effect correction based on a plurality of continuous vertex coordinates in the vertex coordinate sequence. An extraction process to extract ;
Computer, and a verification step of the analyzing the vertex coordinates columns, the distance between the two vertex coordinates adjacent to verify whether less than a specified value,
A pattern data verification method, wherein, in the verification step, a distance between two vertex coordinates in the serif pattern is excluded from a verification target.
前記セリフパターンの抽出工程は,前記頂点座標列における5つの連続する頂点座標の各頂点座標間の距離の合計がセリフ判定値以下の場合に前記セリフパターンと判定して抽出することを特徴とするパターンデータの検証方法。 In claim 2,
In the step of extracting the serif pattern, when the total distance between the vertex coordinates of five consecutive vertex coordinates in the vertex coordinate sequence is equal to or less than a serif determination value, the serif pattern is determined and extracted. Pattern data verification method.
コンピュータが,前記パターンデータに含まれるパターンの各頂点の座標を示す頂点座標列を解析し,前記頂点座標列における連続する複数の頂点座標に基づいて前記光近接効果補正により形成されたノッチパターンを抽出する抽出工程と,
コンピュータが,前記頂点座標列を解析し,近接する2つの頂点座標間の距離が規定値未満か否かを検証する検証工程とを有し,
前記検証工程において,前記ノッチパターン内の2つの頂点座標間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターンデータの検証方法。 In the verification method of pattern data corrected for optical proximity effect,
A computer analyzes a vertex coordinate sequence indicating the coordinates of each vertex of the pattern included in the pattern data, and calculates a notch pattern formed by the optical proximity effect correction based on a plurality of consecutive vertex coordinates in the vertex coordinate sequence. An extraction process to extract ;
Computer, and a verification step of the analyzing the vertex coordinates columns, the distance between the two vertex coordinates adjacent to verify whether less than a specified value,
A pattern data verification method, characterized in that, in the verification step, a distance between two vertex coordinates in the notch pattern is excluded from verification targets.
前記ノッチパターンの抽出工程は,前記頂点座標列における4つの連続する頂点座標の各頂点座標間の距離の合計がノッチ判定値以下の場合に前記ノッチパターンと判定して抽出することを特徴とするパターンデータの検証方法。 In claim 4,
The notch pattern extracting step is characterized in that the notch pattern is determined and extracted when the sum of the distances between the vertex coordinates of four consecutive vertex coordinates in the vertex coordinate sequence is equal to or less than a notch determination value. Pattern data verification method.
コンピュータが,前記パターンデータに含まれるパターンの各頂点の座標を示す頂点座標列を解析し,前記頂点座標列における連続する3つの頂点座標に基づいて前記光近接効果補正により形成された凸状または凹状三角パターンを抽出する抽出工程と,
コンピュータが,前記頂点座標列を解析し,近接する2つの頂点座標間の距離が規定値未満か否かを検証する検証工程とを有し,
前記検証工程において,前記三角パターン内の2つの頂点座標間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターンデータの検証方法。 In the verification method of pattern data corrected for optical proximity effect,
A computer analyzes a vertex coordinate sequence indicating coordinates of each vertex of the pattern included in the pattern data, and a convex shape formed by the optical proximity effect correction based on three consecutive vertex coordinates in the vertex coordinate sequence or An extraction process for extracting the concave triangular pattern;
Computer, and a verification step of the analyzing the vertex coordinates columns, the distance between the two vertex coordinates adjacent to verify whether less than a specified value,
A pattern data verification method, wherein, in the verification step, a distance between two vertex coordinates in the triangular pattern is excluded from a verification target.
前記パターンデータに含まれるパターンの各頂点の座標を示す頂点座標列を解析し,前記頂点座標列における連続する複数の頂点座標に基づいて前記光近接効果補正により形成されたセリフパターン,ノッチパターン,凸状または凹状三角パターンのうち少なくとも1つを抽出する抽出工程と,
前記頂点座標列を解析し,近接する2つの頂点座標間の距離が規定値未満か否かを検証する検証工程とをコンピュータに実行させ,
前記検証工程において,前記抽出工程で抽出されたパターン内の2つの頂点座標間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターンデータ検証プログラム。 In a computer-readable pattern data verification program for causing a computer to execute a pattern data verification method corrected for optical proximity effect, the pattern data verification program includes:
Analyzing a vertex coordinate sequence indicating the coordinates of each vertex of the pattern included in the pattern data, a serif pattern formed by the optical proximity effect correction based on a plurality of consecutive vertex coordinates in the vertex coordinate sequence , a notch pattern, An extraction step of extracting at least one of a convex or concave triangular pattern;
Analyzing the vertex coordinate sequence and causing a computer to execute a verification step of verifying whether a distance between two adjacent vertex coordinates is less than a specified value;
A pattern data verification program characterized in that, in the verification step, a distance between two vertex coordinates in the pattern extracted in the extraction step is excluded from a verification target.
前記パターンデータに含まれるパターンの各頂点の座標を示す頂点座標列を解析し,前記頂点座標列における連続する複数の頂点座標に基づいて前記光近接効果補正により形成されたセリフパターン,ノッチパターン,凸状または凹状三角パターンのうち少なくとも1つを抽出する抽出手段と,
前記頂点座標列を解析し,近接する2つの頂点座標間の距離が規定値未満か否かを検証する検証手段とを有し,
前記検証手段は,前記抽出手段で抽出されたパターン内の2つの頂点座標間の距離を検証対象から除外することを特徴とするパターンデータの検証装置。 In the verification device for the pattern data corrected by the optical proximity effect,
Analyzing a vertex coordinate sequence indicating the coordinates of each vertex of the pattern included in the pattern data, a serif pattern formed by the optical proximity effect correction based on a plurality of consecutive vertex coordinates in the vertex coordinate sequence , a notch pattern, Extraction means for extracting at least one of a convex or concave triangular pattern;
Verifying means for analyzing the vertex coordinate sequence and verifying whether a distance between two adjacent vertex coordinates is less than a specified value;
The pattern data verification apparatus, wherein the verification unit excludes a distance between two vertex coordinates in the pattern extracted by the extraction unit from a verification target.
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