JP5272397B2 - 接着フィルムの貼付装置及び接着フィルムの貼付方法 - Google Patents

Description

本発明は、接着フィルムの貼付装置及び接着フィルムの貼付方法に関する。

近年、電子部品の小型薄型化に伴い、電子部品が搭載される基板に形成されている回路が高密度化、高精細化している。このような電子部品と微細な電極との接続は、従来のようなはんだ付けやゴムコネクタ等によって行うことが困難であるので、異方導電性フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）や、絶縁性接着フィルム（ＮＣＦ：Non Conductive Film）と呼ばれるフィルム状の接着剤を用いて行うことが一般的となってきている。

そこで、従来、一方の面（表面）にパット（電極）が設けられた半導体ウエハを用意する工程と、当該半導体ウエハの他方の面（裏面）を裏面研削装置（いわゆるバックグラインダ）によって研削し、当該半導体ウエハの厚みを薄くする工程と、パットが設けられている当該半導体ウエハの表面にフィルム状接着剤を真空ラミネート法によって貼付ける工程とを備える接着剤付ＩＣチップの製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。この方法によって製造された接着剤付ＩＣチップでは、予めＩＣチップに接着剤が付与されているので、基板への搭載が簡便に行えるようになっている。
特開２００４−３１１６０３号公報

ところで、上記のような接着剤付ＩＣチップを製造するにあたり、半導体ウエハの裏面をバックグラインダによって研削する際には、半導体ウエハの裏面が平坦となるようにするため、一般に、パットが設けられている半導体ウエハの表面にバックグラインドテープを貼付け、バックグラインドテープ側から圧力を均等にかけた状態で、研削ホイールに半導体ウエハの裏面を押しつけている。そのため、半導体ウエハの表面にフィルム状接着剤をラミネートするためには、バックグラインドテープを剥がさなければならない。

このとき、半導体ウエハの厚みはバックグラインダによって５０μｍ程度となっているので、何らの措置も講じないままでバックグラインドテープを剥がした場合には、半導体ウエハが割れてしまう虞がある。半導体ウエハをその裏面側から真空吸着してバックグラインドテープを剥がすこともできるが、その後の半導体ウエハの取り扱いが非常に困難となってしまう。そこで、通常、半導体ウエハの支持体としてダイシングテープを半導体ウエハの裏面に貼付けた後に、バックグラインドテープを剥がしている。

ところが、ダイシングテープを半導体ウエハの裏面に貼付ける際、同時に、環状のダイシングフレームが半導体ウエハを囲むようにダイシングテープ上に配置される。ここで、ダイシングフレームの高さは１ｍｍ〜１．５ｍｍ程度であるので、半導体ウエハの表面の高さはダイシングフレームの上縁の高さよりも低くなっている。そのため、従来、ダイシングフレームの存在により、半導体ウエハの表面にフィルム状接着剤を貼付けることが極めて困難であった。

本発明は、ダイシングフレームによって半導体ウエハが囲まれている場合であっても半導体ウエハに接着フィルムを貼付けることが可能な接着フィルムの貼付装置及び接着フィルムの貼付方法を提供することを目的とする。

本発明に係る接着フィルムの貼付装置は、ダイシングテープと、一方の主面に複数の突出電極が設けられ、他方の主面がダイシングテープに貼付けられた半導体ウエハと、半導体ウエハを囲むようにダイシングテープに貼付けられた環状のダイシングフレームとを有する被処理体が載置されるステージと、ステージに載置されている被処理体のうち半導体ウエハを上昇させる半導体ウエハ上昇手段と、半導体ウエハ上昇手段によって半導体ウエハが上昇された状態で、半導体ウエハの一方の主面に接着フィルムを貼付ける貼付手段とを備えることを特徴とする。

