JP5263657B2 - Polishing equipment - Google Patents

Polishing equipment Download PDF

Info

Publication number
JP5263657B2
JP5263657B2 JP2008101581A JP2008101581A JP5263657B2 JP 5263657 B2 JP5263657 B2 JP 5263657B2 JP 2008101581 A JP2008101581 A JP 2008101581A JP 2008101581 A JP2008101581 A JP 2008101581A JP 5263657 B2 JP5263657 B2 JP 5263657B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
slurry
polishing pad
surface plate
polishing
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008101581A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2009248269A (en
Inventor
進 星野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2008101581A priority Critical patent/JP5263657B2/en
Publication of JP2009248269A publication Critical patent/JP2009248269A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5263657B2 publication Critical patent/JP5263657B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing device having improved slurry utilizing efficiency. <P>SOLUTION: This polishing device comprises a surface plate 10 on the upper surface of which a polishing pad is installed and which is rotatingly driven, a substrate moving mechanism 30 for moving a substrate W relative to the surface plate, and a slurry feeding device 63 for feeding slurry to the polishing pad. The substrate is polished while the slurry is fed to the substrate. The polishing device further comprises a slurry receiving groove 110 for receiving the slurry coming out of the polishing pad 12 and a fluid feed pump 150 for flowing out the slurry received by the slurry receiving groove to the upper surface center of the polishing pad through a slurry collecting passage 130 and a slurry feed passage 120. The slurry is circulated in the surface plate while the substrate W is polished. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、スラリーの存在下において定盤と基板とを相対移動させて基板の研磨加工を行う研磨装置に関するものである。   The present invention relates to a polishing apparatus for polishing a substrate by relatively moving a surface plate and a substrate in the presence of slurry.

上記のような研磨装置として、シリコン基板やガラス基板等の表面を平坦に研磨加工するＣＭＰ装置（Chemical Mechanical Polishing Machine）が広く知られている。ＣＭＰ装置は、例えば、上面に研磨パッドが設けられて下方に延びる回転軸廻りに回転駆動される定盤と、研磨パッドに基板を当接させた状態で基板を移動させる基板移動機構と、研磨パッドの上面にスラリーを供給するスラリー供給装置とを備え、スラリー供給装置から研磨パッドの上面にスラリーを供給し、スラリーの存在下で定盤と基板とを相対移動させて基板表面を平坦に研磨加工するように構成される。   As a polishing apparatus as described above, a CMP apparatus (Chemical Mechanical Polishing Machine) that polishes the surface of a silicon substrate, a glass substrate or the like flatly is widely known. The CMP apparatus includes, for example, a surface plate provided with a polishing pad on the upper surface and driven to rotate about a rotating shaft extending downward, a substrate moving mechanism for moving the substrate while the substrate is in contact with the polishing pad, and polishing A slurry supply device for supplying slurry to the upper surface of the pad is supplied. The slurry is supplied from the slurry supply device to the upper surface of the polishing pad, and the surface plate and the substrate are relatively moved in the presence of the slurry to polish the substrate surface flatly. Configured to work.

ここで、スラリー供給装置からパッド上面に供給されたスラリーは、定盤の回転に伴う遠心力によってパッド上面を中央寄りから外周方向に移動し、研磨パッドの外周端部から流れ落ちて定盤から排除される。そのため、スラリー供給装置から供給されたスラリーのなかには、何ら研磨加工に寄与することなく、単に研磨パッドの上面を流れてそのまま排除されてしまうものも多く、研磨パッドに供給されたスラリーのうち実際に研磨加工に寄与したスラリーの割合、すなわちスラリーの利用効率は、一般的には１０％にも満たないと言われている。そこで、定盤から流れ落ちたスラリーを回収して未使用状態のスラリー（フレッシュスラリーという）が貯留されたタンクに戻し、スラリー供給装置のポンプによって再び研磨パッドに供給する循環システムを備えた研磨装置も考案されている（例えば、特許文献1を参照）。
米国特許第６１５９０８２号明細書 Here, the slurry supplied to the upper surface of the pad from the slurry supply device is moved from the center to the outer periphery by the centrifugal force accompanying the rotation of the surface plate, and flows down from the outer peripheral edge of the polishing pad and is removed from the surface plate. Is done. Therefore, some of the slurries supplied from the slurries supply apparatus do not contribute to the polishing process, and simply flow over the top surface of the polishing pad and are excluded as they are. Of the slurries supplied to the polishing pad, It is said that the ratio of the slurry that contributes to the polishing process, that is, the utilization efficiency of the slurry is generally less than 10%. Therefore, a polishing apparatus provided with a circulation system that collects the slurry that has flowed down from the surface plate, returns it to a tank in which unused slurry (referred to as fresh slurry) is stored, and supplies the slurry again to the polishing pad by a pump of the slurry supply apparatus. It has been devised (for example, see Patent Document 1).
US Pat. No. 6,159,082

しかしながら、上記のような従来の研磨装置では、研磨パッド上に供給されたスラリーを回収し循環させるための構成が複雑であり、研磨装置全体が大型化するという課題があった。本発明は、上記課題に鑑みて成されたものであり、装置構成を複雑化、大型化することなくスラリーの利用効率を向上可能な研磨装置を提供することを目的とする。   However, the conventional polishing apparatus as described above has a complicated structure for collecting and circulating the slurry supplied onto the polishing pad, and there is a problem that the entire polishing apparatus is increased in size. The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a polishing apparatus capable of improving the utilization efficiency of slurry without complicating and increasing the size of the apparatus.

上記目的達成のため、本発明は、上面に研磨パッドが設けられ下方に延びる回転軸廻りに回転駆動される定盤、研磨パッドの上面に基板を当接させた状態で定盤に対して基板を移動させる基板移動機構（例えば実施形態における基板キャリア２０、キャリア移動機構３０等）、及び研磨パッドの上面にスラリーを供給するスラリー供給装置を備え、スラリーの存在下において定盤と基板との相対移動により基板の研磨加工を行うように構成された研磨装置において、前記定盤に、前記スラリー供給装置により前記研磨パッドの上面に供給されたスラリーを前記定盤内で循環させるスラリー循環機構が設けられる。そして、前記スラリー循環機構は、前記定盤の上面外周部に設けられ、前記研磨パッドから外周側にこぼれ出たスラリーを受け止めるスラリー受容溝と、前記定盤の上面中央部に開口して前記定盤内を下方に延びるスラリー供給路と、前記スラリー受容溝と前記スラリー供給路を繋ぐように前記定盤内に形成されたスラリー回収路と、前記スラリー供給路と前記スラリー回収路の連結部に設けられ、前記スラリー受容溝に受け止められたスラリーを前記スラリー回収路及び前記スラリー供給路を介して前記スラリー供給路の上端開口から吐出させて前記研磨パッドの上面に供給する液送手段（例えば実施形態における液送ポンプ１５０）とを備えて構成される。 In order to achieve the above object, the present invention provides a surface plate provided with a polishing pad on the upper surface and driven to rotate about a rotating shaft extending downward, and a substrate with respect to the surface plate in a state where the substrate is in contact with the upper surface of the polishing pad. A substrate moving mechanism (for example, the substrate carrier 20, the carrier moving mechanism 30 and the like in the embodiment), and a slurry supply device for supplying the slurry to the upper surface of the polishing pad, and the relative relationship between the surface plate and the substrate in the presence of the slurry. In the polishing apparatus configured to polish a substrate by movement, a slurry circulation mechanism is provided in the surface plate for circulating the slurry supplied to the upper surface of the polishing pad by the slurry supply device in the surface plate. It is done. Then, the slurry circulation mechanism is provided on the upper surface outer peripheral portion of the surface plate, and the slurry receiving groove for receiving the slurry spilled on the outer peripheral side from the polishing pad, said constant and opens to the upper central portion of said platen A slurry supply path extending downward in the panel, a slurry recovery path formed in the surface plate so as to connect the slurry receiving groove and the slurry supply path, and a connecting portion between the slurry supply path and the slurry recovery path provided, liquid feed means for supplying said slurry which is received in a slurry receiving channel through said slurry collection passage and the slurry supply passage is ejected from the upper opening of the slurry supply passage to the upper surface of the polishing pad (e.g., implemented configured with a liquid feed pump 150) and in the form.

本発明によれば、スラリー受容溝に受け止められたスラリーが定盤内で循環される構成のため、装置構成を複雑化、大型化することなくスラリーの利用効率を向上させた研磨装置を提供することができる。   According to the present invention, there is provided a polishing apparatus in which the slurry received in the slurry receiving groove is circulated in the surface plate so that the utilization efficiency of the slurry is improved without complicating and increasing the size of the apparatus configuration. be able to.

以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。本発明を適用した研磨装置１の概略構成（側面図）を図８に示す。研磨装置１は、上面に研磨パッド１２が設けられ下方に延びるスピンドル廻りに回転駆動される定盤１０、下面にガラス基板やシリコン基板、半導体ウエーハ等の基板Ｗを吸着保持して回転駆動される基板キャリア２０を有し、保持した基板Ｗを研磨パッド１２に押接して水平揺動させるキャリア移動機構３０、研磨加工に際して定盤１０にスラリーを供給するスラリー供給装置６０などを備えて構成される。   Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 8 shows a schematic configuration (side view) of the polishing apparatus 1 to which the present invention is applied. The polishing apparatus 1 is driven to rotate by a surface plate 10 provided with a polishing pad 12 on the upper surface and rotated around a spindle extending downward, and a substrate W such as a glass substrate, silicon substrate, or semiconductor wafer on the lower surface. A carrier moving mechanism 30 that has a substrate carrier 20 and presses the held substrate W against the polishing pad 12 and swings horizontally, a slurry supply device 60 that supplies slurry to the surface plate 10 during polishing, and the like. .

