JP5276830B2 - インプリント用モールドの製造方法 - Google Patents
インプリント用モールドの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5276830B2 JP5276830B2 JP2007293989A JP2007293989A JP5276830B2 JP 5276830 B2 JP5276830 B2 JP 5276830B2 JP 2007293989 A JP2007293989 A JP 2007293989A JP 2007293989 A JP2007293989 A JP 2007293989A JP 5276830 B2 JP5276830 B2 JP 5276830B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- porous alumina
- shape
- imprint mold
- mold
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
図1は、単結晶アルミニウム材1の表面に陽極酸化ポーラスアルミナ2を形成し、それをインプリント用モールド3として用い、インプリント対象物としての例えば樹脂基材4の表面に構造転写を行うプロセスを示したものである。単結晶アルミニウム材1を酸性浴中で陽極酸化することにより、表面に、細孔5が均一なサイズで均一な深さに形成された陽極酸化ポーラスアルミナ2を作製する。これをインプリント用モールド3として、樹脂基材4の表面に構造転写を行うことで、均一なサイズの突起6が均一に配列した凹凸パターンを得ることができる。
実施例1〔単結晶アルミニウム材と多結晶アルミニウム材を用いて形成されたポーラスアルミナの比較〕
純度99.99%の単結晶アルミニウム板と多結晶アルミニウム板を、過塩素酸、エタノール混合溶液中(体積比1:4)で電解研磨処理を施した。鏡面化を行ったアルミニウム板を、0.3 Mの濃度に調整したシュウ酸水溶液中で、浴温17℃において直流40Vの条件下で15時間陽極酸化を行い、その外観の比較を行った結果を図5(A)(単結晶)、(B)(多結晶)に示す。陽極酸化前のアルミニウム材は、どちらも機械研磨処理を施していたことから段差のないスムーズな表面を有していたが、長時間陽極酸化を行った試料をみると、多結晶アルミニウム板を用いた陽極酸化ポーラスアルミナ42のみ、結晶粒に由来するパターンが確認でき、単結晶アルミニウム板を用いた陽極酸化ポーラスアルミナ41では、結晶粒に由来するパターン(段差)が生じなかった。これは、陽極酸化ポーラスアルミナの皮膜成長速度が結晶方位によって異なることにより生じたものである。
純度99.99%の単結晶アルミニウム板を過塩素酸、エタノール混合溶液中(体積比1:4)で電解研磨処理を施した。鏡面化を行ったアルミニウム板を、0.3 Mの濃度に調整したシュウ酸水溶液中で、浴温17℃において直流40Vの条件下で15時間陽極酸化を行った。クロム酸リン酸混合溶液中で、形成した皮膜を一旦溶解除去したのち、同一条件下で再度陽極酸化を1分間陽極酸化を行い、ポーラスアルミナを形成した。形成したポーラスアルミナの表面をフッ素系の表面処理剤により修飾したのち、光硬化性樹脂に構造転写を行った。インプリント後の樹脂シートおよびその表面をSEMにより観察した結果を図6(A)(平面図)、(B)(斜視図)に示す。
純度99.99%の単結晶アルミニウム板を400℃の条件下で1時間アニール処理した。アニール後の単結晶アルミニウム板を過塩素酸、エタノール混合溶液中(体積比1:4)で電解研磨処理した。マイクロレンズアレー形状のNi製金型を地金に押し付けることで、アルミニウム板の表面をレンズ形状に成型した。表面にレンズ形状を付与したアルミニウム板を0.3 Mの濃度に調整したシュウ酸水溶液中で、浴温17℃において直流40Vの条件下で3時間陽極酸化を行った。その後、クロム酸リン酸混合溶液中で、形成した皮膜を一旦溶解除去し、同一条件下で再度陽極酸化を1分間陽極酸化を行い、ポーラスアルミナを形成した。陽極酸化後の試料は、5wt%リン酸水溶液中に20分間浸漬し、細孔径の拡大化処理を行った。形成したポーラスアルミナの表面をフッ素系の表面処理剤により修飾したのち、光硬化性樹脂に構造転写を行った。インプリント後の樹脂シートおよびその表面をSEMにより観察した結果を図7(A)(平面図)、(B)(平面図)、(C)(斜視図)に示す。
2、12、23、34 陽極酸化ポーラスアルミナ
3、17、24、35 インプリント用モールド
4、18 樹脂基材
5、13 細孔
6 突起
14 ニッケル
15 鋳型
16 突起
19 細孔
22 曲面
32 金型
33 整形物
36 樹脂
37 樹脂基板
38 構造体
41 単結晶アルミニウム板を用いた陽極酸化ポーラスアルミナ
42 多結晶アルミニウム板を用いた陽極酸化ポーラスアルミナ
Claims (6)
- 曲率を有する形状に形成されている単結晶アルミニウムからなる素材表面を陽極酸化することにより、表面に細孔サイズ、細孔深さが均一なホールアレー構造を有する陽極酸化ポーラスアルミナを作製し、該陽極酸化ポーラスアルミナを用いて表面に凹凸パターンを有するインプリント用モールドを形成するに際し、前記単結晶アルミニウムからなる素材表面の曲率を有する形状を、陽極酸化前には陽極酸化による形状変化誤差を見込んだ形状に形成することを特徴とする、インプリント用モールドの製造方法。
- 前記曲率を有する形状をレンズ形状に形成する、請求項1に記載のインプリント用モールドの製造方法。
- 前記単結晶アルミニウムからなる素材表面に成形型を押し付けて陽極酸化の対象となる表面形状を制御する、請求項1または2に記載のインプリント用モールドの製造方法。