本発明に係る接着フィルムの貼付装置では、半導体ウエハ上昇手段によって、ステージに載置されている被処理体のうち半導体ウエハをダイシングテープから半導体ウエハに向かう方向に上昇させている。そのため、半導体ウエハの一方の主面（表面）の高さとダイシングフレームの上縁の高さとの差が小さくなり、さらに半導体ウエハを上昇させた場合には、半導体ウエハの一方の主面の高さがダイシングフレームの上縁の高さよりも高くなるので、半導体ウエハの一方の主面への接着フィルムの貼付けがダイシングフレームによって阻害され難くなる。その結果、ダイシングフレームによって半導体ウエハが囲まれている場合であっても半導体ウエハに接着フィルムを貼付けることが可能となる。なお、ダイシングテープは一般に伸縮可能な素材で形成されているので、半導体ウエハ上昇手段による半導体ウエハの上昇に伴い伸長することとなる。

好ましくは、上昇手段は、半導体ウエハの一方の主面がダイシングフレームよりも高くなるように半導体ウエハを上昇させる。このようにすると、ダイシングフレームによって半導体ウエハが囲まれている場合であっても、半導体ウエハに接着フィルムを確実に貼付けることができるようになる。

好ましくは、上昇手段は、昇降台と、昇降台を昇降させる駆動部とを有する。このようにすると、半導体ウエハが昇降台に位置するように被処理体をステージ上に載置した上で昇降台を駆動部で上昇させることにより、半導体ウエハを上昇させることが可能となる。

好ましくは、上昇手段は、ステージ上に設けられた台座部である。このようにすると、半導体ウエハが台座部に位置するように被処理体をステージ上に載置することにより、半導体ウエハを上昇させることが可能となる。

好ましくは、接着フィルムを加熱するための加熱手段を更に備える。このようにすると、接着フィルムが若干溶融した状態で、半導体ウエハの一方の主面への接着フィルムの貼付けが行われることとなる。その結果、半導体ウエハの一方の主面に複数の突出電極が設けられていても、接着フィルムを半導体ウエハの一方の主面に確実に貼付けることが可能となる。

好ましくは、貼付手段による接着フィルムの半導体ウエハへの貼付けは真空中で行われる。このようにすると、半導体ウエハの一方の主面に設けられている突出電極と接着フィルムとの間におけるボイド（空隙）の発生を効果的に抑制することが可能となる。

一方、本発明に係る接着フィルムの貼付方法は、ダイシングテープと、一方の主面に複数の突出電極が設けられ、他方の主面がダイシングテープに貼付けられた半導体ウエハと、半導体ウエハを囲むようにダイシングテープに貼付けられた環状のダイシングフレームとを有する被処理体を用意する被処理体用意工程と、被処理体のうち半導体ウエハを上昇させる半導体ウエハ上昇工程と、半導体ウエハが上昇している状態で、半導体ウエハの一方の主面に接着フィルムを貼付ける貼付工程とを備えることを特徴とする。

本発明に係る接着フィルムの貼付方法では、被処理体のうち半導体ウエハをダイシングテープから半導体ウエハに向かう方向に上昇させている。そのため、半導体ウエハの一方の主面の高さとダイシングフレームの上縁の高さとの差が小さくなり、さらに半導体ウエハを上昇させた場合には、半導体ウエハの一方の主面の高さがダイシングフレームの上縁の高さよりも高くなるので、半導体ウエハの一方の主面への接着フィルムの貼付けがダイシングフレームによって阻害され難くなる。その結果、ダイシングフレームによって半導体ウエハが囲まれている場合であっても半導体ウエハに接着フィルムを貼付けることが可能となる。

好ましくは、半導体ウエハ上昇工程では、半導体ウエハの一方の主面がダイシングフレームよりも高くなるように半導体ウエハを上昇させる。このようにすると、ダイシングフレームによって半導体ウエハが囲まれている場合であっても、半導体ウエハに接着フィルムを確実に貼付けることができるようになる。

好ましくは、貼付工程では、接着フィルムを加熱した状態で、半導体ウエハの一方の主面に接着フィルムを貼付ける。このようにすると、貼付工程において、接着フィルムが若干溶融した状態で、半導体ウエハの一方の主面への接着フィルムの貼付けが行われることとなる。その結果、半導体ウエハの一方の主面に複数の突出電極が設けられていても、接着フィルムを半導体ウエハの一方の主面に確実に貼付けることが可能となる。

好ましくは、貼付工程における接着フィルムの半導体ウエハへの貼付けは真空中で行う。このようにすると、半導体ウエハの一方の主面に設けられている突出電極と接着フィルムとの間におけるボイド（空隙）の発生を効果的に抑制することが可能となる。