研磨装置１の各部の作動は、制御装置８０によって制御され、研磨パッド１２の上面にスラリーを供給し、定盤１０及び基板キャリア２０を相対回転させて基板Ｗを研磨パッド１２に当接させて加圧し、スラリー存在下で基板Ｗと研磨パッド１２とを相対移動（基板キャリア２０の回転及び揺動並びに定盤１０の回転）させて、基板表面を平坦に研磨加工する。研磨装置１には、ダイヤモンド砥粒等が固着されたドレス工具７２を研磨パッドに当接させ、研磨パッドの表面をドレッシングするドレス機構７０が設けられている。   The operation of each part of the polishing apparatus 1 is controlled by the control device 80, and slurry is supplied to the upper surface of the polishing pad 12, and the surface plate 10 and the substrate carrier 20 are rotated relative to each other to bring the substrate W into contact with the polishing pad 12. Under pressure, the substrate W and the polishing pad 12 are relatively moved (rotation and swing of the substrate carrier 20 and rotation of the surface plate 10) in the presence of the slurry to polish the substrate surface flatly. The polishing apparatus 1 is provided with a dressing mechanism 70 for dressing the surface of the polishing pad by bringing a dressing tool 72 to which diamond abrasive grains or the like are fixed into contact with the polishing pad.

定盤１０は、全体として、加工対象の基板Ｗよりも直径が大きく厚肉円盤状のパッド定盤１１と、このパッド定盤１１の上面に接着や粘着等の手段により装着された研磨パッド１２と、パッド定盤１１から鉛直下方に延びパッド定盤に回転駆動力を伝達するスピンドル１３などからなり、研磨パッド１２の上面１２ｕが上向きの水平姿勢で配設される。   The surface plate 10 as a whole has a thick disk-shaped pad surface plate 11 larger in diameter than the substrate W to be processed, and a polishing pad 12 mounted on the upper surface of the pad surface plate 11 by means such as adhesion or adhesion. And a spindle 13 that extends vertically downward from the pad surface plate 11 and transmits a rotational driving force to the pad surface plate, and the upper surface 12u of the polishing pad 12 is disposed in an upward horizontal posture.

定盤１０と隣接してキャリア移動機構３０が設けられ、その先端部に基板キャリア２０が設けられている。基板キャリア２０は、例えば真空吸着により基盤Ｗを着脱自在に保持する円盤状のチャック２１と、チャック２１に保持された基板を研磨パッド１２に押しつけて加圧する加圧機構、チャック２１に回転駆動力を伝達するスピンドル２３などからなり、基板Ｗが下向きの水平姿勢で研磨パッド１２と対向して配設される。キャリア移動機構３０は、定盤１０に対して水平揺動可能に設けられたアーム３１を有し、アーム３１の先端から下方に突出するスピンドルホルダに基板キャリア２０が設けられている。   A carrier moving mechanism 30 is provided adjacent to the surface plate 10, and a substrate carrier 20 is provided at the tip thereof. The substrate carrier 20 includes, for example, a disc-shaped chuck 21 that detachably holds the substrate W by vacuum suction, a pressurizing mechanism that presses the substrate held by the chuck 21 against the polishing pad 12, and a rotational driving force to the chuck 21. The substrate W is disposed facing the polishing pad 12 in a downward horizontal posture. The carrier moving mechanism 30 has an arm 31 that can be horizontally swung with respect to the surface plate 10, and the substrate carrier 20 is provided on a spindle holder that protrudes downward from the tip of the arm 31.

スラリー供給装置６０は、加工対象に応じた種々の基板研磨用のスラリーや洗浄用の純水（リンス液）などを貯留し、制御装置８０からの指令信号に基づいて上記スラリー等を供給するスラリー供給ユニット６１と、このスラリー供給ユニット６１から送出されたスラリー等を定盤１０に導く配管経路であるライン６２などを備えて構成される。ライン６２の先端側は、定盤１０の回転中心近傍まで延設されて供給位置の調整が可能なノズル６３が設けられており、スラリー供給ユニット６１から送出された未使用状態のスラリー（フレッシュ・スラリー）が研磨パッド１２の上方から供給されるようになっている。   The slurry supply device 60 stores various types of substrate polishing slurry and cleaning pure water (rinse liquid) according to the processing target, and supplies the slurry and the like based on a command signal from the control device 80. A supply unit 61 and a line 62 that is a piping path for guiding the slurry and the like sent from the slurry supply unit 61 to the surface plate 10 are provided. The tip of the line 62 is provided with a nozzle 63 extending to the vicinity of the rotation center of the surface plate 10 and capable of adjusting the supply position. The unused slurry (fresh / fresh) fed from the slurry supply unit 61 is provided. Slurry) is supplied from above the polishing pad 12.

一方、定盤１０に、スラリーを定盤内で循環させるスラリー循環機構１００が設けられている。図１に定盤１０の回転軸心を通る鉛直面で切断したスラリー循環機構１００の概要構成図（図２中Ｉ−Ｉ矢視の側断面図）を示し、図２に定盤１０の平面図を示す。スラリー循環機構１００は、定盤１０の外周側に位置し研磨パッド１２から外周側にこぼれ出たスラリーを受け止めるスラリー受容溝１１０と、定盤１０の上面中央部に吐出開口１２１を有し下方に延びるスラリー供給路１２０と、スラリー受容溝１１０とスラリー供給路１２０とを結んで形成されたスラリー回収路１３０と、スラリー受容溝１１０に受け止められたスラリーをスラリー回収路１３０及びスラリー供給路１２０を介して吐出開口１２１から流出させる液送ポンプ１５０とを備え、基板Ｗの研磨加工中に、スラリー受容溝１１０に受け止められたスラリーが液送ポンプ１５０により吐出開口１２１から研磨パッド１２の上面１２ｕに供給され、定盤１０においてスラリーが循環するように構成される。   On the other hand, the surface plate 10 is provided with a slurry circulation mechanism 100 for circulating the slurry in the surface plate. FIG. 1 shows a schematic configuration diagram (side sectional view taken along the line I-I in FIG. 2) of the slurry circulation mechanism 100 cut along a vertical plane passing through the rotation axis of the surface plate 10, and FIG. The figure is shown. The slurry circulation mechanism 100 is located on the outer peripheral side of the surface plate 10 and receives a slurry receiving groove 110 that receives slurry spilled from the polishing pad 12 to the outer peripheral side. The extended slurry supply path 120, the slurry collection path 130 formed by connecting the slurry receiving groove 110 and the slurry supply path 120, and the slurry received by the slurry reception groove 110 via the slurry collection path 130 and the slurry supply path 120. And a liquid feed pump 150 that flows out from the discharge opening 121, and the slurry received in the slurry receiving groove 110 during the polishing of the substrate W is supplied from the discharge opening 121 to the upper surface 12 u of the polishing pad 12 by the liquid feed pump 150. The slurry is circulated on the surface plate 10.

本実施形態に示すスラリー受容溝１１０は、このスラリー受容溝１１０の部分を拡大した側断面図を図３に示すように、パッド定盤１１の上面に装着された研磨パッド１２の外周面１２ａと、パッド定盤１１の外周を囲んで設けられた円筒状の飛散防止リング１４０の内周面１４０ａと、これらの間に露出するパッド定盤１１の上面１１ｕに囲まれて、平面視において円環状、側断面視において凹溝状に形成される。   As shown in FIG. 3, the slurry receiving groove 110 shown in this embodiment is an enlarged side sectional view of the slurry receiving groove 110, and the outer peripheral surface 12 a of the polishing pad 12 mounted on the upper surface of the pad surface plate 11. Surrounding the inner peripheral surface 140a of the cylindrical scattering prevention ring 140 provided so as to surround the outer periphery of the pad surface plate 11, and the upper surface 11u of the pad surface plate 11 exposed therebetween, an annular shape in plan view The groove is formed in a groove shape in a side sectional view.

飛散防止リング１４０は、図示省略するリング昇降機構によりパッド定盤１１に対して上下に移動可能に設けられており、この飛散防止リング１４０の上端１４０ｕが研磨パッド１２の上面１２ｕよりも上方に位置する第１位置と、研磨パッドの上面１２ｕよりも低い第２位置とに配置可能になっている。この飛散防止リング１４０の第１位置Ｐ1と第２位置Ｐ2（Ｐ21,Ｐ22）については後に詳述するが、基板Ｗの研磨加工時には、飛散防止リング１４０が第１位置Ｐ1に配置され、研磨パッド１２の外周端部からスラリー受容溝１１０に流れ落ちるスラリーのみならず、遠心力によって研磨パッド１２の外周端部から水平方向に飛散するスラリーが飛散防止リング１４０の内周面１４０ａに受け止められてスラリー受容溝１１０に流れ込むようになっている。また、研磨パッドの上面に洗浄液を供給して基板のリンス洗浄を行う際、及び研磨パッド１２のドレッシングを行う際に、飛散防止リング１４０が第２位置に配設される。 The scattering prevention ring 140 is provided so as to be movable up and down with respect to the pad surface plate 11 by a ring lifting mechanism (not shown), and the upper end 140 u of the scattering prevention ring 140 is positioned above the upper surface 12 u of the polishing pad 12. And a second position lower than the upper surface 12u of the polishing pad. The first position P 1 and the second position P 2 (P 21 , P 22 ) of the scattering prevention ring 140 will be described in detail later, but when the substrate W is polished, the scattering prevention ring 140 is set to the first position P 1 . Not only the slurry that is disposed and flows down from the outer peripheral end portion of the polishing pad 12 to the slurry receiving groove 110 but also slurry that scatters in the horizontal direction from the outer peripheral end portion of the polishing pad 12 due to centrifugal force on the inner peripheral surface 140 a of the anti-scattering ring 140. It is received and flows into the slurry receiving groove 110. Further, when the cleaning liquid is supplied to the upper surface of the polishing pad to rinse the substrate and when the polishing pad 12 is dressed, the anti-scattering ring 140 is disposed at the second position.

