JP5263481B2 - 化学機械研磨パッド - Google Patents
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Description
例えば特開平11−70463号公報および特開平8−216029号公報には、微細な空孔を含有するポリウレタンフォームを化学機械研磨パッドとして用い、このパッドの表面に開口する空孔(ポア)に化学機械研磨用水系分散体を保持させて研磨を行う化学機械研磨方法が提案されている。
また特表平8−500622号公報および特開2000−34416号公報には、非水溶性のマトリックス樹脂中に水溶性ポリマーを分散させた研磨パッドが提案されている。このパッドは、水溶性粒子のうち、化学機械研磨時に化学機械研磨用水系分散体と接触した水溶性粒子のみが溶解または離脱することにより形成された空孔に化学機械研磨用水系分散体を保持させて研磨を行うことができるものである。
また、近年の半導体装置の高集積化、微細化の要求に伴い、被研磨面の表面状態に要求されるスペックは、益々厳しくなる傾向にある。更に、プロセスタイムの短縮の観点から、研磨速度についてはより高いものが求められている。
このような状況の中、大きな研磨速度を維持しつつ、被研磨面のスクラッチ発生の抑制および研磨量の面内均一性の向上の双方について満足できる研磨結果を与える化学機械研磨パッドは、いまだ知られていない。
本発明の化学機械研磨パッドの研磨層を製造するための組成物に用いられる(A)成分は、体積固有抵抗率が1.0×1013〜9.9×1017Ω・cmの高分子マトリックス成分である。この値は、好ましくは5.0×1013〜9.9×1017Ω・cmであり、より好ましくは1.0×1014〜5.0×1017Ω・cmである。
このような(A)成分の例としては、例えば共役ジエンの単独重合体、2種類以上の共役ジエンの共重合体、共役ジエンと他のモノマーとの共重合体等を挙げることができる。
上記共役ジエンとしては、例えば1,3−ブタジエン、イソプレン、2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン、1,3−ペンタジエン、2−メチル−1,3−ペンタジエン、1,3−ヘキサジエン、4,5−ジエチル−1,3−オクタジエン等を挙げることができる。
上記他のモノマーとしては、例えば不飽和カルボン酸エステル、シアン化ビ二ル化合物等を挙げることができる。不飽和カルボン酸エステルとしては、例えば(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n−プロピル(メタ)アクリレート、i−プロピル(メタ)アクリレート、シクロへキシル(メタ)アクリレート、フェニル(メタ)アクリレート、2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、メトキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート等;
シアン化ビニル化合物としては、例えば(メタ)アクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、シアン化ビニリデン等を、それぞれ挙げることができる。
(A)成分としては、1,3−ブタジエンの単独重合体または1,3−ブタジエンと他のモノマーとの共重合体が好ましい。1,3−ブタジエンの単独重合体としては、例えばブタジエンゴム、1,2−ポリブタジエン等;
1,3−ブタジエンと他のモノマーとの共重合体としては、例えばブタジエン・アクリロニトリルゴム、ブタジエン・メチルメタクリレートゴム等を、それぞれ挙げることができる。
(A)成分としてはこれらのうち、1,3−ブタジエンの単独重合体がより好ましく、1,2−ポリブタジエンがさらに好ましい。
(A)成分の分子量としては、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量として、好ましくは5,000〜1,000,000であり、より好ましくは10,000〜500,000である。
本発明の化学機械研磨パッドの研磨層を製造するための組成物に用いられる(B)成分は、体積固有抵抗率が1.0×106〜9.9×1012Ω・cmの添加剤である。この値は、好ましくは1.0×106〜5.0×1012Ω・cmであり、より好ましくは5.0×106〜9.9×1011Ω・cmの重合体である。
(B)成分としては、主鎖にエーテル結合を含む重合体、上記の体積固有抵抗率を有するエステル結合を含む化合物(ただし、主鎖にエーテル結合を含む重合体を除く。)、上記の体積固有抵抗率を有するその他の重合体を挙げることができる。