本発明によれば、ダイシングフレームによって半導体ウエハが囲まれている場合であっても半導体ウエハに接着フィルムを貼付けることが可能な接着フィルムの貼付装置及び接着フィルムの貼付方法を提供することができる。

本発明の好適な実施形態について、図面を参照して説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。また、説明中、「上」なる語を使用することがあるが、これは図面の上方向に対応したものである。

（被処理体の構成）
まず、図１を参照して、被処理体１０の構成について説明する。被処理体１０は、ダイシングテープ１２と、半導体ウエハ１４と、ダイシングフレーム１６とを備える。

ダイシングテープ１２は、基材フィルム（図示せず）と、基材フィルムの表面に形成された粘着層とを有している。この粘着層は、例えばＵＶ照射によって硬化する機能を有しており、伸縮可能な素材で形成されている。そのため、ダイシングテープ１２は、通常、粘着層による粘着力を有しているが、ＵＶ照射によって粘着層が硬化すると、ダイシングテープ１２の粘着層による粘着力は低下する。なお、ダイシングテープ１２は、粘着力が変化しない粘着層を表面に有していてもよい。

半導体ウエハ１４は、回路面（一方の主面）Ｓ１と、回路面Ｓ１の反対側の面である裏面（他方の主面）Ｓ２とを有している。回路面Ｓ１には、当該回路面Ｓ１から突出する突出電極１４ａが複数形成されている。裏面Ｓ２は、ダイシングテープ１２の粘着層に貼付けられている。なお、半導体ウエハ１４の厚さは、例えば５０μｍ〜５５０μｍ程度である。

ここで、突出電極１４ａは、例えば金めっきにより形成された金バンプである。突出電極１４ａは、金ワイヤーを用いて形成される金スタッドバンプ、必要に応じて超音波を併用した熱圧着によって固定された金属ボール、めっきや蒸着により形成されたバンプ等でもよい。突出電極１４ａは、単一の金属から構成されている必要はなく、複数の金属を含んでもよい。突出電極１４ａは、金、銀、銅、ニッケル、インジウム、パラジウム、スズ、ビスマス等を含んでもよい。また、突出電極１４ａは、複数の金属層を含む積層体であってもよい。

ダイシングフレーム１６は、円環状（リング状）の金属製部材であり、半導体ウエハ１４のダイシング時に半導体ウエハ１４の固定治具として用いられる。ダイシングフレーム１６は、その内径が半導体ウエハ１４の外形よりも大きくなっており、半導体ウエハ１４を囲むようにダイシングテープ１２上に配置され、その下縁１６ａがダイシングテープ１２の接着層に貼付けられている。なお、ダイシングフレーム１６の厚さは、例えば１ｃｍ〜１．５ｃｍ程度である。そのため、ダイシングフレーム１６の上縁１６ｂは、半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１よりも上方に位置している。

上記のように、ダイシングテープ１２、半導体ウエハ１４及びダイシングフレーム１６が一体となって構成された被処理体１０は、後述する接着フィルムの貼付装置２０のステージ２２に載置され、半導体ウエハ１４への接着フィルムＦの貼付処理及び半導体ウエハ１４のダイシング処理に供されることとなる（詳しくは後述する）。

（接着フィルムの貼付装置の構成）
続いて、図２を参照して、接着フィルムの貼付装置２０の構成について説明する。接着フィルムの貼付装置２０は、ステージ２２と、昇降台（半導体ウエハ上昇手段）２４と、駆動部（半導体ウエハ上昇手段）２６と、ラミネートロール（加熱手段）２８（図９参照）とを備える。

ステージ２２は、被処理体１０を載置するための台座であって、その中央部に開口２２ａが設けられている。より詳しくは、被処理体１０のダイシングテープ１２側がステージ２２の上面に向かうと共に、上方から見たときに被処理体１０のうちダイシングフレーム１６がステージ２２と重なるように、被処理体１０がステージ２２に載置される。