スラリー供給路１２０は、定盤１０の上面中央部に研磨パッド１２を貫通して開口形成された吐出開口１２１を有し、この吐出開口１２１に繋がってパッド定盤１１に下方に延びて形成されている。パッド定盤１１の内部には、スラリー受容溝１１０とスラリー供給路１２０とを結ぶスラリー回収路１３０が設けられている。スラリー回収路１３０は、円環溝状のスラリー受容溝１１０の底面から下方に延びる円孔状のスラリー導入穴１３１と、このスラリー導入穴１３１と中心のスラリー供給路１２０とを結ぶ円孔状のスラリー集合路１３２とからなり、本実施形態においては複数（図２において６本）のスラリー回収路１３０をパッド定盤１１に放射状に設けた構成例を示す。なお、スラリー回収路１３０は、例えば、パッド定盤１１の外周端面から中心に向けて円孔を穿接し、スラリー導入穴１３１とスラリー供給路１２０とを連通させた後、外周端面の開口部をプラグ等により閉塞して構成することができ、あるいはロストワックス鋳造等により外周端面にプラグを設けることなく図示形態に形成することができる。   The slurry supply path 120 has a discharge opening 121 formed through the polishing pad 12 at the center of the upper surface of the surface plate 10, and is formed to extend downward to the pad surface plate 11 connected to the discharge opening 121. ing. Inside the pad surface plate 11, a slurry collection path 130 that connects the slurry receiving groove 110 and the slurry supply path 120 is provided. The slurry recovery path 130 is a circular hole-shaped slurry introduction hole 131 that extends downward from the bottom surface of the annular groove-shaped slurry receiving groove 110 and a circular hole-like shape that connects the slurry introduction hole 131 and the central slurry supply path 120. In this embodiment, a configuration example in which a plurality (six in FIG. 2) of slurry collection paths 130 are provided radially on the pad surface plate 11 is shown. In addition, the slurry collection path 130 is formed by, for example, forming a circular hole from the outer peripheral end surface of the pad surface plate 11 toward the center and connecting the slurry introduction hole 131 and the slurry supply path 120, and then opening the opening on the outer peripheral end surface. It can be configured by plugging with a plug or the like, or can be formed in the form shown in the figure without providing a plug on the outer peripheral end surface by lost wax casting or the like.

液送ポンプ１５０は、定盤１０の中心に位置してスラリー供給路１２０とスラリー回収路１３０との連結部に設けられており、スラリー回収路１３０に流入したスラリーを吸引してスラリー供給路１２０に吐出し、吐出開口１２１から（すなわち研磨パッド１２の下側から）上向きに流出させて、研磨パッド１２の上面中央部に供給する。液送ポンプ１５０には、このポンプの吐出流量を検出する流量計が付設されており、流量計の検出信号がスピンドル１３に設けられたロータリージョイントを介して制御装置８０に入力され、制御装置８０はロータリージョイントを介してポンプモータの回転制御を行う。液送ポンプ１５０の吐出口と吐出開口１２１との間には、ドレッシングにより生じた研磨パッドの破断片やドレス工具７２から脱落したダイヤモンド砥粒、スラリーの凝集粒子等を除去するフィルター１５５が設けられている。   The liquid feed pump 150 is located in the center of the surface plate 10 and is provided at a connecting portion between the slurry supply path 120 and the slurry recovery path 130. The liquid supply pump 150 sucks the slurry flowing into the slurry recovery path 130 and sucks the slurry supply path 120. And is discharged upward from the discharge opening 121 (that is, from the lower side of the polishing pad 12) and supplied to the center of the upper surface of the polishing pad 12. The liquid feed pump 150 is provided with a flow meter for detecting the discharge flow rate of the pump, and a detection signal of the flow meter is input to the control device 80 via a rotary joint provided on the spindle 13, and the control device 80 Controls the rotation of the pump motor through a rotary joint. A filter 155 is provided between the discharge port of the liquid feed pump 150 and the discharge opening 121 to remove a broken piece of the polishing pad generated by dressing, diamond abrasive grains dropped from the dressing tool 72, aggregated particles of slurry, and the like. ing.

液送ポンプ１５０の下方には、上端部がスラリー回収路１３０と繋がって下方に延び、他端側がスピンドル１３から出て外部に導出されるスラリー排出路１６０が形成されるとともに、このスラリー排出路１６０を開閉する排出路開閉弁１６５が設けられている。   Below the liquid feed pump 150, there is formed a slurry discharge passage 160 whose upper end portion is connected to the slurry recovery passage 130 and extends downward, and the other end side is out of the spindle 13 and led out to the outside. A discharge passage opening / closing valve 165 that opens and closes 160 is provided.

次に、このように構成される研磨装置１の作用について説明する。まず、研磨加工時においては、定盤１０及び基板キャリア２０が回転駆動され、基板キャリアに２０保持された基板Ｗがキャリア移動機構３０により定盤１０の上方に移動されて研磨パッド１２に押接され、所定条件で左右に揺動される。このとき、スラリー供給装置６０では、加工条件において設定された種別のスラリーが当該設定に基づく流量でスラリー供給ユニット６１から送出され、ライン６２及びノズル６３を介して定盤１０の上方から研磨パッド１２の上面の中央近傍に供給される。また、定盤１０に設けられた飛散防止リング１４０は、上端１４０ｕが研磨パッドの上面１２ｕよりも高い第１位置Ｐ1に設定される。 Next, the operation of the polishing apparatus 1 configured as described above will be described. First, at the time of polishing, the surface plate 10 and the substrate carrier 20 are rotationally driven, and the substrate W held by the substrate carrier 20 is moved above the surface plate 10 by the carrier moving mechanism 30 and pressed against the polishing pad 12. And is swung left and right under predetermined conditions. At this time, in the slurry supply device 60, the type of slurry set in the processing conditions is sent from the slurry supply unit 61 at a flow rate based on the setting, and the polishing pad 12 from above the surface plate 10 via the line 62 and the nozzle 63. Is supplied near the center of the upper surface. Further, the anti-scattering ring 140 provided on the surface plate 10 is set at a first position P 1 whose upper end 140 u is higher than the upper surface 12 u of the polishing pad.

研磨パッド１２の上面中央近傍に供給されたスラリーは、定盤１０の回転に伴う遠心力によって研磨パッドの上面１２ｕを外周方向に移動し、その移動過程において５〜１０％程度のスラリーが基板Ｗと研磨パッド１２との摺接部に介在して基板の研磨加工（ＣＭＰ加工）に寄与する。こうして研磨加工に寄与したスラリー及び研磨加工に寄与することなく研磨パッドの上面１２ｕを移動したスラリーは、使用するスラリーの粘度や単位時間当たりの供給流量、定盤１０の回転速度、研磨パッド１２の性状などに応じて概略定まる所定時間で研磨パッド１２の外周縁部に到達し、ついには研磨パッド１２の外周端部から流れ落ちてスラリー受容溝１１０に流入する。   The slurry supplied to the vicinity of the center of the upper surface of the polishing pad 12 moves on the upper surface 12u of the polishing pad in the outer peripheral direction by the centrifugal force accompanying the rotation of the surface plate 10, and about 5 to 10% of the slurry is transferred to the substrate W in the moving process. And a polishing contact portion between the polishing pad 12 and the substrate, which contributes to the polishing process (CMP process) of the substrate. Thus, the slurry that has contributed to the polishing process and the slurry that has moved on the upper surface 12u of the polishing pad without contributing to the polishing process, the viscosity of the slurry to be used, the supply flow rate per unit time, the rotational speed of the surface plate 10, the polishing pad 12 It reaches the outer peripheral edge of the polishing pad 12 in a predetermined time roughly determined according to the properties and the like, and finally flows down from the outer peripheral edge of the polishing pad 12 and flows into the slurry receiving groove 110.

ここで、基板Ｗの研磨加工時には、飛散防止リング１４０は、リングの上端１４０ｕが研磨パッドの上面１２ｕよりも高い第１位置Ｐ1に設定されている。そのため、例えば定盤１０の回転に伴う研磨パッド外周縁部の周速度が大きく、研磨パッド１２の外周端部に到達したスラリーの多くが遠心力によって水平に飛び散るような場合であっても、飛散したスラリーが飛散防止リングの内壁面１４０ａに受け止められてスラリー受容溝１１０に流れ込む。従って、定盤の回転速度やスラリーの粘度等（加工条件）によらず、常に高い確率でスラリーを回収することができる。 Here, at the time of polishing the substrate W, the scattering prevention ring 140 is set to the first position P 1 in which the upper end 140u of the ring is higher than the upper surface 12u of the polishing pad. Therefore, for example, even when the peripheral speed of the polishing pad outer peripheral edge accompanying the rotation of the surface plate 10 is large and much of the slurry that has reached the outer peripheral edge of the polishing pad 12 is scattered horizontally by centrifugal force, it is scattered. The slurry is received by the inner wall surface 140a of the anti-scattering ring and flows into the slurry receiving groove 110. Therefore, the slurry can always be recovered with a high probability regardless of the rotation speed of the platen, the viscosity of the slurry, etc. (processing conditions).