上記の主鎖にエーテル結合を含む重合体としては、例えばポリオキシエチレン、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル、ポリエーテルエステルアミド、ポリエーテルアミドイミド、ポリプロピレングリコール、ポリオキシプロピレンブチルエーテル、ポリオキシプロピレングリセリルエーテル、ポリオキシプロピレンソルビット、オキシエチレン−エピクロロヒドリン共重合体、メトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート共重合体、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルセチルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブチルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンヘキシレングリコールエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレントリメチロールプロパン、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリセリルエーテル、ポリエーテルブロックとポリオレフィンブロックとを有する共重合体、塩素含有ポリエーテル、ポリアセタール樹脂、アルキルグルコシド、ポリオキシエチレン脂肪酸アミン、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル等のほか、特開2001−278985号公報に記載されたポリマー等を挙げることができる。ポリオキシエチレン脂肪酸エステルとしては、例えばモノステアリン酸ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコールラウレート、ポリエチレングリコールモノオレエート、ポリエチレングリコールジステアレート等を挙げることができる。
上記の体積固有抵抗率を有するその他の重合体としては、例えばポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリ(メタ)アクリル酸、スルフォン化ポリイソプレン、スルホン化イソプレン共重合体、変性ポリアミド樹脂等を挙げることができる。ここで、「変性ポリアミド樹脂」とは、第3級アミンを有する部位と、ポリアルキレングリコール鎖を有する部位とを有する重合体を意味する。第3級アミンは、第3級アミンを有するブロックの主鎖にあっても側鎖にあってもよい。第3級アミンを主鎖に有するブロックは、例えばアミノエチルピペラジン、ビスアミノプロピルピペラジン等の単量体に由来するものであることができる。第3級アミンを側鎖に有するブロックは、例えばα−ジメチルアミノ−ε−カプロラクタム等の単量体に由来するものであることができる。ポリアルキレングリコール鎖を有するブロックは、例えばポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のポリアルキレングリコールに由来するものであることができる。
(B)成分の分子量としては、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量として、好ましくは5,000〜5,000,000であり、より好ましくは30,000〜5,000,000である。
本発明の化学機械研磨パッドに用いられる(B)成分の量は、(A)成分と(B)成分の合計に対して好ましくは0.5〜40質量%であり、より好ましくは1〜35質量%であり、更に好ましくは3〜30質量%である。
本発明の化学機械研磨パッドの研磨層を形成するための好ましい組成物は、上記の(A)成分および(B)成分を含有するが、さらに必要に応じてその他の成分を含有することができる。その他の成分としては、例えば(C)水溶性粒子、(D)架橋剤、(E)充填剤、(F)軟化剤、(G)酸化防止剤、(H)紫外線吸収剤、(I)滑剤、(J)可塑剤等を挙げることができる。
(C)水溶性粒子は、化学機械研磨パッド中に粒子として分散して存在し、化学機械研磨の際化学機械用水系分散体と接触したときに化学機械研磨用パッドから離脱し、パッドの表面近傍に空孔(ポア)を形成する機能を有する粒子である。この離脱は、水系分散体中に含有される水等との接触により溶解することで生じてもよく、この水等を含有して膨潤し、コロイド状となることで生じるものであってもよい。