昇降台２４は、半導体ウエハ１４を昇降させるための台座であって、ステージ２２の開口２２ａの内側に位置している。半導体ウエハ１４を昇降させる観点から、昇降台２４の外形は、上方から見たときにダイシングフレーム１６の内径よりも小さくなっている。ただし、半導体ウエハ１４を確実に保持するため、上方から見たときに、昇降台２４の外形が半導体ウエハ１４の外形と同程度であると好ましい。

駆動部２６は、駆動軸２６ａを介して昇降台２４と接続されており、鉛直方向に沿って昇降台２４を昇降させる。ラミネートロール２８は、例えば硬質樹脂によって形成されており、後述する接着フィルムＦを半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１に貼付ける（ラミネートする）ために用いられる。また、図示しない温度調節機構によってラミネートロール２８の温度を調節することができるようになっている。

（接着フィルムの貼付方法）
続いて、図３〜図１１を参照して、接着フィルムの貼付装置２０を用いて接着フィルムＦを半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１に貼付ける方法について説明する。

まず、回路面Ｓ１に突出電極１４ａが複数形成された半導体ウエハ１４を用意する。このときの半導体ウエハ１４は、まだ薄型化されていないので、その厚みが７６０μｍ程度となっている。

そして、この半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１にバックグラインドテープＢＴを貼付ける（図３参照）。このバックグラインドテープＢＴは、基材フィルムＢＴａと、基材フィルムＢＴａの表面に形成された粘着層ＢＴｂとを有しており、粘着層ＢＴｂと半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１とが接着されている。

その後、図３に示されるように、バックグラインドテープＢＴに圧力を加えつつ、半導体ウエハ１４を裏面Ｓ２側から裏面研削装置（バックグラインダ）３０によって研削し、半導体ウエハ１４の厚みを薄くする。具体的には、半導体ウエハ１４の厚みが５０μｍ〜５５０μｍ程度となるように、半導体ウエハ１４の研削を行う。なお、半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１側は複数の突出電極１４ａの存在によって凹凸状となっているが、バックグラインドテープＢＴが半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１に貼付けられているので、均一に圧力を加えることができ、その結果、研削により半導体ウエハ１４の裏面Ｓ２を平坦化できるようになっている。

続いて、図４に示されるように、半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１にバックグラインドテープＢＴが貼付けられた状態で、半導体ウエハ１４の裏面Ｓ２及びダイシングフレーム１６の下縁１６ａにダイシングテープ１２を貼付ける。こうして、半導体ウエハ１４とダイシングフレーム１６とが、ダイシングテープ１２によって一体化される。

その後、バックグラインドテープＢＴを半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１から剥がし、被処理体１０を得る。なお、本実施形態では、半導体ウエハ１４がダイシングフレーム１６と共にダイシングテープ１２に貼付けられているので、バックグラインドテープＢＴを剥がす際に半導体ウエハ１４が割れる虞がなくなっている。

続いて、図５に示されるように、被処理体１０を接着フィルムの貼付装置２０のステージ２２に載置する。このとき、被処理体１０のダイシングテープ１２側がステージ２２の上面に向かうと共に、上方から見たときに、被処理体１０のうちダイシングフレーム１６がステージ２２と重なり、被処理体１０のうち半導体ウエハ１４が昇降台２４に重なるようにする。

続いて、図６に示されるように、駆動部２６によって昇降台２４を上昇させることで、半導体ウエハ１４を上昇（ダイシングテープ１２から半導体ウエハ１４に向かう方向に移動）させる。このとき、ダイシングテープ１２のうち半導体ウエハ１４及びダイシングフレーム１６と接着されていない部分が伸びることとなる（図６参照）。なお、半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１がダイシングフレーム１６の上縁１６ｂよりも高くなるように、半導体ウエハ１４を上昇させると好ましい。また、昇降台２４が上昇することによって、半導体ウエハ１４と共にダイシングフレーム１６も上昇してしまわないように、押さえ部材等によってダイシングフレーム１６をステージ２２に押さえつけておくことが好ましい。

続いて、セパレータＦａと、セパレータＦａ上に設けられた接着剤層Ｆｂとを有する接着フィルムＦを用意する。セパレータＦａとしては、例えばシリコーン等によって表面が離型処理されたＰＥＴ基材が挙げられる。接着剤層Ｆｂは、例えば、セパレータＦａに接着剤組成物を塗布した後に乾燥することによって形成される。接着剤層Ｆｂは、例えば常温において固体である。接着剤層Ｆｂは、熱硬化性樹脂を含む。熱硬化性樹脂は、熱により三次元的に架橋することによって硬化する。