スラリー受容溝１１０に流れ込んだスラリーは、スラリー受容溝１１０を徐々に満たし溝底面（１１ｕ）に形成されたスラリー導入穴１３１からスラリー回収路１３０に流入する。複数形成されたスラリー導入穴１３１，１３１…をスラリーが塞ぐようになると、各スラリー回収路１３０内のスラリーに作用する液送ポンプ１５０の吸引力が大きくなり、各スラリー集合路１３２，１３２…を介して吸い上げられたスラリーが液送ポンプ１５０からスラリー供給路１２０に吐出され、フィルター１５５により濾過されて、吐出開口１２１から研磨パッド１２の上面中央部に流出する。   The slurry that has flowed into the slurry receiving groove 110 gradually fills the slurry receiving groove 110 and flows into the slurry collection path 130 from the slurry introduction hole 131 formed in the groove bottom surface (11u). When the slurry closes the plurality of formed slurry introduction holes 131, 131..., The suction force of the liquid feed pump 150 acting on the slurry in each slurry collection path 130 increases, and each slurry collecting path 132, 132. The slurry sucked up is discharged from the liquid feed pump 150 to the slurry supply path 120, filtered by the filter 155, and flows out from the discharge opening 121 to the center of the upper surface of the polishing pad 12.

吐出開口１２１から研磨パッド１２の上面中央部に流出したスラリー（循環スラリーという）は、定盤１０の回転に伴う遠心力によって再び研磨パッドの上面１２ｕを外周方向に流れ、一定割合のスラリーが研磨加工に寄与したのち研磨パッド１２の外周端部からスラリー受容溝１１０に流入する。このように、スラリー循環機構１００では、スラリー供給装置６０により供給されたスラリーが、定盤１０内の短い経路で循環し複数回研磨パッド１２の上面を移動する。そのため、スラリーの性状変化や不純物の混入等の影響を受けにくく、かつ、研磨加工に寄与するスラリーの寄与率を高めることができる。   Slurry that flows out from the discharge opening 121 to the center of the upper surface of the polishing pad 12 (referred to as circulating slurry) again flows in the outer circumferential direction on the upper surface 12u of the polishing pad by the centrifugal force accompanying the rotation of the surface plate 10, and a certain percentage of the slurry is polished. After contributing to the processing, the slurry flows into the slurry receiving groove 110 from the outer peripheral end of the polishing pad 12. As described above, in the slurry circulation mechanism 100, the slurry supplied from the slurry supply device 60 circulates through a short path in the surface plate 10 and moves on the upper surface of the polishing pad 12 a plurality of times. Therefore, it is difficult to be affected by changes in the properties of the slurry, mixing of impurities, and the like, and the contribution ratio of the slurry that contributes to the polishing process can be increased.

ところで、液送ポンプ１５０の回転数を一定とした場合には、スラリー受容溝１１０がスラリーで一定程度満たされるまで（全てのスラリー導入穴１３１，１３１…がスラリーにより塞がれるようになるまで）、吐出開口１２１から研磨パッド１２の上面に戻るスラリーの流量が増加し、スラリー受容溝１１０が全周にわたってスラリーで満たされるようになると循環スラリーの流量が定量化する。このように、スラリー供給装置６０によるフレッシュ・スラリーの供給が開始されてから、スラリー循環機構１００による循環スラリーの供給が始まるまでに所定時間を要し、その後循環スラリーの供給量が定量化するまでに別の所定時間を要する。既述したように、上記所定時間等は使用するスラリーの種別や流量、定盤１０の回転速度などによって変化する。そして、研磨パッド１２の上面を流れるスラリーの流量が変化すると、研磨加工の加工条件が変化する。   By the way, when the rotation speed of the liquid feed pump 150 is made constant, the slurry receiving groove 110 is filled to a certain extent with the slurry (until all the slurry introduction holes 131, 131... Are closed with the slurry). When the flow rate of the slurry returning from the discharge opening 121 to the upper surface of the polishing pad 12 increases and the slurry receiving groove 110 is filled with the slurry over the entire circumference, the flow rate of the circulating slurry is quantified. Thus, a predetermined time is required from the start of the supply of the fresh slurry by the slurry supply device 60 to the start of the supply of the circulating slurry by the slurry circulation mechanism 100, and thereafter the supply amount of the circulating slurry is quantified. It takes another predetermined time. As described above, the predetermined time and the like vary depending on the type and flow rate of the slurry to be used, the rotational speed of the surface plate 10, and the like. When the flow rate of the slurry flowing on the upper surface of the polishing pad 12 changes, the processing conditions for the polishing process change.

そこで、研磨装置１においては、研磨パッド１２の上面を流れるスラリーの流量が略一定になるように構成されている。すなわち、研磨装置１では、スラリー供給装置６０により研磨パッド１２の上面に供給されるスラリーの流量（単位時間当たりの供給量）Ｑ1と、液送ポンプ１５０により研磨パッド１２の上面に供給されるスラリーの流量（単位時間当たりの供給量）Ｑ2とを合計した研磨パッド上面への合計供給量Ｑall＝Ｑ1＋Ｑ2が略一定となるように、スラリー供給装置６０によるスラリーの供給量Ｑ1が制御される。 Therefore, the polishing apparatus 1 is configured such that the flow rate of the slurry flowing on the upper surface of the polishing pad 12 is substantially constant. That is, in the polishing apparatus 1, the slurry flow rate (supply amount per unit time) Q 1 supplied to the upper surface of the polishing pad 12 by the slurry supply device 60 and the upper surface of the polishing pad 12 are supplied by the liquid feed pump 150. The supply amount Q of slurry by the slurry supply device 60 so that the total supply amount Q all = Q 1 + Q 2 to the upper surface of the polishing pad, which is the sum of the flow rate of slurry (supply amount per unit time) Q 2 , is substantially constant. 1 is controlled.

この関係を例示したグラフを図４に示す。このグラフにおいて、縦軸が研磨パッド１２の上面に供給されるスラリーの単位時間当たりの供給量Ｑ、横軸が時間ｔである。図示するように、定盤１０が回転起動しスラリー供給装置６０によるフレッシュ・スラリーの供給が開始された時刻ｔ0から時刻ｔ1までの初期状態においては、スラリーが研磨パッド上を外周方向に移動する移動過程にあり、スラリー循環機構１００による循環スラリーの供給は始まっていない。そのため、この初期状態において研磨パッド１２の上面に供給されるスラリーは、スラリー供給装置６０により供給されるフレッシュ・スラリーのみであり、スラリー供給ユニット６１から研磨パッド１２の上面に送り出されるスラリーの単位時間当たりの供給量Ｑ1は一定に保持される。 A graph illustrating this relationship is shown in FIG. In this graph, the vertical axis represents the supply amount Q of slurry supplied to the upper surface of the polishing pad 12 per unit time, and the horizontal axis represents time t. As shown in the drawing, in the initial state from time t 0 to time t 1 when the surface plate 10 starts to rotate and the supply of fresh slurry by the slurry supply device 60 starts, the slurry moves on the polishing pad in the outer circumferential direction. The supply of the circulating slurry by the slurry circulating mechanism 100 has not started. Therefore, the slurry supplied to the upper surface of the polishing pad 12 in this initial state is only the fresh slurry supplied by the slurry supply device 60, and the unit time of the slurry sent from the slurry supply unit 61 to the upper surface of the polishing pad 12 The per-supply amount Q 1 is kept constant.

スラリー供給装置６０によるフレッシュ・スラリーの供給が開始されて所定時間が経過した時刻ｔ1以降では、初期に供給されたスラリーが研磨パッド上を外周端部まで移動してスラリー受容溝１１０に溜まりはじめ、徐々に液送ポンプ１５０による循環スラリーの単位時間当たりの供給量Ｑ2が増加する（時刻ｔ1→ｔ2）。そのため、時刻ｔ1から時刻ｔ2の中期状態において研磨パッド１２の上面に供給されるスラリーの単位時間当たりの供給量Ｑは、スラリー供給ユニット６１から供給されるフレッシュ・スラリーの単位時間当たりの供給量Ｑ1と、液送ポンプ１５０から吐出される循環スラリーの単位時間当たりの供給量Ｑ2の合計値となる。 After the time t 1 when a predetermined time has elapsed after the supply of fresh slurry by the slurry supply device 60 is started, the initially supplied slurry moves to the outer peripheral end on the polishing pad and begins to accumulate in the slurry receiving groove 110. The supply amount Q 2 of the circulating slurry per unit time by the liquid feed pump 150 gradually increases (time t 1 → t 2 ). Therefore, the supply amount Q per unit time of the slurry supplied to the upper surface of the polishing pad 12 in the intermediate state from the time t 1 to the time t 2 is the supply per unit time of the fresh slurry supplied from the slurry supply unit 61. The total value of the amount Q 1 and the supply amount Q 2 of the circulating slurry discharged from the liquid feed pump 150 per unit time.