- 陽極酸化と孔径拡大処理を繰り返し行うことにより孔径を連続的に変化させた細孔を形成する、請求項1〜3のいずれかに記載のインプリント用モールドの製造方法。
- 前記陽極酸化ポーラスアルミナを、シュウ酸を電解液として用い、化成電圧30V〜60Vにおいて作製する、請求項1〜4のいずれかに記載のインプリント用モールドの製造方法。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の陽極酸化ポーラスアルミナの細孔内へ物質を充填した後、陽極酸化ポーラスアルミナの鋳型を除去することによりネガ型構造を有するインプリント用モールドを形成する、インプリント用モールドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007293989A JP5276830B2 (ja) | 2007-11-13 | 2007-11-13 | インプリント用モールドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007293989A JP5276830B2 (ja) | 2007-11-13 | 2007-11-13 | インプリント用モールドの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009119641A JP2009119641A (ja) | 2009-06-04 |
JP5276830B2 true JP5276830B2 (ja) | 2013-08-28 |
Family
ID=40812359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007293989A Expired - Fee Related JP5276830B2 (ja) | 2007-11-13 | 2007-11-13 | インプリント用モールドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5276830B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5739107B2 (ja) * | 2010-02-15 | 2015-06-24 | 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー | 多孔質構造材料の製造方法 |
KR101338850B1 (ko) * | 2010-10-14 | 2013-12-06 | 한국과학기술원 | 나노구조를 가지는 구면 금속금형 및 이를 이용한 무반사 플라스틱 렌즈 제조방법 |
WO2013011953A1 (ja) * | 2011-07-19 | 2013-01-24 | 三菱レイヨン株式会社 | ナノインプリント用モールドの製造方法 |
CN102436140B (zh) * | 2011-10-18 | 2013-02-13 | 华中科技大学 | 一种纳米压印模板的制备方法 |
KR101336255B1 (ko) * | 2013-10-18 | 2013-12-03 | 주식회사 탑나노임프린팅 | 스퍼터링에 의해 형성된 알루미늄 박막의 평탄화 방법 |
KR20170038499A (ko) | 2015-09-30 | 2017-04-07 | 한국과학기술연구원 | 원격 고주파 유도결합 플라즈마를 이용하여 저온에서 성장된 고품질 육방 질화 붕소막과 그 제조방법 |
JP6581287B2 (ja) * | 2016-03-02 | 2019-09-25 | シャープ株式会社 | レンズ用型の製造方法 |
US10288999B2 (en) * | 2016-12-20 | 2019-05-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Methods for controlling extrusions during imprint template replication processes |
KR102618613B1 (ko) * | 2017-10-13 | 2023-12-27 | 코닝 인코포레이티드 | 성형 플레이트를 형성하기 위해 유리 또는 유리-세라믹 프리폼을 프레싱하는 방법 및 기기, 액체 렌즈 제조 방법, 및 액체 렌즈 |
CN109108403B (zh) * | 2018-07-24 | 2019-09-20 | 杭州电子科技大学 | 基于接触粘附剥离的金属表面微凹结构制造方法与装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06117845A (ja) * | 1992-10-05 | 1994-04-28 | Advantest Corp | Spm用探針評価用標準試料及びその製造方法 |
JP2003334818A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-11-25 | Maxell Hi Tec Ltd | 成型用金型及びその製造方法 |
FR2860780B1 (fr) * | 2003-10-13 | 2006-05-19 | Centre Nat Rech Scient | Procede de synthese de structures filamentaires nanometriques et composants pour l'electronique comprenant de telles structures |
JP4406553B2 (ja) * | 2003-11-21 | 2010-01-27 | 財団法人神奈川科学技術アカデミー | 反射防止膜の製造方法 |