上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、シアノアクリレート樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイソシアネート樹脂、フラン樹脂、レゾルシノール樹脂、キシレン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、シロキサン変性エポキシ樹脂、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、アクリレート樹脂等が挙げられる。これらは単独又は二種以上の混合物として使用することができる。

接着剤層Ｆｂは、硬化反応を促進させるための硬化剤を含んでもよい。接着剤層Ｆｂは、高反応性及び保存安定性を両立させるために、潜在性の硬化剤を含むことが好ましい。

接着剤層Ｆｂは、熱可塑性樹脂を含んでもよい。熱可塑性樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリブタジエン、アクリロニトリルブタジエン共重合体（ＮＢＲ）、アクリロニトリルブタジエンゴムスチレン樹脂（ＡＢＳ）、スチレンブタジエン共重合体（ＳＢＲ）、アクリル酸共重合体等が挙げられる。これらは単独又は二種以上を併用して使用することができる。これらの中でも、半導体ウエハ１４への貼付性を確保するために室温付近に軟化点を有する熱可塑性樹脂が好ましく、グリシジルメタクリレートなどを原料に含むアクリル酸共重合体が好ましい。

接着剤層Ｆｂには、低線膨張係数化のためのフィラー（無機微粒子）を添加してもよい。このようなフィラーとしては、結晶性を有するものであっても、非結晶性を有するものであってもよい。接着剤層Ｆｂの硬化後の線膨張係数が小さいと、熱変形が抑制される。よって、半導体ウエハ１４から製造された半導体チップが配線基板に搭載された後も、突出電極１４ａと配線基板の配線との電気的な接続を維持することができるので、半導体チップと配線基板とを接続することによって製造される半導体デバイスの信頼性を向上させることができる。

接着剤層Ｆｂは、カップリング剤等の添加剤を含んでもよい。これにより、半導体チップと配線基板との接着性を向上させることができる。

接着剤層Ｆｂ内には、導電粒子を分散させてもよい。この場合、突出電極１４ａの高さのバラツキによる悪影響を低減することができる。また、配線基板がガラス基板等のように圧縮に対して変形し難い場合においても接続を維持することができる。さらに、接着剤層Ｆｂを異方導電性の接着剤層とすることができる。

接着剤層Ｆｂの厚みは、接着剤層Ｆｂが半導体チップと配線基板との間を十分に充填できる厚みであることが好ましい。通常、接着剤層Ｆｂの厚みが、突出電極１４ａの高さと配線基板の配線の高さとの和に相当する厚みであれば、半導体チップと配線基板との間を十分に充填できる。

そして、図７に示されるように、半導体ウエハ１４が上昇している状態で、用意した接着フィルムＦを半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１にラミネートロール２８を用いて貼付ける（ラミネートする）。具体的には、ラミネートロール２８によって接着フィルムＦの接着剤層Ｆｂを半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１に押しつけつつ、ラミネートロール２８を半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１に沿って移動させることで、接着フィルムＦの貼付けが行われる。

ここで、ラミネートロール２８の温度を図示しない温度調節機構によって調節することで、接着フィルムＦを加熱しつつ半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１に貼付けるようにすると好ましい。これにより、接着フィルムＦの接着剤層Ｆｂが若干溶融するので、半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１に対して接着剤層Ｆｂを十分に密着させることができると共に、突出電極１４ａの周囲を隙間なく十分に埋め込むことができる。加熱温度は、接着剤層Ｆｂが軟化し、かつ、硬化しない程度である。接着剤層Ｆｂが、例えば、エポキシ樹脂と、軟化温度が４０℃のアクリル酸共重合体と、反応開始温度が１００℃のエポキシ樹脂用の潜在性の硬化剤とを含む場合、加熱温度は例えば８０℃である。