ここで、スラリー供給ユニット６１から供給されるスラリーの単位時間当たりの供給量Ｑ1は、加工条件に基づいて制御装置８０から出力される制御値によって制御されており既知である。また、液送ポンプ１５０から吐出される循環スラリーの単位時間当たりの供給量Ｑ2は、液送ポンプ１５０に付設された流量計から制御装置８０に入力される検出信号により把握される。そこで、制御装置８０は、液送ポンプ１５０の流量計から入力される循環スラリーの流量Ｑ2が増加するのに伴い、スラリー供給ユニット６１から送出されるフレッシュ・スラリーの供給流量Ｑ1を減少させ、研磨パッド１２の上面に供給される合計供給量Ｑall＝Ｑ1＋Ｑ2が略一定となるように、スラリー供給装置６０を制御する。 Here, the supply amount Q 1 per unit time of the slurry supplied from the slurry supply unit 61 is controlled by a control value output from the control device 80 based on the processing conditions, and is known. Further, the supply amount Q 2 per unit time of the circulating slurry discharged from the liquid feed pump 150 is grasped by a detection signal input to the control device 80 from a flow meter attached to the liquid feed pump 150. Therefore, the controller 80 decreases the fresh slurry supply flow rate Q 1 sent from the slurry supply unit 61 as the circulating slurry flow rate Q 2 input from the flow meter of the liquid feed pump 150 increases. Then, the slurry supply device 60 is controlled so that the total supply amount Q all = Q 1 + Q 2 supplied to the upper surface of the polishing pad 12 becomes substantially constant.

そして、スラリー循環機構１００による循環スラリーの供給が始まって所定時間が経過した時刻ｔ2以降では、液送ポンプ１５０から吐出される循環スラリーの単位時間当たりの供給量Ｑ2が、この液送ポンプ１５０について設定された流量で安定する。図４に示す実施態様では、安定時における液送ポンプ１５０の流量Ｑ2が、初期状態におけるスラリー供給ユニット６１の流量Ｑ1と同一（Ｑ2＝Ｑ1）となるように液送ポンプ１５０のポンプ回転数を設定している。そのため、液送ポンプ１５０の流量Ｑ2が安定した時刻ｔ2以降の後期状態では、スラリー供給ユニット６１からのスラリー供給が停止され、スラリー循環機構１００によって循環される循環スラリーによって基板Ｗの研磨加工が行われる。これにより、フレッシュ・スラリーの使用量を低減できるとともに、研磨加工に寄与するスラリーの寄与率をさらに高めることができる。 Then, after time t 2 when a predetermined time has elapsed since the supply of the circulating slurry by the slurry circulating mechanism 100 has started, the supply amount Q 2 of the circulating slurry discharged from the liquid feed pump 150 per unit time is the liquid feed pump. Stable at the flow rate set for 150. In the embodiment shown in FIG. 4, the flow rate Q 2 of the liquid feed pump 150 at the time of stability is the same as the flow rate Q 1 of the slurry supply unit 61 in the initial state (Q 2 = Q 1 ). The pump speed is set. Therefore, in the later state at the time t 2 after which the flow rate Q 2 is stable in liquid feed pump 150, a slurry supply from the slurry supply unit 61 is stopped, polishing of the substrate W by the circulating slurry is circulated by slurry circulating mechanism 100 Is done. As a result, the amount of fresh slurry used can be reduced, and the contribution ratio of the slurry contributing to the polishing process can be further increased.

なお、上記記載からも明らかなように、液送ポンプ１５０による循環スラリーの流量は適宜変更して設定することができる。図５及び図６は、液送ポンプ１５０の作動を制御することにより、研磨パッド１２の上面に供給されるスラリーの供給状態を、図４に示す実施態様と異なる設定にした構成例である。   As is clear from the above description, the flow rate of the circulating slurry by the liquid feed pump 150 can be appropriately changed and set. 5 and 6 are configuration examples in which the supply state of the slurry supplied to the upper surface of the polishing pad 12 is set differently from the embodiment shown in FIG. 4 by controlling the operation of the liquid feed pump 150.

まず、図５に示す実施態様では、前述した時刻ｔ1を経過した時刻ｔ11に、液送ポンプ１５０を回転起動する。すなわち、スラリー供給装置６０によるフレッシュ・スラリーの供給が開始されて所定時間が経過し、初期に供給されたスラリーがスラリー受容溝１１０にある程度溜まりはじめた段階で、液送ポンプ１５０が回転起動される。時刻ｔ11の回転起動時におけるポンプ回転は低速回転とされ、時刻ｔ12までポンプ回転数が緩やかに上昇して（時刻ｔ11→ｔ12）、時刻ｔ12以降で循環スラリーの単位時間当たりの供給量Ｑ2が、スラリー供給装置６０によるフレッシュ・スラリーの初期流量と同一となるように制御される。このような構成によれば、フレッシュ・スラリーの供給容量を確保できるとともに、無効な電力消費を低減でき、また送ポンプ１５０を安定的にポンプ作動させることができる。 First, in the embodiment shown in FIG. 5, the liquid feed pump 150 is rotationally activated at time t 11 when the above-described time t 1 has elapsed. That is, when a predetermined time has elapsed since the supply of fresh slurry by the slurry supply device 60 is started, the liquid feed pump 150 is rotated and started when the initially supplied slurry starts to accumulate in the slurry receiving groove 110 to some extent. . The pump rotation in the rotation startup time t 11 is the low speed, and the pump speed gradually increased to the time t 12 (time t 11 → t 12), the time t 12 per unit of circulating slurry time later The supply amount Q 2 is controlled to be the same as the initial flow rate of fresh slurry by the slurry supply device 60. According to such a configuration, the supply capacity of fresh slurry can be secured, invalid power consumption can be reduced, and the feed pump 150 can be stably pumped.

図６に示す実施態様は、図５に示した実施態様と同様に、時刻ｔ1を経過した時刻ｔ21に低速で液送ポンプ１５０を回転起動し、時刻ｔ22までの任意時間でポンプ回転数を規定回転数まで上昇させ（時刻ｔ21→ｔ22）、時刻ｔ22以降、規定回転数で定速運転される。この規定回転数における液送ポンプ１５０の吐出流量、すなわち時刻ｔ22以降の循環スラリーの単位時間当たりの供給量Ｑ2は、スラリー供給装置６０によるフレッシュ・スラリーの初期流量よりも低く、例えば７０〜９０％程度に設定される。そのため、時刻ｔ22以降においてもスラリー供給ユニット６１からスラリー供給が継続され、研磨加工部ではフレッシュ・スラリーと循環スラリーとによって基板Ｗの研磨加工が行われる。このような構成によれば、常に新鮮なスラリーの存在下で研磨加工を行うことができ、かつフレッシュ・スラリーと循環スラリーとの構成比率を適宜に設定することができる。 The embodiment shown in Figure 6, similarly, the liquid feed pump 150 at a low speed rotation start time t 21 after the elapse of time t 1, the pump rotates at any time up to time t 22 in the embodiment shown in FIG. 5 The number is increased to the specified rotational speed (time t 21 → t 22 ), and the constant speed operation is performed at the specified rotational speed after time t 22 . The discharge flow rate of the liquid feed pump 150 at the specified rotational speed, that is, the supply amount Q 2 per unit time of the circulating slurry after time t 22 is lower than the initial flow rate of fresh slurry by the slurry supply device 60, for example, 70 to It is set to about 90%. Therefore, the slurry feed is continued from the slurry supply unit 61 after time t 22, polishing of the substrate W is carried out by the circulating slurry and fresh slurry in a polishing part. According to such a configuration, polishing can always be performed in the presence of fresh slurry, and the constituent ratio of fresh slurry to circulating slurry can be set appropriately.

さて、以上のようにして基板Ｗの研磨加工が実行され研磨加工が終了すると、次に、基板Ｗに付着したスラリーを除去するリンス洗浄が行われる。リンス洗浄は、スラリー供給装置６０から純水などの洗浄液（リンス液）を定盤１０に供給して行われる。具体的には、スラリー供給ユニット６１からライン６２及びノズル６３を介して研磨パッド１２の上面中央部に洗浄液が供給され、洗浄液を供給しながら基板Ｗと研磨パッド１２とを相対移動させて、基板Ｗに付着したスラリー、及び研磨パッド１２を含む定盤内のスラリーを洗い流す。   When the polishing process of the substrate W is executed as described above and the polishing process is completed, rinsing cleaning for removing the slurry attached to the substrate W is performed next. The rinse cleaning is performed by supplying a cleaning liquid (rinsing liquid) such as pure water from the slurry supply device 60 to the surface plate 10. Specifically, the cleaning liquid is supplied from the slurry supply unit 61 to the center of the upper surface of the polishing pad 12 via the line 62 and the nozzle 63, and the substrate W and the polishing pad 12 are moved relative to each other while supplying the cleaning liquid. The slurry adhering to W and the slurry in the surface plate including the polishing pad 12 are washed away.

