JP5275825B2 - 液晶表示装置および電子機器 - Google Patents
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Description
画素とを含む液晶表示装置および電子機器に関する。
れた液晶表示装置が開示されている(たとえば、特許文献1)。
それぞれ対応した表示用副画素と視野角を制御するための視野角制御用副画素(W)とに
より構成された液晶表示装置が開示されている。上記特許文献1に記載の液晶表示装置で
は、各画素は、緑色(G)および青色(B)にそれぞれ対応する表示用副画素が視野角制
御用副画素(W)に隣接するようにして2行2列の行列状に配置されているとともに、各
副画素毎に、格子状に配置された信号線およびゲート線によって囲まれるように構成され
ている。そして、表示用副画素から出射する有色光(画像)に視野角制御用副画素から出
射する光が重なることによって画像のコントラストが低下するように構成されている。こ
れにより、ユーザが表示画面を斜めから見た際には、表示画像のコントラストが低下して
いることにより画像が認識できないように構成されている。すなわち、視野角が狭くなる
ように制御されている。
より大きくすることにより、その分、視野角制御の精度をより向上することが可能である
と考えられる。しかしながら、この場合、視野角制御用副画素の面積のみが大きくなるた
め、各副画素の縁部分に沿って延びるように形成されたゲート線および信号線は、平面的
に見て一直線状に形成されることなく面積が大きくなった視野角制御用副画素の形状に沿
って屈曲した形状となる。このため、ゲート線および信号線が屈曲した形状となる部分の
抵抗が大きくなるため、その分、応答速度が低下するという問題点がある。
の目的は、視野角を制御しながら応答速度が低下するのを抑制することが可能な液晶表示
装置および電子機器を提供することである。
用副画素と、列方向において視野角制御用副画素に隣接する赤色または青色の表示用副画
素とは、緑色の表示用副画素に比べて行方向に沿った長さが長くなるように構成されてい
ることにより、緑色の表示用副画素よりも面積が大きくなるように構成されている。この
ように構成すれば、視野角制御用副画素の行方向に沿った長さを長くする際に、視野角制
御用副画素とともに視野角制御用に列方向において隣接する表示用副画素の行方向に沿っ
た長さも長くするので、画素の外周形状を矩形状に保った状態で視野角制御用副画素の面
積を大きくすることができる。
用副画素と、行方向において視野角制御用副画素に隣接する赤色または青色の表示用副画
素とは、緑色の表示用副画素に比べて列方向に沿った長さが長くなるように構成されてい
ることにより、緑色の表示用副画素よりも面積が大きくなるように構成されている。この
ように構成すれば、視野角制御用副画素の列方向に沿った長さを長くする際に、視野角制
御用副画素とともに視野角制御用に行方向において隣接する表示用副画素の列方向に沿っ
た長さも長くするので、画素の外周形状を矩形状に保った状態で視野角制御用副画素の面
積を大きくすることができる。
られるとともに、表示用副画素および視野角制御用副画素が形成される第1基板および第
2基板と、第1基板上に形成された共通電極と、共通電極上に絶縁膜を介して対向するよ
うに配置され、表示用副画素および視野角制御用副画素にそれぞれ設けられるとともに、
複数のスリットを含む画素電極とを備え、表示用副画素に対応する画素電極のスリットと
、視野角制御用副画素に対応する画素電極のスリットとは、平面的に見て、スリットの延
びる方向が異なるように構成されている。このように構成すれば、絶縁膜を介して共通電
極と画素電極とを備えた横電界型の駆動方式による表示用副画素および視野角制御用副画
素によって、視野角を調整しながら応答速度の低下を抑制することが可能な液晶表示装置
を構成することができる。
られるとともに、表示用副画素および視野角制御用副画素が形成される第1基板および第
2基板と、第1基板上の表示用副画素が形成される領域に形成された第1共通電極と、第
1共通電極上に絶縁膜を介して対向するように配置され、複数のスリットを含む第1画素
電極と、第1基板上の視野角制御用副画素が形成される領域に形成された第2画素電極と