続いて、図８に示されるように、セパレータＦａを接着剤層Ｆｂから剥離除去する。これにより、半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１への接着剤層Ｆｂの搭載が完了する。その後、詳細は省略するが、ダイシングブレード等によって半導体ウエハ１４を接着剤層Ｆｂと共にダイシング（切断）し、ダイシングテープ１２にＵＶ照射を行ってダイシングテープ１２を剥離除去することで、チップ状に個片化された半導体チップを得る。

以上のような本実施形態においては、駆動部２６によって昇降台２４を上昇させることで、半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１がダイシングフレーム１６の上縁１６ｂよりも高くなるように、半導体ウエハ１４を上昇させている。そのため、半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１の高さがダイシングフレーム１６の上縁１６ｂの高さよりも高くなるので、半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１への接着フィルムＦの貼付けがダイシングフレーム１６によって阻害されなくなる。つまり、ラミネートロール２８による半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１への接着フィルムＦの押圧及び半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１に沿ったラミネートロール２８の移動が確実に行われるようになる。その結果、ダイシングフレーム１６によって半導体ウエハ１４が囲まれている場合であっても、半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１に接着フィルムＦを確実に貼付けることが可能となる。

以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では接着フィルムの貼付装置２０が昇降台２４及び駆動部２６を備え、駆動部２６によって昇降台２４を上昇させることで半導体ウエハ１４を上昇させるようにしていたが、これに限られない。具体的には、図９に示されるように、接着フィルムの貼付装置２０がステージ２２と、台座部３２とを備えるようにしてもよい。

台座部３２は、半導体ウエハ１４を上昇させるための台座であって、ステージ２２から突出するようにステージ２２上に設けられている。半導体ウエハ１４を上昇させる観点から、台座部３２の外形は、上方から見たときにダイシングフレーム１６の内径よりも小さくなっている。ただし、半導体ウエハ１４を確実に保持するため、上方から見たときに、台座部３２の外形が半導体ウエハ１４の外形と同程度であると好ましい。

このような接着フィルムの貼付装置２０に被処理体１０を載置することによっても、図１０に示されるように、台座部３２によって半導体ウエハ１４が上昇するので、ダイシングフレーム１６によって半導体ウエハ１４が囲まれている場合であっても、半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１に接着フィルムＦを貼付けることが可能となる。この場合、台座部３２の高さは、被処理体１０を接着フィルムの貼付装置２０に載置したときに、半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１がダイシングフレーム１６の上縁１６ｂよりも高くなるように設定されていると好ましい（図１０参照）。また、台座部３２によって半導体ウエハ１４と共にダイシングフレーム１６も上昇してしまわないように、押さえ部材等によってダイシングフレーム１６をステージ２２に押さえつけておくことが好ましい。

また、被処理体１０及び接着フィルムの貼付装置２０を真空チャンバ内に配置し、ラミネートロール２８による半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１への接着フィルムＦの貼付けを真空中で行うようにしてもよい。このようにすると、半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１に設けられている突出電極１４ａと接着フィルムＦの接着剤層Ｆｂとの間におけるボイド（空隙）の発生を効果的に抑制することが可能となる。

また、上記実施形態ではラミネートロール２８の温度を温度調節機構によって調節することにより、接着フィルムＦを加熱していたが、昇降台２４や台座部３２の温度を温度調節機構によって調節することで、半導体ウエハ１４を介して接着フィルムＦを加熱するようにしてもよい。

また、上記実施形態では、ラミネートロール２８が硬質樹脂によって形成されていたが、少なくとも表面が弾性体によって形成されていてもよい。この場合、ラミネートロール２８の移動がダイシングフレーム１６によって阻害されても、弾性によってラミネートロール２８の表面がダイシングフレーム１６の上縁１６ｂよりも下に位置するようになる。そのため、半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１がダイシングフレーム１６の上縁１６ｂよりも高くなるように半導体ウエハ１４を上昇させなくても、半導体ウエハ１４の回路面Ｓ１に接着フィルムＦを確実に貼付けることが可能となる。