研磨装置１では、このリンス洗浄を行う際に、定盤１０の外周側に設けられた飛散防止リング１４０は、上端１４０ｕが研磨パッド１２の上面１２ｕよりも低い第２位置に設定される。第２位置は、リング上端１４０ｕが研磨パッドの上面１２ｕよりも低い高さ位置であれば適宜に設定することができ、第２位置を複数設定することも可能である。そこで、まず図３に示した定盤１０において、第２位置を、研磨パッド１２の上面１２ｕよりも低くパッド定盤１１の上面１１ｕよりも高い、パッド上面１２ｕとパッド定盤上面１１ｕ（研磨パッド下面）の中間の高さ位置（図３中に二点鎖線で付記する第２位置Ｐ2）に設定した場合について説明する。 In the polishing apparatus 1, when performing the rinse cleaning, the scattering prevention ring 140 provided on the outer peripheral side of the surface plate 10 is set at a second position where the upper end 140 u is lower than the upper surface 12 u of the polishing pad 12. The second position can be appropriately set as long as the ring upper end 140u is at a height position lower than the upper surface 12u of the polishing pad, and a plurality of second positions can be set. Therefore, first, in the surface plate 10 shown in FIG. 3, the second position is lower than the upper surface 12u of the polishing pad 12 and higher than the upper surface 11u of the pad surface plate 11, and the pad upper surface 12u and pad surface upper surface 11u (polishing pad). The case where it is set to the middle height position (the second position P 2 indicated by a two-dot chain line in FIG. 3) of the lower surface will be described.

飛散防止リング１４０が上記第２位置Ｐ2に設定されリンス洗浄が開始されると、研磨パッド１２の上面中央近傍に供給された洗浄液が、定盤１０の回転に伴う遠心力によって研磨パッドの上面１２ｕを外周方向に流れ、研磨パッドの上面１２ｕに残留するスラリーを外周方向に押し流す。このとき、基板Ｗの下面に付着したスラリーが基板と研磨パッドの相対移動により洗い落され、洗浄液とともにパッド外周に流される。スラリーを含む洗浄液（洗浄液等という）は研磨パッド１２の外周縁部に到達し、一部は研磨パッドの外周端部から水平方向に飛散して定盤１０から排出される。 When the anti-scattering ring 140 is set to the second position P 2 and rinse cleaning is started, the cleaning liquid supplied to the vicinity of the center of the upper surface of the polishing pad 12 is subjected to the centrifugal force accompanying the rotation of the surface plate 10 and the upper surface of the polishing pad. 12u flows in the outer circumferential direction, and the slurry remaining on the upper surface 12u of the polishing pad is pushed away in the outer circumferential direction. At this time, the slurry adhering to the lower surface of the substrate W is washed away by the relative movement of the substrate and the polishing pad, and flows along the pad periphery together with the cleaning liquid. A cleaning liquid (referred to as cleaning liquid or the like) containing slurry reaches the outer peripheral edge of the polishing pad 12, and a part of the cleaning liquid is scattered horizontally from the outer peripheral edge of the polishing pad and discharged from the surface plate 10.

一方、研磨パッド１２の外周端部から流れ落ちてスラリー受容溝１１０に流入した洗浄液等は、流れ落ちてくる洗浄液等の増加とともにスラリー受容溝１１０から溢れ、飛散防止リング１４０の上端部を乗り越えて定盤１０から排出される。このとき、飛散防止リング１４０が配設された第２位置Ｐ2は、飛散防止リングの上端１４０ｕが研磨パッドの上面１２ｕよりも低い高さ位置に設定されているため、溢れ出た洗浄液等が研磨パッド１２の上面を覆うようなことがない。 On the other hand, the cleaning liquid or the like flowing down from the outer peripheral end of the polishing pad 12 and flowing into the slurry receiving groove 110 overflows from the slurry receiving groove 110 with the increase of the flowing cleaning liquid or the like, and climbs over the upper end of the anti-scattering ring 140. 10 is discharged. At this time, the second position P 2 where shatterproof ring 140 is disposed, since the upper end 140u of the scattering prevention ring is set at a height position lower than the upper surface 12u of the polishing pad, overflowing washing liquid or the like The upper surface of the polishing pad 12 is not covered.

また、リンス洗浄時には、定盤１０に内蔵された排出路開閉弁１６５が開放され、上端がスラリー回収路１３０に接続され他端側が定盤１０から外部に導出されたスラリー排出路１６０が開放される。このため、スラリー受容溝１１０に流入した洗浄液等は、スラリー回収路１３０に残留するスラリーを洗い流しながらスラリー排出路１６０を流下し、定盤１０から外部に排出される。これにより、スラリー受容溝１１０及びスラリー回収路１３０にスラリーが残留したり固化したりすることがない。   Further, at the time of rinsing, the discharge passage opening / closing valve 165 built in the surface plate 10 is opened, the upper end is connected to the slurry recovery passage 130, and the other end side is released from the slurry discharge passage 160 to the outside. The For this reason, the cleaning liquid or the like flowing into the slurry receiving groove 110 flows down the slurry discharge passage 160 while washing away the slurry remaining in the slurry collection passage 130 and is discharged from the surface plate 10 to the outside. As a result, the slurry does not remain or solidify in the slurry receiving groove 110 and the slurry collection path 130.

なお、スラリー排出路１６０に、液送ポンプ１５０と同様のポンプ（排出ポンプ）を設け、リンス洗浄時に排出ポンプを駆動してスラリー回収路１３０内に位置する洗浄液等を吸引して排出するように構成することも好ましい。このような構成によれば、定盤１０の回転に伴う遠心力の影響を受けることなく、スラリー回収路１３０内に残留するスラリーを強制的に吸引・排出してより効果的に洗い流すことができる。   In addition, a pump (discharge pump) similar to the liquid feed pump 150 is provided in the slurry discharge path 160, and the discharge pump is driven during the rinse cleaning so that the cleaning liquid or the like located in the slurry recovery path 130 is sucked and discharged. It is also preferable to configure. According to such a configuration, the slurry remaining in the slurry collection path 130 can be forcibly sucked and discharged more effectively without being affected by the centrifugal force accompanying the rotation of the surface plate 10. .

上記は、基板Ｗを洗浄液でリンス洗浄する場合について説明したが、研磨パッド１２をドレス機構７０によりドレッシングする場合についても同様に構成できる。そこで、以降、研磨パッド１２をドレッシングする場合の作用について簡明に説明する。ドレッシングは、スラリー供給ユニット６１からライン６２及びノズル６３を介して研磨パッド１２の上面中央部に純水などの洗浄液を供給し、研磨パッドの上面１２ｕに当接させたドレス工具７２を回転させながら揺動または半径方向に往復移動させて、研磨パッド１２とドレス工具７２とを相対移動させ、研磨パッドの上面１２ｕを平坦にドレスアップする。   In the above, the case where the substrate W is rinsed with the cleaning liquid has been described. Therefore, hereinafter, the operation when dressing the polishing pad 12 will be briefly described. For dressing, a cleaning liquid such as pure water is supplied from the slurry supply unit 61 to the center of the upper surface of the polishing pad 12 through the line 62 and the nozzle 63, and the dressing tool 72 that is in contact with the upper surface 12u of the polishing pad is rotated. By swinging or reciprocating in the radial direction, the polishing pad 12 and the dressing tool 72 are moved relative to each other, and the upper surface 12u of the polishing pad is dressed up flat.

研磨装置１では、ドレッシングを行う際にも、飛散防止リング１４０が第２位置に設定される。ここで、図７にスラリー受容溝の他の構成例を示す。図７は、図３と同様にスラリー受容溝の部分を拡大した側断面図である。このスラリー受容溝２１０は、パッド定盤１１の外周縁部が中央部よりも低く切り欠かれて円環状の段差が形成され、この円環状の段差の外周面２１０ａ及び底面２１０ｂと、外側を囲む飛散防止リング１４０の内周面１４０ａとによって円環凹溝状のスラリー受容溝２１０が形成される。このような構成によれば、スラリー回収路１３０を簡明かつローコストに形成することができる。   In the polishing apparatus 1, the scattering prevention ring 140 is set to the second position also when performing dressing. Here, FIG. 7 shows another configuration example of the slurry receiving groove. FIG. 7 is an enlarged side cross-sectional view of the slurry receiving groove as in FIG. The slurry receiving groove 210 has an annular step formed by cutting the outer peripheral edge of the pad surface plate 11 lower than the central portion, and surrounds the outer peripheral surface 210a and the bottom surface 210b of the annular step. An annular groove-like slurry receiving groove 210 is formed by the inner peripheral surface 140a of the anti-scattering ring 140. According to such a configuration, the slurry collection path 130 can be formed easily and at low cost.

本実施態様において、第２位置を、図７中に共に二点鎖線で示す上部第２位置Ｐ21と下部第２位置Ｐ22の二か所設定した場合について説明する。ここで、上部第２位置Ｐ21は、段差の上端（パッド定盤１１の上面１１ｕ）と略同一高さ、下部第２位置Ｐ22は、段差の下端（スラリー回収溝２１０の底面２１０ｂ）よりも幾分低く設定している。 In the present embodiment, a description will be given of a case where the second position is set at two locations, an upper second position P 21 and a lower second position P 22 , both indicated by a two-dot chain line in FIG. Here, the upper second position P 21 is substantially the same height as the upper end of the step (the upper surface 11 u of the pad surface plate 11), and the lower second position P 22 is from the lower end of the step (the bottom surface 210 b of the slurry collection groove 210). Also set a little lower.