(C)水溶性粒子は、ポアを形成する効果以外にも、化学機械研磨パッドとしたときのパッドの押し込み硬さを大きくする効果を有する。このことにより、被研磨体に負荷できる圧力を大きくでき、これに伴い研磨速度を向上することができ、より高い研磨平坦性が得られる。したがって、(C)水溶性粒子は、化学機械研磨パッドにおいて十分な押し込み硬さを確保できる中実体であることが好ましい。
これらのうち、有機系水溶性粒子を用いることが好ましく、特にシクロデキストリンを好ましく用いることができる。
これらの(C)水溶性粒子は、上記各材料を単独で使用することができ、または2種以上を組み合わせて用いることができる。更に所定の材料からなる1種の水溶性粒子であってもよく、異なる材料からなる2種以上の水溶性粒子であってもよい。
(C)水溶性粒子の平均粒径は0.1〜500μmであることが好ましく、より好ましくは0.5〜100μmである。この範囲の粒径の水溶性粒子を使用することにより、パッド表面近傍に形成されるポアの化学機械研磨用水系分散体の保持能力と、パッドの機械的強度のバランスに優れた化学機械研磨パッドとすることができる。
(C)水溶性粒子が、化学機械研磨パッドの研磨層の体積に占める割合は、全体の90体積%以下であることが好ましく、より好ましくは0.1〜90体積%であり、さらに好ましくは0.1〜60体積%であり、特に0.5〜40体積%であることが好ましい。
この範囲内の使用量、含有量とすることにより、良好な研磨性能を示す化学機械研磨パッドとすることができる。
(C)水溶性粒子は、研磨パッドの表層に露出した場合にのみ水等に溶解または膨潤し、研磨パッド内部では吸湿してさらには膨潤しないことが好ましい。このため水溶性粒子は最外部の少なくとも一部に吸湿を抑制する外殻を備えることができる。この外殻は水溶性粒子に物理的に吸着していても、水溶性粒子と化学結合していても、さらにはこの両方により水溶性粒子に接していてもよい。このような外殻を形成する材料としては、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリシリケート、シランカップリング剤等を挙げることができる。なお(C)水溶性粒子は、外殻を有する水溶性粒子と外殻を有さない水溶性粒子とからなっていてもよく、外殻を有する水溶性粒子はその表面のすべてが外殻に被覆されていなくても十分に上記効果を得ることができる。
本発明の化学機械研磨パッドの研磨層を製造するための組成物に用いることのできる(D)架橋剤としては、例えば過酸化水素、有機架橋剤、無機架橋剤を挙げることができる。有機架橋剤としては有機過酸化物を挙げることができ、その具体例としては例えば過酸化ジクミル、過酸化ジエチル、過酸化ジ−t−ブチル、過酸化ジアセチル、過酸化ジアシル等を;無機架橋剤としては例えば硫黄等を、それぞれ挙げることができる。
(D)架橋剤としては、ハンドリング性および化学機械研磨工程における汚染性がないこと等の観点から、有機過酸化物を用いることが好ましい。
架橋剤の添加量としては、(A)成分100質量部に対して、好ましくは3.0質量部以下であり、より好ましくは0.01〜3.0質量部であり、更に好ましくは0.2〜3.0質量部であり、特に好ましくは0.3〜2.0質量部である。
本発明の化学機械研磨パッドの研磨層を製造するための組成物は、上記の(A)成分および(B)成分を含有し、さらに任意的に(C)ないし(J)成分のうちの1種以上を含有するものであるが、(A)成分および(B)成分のほかに(C)水溶性粒子または(D)架橋剤を含有するものであることが好ましく、(A)ないし(D)成分を含有するものであることがより好ましい。
上記の組成物を調製するにあたっては、組成物に含有されるべき各成分を適当な混練機により混練する方法によることができる。混練機としては、公知のものを使用することができ、例えばロール、ニーダー、バンバリーミキサー、押出機(単軸、多軸)等の混練機を挙げることができる。
組成物が(C)水溶性粒子を含有するものである場合、混練時の温度において(C)水溶性粒子は固体であることが好ましい。予め前述の好ましい平均粒径範囲に分級した水溶性粒子を用い、水溶性粒子が固体である条件下で混練することにより、水溶性粒子と非水溶性部分との相溶性の程度にかかわらず、水溶性粒子を前記の好ましい平均粒径で分散させることができる。
したがって、使用する高分子マトリックス材の加工温度により、(C)水溶性粒子の種類を選択することが好ましい。
組成物が(D)架橋剤を含有するものである場合、組成物に含有されるべき成分のうち、(D)架橋剤を除いた成分を混練した後の混合物に(D)架橋剤を加えて更に混練して化学機械研磨パッド用組成物とすることが好ましい。このような2段階の混錬を行った組成物から形成された成形体は、その全体において架橋度の均一性が高いものとなり、表面均一性のきわめて高い被研磨面を与える化学機械研磨パッドを得ることができる。