、第2基板上の視野角制御用副画素が形成される領域に、第2画素電極に対向するように
配置された第2共通電極とを備える。このように構成すれば、横電界型の駆動方式による
表示用副画素と、第1基板上の画素電極と第2基板上の共通電極とを備えた縦電界型の駆
動方式による視野角制御用副画素との組み合わせにより、視野角の制御を行いながら応答
速度の低下を抑制することが可能な液晶表示装置を構成することができる。
。このように構成すれば、視野角を制御しつつ、応答性が低下するのを抑制することが可
能な液晶表示装置を含む電子機器を得ることができる。
図1〜図4を参照して、本発明の第1実施形態による液晶表示装置100の構成につい
て説明する。
うに、マトリクス状に複数の画素1が設けられている。
れぞれ対応する表示用副画素1a、1bおよび1cと、表示部100aにより表示される
画像の視野角の範囲を制御するための透明または白色光を出射する視野角制御用副画素1
d(W)とからなる矩形状の4つの副画素により構成されている。画素1を構成する矩形
状の表示用副画素1a、1bおよび1cと視野角制御用副画素1dとは2行2列の行列状
に配置されており、画素1の外周形状は矩形状になるように構成されている。
よび1cよりも大きくなる表示用副画素1a(視野角制御用副画素1dと同じ列に配置さ
れた表示用副画素)は、最も視感度が高い色以外の色に対応するように構成されている。
具体的には、第1実施形態では、3つの表示用副画素は、それぞれ赤色(R)、緑色(G
)および青色(B)に対応するとともに、面積が表示用副画素1bおよび1cよりも大き
くなる表示用副画素1aに視感度が最も高い緑色(G)以外の色(第1実施形態では赤色
)を対応させるように構成されている。
て一直線状に延びるようにゲート線2が複数形成されている。また、副画素の1列毎に、
Y方向(列方向)に沿って一直線状に延びるように信号線3が複数形成されている。
沿った断面図)に示すように、第1基板10上にゲート電極11および共通電極12が形
成されているとともに、ゲート電極11および共通電極12の表面上には、SiNなどか
らなる絶縁膜13が形成されている。各副画素のゲート電極11は、それぞれ対応するゲ
ート線2に電気的に接続されている。絶縁膜13は、後述する画素トランジスタ17のゲ
ート絶縁膜としての機能を有する。ゲート電極11上には、絶縁膜13を介してアモルフ
ァスシリコン(a−Si)からなる半導体層14が形成されている。半導体層14は、下
層のa−Si層と、上層のn型の導電性を有するn+Si層との2層構造からなるように
構成されている。なお、半導体層14の上層のn+Si層はキャリアの転送効率を上げる
ために形成されている。
およびドレイン電極16が形成されている。各副画素のソース電極15は、それぞれ対応
する信号線3に電気的に接続されている。また、半導体層14のソース電極15とドレイ
ン電極16とに挟まれる領域には、上層のn+Si層が除去されて下層のa−Si層によ
りチャネル領域が形成されている。以上により、ゲート電極11、絶縁膜13(ゲート絶
縁膜)、半導体層14により画素トランジスタ17が構成されている。ソース電極15お
よびドレイン電極16の表面上には、たとえばSiNからなるパッシベーション膜18が
形成されている。パッシベーション膜18の表面上には、スリット19b(19d)を有
する画素電極19a(19c)が形成されている。パッシベーション膜18および画素電
極19a(19c)を覆うように、配向膜(図示せず)が形成されている。
に対応する位置に遮光膜(ブラックマトリクス)21が形成されているとともに、各々の
表示用副画素1a、1bおよび1cに対応する領域には、それぞれ対応する色(図4では
青色(B))のカラーフィルタ22が形成されている。なお、視野角制御用副画素1dに
対応する領域には、カラーフィルタ22は形成されておらず、視野角制御用副画素1dを
駆動する際には第1基板10側に設けられた光源(図示せず)からの光が透過するように
構成されている。遮光膜21およびカラーフィルタ22の表面上には、オーバーコート層
23が形成されているとともに、オーバーコート層23の表面上には、配向膜(図示せず
)が設けられている。また、第1基板10と第2基板20との間には液晶30が充填され
ている。
れ、第1基板10側に形成された共通電極12および画素電極19a(19c)間に発生
する電界の横方向成分(XおよびY方向)により液晶が駆動する横電界型の駆動方式(F
FS(Fringe Field Switching)モード)により構成されている
。
極19aに形成されたスリット19bは、平面的に見て、Y方向に延びるV字形状を有す
る一方で、視野角制御用副画素1dに対応する画素電極19cに形成されたスリット19
dは、X方向に一直線状に延びるように形成されている。これにより、表示用副画素1a
、1bおよび1cに対応する領域と視野角制御用副画素1dに対応する領域とには、それ
ぞれ異なる方向(横方向)の電界が発生し、表示用副画素1a、1bおよび1cに対応す
る領域と、視野角制御用副画素1dに対応する領域とにおける液晶分子(液晶30)が、
それぞれ異なる方向(横方向)に駆動するように構成されている。
、表示部100aに表示される表示画像が正面のみならず斜めからも認識可能となる。一
方で、視野角制御用副画素1dを動作する場合には、視野角制御用副画素1dから出射す
る光が各々の表示用副画素1a、1bおよび1cから出射する斜め方向の光(画像)と重
なり、斜め方向における画像のコントラストが低下する。そして、コントラストが低下し
た分、斜めから表示部100aを見た場合に表示部100aに表示される表示画像が認識
不可能となる(視野角が制御される)ように構成されている。
副画素1dの面積を大きくすることによって、その分、より視野角の制御の精度を向上さ
せることができる。また、視野角制御用副画素1dの面積とともに、表示用副画素1aの
面積を表示用副画素1bおよび1cよりも大きくするように構成することによって、視野
角制御用副画素1dのみの面積を大きくした場合に平面的に見て画素1の外周形状が突出
形状を含む形状になるのと異なり、画素1の外周形状を矩形状に構成することができる。
これにより、画素1の外周に沿って伸びるようにゲート線2および信号線3を設けた場合
に、ゲート線2および信号線3を突出形状に沿って屈曲状に形成することなく、一直線状
に形成することができる。したがって、ゲート線2および信号線3を突出形状に形成した
場合に比べてゲート線2および信号線3の抵抗を小さくすることができるので、その分、
応答速度が低下するのを抑制することができる。また、視野角制御用副画素1dとともに
面積を大きくする表示用副画素1aを、最も視感度が高い緑色以外の色である赤色に対応
するように構成することによって、面積を大きくした表示用副画素1aに最も視感度が高
い緑色を対応させる場合に比べて視感度が低くなるので、面積を大きくしたとしても、視
野角の制御性が低下するのを抑制することができる。また、視感度が最も高くない赤色を
面積の大きい表示用副画素1aにより表示させるので、面積を大きくした表示用副画素1
aに最も視感度が高い緑色を対応させる場合に比べて全体的な色のバランスが崩れるのを
抑制することができる。
緑色および青色の表示にそれぞれ対応する表示用副画素1a、1bおよび1cと、視野角
制御用副画素1dとからなる矩形状の4つの副画素から構成し、4つの副画素を2行2列
の行列状に配置するとともに、面積が大きくなる表示用副画素1aに緑色以外の色である
赤色を対応させることによって、赤色、緑色および青色に対応する3色の表示用副画素1
a、1bおよび1cと視野角制御用副画素1dとにより構成される液晶表示装置100に
おいて、視野角を確実に調整しながら応答速度が低下するのを抑制することができる。
副画素1aを含む4つの副画素を、平面的に見て、互いに隣接する辺が同じ長さになるよ
うに構成するとともに、副画素間の境界は一直線上に延びるように構成することによって
、視野角制御用副画素1dと表示用副画素1aとの面積を大きくした場合にも、副画素間
の境界線(50−50線)上にゲート線2および信号線3を設ける場合に、ゲート線2お
よび信号線3を容易に一直線状に形成することができるので、確実にゲート線2および信
号線3の抵抗をより小さくすることができる。
界に沿って一直線状に延びるように設けることによって、視野角制御用副画素1dと表示
用副画素1aとの面積を大きくした場合にも、画素1間および副画素(1a、1b、1c
および1d)間の両方の境界に沿って、容易にゲート線2および信号線3を一直線状に形
成することができる。したがって、容易にゲート線2および信号線3の抵抗をより小さく
することができる。
1dにY方向において隣接する表示用副画素1aとを、緑色の表示用副画素1bに比べて
X方向に沿った長さを長くすることにより、表示用副画素1bよりも面積が大きくなるよ
うに構成することによって、視野角制御用副画素1dとともに表示用副画素1aのX方向
に沿った長さも長くするので、画素1の外周形状を矩形状に保った状態で視野角制御用副
画素1dの面積を大きくすることができる。
19aのスリット19bと、視野角制御用副画素1dに対応する画素電極19cのスリッ
ト19dとの延びる方向が互いに異なるように構成する。これによって、表示用副画素1
a、1bおよび1cと視野角制御用副画素1dとが横電界型の駆動方式である構成におい
て、視野角を調整しながら応答速度の低下を抑制することができる。
第2実施形態では、図5〜図7を参照して、表示用副画素1aおよび視野角用制御画素
1dのX方向に沿った長さ(幅W1)を長くする例を示した第1実施形態とは異なり、表
示用副画素201cおよび視野角用制御画素201dのY方向に沿った長さを長くする例
について説明する。
画素201a、201bおよび201cと、視野角制御用副画素201dとのX方向(行
方向)の幅Wは、それぞれ、略同じ長さになるように構成されている。一方で、視野角制
御用副画素201dと、視野角制御用副画素201dのY方向(列方向)に沿った辺に隣
接する表示用副画素201c(B)とにおけるY方向(列方向)の長さL1は、表示用副
画素201aおよび201bにおけるY方向(列方向)の長さL2よりも長くなるように
構成されている。これにより、各副画素は、互いに隣接する辺がそれぞれ同じ長さである
とともに、各副画素間の境界線(図5の250−250線)が一直線状に延びるように配
置される構成となる。そして、表示用副画素201cおよび視野角制御用副画素201d
のY方向(列方向)の長さが長くなる分、表示用副画素201cおよび視野角制御用副画
素201dの面積が表示用副画素201aおよび201bの面積よりも大きくなるように
構成されている。
用副画素201a、201bおよび201cにおいては、第1基板10上に共通電極21
2aが形成されているとともに、共通電極212a上に絶縁膜13を介してスリット21
9bを有する画素電極219aが形成されている。画素電極219aおよび共通電極21
2aは、それぞれ、本発明の「第1画素電極」および「第1共通電極」の一例である。一
方、視野角制御用副画素201dにおいては、第1基板10上に画素電極219cが形成
されているとともに、第2基板20上に画素電極219cに対向するように共通電極21
2bが形成されている。画素電極219cおよび共通電極212bは、それぞれ、本発明
の「第2画素電極」および「第2共通電極」の一例である。
界型の駆動方式の構成(FFSモード)である一方で、視野角制御用副画素201dは、
第1基板10上の画素電極219cと第2基板20上の共通電極212bとにより発生す
る縦方向の電界により液晶が駆動する縦電界型の駆動方式により構成されている。縦電界
型の駆動方式の一例として、0度配向のECBモードまたはVAモードなどの直線偏光を
利用した駆動方式のものが適用可能である。
1dのY方向に沿った長さを大きくする場合においても、面積が大きくなる表示用副画素
201cに視感度が最も高い緑色以外の青色を対応させることにより、視野角を制御しな
がら応答速度の低下を抑制することができる。
御用副画素201dのY方向に沿った辺に隣接する表示用副画素201cとを、緑色の表
示用副画素201bに比べてY方向に沿った長さを長くすることにより、緑色の表示用副
画素201bよりも面積が大きくなるように構成することによって、視野角制御用副画素
201dのY方向に沿った長さを長くする際に、表示用副画素201cのY方向に沿った
長さも長くするので、画素1の外周形状を矩形状に保った状態で視野角制御用副画素20
1dの面積を大きくすることができる。
1bおよび201cと、縦電界型の駆動方式による視野角制御用副画素201dとの組み
合わせにおいても、視野角の制御を行いながら応答速度の低下を抑制することが可能な液
晶表示装置200を構成することができる。
第3実施形態では、図8および図9を参照して、視野角制御用副画素301dと、視野
角制御用副画素301dに隣接する表示用副画素301aおよび301cとにおけるX方
向およびY方向に沿った長さをそれぞれ長くする例について説明する。
御用副画素301dと、視野角制御用副画素301dのX方向に沿った辺に隣接する表示
用副画素301a(R)とのX方向の幅W3は、表示用副画素301bおよび301cの
X方向の幅W4よりも長くなるように構成されている。また、視野角制御用副画素301
dと、視野角制御用副画素301dのY方向に沿った辺に隣接する表示用副画素301c
(B)とにおけるY方向の長さL3は、表示用副画素301aおよび301bにおけるY
方向の長さL4よりも長くなるように構成されている。そして、各副画素は、互いに隣接
する辺がそれぞれ略同じ長さであるとともに、各副画素間の境界線(図8の350−35
0線)が一直線状に延びるように配置される構成となる。これにより、表示用副画素30
1aおよび301cと視野角制御用副画素301dとの面積が、表示用副画素301bの
面積よりも大きくなるように構成されている。つまり、表示用副画素301bの面積が最
も小さくなるように構成されている。
1dのX方向に沿った長さ(W3)を長くするとともに、表示用副画素301cおよび視
野角用制御画素301dのY方向に沿った長さ(L3)を長くする場合においても、面積
が最も小さい表示用副画素301bに緑色を対応させることにより、確実に視野角を制御
しながら応答速度の低下を抑制することができる。
を長くする際に、視野角制御用副画素301dとともに表示用副画素301aおよび30
1cのX方向およびY方向に沿った長さもそれぞれ長くするので、画素1の外周形状を矩
形状に保った状態で視野角制御用副画素301dの面積を大きくすることができる。また
、この場合、緑色の表示用副画素301bの面積よりも赤色および青色の両方の表示用副
画素301aおよび301cの面積を大きくすることにより視野角の制御性の低下を抑制
し、かつ、全体的な色のバランスが崩れるのを確実に抑制することができる。
第4実施形態では、図10を参照して、第1実施形態の構成における画素トランジスタ
17の上方に層間絶縁膜401を設けた例について説明する。
では表示用副画素401cおよび視野角制御用副画素401d)において、それぞれ、画
素トランジスタ17を覆うパッシベーション膜18の表面上に層間絶縁膜401が形成さ
れている。層間絶縁膜401の表面上には共通電極412が形成されているとともに、共
通電極412の表面上には共通電極412を覆うように絶縁膜402が形成されている。
そして、絶縁膜402の表面上には、スリット419b(419d)を有する画素電極4
19a(419c)が形成されている。
ンジスタ17のドレイン電極16にまで達するコンタクトホール403が形成されており
、画素電極419a(419c)と画素トランジスタ17のドレイン電極16とは、コン
タクトホール403を介して電気的に接続されている。また、共通電極412には、コン
タクトホール403上の画素電極419a(419c)と共通電極412とが接触するの
を抑制するための開口部412aが形成されている。
8の表面上に層間絶縁膜401を形成するとともに、層間絶縁膜401上に画素電極41
9a(419c)および共通電極412を形成する。このように構成することによって、
層間絶縁膜401を形成した分、液晶30のギャップ長(第1基板10および第2基板2
0間のギャップ長)を小さくすることができる。
第5実施形態では、図11を参照して、第2実施形態の構成における画素トランジスタ
17の上方に層間絶縁膜501を設けた例について説明する。
17を覆うパッシベーション膜18の表面上に層間絶縁膜501が形成されている。表示
用副画素501cにおいては、層間絶縁膜501の表面上に共通電極512aが形成され
ているとともに、共通電極512aの表面上には絶縁膜502が形成されている。絶縁膜
502の表面上には、スリット519bを有する画素電極519aが形成されている。ま
た、視野角制御用副画素501dにおいては、層間絶縁膜501の表面上に絶縁膜502
が形成されているとともに、絶縁膜502の表面上に画素電極519cが形成されている
。
いて、パッシベーション膜18、層間絶縁膜501および絶縁膜502を貫通するように
コンタクトホール503が形成されているとともに、画素電極519a(519c)と画
素トランジスタ17のドレイン電極16とがコンタクトホール503を介して電気的に接
続されている。また、表示用副画素501cの共通電極512aには、コンタクトホール
503上の画素電極519aと共通電極512aとが接触するのを抑制するための開口部
512cが形成されている。視野角制御用副画素501dの第2基板20側には、画素電
極519cに対向するように共通電極512bが形成されている。
せによる構成においても、画素トランジスタ17を覆うパッシベーション膜18の表面上
に層間絶縁膜501を形成することによって、層間絶縁膜501を形成した分、液晶30
のギャップ長(第1基板10および第2基板20間のギャップ長)を小さくすることがで
きる。
第6実施形態では、図12および図13を参照して、本発明の第1〜第5実施形態のい
ずれかに示した液晶表示装置100(200、300、400、500)を用いた電子機
器について説明する。
00)は、図12および図13に示すように、第6実施形態としての携帯電話600およ
びPC(パーソナルコンピュータ)700などに用いることが可能である。図12の携帯
電話600においては、表示画面600aに液晶表示装置100(200、300、40
0、500)が用いられる。また、図13のPC700においては、表示画面700aお
よびタッチパネル形式のキーボード700bなどの入力部などに用いることが可能である
。また、周辺回路を液晶パネル内の基板に内蔵することにより部品点数を大幅に減らすと
ともに、装置本体の軽量化および小型化を行うことが可能になる。
本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さら
に特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
素に本発明を適用する例を示したが、本発明はこれに限らず、複数行および複数列からな
る副画素から構成された画素であれば、2行2列以外の構成の画素にも適用可能である。
用する例を示したが、本発明はこれに限らず、上記の色以外の色を適用してもよい。
用副画素の両方にFFSモードを適用する例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえ
ばIPSモードなどのFFSモード以外の横電界型の液晶表示装置においても適用可能で
ある。
せるとともに、視野角制御用副画素に縦電界型の駆動方式を適用する例を示したが、本発
明はこれに限らず、少なくとも視野角制御用副画素が直線偏光を利用した駆動方式であれ
ば、上記の組み合わせ以外においても本発明を適用可能である。
、301c、401c、501c 表示用副画素 1d、201d、301d、40
1d、501d 視野角制御用副画素 2 ゲート線 3 信号線 10
第1基板 12、312、412 共通電極 17 画素トランジスタ 1
9a、19c、319a、319c、419a、419c 画素電極 19b、19
d、219b、219d、319b、319d、419b、419d スリット 2
0 第2基板 212a、512a 共通電極(第1共通電極) 219a、5
19a 画素電極(第1画素電極) 212b、512b 共通電極(第2共通電極
) 219c、519c 画素電極(第2画素電極) 100、200、300
、400、500 液晶表示装置 600 携帯電話(電子機器) 700 P
C(電子機器)
Claims (7)
- 各々が平面的に見て矩形状を有する4つの副画素であって、赤色、緑色及び青色の表示にそれぞれ対応する表示用副画素と、視野角を制御する視野角制御用副画素とが、2行2列の行列状に配置されて構成されるとともに、当該4つの副画素が、平面的に見て互いに隣接する辺が同じ長さを有し、それぞれの境界が直線状に延びるように形成され、外周形状が矩形状に構成された画素と、
前記4つの副画素それぞれに設けられる画素トランジスタと、
前記画素トランジスタのゲートに接続されるとともに、平面的に見て、前記画素間及び前記副画素間の境界を前記副画素の行方向に沿って直線状に延びるように複数設けられたゲート線と、
前記ゲート線と略直交するとともに、平面的に見て、前記画素間及び前記副画素間の境界を前記副画素の列方向に沿って直線状に延びるように複数設けられ、前記画素トランジスタを介して前記表示用副画素に映像信号を供給する信号線と、
を備え、
前記4つの副画素のうち、前記視野角制御用副画素と、前記視野角制御用副画素が配置された行および列の少なくとも一方に配置された前記表示用副画素とは、前記視野角制御用副画素が配置された行および列以外に配置された前記表示用副画素よりも面積が大きくなるように構成され、前記赤色の表示用副画素または前記青色の表示用副画素のうちの一方が前記視野角制御用副画素の行方向に隣接し、他方が前記視野角制御用副画素の列方向に隣接して配置される、
液晶表示装置。 - 平面的に見て、前記視野角制御用副画素と、列方向において前記視野角制御用副画素に隣接する前記赤色の表示用副画素または前記青色の表示用副画素とは、前記緑色の表示用副画素に比べて行方向に沿った長さが長くなるように構成されていることにより、前記緑色の表示用副画素よりも面積が大きくなるように構成されている、
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 平面的に見て、前記視野角制御用副画素と、行方向において前記視野角制御用副画素に隣接する前記赤色の表示用副画素または前記青色の表示用副画素とは、前記緑色の表示用副画素に比べて列方向に沿った長さが長くなるように構成されていることにより、前記緑色の表示用副画素よりも面積が大きくなるように構成されている、
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 平面的に見て、前記赤色の表示用副画素および前記青色の表示用副画素は、それぞれ、前記視野角制御用副画素に対して行方向および列方向において隣接するように構成され、
列方向において前記視野角制御用副画素に隣接する赤色または青色の一方の前記表示用副画素は、前記緑色の表示用副画素に比べて行方向に沿った長さが長くなるとともに、行方向において前記視野角制御用副画素に隣接する赤色または青色の他方の前記表示用副画素は、前記緑色の表示用副画素に比べて列方向に沿った長さが長くなることにより、前記緑色の表示用副画素の面積よりも前記赤色の表示用画素および前記青色の表示用副画素の両方の面積が大きくなるように構成されている、
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 互いに対向するように設けられるとともに、前記表示用副画素および前記視野角制御用副画素が形成される第1基板および第2基板と、
前記第1基板上に形成された共通電極と、
前記共通電極上に絶縁膜を介して対向するように配置され、前記表示用副画素および前記視野角制御用副画素にそれぞれ設けられるとともに、複数のスリットを含む画素電極とを備え、
前記表示用副画素に対応する画素電極のスリットと、前記視野角制御用副画素に対応する画素電極のスリットとは、平面的に見て、前記スリットの延びる方向が異なるように構成されている、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 - 互いに対向するように設けられるとともに、前記表示用副画素および前記視野角制御用副画素が形成される第1基板および第2基板と、
前記第1基板上の前記表示用副画素が形成される領域に形成された第1共通電極と、
前記第1共通電極上に絶縁膜を介して対向するように配置され、複数のスリットを含む第1画素電極と、
前記第1基板上の前記視野角制御用副画素が形成される領域に形成された第2画素電極と、
前記第2基板上の前記視野角制御用副画素が形成される領域に、前記第2画素電極に対向するように配置された第2共通電極と、
を備える、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載の液晶表示装置を備えた、電子機器。
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