まず、ドレッシングの開始時には、飛散防止リング１４０が上部第２位置Ｐ21に設定される。研磨パッド１２の上面中央に供給された洗浄液は、定盤１０の回転に伴う遠心力によって外周方向に流れ、ドレッシングにより削り落された研磨パッドの破断片やドレス工具７２から脱落したダイヤモンド砥粒等を外周方向に押し流す。これらの異物を含む洗浄液（同様に洗浄液等という）は研磨パッド１２の外周縁部に到達し、一部は研磨パッドの外周端部から水平方向に飛散して定盤１０から排出される。 First, at the beginning of dressing, scattering prevention ring 140 is set to a second upper position P 21. The cleaning liquid supplied to the center of the upper surface of the polishing pad 12 flows in the outer peripheral direction due to the centrifugal force accompanying the rotation of the surface plate 10, broken pieces of the polishing pad scraped off by dressing, diamond abrasive grains dropped from the dressing tool 72, etc. To the outer circumferential direction. A cleaning liquid containing these foreign substances (also referred to as a cleaning liquid or the like) reaches the outer peripheral edge of the polishing pad 12, and a part of the cleaning liquid is scattered horizontally from the outer peripheral edge of the polishing pad and discharged from the surface plate 10.

研磨パッド１２の外周端部からスラリー受容溝２１０に流入した洗浄液等は、流れ落ちてくる洗浄液等の増加とともにスラリー受容溝２１０を満たし、ついには飛散防止リング１４０の上端部を乗り越えて定盤１０から排出される。上部第２位置Ｐ21では、飛散防止リングの上端１４０ｕがパッド定盤の上面１１ｕ（研磨パッドの下面）と略同一高さに設定されているため、スラリー受容溝２１０に流入した洗浄液等が再び研磨パッド１２の上面側に戻るようなことがない。また、ドレッシング時においても、定盤１０に内蔵された排出路開閉弁１６５が開放され、スラリー排出路１６０が開放される。このため、スラリー受容溝２１０に流入した研磨パッドの破断片やダイヤモンド砥粒等の異物を含む洗浄液がスラリー排出路１６０を流下して定盤１０から外部に排出される。なお、スラリー排出路１６０に、液送ポンプ１５０と同様の排出ポンプを設け、ドレッシング時に排出ポンプを作動させてスラリー回収路１３０内の洗浄液等を吸引して排出するような構成によれば、定盤１０の回転に伴う遠心力の影響を受けることなく、異物を含む洗浄液をより効果的に排出することができる。 The cleaning liquid or the like that has flowed into the slurry receiving groove 210 from the outer peripheral end of the polishing pad 12 fills the slurry receiving groove 210 with the increase of the flowing-down cleaning liquid or the like, and finally gets over the upper end of the anti-scattering ring 140 from the surface plate 10. Discharged. In second upper position P 21, since the upper end 140u of the scattering prevention ring is set to be substantially the same height as the upper surface of the pad plate 11u (lower surface of the polishing pad), the cleaning liquid or the like which has flowed into the slurry receiving groove 210 again There is no return to the upper surface side of the polishing pad 12. Further, also during dressing, the discharge passage opening / closing valve 165 built in the surface plate 10 is opened, and the slurry discharge passage 160 is opened. For this reason, the cleaning liquid containing foreign matter such as broken pieces of the polishing pad and diamond abrasive grains flowing into the slurry receiving groove 210 flows down the slurry discharge path 160 and is discharged from the surface plate 10 to the outside. According to the configuration in which a discharge pump similar to the liquid feed pump 150 is provided in the slurry discharge path 160, and the discharge liquid is sucked and discharged in the slurry recovery path 130 by operating the discharge pump during dressing. Without being affected by the centrifugal force associated with the rotation of the panel 10, the cleaning liquid containing foreign substances can be discharged more effectively.

ドレッシングを開始して所定時間が経過したドレッシングの終期には、飛散防止リング１４０が下部第２位置Ｐ22に設定される。飛散防止リング１４０が下部第２位置Ｐ22に設定されると、スラリー受容溝２１０は外周側の側面が開放されて段差状態になり、研磨パッド１２の外周端部から流れ落ちる洗浄液等が段差の外周面２１０ａ及び底面２１０ｂを流れ、スラリー受容溝を洗い流すようにして定盤１０から排出される。このため、溝底部に残留しやすいダイヤモンド砥粒やパッドの削り屑等を洗い流して定盤１０から排出することができる。 The end of dressing a predetermined time has elapsed the start of the dressing, scattering prevention ring 140 is set to the lower second position P 22. When scattering prevention ring 140 is set to the lower second position P 22, the slurry-receiving channel 210 is opened the side of the outer peripheral side becomes stepped state, the cleaning liquid or the like flowing down from the outer peripheral edge of the polishing pad 12 is stepped outer periphery It flows through the surface 210a and the bottom surface 210b, and is discharged from the surface plate 10 so as to wash away the slurry receiving groove. For this reason, it is possible to wash away diamond abrasive grains and pad shavings that are likely to remain at the bottom of the groove and discharge them from the surface plate 10.

以上は、研磨パッド１２をドレッシングする場合を例に説明したが、基板Ｗをリンス洗浄する場合についても同様に適用することができ、これにより、スラリー受容溝の底部に残留しがちなダイヤモンド砥粒やパッドの削り屑等を、きれいに洗い流して定盤１０から排出することができる。   In the above, the case where the polishing pad 12 is dressed has been described as an example. However, the present invention can be similarly applied to the case where the substrate W is rinsed, and thereby, the diamond abrasive grains which tend to remain at the bottom of the slurry receiving groove. It is possible to clean away the pad scraps and the like, and discharge them from the surface plate 10.

従って、以上説明したような研磨装置によれば、研磨装置の全体構成を複雑化したり、大型化したりすることなく、スラリーの利用効率を向上させることができる。   Therefore, according to the polishing apparatus as described above, the utilization efficiency of the slurry can be improved without complicating or increasing the overall configuration of the polishing apparatus.

スラリー循環機構の概要構成を示す側断面図である。It is a sectional side view which shows the schematic structure of a slurry circulation mechanism. 上記定盤の平面図である。It is a top view of the said surface plate. 図１に示すスラリー受容溝の部分を拡大した側断面図である。It is the sectional side view to which the part of the slurry receiving groove shown in FIG. 1 was expanded. スラリー供給装置により研磨パッド上面に供給されるスラリーの流量Ｑ1、液送ポンプにより研磨パッド上面に供給されるスラリーの流量Ｑ2、及びこれらを合計した研磨パッド上面への合計供給量Ｑallの関係を表す、第１実施態様のグラフである。The flow rate Q 1 of the slurry supplied to the upper surface of the polishing pad by the slurry supply device, the flow rate Q 2 of slurry supplied to the upper surface of the polishing pad by the liquid feed pump, and the total supply amount Q all to the upper surface of the polishing pad obtained by adding them It is a graph of the 1st embodiment showing relation. スラリーの流量Ｑ1、Ｑ2、Ｑallの関係を表す第２実施態様のグラフである。It is a graph of a second embodiment representing the relationship of the flow rate Q 1, Q 2, Q all of the slurry. スラリーの流量Ｑ1、Ｑ2、Ｑallの関係を表す第３実施態様のグラフである。It is a graph of a third embodiment which represents the relationship of the flow rate Q 1, Q 2, Q all of the slurry. スラリー受容溝の他の構成例を示す側断面図である。It is a sectional side view which shows the other structural example of a slurry receiving groove. 本発明を適用した研磨装置の概要構成を示す図面である。It is drawing which shows schematic structure of the grinding | polishing apparatus to which this invention is applied.

符号の説明Explanation of symbols

Ｗ 基板
Ｐ1 第１位置
Ｐ2,Ｐ21,Ｐ22 第２位置
１ 研磨装置
１０ 定盤
１２ 研磨パッド
２０ 基板キャリア（基板移動機構）
３０ キャリア移動機構（基板移動機構）
６０ スラリー供給装置
７０ ドレス機構
７２ ドレス工具
１１０，２１０ スラリー受容溝
１２０ スラリー供給路
１３０ スラリー回収路
１４０ 飛散防止リング（囲壁）
１５０ 液送ポンプ（液送手段）
１６０ スラリー排出路
１６５ 排出路開閉弁（排出路開閉手段） W substrate P 1 first position P 2 , P 21 , P 22 second position 1 polishing apparatus 10 surface plate 12 polishing pad 20 substrate carrier (substrate moving mechanism)
30 Carrier movement mechanism (substrate movement mechanism)
60 Slurry supply device 70 Dress mechanism 72 Dress tool 110, 210 Slurry receiving groove 120 Slurry supply path 130 Slurry recovery path 140 Anti-scattering ring (enclosure)
150 Liquid feed pump (liquid feed means)
160 Slurry discharge passage 165 Drain passage opening / closing valve (discharge passage opening / closing means)

Claims (7)