JP4471726B2 (ja) * | 2004-04-26 | 2010-06-02 | 京セラ株式会社 | 単結晶サファイア基板の製造方法 |
JP5361130B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2013-12-04 | 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー | 多孔性高分子膜およびその製造方法 |
-
2007
- 2007-11-13 JP JP2007293989A patent/JP5276830B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009119641A (ja) | 2009-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5276830B2 (ja) | インプリント用モールドの製造方法 | |
Masuda et al. | Self-repair of ordered pattern of nanometer dimensions based on self-compensation properties of anodic porous alumina | |
Lee et al. | Wafer‐scale Ni imprint stamps for porous alumina membranes based on interference lithography | |
Masuda et al. | Highly ordered nanochannel-array architecture in anodic alumina | |
EP2487279B1 (en) | Mold and production method for same, and anti-reflection film | |
JP5079452B2 (ja) | 表面に凹凸パターンを有するガラス材の製造方法 | |
JP5642850B2 (ja) | 多孔性高分子膜の製造方法 | |
WO2011055757A1 (ja) | 型の製造方法および型 | |
JP5506787B2 (ja) | 陽極酸化層の形成方法および型の製造方法 | |
JP2003043203A (ja) | 反射防止膜、その製造方法、反射防止膜製造用スタンパ、その製造方法、スタンパ製造用鋳型及びその製造方法 | |
JP5027347B2 (ja) | 型および型の製造方法 | |
JP5032239B2 (ja) | インプリント用モールドおよびその製造方法 | |
JP2011194594A (ja) | 表面凹凸パターンを有する樹脂材およびその製造方法 | |
CN104073857A (zh) | 一种纳米压印镍***的制备方法 | |
KR20110094261A (ko) | 금속 나노 링 패턴을 이용한 나노 구조물의 제조 방법 | |
KR101647983B1 (ko) | 아인산을 이용한 다공성 양극산화 알루미나 막의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 양극산화 알루미나 막 | |
Gong et al. | Tailoring morphology in free-standing anodic aluminium oxide: Control of barrier layer opening down to the sub-10 nm diameter | |
KR101010336B1 (ko) | 동공직경이 규칙적으로 변형된 나노다공성 알루미나의 경제적 제작 공정 | |
US20160319445A1 (en) | Formation of capped nano-pillars | |
JP4623977B2 (ja) | 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 | |
JP2005226087A (ja) | 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法 | |
KR20160122590A (ko) | 반사방지패턴 구현을 위한 나노 임프린팅 공정용 롤 마스터 제조방법 | |
JP4576352B2 (ja) | ナノホール構造体の製造方法 | |
JP4808234B2 (ja) | 多孔性陽極酸化アルミナ膜の作製方法およびその方法により作製された多孔性陽極酸化アルミナ膜 | |
JP2006022365A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101108 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120619 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120713 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120911 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130108 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130306 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130520 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5276830 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |