JP5274001B2 - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は本発明の実施形態1に係る固体撮像装置の製造方法を説明するための図であり、図1(a)は、該製造方法により製造された固体撮像装置の要部断面構造を示し、図1(b)は、該固体撮像装置における反射防止膜端部の構造を拡大して示している。
(実施形態2)
なお、上記実施形態1では、特に説明しなかったが、上記実施形態1の固体撮像装置の製造方法により得られた固体撮像素子100を撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置などの画像入力デバイスを有した電子情報機器について説明する。本発明の電子情報機器は、本発明の上記実施形態1の製造方法により得られた固体撮像装置100を撮像部に用いて得た高品位な画像データを記録用に所定の信号処理した後にデータ記録する記録メディアなどのメモリ部と、この画像データを表示用に所定の信号処理した後に液晶表示画面などの表示画面上に表示する液晶表示装置などの表示手段と、この画像データを通信用に所定の信号処理をした後に通信処理する送受信装置などの通信手段と、この画像データを印刷(印字)して出力(プリントアウト)する画像出力手段とのうちの少なくともいずれかを有している。
11a、11b CCD拡散領域
20a、20b ONO膜
22a、22b 転送ゲート
100 固体撮像装置
101 シリコン基板
105 熱酸化膜(SiO)
106 HTO膜
107a,107b,107c 第1,第2,第3の平坦化膜
108a,108b,108c カラーフィルタ
111 反射防止膜(シリコン窒化膜)
120 金属遮光膜
141a,141b 第1,第2のマイクロレンズ
Claims (11)
- 半導体基板上に形成され、光電変換を行う複数の受光部と、該受光部上に配置された反射防止膜とを有する固体撮像装置を製造する方法であって、
該半導体基板に該受光部を形成した後、該半導体基板上に第1の透明絶縁膜、および該第1の透明絶縁膜とは屈折率の異なる第2の透明絶縁膜を順次形成するステップと、
該第2の透明絶縁膜をパターニングして該受光部上に反射防止膜を形成するステップと、
該第1の透明絶縁膜および該反射防止膜上に該反射防止膜とは屈折率の異なる第3の透明絶縁膜を形成するステップと、
前記第3の透明絶縁膜を形成した後、前記受光部に対応する領域に開口を有する遮光膜を形成するステップとを含み、
該反射防止膜を形成するステップは、
露光用光の焦点をフォトレジスト材の浅い位置に合わせて、該第2の透明絶縁膜上に該フォトレジスト材のエッチングマスクを、その下端部側面が下側ほど外に広がるよう傾斜した形状に形成するマスク形成ステップと、
該エッチングマスクを用いて該第2の透明絶縁膜を選択的にエッチングして、該エッチングマスク下端部の断面形状が転写された反射防止膜を形成するエッチングステップとを含み、
前記エッチングステップでは、
前記第2の透明絶縁膜を、前記エッチングマスクの下端部の断面形状が前記反射防止膜に転写されるよう等方性エッチング処理により選択的にエッチングし、
前記遮光膜の開口内には、前記反射防止膜の下地層が露出するよう、該反射防止膜の側端部が位置している、固体撮像装置の製造方法。 - 請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記マスク形成ステップは、
前記第2の透明絶縁膜上に、露光されない部分が残るポジ型フォトレジスト材を塗布する塗布ステップと、
該フォトレジスト材を、露光マスクを用いて該フォトレジスト材の、前記受光部に対応する領域が硬化するよう露光する露光ステップと、
該露光したフォトレジスト材を、該フォトレジスト材の非露光部分が残るよう現像して、前記エッチングマスクを形成する現像ステップとを含む固体撮像装置の製造方法。 - 請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記反射防止膜を構成する前記第2の透明絶縁膜は、該第2の透明絶縁膜下側の前記第1の透明絶縁膜の屈折率より大きい屈折率を有する固体撮像装置の製造方法。 - 請求項3に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記第1の透明絶縁膜は、前記反射防止膜を構成する前記第2の透明絶縁膜より膜厚の薄いものである固体撮像装置の製造方法。 - 請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記第1の透明絶縁膜は、前記第2の透明絶縁膜のエッチャントに対するエッチング選択比が、該第2の透明絶縁膜に比べて小さいものである固体撮像装置の製造方法。 - 請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記半導体基板はシリコン基板であり、
前記第1の透明絶縁膜は、該シリコン基板の熱酸化処理により形成されたシリコン酸化膜であり、
前記第2の透明絶縁膜は、CVD法により形成されたシリコン窒化膜である固体撮像装置の製造方法。 - 請求項6に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記第3の透明絶縁膜は、酸化シリコンを高温CVD法により形成したシリコン酸化膜である固体撮像装置の製造方法。 - 請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記遮光膜を形成した後に水素シンタリング処理を行うステップを含み、
前記遮光膜開口内に前記反射防止膜の下地層が露出した部分は、該水素シンタリング処理の際に水素を前記半導体基板に拡散させるための領域である固体撮像装置の製造方法。 - 請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記固体撮像装置は、CCDイメージセンサである固体撮像装置の製造方法。 - 請求項9に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記CCDイメージセンサは、
前記複数の受光部の各列に沿って配列され、該受光部で発生した信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送部を有し、
該垂直転送部は、
前記半導体基板に形成された、該複数の受光部を構成する複数の第1の拡散領域の列に隣接して位置し、該第1の拡散領域の列方向に沿って延びる第2の拡散領域と、
該第2の拡散領域上に、該第1の拡散領域の列方向に沿って配置された複数の転送ゲートとを有する固体撮像装置の製造方法。 - 請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記固体撮像装置は、CMOSイメージセンサである固体撮像装置の製造方法。
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