上面に研磨パッドが設けられ下方に延びる回転軸廻りに回転駆動される定盤、前記研磨パッドの上面に基板を当接させた状態で前記定盤に対して前記基板を移動させる基板移動機構、及び前記研磨パッドの上面にスラリーを供給するスラリー供給装置を備え、スラリーの存在下において前記定盤と前記基板との相対移動により前記基板の研磨加工を行うように構成された研磨装置において、
前記定盤に、前記スラリー供給装置により前記研磨パッドの上面に供給されたスラリーを前記定盤内で循環させるスラリー循環機構が設けられ、
前記スラリー循環機構は、
前記定盤の上面外周部に設けられ、前記研磨パッドから外周側にこぼれ出たスラリーを受け止めるスラリー受容溝と、
前記定盤の上面中央部に開口して前記定盤内を下方に延びるスラリー供給路と、
前記スラリー受容溝と前記スラリー供給路を繋ぐように前記定盤内に形成されたスラリー回収路と、
前記スラリー供給路と前記スラリー回収路の連結部に設けられ、前記スラリー受容溝に受け止められたスラリーを前記スラリー回収路及び前記スラリー供給路を介して前記スラリー供給路の上端開口から吐出させて前記研磨パッドの上面に供給する液送手段とを備えて構成されることを特徴とする研磨装置。 A surface plate provided with a polishing pad on the upper surface and driven to rotate about a rotation axis extending downward; a substrate moving mechanism for moving the substrate relative to the surface plate in a state where the substrate is in contact with the upper surface of the polishing pad; And a polishing apparatus configured to perform polishing of the substrate by relative movement between the surface plate and the substrate in the presence of slurry, comprising a slurry supply device that supplies slurry to the upper surface of the polishing pad.
The surface plate is provided with a slurry circulation mechanism for circulating the slurry supplied to the upper surface of the polishing pad by the slurry supply device in the surface plate,
The slurry circulation mechanism is
A slurry receiving groove that is provided on the outer peripheral portion of the upper surface of the surface plate and receives slurry spilled from the polishing pad to the outer peripheral side;
A slurry supply path that opens in the center of the upper surface of the surface plate and extends downward in the surface plate ;
A slurry recovery path formed in the surface plate so as to connect the slurry receiving groove and the slurry supply path;
The slurry provided in the connecting portion between the slurry supply path and the slurry recovery path and received by the slurry receiving groove is discharged from the upper end opening of the slurry supply path via the slurry recovery path and the slurry supply path. A polishing apparatus comprising: a liquid feeding means for supplying an upper surface of a polishing pad . 前記定盤の外周縁部に設けられ、前記スラリー受容溝の外周側を囲む囲壁を備え、
前記囲壁の上端が前記研磨パッドの上面よりも上方に位置して設けられることを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。 Provided on the outer peripheral edge of the surface plate, comprising a surrounding wall surrounding the outer peripheral side of the slurry receiving groove,
The polishing apparatus according to claim 1, wherein an upper end of the surrounding wall is provided above an upper surface of the polishing pad. 前記定盤の外周縁部に設けられ、前記スラリー受容溝の外周側を囲む囲壁を備え、
前記囲壁は、当該囲壁の上端が前記研磨パッドの上面よりも上方に位置する第１位置と、前記研磨パッドの上面よりも低い第２位置とに配置可能に設けられることを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。 Provided on the outer peripheral edge of the surface plate, comprising a surrounding wall surrounding the outer peripheral side of the slurry receiving groove,
The surrounding wall is provided so as to be disposed at a first position where an upper end of the surrounding wall is located above the upper surface of the polishing pad and a second position lower than the upper surface of the polishing pad. 2. The polishing apparatus according to 1. 前記囲壁は、前記基板を研磨加工する際に前記第１位置に配設され、前記研磨パッドの上面に洗浄液を供給しながら前記定盤と前記基板とを相対移動させてスラリーを洗い流す際に前記第２位置に配設されるように構成したことを特徴とする請求項３に記載の研磨装置。   The surrounding wall is disposed at the first position when the substrate is polished, and the surface plate and the substrate are moved relative to each other while the cleaning liquid is supplied to the upper surface of the polishing pad to wash the slurry. The polishing apparatus according to claim 3, wherein the polishing apparatus is configured to be disposed at the second position. 前記研磨パッドの上面にドレス工具を当接させた状態で前記定盤に対して前記ドレス工具を移動させ、前記研磨パッドの上面をドレッシングするドレス機構を備え、
前記囲壁は、前記基板を研磨加工する際に前記第１位置に配設され、前記研磨パッドの上面に洗浄液を供給しながら前記ドレス機構により前記研磨パッドの上面をドレッシングする際に前記第２位置に配設されるように構成したことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の研磨装置。 A dressing mechanism for dressing the upper surface of the polishing pad by moving the dressing tool relative to the surface plate in a state where the dressing tool is in contact with the upper surface of the polishing pad;
The surrounding wall is disposed at the first position when polishing the substrate, and the second position is used when dressing the upper surface of the polishing pad by the dressing mechanism while supplying a cleaning liquid to the upper surface of the polishing pad. 5. The polishing apparatus according to claim 3, wherein the polishing apparatus is arranged to be disposed on the surface. 一端が前記スラリー回収路に繋がって下方に延び他端側が前記定盤から外部に導出されるスラリー排出路と、前記スラリー排出路を開閉する排出路開閉手段とを備え、
前記研磨パッドの上面に洗浄液が供給された状態において、前記排出路開閉手段により前記スラリー排出路が開放され、前記スラリー回収路に流入した洗浄液が前記スラリー排出路を通って前記定盤から外部に排出されるように構成したことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の研磨装置。 A slurry discharge path whose one end is connected to the slurry recovery path and extends downward and the other end is led out from the surface plate; and a discharge path opening / closing means for opening and closing the slurry discharge path,
In a state where the cleaning liquid is supplied to the upper surface of the polishing pad, the slurry discharge path is opened by the discharge path opening / closing means, and the cleaning liquid that has flowed into the slurry recovery path passes through the slurry discharge path from the surface plate to the outside. The polishing apparatus according to claim 4, wherein the polishing apparatus is configured to be discharged. 前記スラリー供給装置により前記研磨パッドの上面に供給されるスラリーの単位時間当たりの供給量と、前記液送手段により前記研磨パッドの上面に供給されるスラリーの単位時間当たりの供給量との合計供給量が略一定となるように、前記スラリー供給装置によるスラリーの供給量が制御されるように構成したことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の研磨装置。   Total supply of the supply amount per unit time of the slurry supplied to the upper surface of the polishing pad by the slurry supply device and the supply amount per unit time of the slurry supplied to the upper surface of the polishing pad by the liquid feeding means The polishing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the supply amount of slurry by the slurry supply device is controlled so that the amount is substantially constant.
JP2008101581A 2008-04-09 2008-04-09 Polishing equipment Active JP5263657B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008101581A JP5263657B2 (en) 2008-04-09 2008-04-09 Polishing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008101581A JP5263657B2 (en) 2008-04-09 2008-04-09 Polishing equipment

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013088534A Division JP2013173225A (en) 2013-04-19 2013-04-19 Polishing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009248269A JP2009248269A (en) 2009-10-29
JP5263657B2 true JP5263657B2 (en) 2013-08-14

Family

ID=41309434

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008101581A Active JP5263657B2 (en) 2008-04-09 2008-04-09 Polishing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5263657B2 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5299698B2 (en) 2009-10-28 2013-09-25 住友電装株式会社 Electrical junction box
JP6245606B2 (en) * 2013-12-25 2017-12-13 国立大学法人九州大学 Work polishing equipment
JP2017013183A (en) * 2015-07-01 2017-01-19 不二越機械工業株式会社 Polishing device
JP6389449B2 (en) * 2015-08-21 2018-09-12 信越半導体株式会社 Polishing equipment
CN106425826B (en) * 2016-11-30 2018-09-11 德米特（苏州）电子环保材料有限公司 Part processing equipment

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2903980B2 (en) * 1993-11-30 1999-06-14 信越半導体株式会社 Wafer polishing method and apparatus
JPH11254298A (en) * 1998-03-06 1999-09-21 Speedfam Co Ltd Slurry circulation supplying type surface polishing device
JP2001121407A (en) * 1999-10-21 2001-05-08 Nec Corp Polisher
JP4598095B2 (en) * 2008-03-11 2010-12-15 育弘 池田 Polishing equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009248269A (en) 2009-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100687115B1 (en) Polishing apparatus and polishing method
JP5263657B2 (en) Polishing equipment
JP6239354B2 (en) Wafer polishing equipment
CN107756238B (en) Grinding device
KR20010050233A (en) Polishing apparatus, polishing method and method of conditioning polishing pad
KR19990077610A (en) Slurry circulation type surface polishing machine
JP6454599B2 (en) Polishing equipment
KR102655100B1 (en) Polishing head for face-up type polishing apparatus, polishing apparatus including the polishing head, and polishing method using the polishing apparatus
JP2013173225A (en) Polishing apparatus
JP2000158331A (en) Precise polishing method and device for substrate
JP2003181756A (en) Conditioner for wafer processing apparatus
JP2016221636A (en) Grinder
JP2008028232A (en) Apparatus and method for polishing semiconductor substrate, and semiconductor device manufacturing method
JP3708740B2 (en) Polishing apparatus and polishing method
TW200948713A (en) Method of reclaiming silicon powder from slurry generated during back lapping process
JP2001121407A (en) Polisher
JP2001277095A (en) Pad conditioning device and pad conditioning method
JP4803167B2 (en) Polishing equipment
JP3860901B2 (en) Coolant supply device for 2 head finishing machine
JP4583580B2 (en) Pad conditioner and conditioning method
JP2006351618A (en) Apparatus and method for polishing semiconductor substrate
CN110014362A (en) Wafer polishing machine
CN112885753B (en) Polishing pad dresser, chemical mechanical polishing apparatus and method of polishing wafer using the same
CN110293481B (en) Grinding equipment and cleaning method thereof
KR100790273B1 (en) Pencil sponge cleaning apparatus and method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110330

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110921

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121220

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130109

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130305

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130405

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130418

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5263657

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250