図１は、被処理体の構成を示す断面図である。 図２は、接着フィルムの貼付装置を示す断面図である。 図３は、半導体ウエハへの接着フィルムの貼付けの一工程を示す図である。 図４は、図３の後続の工程を示す図である。 図５は、図４の後続の工程を示す図である。 図６は、図５の後続の工程を示す図である。 図７は、図６の後続の工程を示す図である。 図８は、図７の後続の工程を示す図である。 図９は、他の接着フィルムの貼付装置による、半導体ウエハへの接着フィルムの貼付けの一工程を示す図である。 図１０は、図９の後続の工程を示す図である。

符号の説明

１０…被処理体、１２…ダイシングテープ、１４…半導体ウエハ、１４ａ…突出電極、１６…ダイシングフレーム、２０…接着フィルムの貼付装置、２２…ステージ、２４…昇降台（半導体ウエハ上昇手段）、２６…駆動部（半導体ウエハ上昇手段）、２８…ラミネートロール（加熱手段）、３２…台座部、Ｆ…接着フィルム、Ｓ１…回路面（一方の主面）、Ｓ２…裏面（他方の主面）。

Claims (10)

1. ダイシングテープと、一方の主面に複数の突出電極が設けられ、他方の主面が前記ダイシングテープに貼付けられた半導体ウエハと、前記半導体ウエハを囲むように前記ダイシングテープに貼付けられた環状のダイシングフレームとを有する被処理体が載置されるステージと、
   前記ステージに載置されている前記被処理体のうち前記半導体ウエハを、前記半導体ウエハの前記他方の主面に貼り付けられている前記ダイシングテープと共に上昇させる半導体ウエハ上昇手段と、
   前記一方の主面が前記ダイシングフレームの上縁よりも上方に位置し且つ前記他方の主面が前記ダイシングフレームの上縁よりも下方に位置するように、前記半導体ウエハ上昇手段によって前記半導体ウエハが上昇された状態で、前記半導体ウエハの前記一方の主面に接着フィルムを貼付ける貼付手段とを備えることを特徴とする接着フィルムの貼付装置。
   
2. 前記上昇手段は、前記半導体ウエハの前記一方の主面が前記ダイシングフレームよりも高くなるように前記半導体ウエハを上昇させることを特徴とする請求項１に記載された接着フィルムの貼付装置。
3. 前記上昇手段は、昇降台と、前記昇降台を昇降させる駆動部とを有することを特徴とする請求項１又は２に記載された接着フィルムの貼付装置。
4. 前記上昇手段は、前記ステージ上に設けられた台座部であることを特徴とする請求項１又は２に記載された接着フィルムの貼付装置。
5. 前記接着フィルムを加熱するための加熱手段を更に備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載された接着フィルムの貼付装置。
6. 前記貼付手段による前記接着フィルムの前記半導体ウエハへの貼付けは真空中で行われることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載された接着フィルムの貼付装置。
7. ダイシングテープと、一方の主面に複数の突出電極が設けられ、他方の主面が前記ダイシングテープに貼付けられた半導体ウエハと、前記半導体ウエハを囲むように前記ダイシングテープに貼付けられた環状のダイシングフレームとを有する被処理体を用意する被処理体用意工程と、
   前記被処理体のうち前記半導体ウエハを、前記半導体ウエハの前記他方の主面に貼り付けられている前記ダイシングテープと共に上昇させる半導体ウエハ上昇工程と、
   前記一方の主面が前記ダイシングフレームの上縁よりも上方に位置し且つ前記他方の主面が前記ダイシングフレームの上縁よりも下方に位置するように、前記半導体ウエハが上昇している状態で、前記半導体ウエハの前記一方の主面に接着フィルムを貼付ける貼付工程とを備えることを特徴とする接着フィルムの貼付方法。
8. 前記半導体ウエハ上昇工程では、前記半導体ウエハの前記一方の主面が前記ダイシングフレームよりも高くなるように前記半導体ウエハを上昇させることを特徴とする請求項７に記載された接着フィルムの貼付方法。
9. 前記貼付工程では、前記接着フィルムを加熱した状態で、前記半導体ウエハの前記一方の主面に接着フィルムを貼付けることを特徴とする請求項７又は８に記載された接着フィルムの貼付方法。
10. 前記貼付工程における前記接着フィルムの前記半導体ウエハへの貼付けは真空中で行うことを特徴とする請求項７〜９のいずれか一項に記載された接着フィルムの貼付方法。

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