JP5272936B2 - パターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
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Description
フッ素系ガスを用いた反応性イオンエッチングによりレジスト16をエッチングし、レジスト16の薄い部分を除去して下層のカーボン保護層15を露出させる(図2(c))。
磁気記録層14に溝18を加工後、O2ガスによる反応性イオンエッチングでマスクとして用いたカーボン保護層15を剥離する(図2(g))。
本発明では、前記SOGからなるレジストのパターンがナノインプリント法により形成されることが推奨される。
本発明では、前記不活性ガス系ドライエッチングが、Arガスを用いたイオンビームエッチングであることがより望ましい。
図1に、本発明のパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法を説明するために、凹凸パターン形成工程を示す基板の概略断面図を示す。
前記基板10上に、Co、Ni、Feなど少なくとも一つを含む軟磁性材料をスパッタリングして5〜100nmの厚みの軟磁性層11を形成する。具体的には、CoZrNbからなる軟磁性層11を45nmの厚さに形成する。
この際、レジスト16の凸部もフッ素系ガスイオンによりエッチングされるため、フッ素系ガスイオンによるエッチング時には、基板バイアス印加あるいはグリッド電極によりイオンの異方性を強くし、基板に対してできるだけ垂直にイオンを入射することが好ましい。具体的にはCF4ガスを用いて、RFを100Wから1000Wのパワーでプラズマを発生させ、基板バイアスを10Wから200Wのパワーで印加するか、グリッド電極に100Vから2000Vの電圧を印加して加工を行う(図1(c))。
その後、DLC膜15をエッチングマスクとして、Arガスなどの不活性ガスを用いたイオンビームエッチングにより貴金属薄膜層17および磁気記録層14を加工する。この際、貴金属薄膜層17はArガスなどの不活性ガスに対しては、スパッタ率が高くエッチングレートが速いため、加工し易い(図1(f))。
この際、磁気記録層14をエッチングせずに貴金属薄膜層17のみをエッチングにより除去する必要がある。そこで、磁気記録層14の凹凸加工を行う際のイオンビームエッチングでのビーム強度より弱くすることで、貴金属薄膜層17のみをエッチングする。具体的には、Arガスを用いて6×10-2Pa以下の圧力で50Vから500Vのイオン加速電圧をグリッド電極に印加して貴金属薄膜層17のみの除去をおこなう。
11 軟磁性層
12 シード層
13 中間層
14 磁気記録層、磁性層
15 カーボン保護層、DLC膜
16 レジスト
17 貴金属薄膜層
18 溝
Claims (7)
- 基板表面に、軟磁性層と、上層の中間層の結晶配向を制御するシード層と、磁気記録層の磁区配向を制御する中間層と、磁気記録層となる磁性層と、Pt、Ir、RhおよびPdから選ばれる少なくとも1種類を用いる第二保護層と、ダイヤモンドライクカーボンを主成分とする第一保護層とをこの順に積層形成する工程と、前記第一保護層表面に所要のパターンを有するレジストを形成後、該パターン形成されたレジストをマスクとして前記第一保護層を酸素系ドライエッチングで選択除去して前記第二保護層を露出させる工程と、露出した前記第二保護層と下層の磁性層とを不活性ガス系ドライエッチングで選択除去した後、前記レジストを除去する工程と、前記レジストの除去により露出した前記第一保護層を酸素系のドライエッチングで剥離し、前記第一保護層の剥離により露出した前記第二保護層を不活性ガスを用いたドライエッチングで剥離する工程とをこの順に少なくとも有することを特徴とするパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法。
- 前記第二保護層の厚みが5nm以下であることを特徴とする請求項1に記載のパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法。
- 前記レジストがSOGからなるレジストであることを特徴とする請求項1乃至2のいずれか一項に記載のパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法。
- 前記SOGからなるレジストのパターンがナノインプリント法により形成されることを特徴とする請求項3に記載のパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法。
- 前記SOGからなるレジストが、フッ素系ガスを用いた反応性イオンエッチングにより除去されることを特徴とする請求項4に記載のパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法。
- 前記不活性ガス系ドライエッチングが、Arガスを用いたイオンビームエッチングである
ことを特徴とする請求項1記載のパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法。 - 前記酸素系ドライエッチングが、O2ガスO3ガスを用いた反応性イオンエッチングであることを特徴とする請求項1記載のパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法。
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