JP5271027B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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Description
これらの構成により、優れたフォトルミネッセンス特性および高い光出力を得ることができる。
本発明に係る半導体発光素子の第1の実施形態を図1に示す。図1(a)は半導体発光素子1の構成を示す斜視図であり、図1(b)は要部の構造を示す拡大断面図である。
圧縮歪を有する井戸層141においては、重いホールバンド端141aが軽いホールバンド端141bよりもホールにとって低いエネルギー位置に存在している。一方、伸張歪障壁層143においては、軽いホールバンド端143bが重いホールバンド端143aよりもホールにとって低いエネルギー位置に存在している。なお、無歪障壁層144においては、重いホールバンドと軽いホールバンドは縮退している。
まず、有機金属気相成長(MOVPE)法を用いてn型InPからなる半導体基板11上に、n型InPからなるn型クラッド層12、これに引き続きSCH層13を成長する。なお、このSCH層は100nm程度の層厚とし、そのバンドギャップはn型クラッド層12と無歪障壁層144の間の範囲であり、かつバンドギャップ波長はSCH層13c、13b、13aの順に長くなるように配置する。
本発明に係る半導体発光素子の第2の実施形態を図3を用いて説明する。図3(a)は、半導体発光素子2の要部の構造を示す拡大断面図であり、図3(b)は、半導体発光素子2のバンド構造を模式的に示す図である。第1の実施形態と同様の構成および製造方法については説明を省略する。
14 活性層
141 井戸層
141a、143a 重いホールバンド端
141b、143b 軽いホールバンド端
142 障壁層
143 伸張歪障壁層
144 無歪障壁層
Claims (4)
- 基板上に、複数の井戸層と複数の障壁層とが交互に1層ずつ積層された多重量子井戸構造からなる活性層を備える半導体発光素子において、
前記基板がInPからなり、
前記活性層がGaInAsPからなり、
前記複数の井戸層が圧縮歪を有し、
前記複数の障壁層が、伸張歪障壁層と、少なくとも2層の無歪障壁層と、を含み、
前記伸張歪障壁層のバンドギャップ波長が0.95〜1.2μmであり、
前記無歪障壁層のバンドギャップ波長が0.95〜1.2μmであり、
2層の前記無歪障壁層の間に前記井戸層と前記伸張歪障壁層とが連続して積層された対が少なくとも1つ配置されることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記井戸層の層数が5〜7層である請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記井戸層の層数が6層であり、前記無歪障壁層の層数が4層であり、前記伸張歪障壁層の層数が3層である請求項2に記載の半導体発光素子。
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