本発明の化学機械研磨パッドは、好ましくは上記のような化学機械研磨パッド用組成物から形成される研磨層を有する。該研磨層は、上記組成物を所望のパッド概形に成形することにより得ることができる。概形を成形する方法としては、例えば所望の概形と契合する金型を用いて成形する方法、組成物をシート状に成形し次いでこれを所望の形状に切り出す方法等を挙げることができる。
組成物が(D)架橋剤を含有するものである場合、上記概形の形成にあたって組成物に加熱処理を施すことにより、(A)成分の架橋反応を同時に行うことができる。この加熱処理を行う温度としては、好ましくは80〜200℃、より好ましくは100〜180℃であり、加熱処理の時間としては、好ましくは3〜60分、より好ましくは5〜30分である。
本発明の化学機械研磨パッドは、研磨面および/または被研磨面に任意の形状の溝や凹部を備えていてもよい。このような溝や凹部は、組成物をパッド概形に形成した後に切削加工によって形成してもいいし、概形を形成するのに金型による場合には、所望の溝または凹部と契合する凸部を有する金型を用いる方法によってもよい。
本発明の化学機械研磨パッドの研磨層の形状は特に限定されないが、例えば円盤状、多角形状等とすることができ、本発明の化学機械研磨パッドを装着して使用する研磨装置に応じて適宜選択することができる。
研磨層の大きさも特に限定されないが、円盤状のパッドでは、例えば直径150〜1,200mm、特に500〜800mm、厚さ1.0〜5.0mm、特に厚さ1.5〜3.0mmとすることができる。
研磨層のショアーD硬度は、好ましくは35〜100であり、より好ましくは40〜90である。このような硬さとすることで、十分な研磨速度と良好な表面状態の被研磨面を与える化学機械研磨パッドとすることができる。
上記支持層は、化学機械研磨パッドを研磨面の裏面側で支える層である。この支持層の特性は特に限定されないが、研磨層に比べてより軟質であることが好ましい。より軟質な支持層を備えることにより、研磨層の厚さが薄い場合(例えば、1.0mm以下)であっても、研磨時にパッドが浮き上がることや、研磨層の表面が湾曲すること等を防止でき、安定して研磨を行うことができる。この支持層の硬度は、研磨層の硬度の90%以下が好ましく、更に好ましくは50〜90%であり、特に好ましくは50〜80%であり、就中50〜70%が好ましい。
本発明の化学機械研磨パッドを使用して化学機械研磨することのできる材料としては、例えば基板材料、配線材料、ビアプラグ材料、電極材料、絶縁材料、バリアメタル材料等を挙げることができる。基板材料としては、単結晶シリコン;
配線材料としては、例えばタングステン、アルミニウム、銅等およびこれらのうちの1種以上と他の金属からなる合金;
ビアプラグ材料としては、上記配線材料として例示したと同様のもの;
電極材料としては、例えば多結晶シリコン、非晶質シリコン等;
絶縁材料としては、SiO2系絶縁材料、低誘電率の有機系絶縁材料、水素含有多孔質絶縁材料(HSQ−SOG)等:
バリアメタル材料としては、例えば窒化ケイ素、窒化タンタル、窒化チタン等の窒化物材料、タンタル、チタン、タングステン等の金属材料等を、それぞれ挙げることができる。
上記のうち、SiO2系絶縁材料としては、例えば熱酸化膜、P−TEOS、O3−TEOS、HDP−SiO2、BPSG(SiO2にホウ素およびリンのうちのどちらか一方または双方を含有させた材料)、FSG(フッ素添加SiO2系絶縁性膜)等を挙げることができる。
上記P−TEOSは、テトラエチルオルトシリケート(TEOS)を原料として、促進条件としてプラズマを利用して化学気相成長で形成されたものである。
上記O3−TEOSは、テトラエチルオルトシリケート(TEOS)を原料として、オゾンの存在下に化学気相成長で形成されたものである。
上記HDP−SiO2は、テトラエチルオルトシリケート(TEOS)を原料として、促進条件として高密度プラズマを利用して化学気相成長で形成されたものである。
上記BPSGは、常圧CVD法(AP−CVD法)または減圧CVD法(LP−CVD法)により形成されたものである。
また、上記FSGは、促進条件として高密度プラズマを利用して化学気相成長で形成されたものである。
被研磨体は、上記の材料のうちの1種または2種以上から構成されるものであることが好ましい。
本発明の化学機械研磨パッドを使用する化学機械研磨によって、例えば微細素子分離(STI)、ダマシン配線の形成、ビアプラグの形成、層間絶縁膜の形成等のための平坦化を行うことができる。
上記微細素子分離を行うための研磨においては、SiO2系絶縁材料を研磨することができる。また、ダマシン配線の形成では、研磨初期においては配線材料を、研磨後期においては配線材料および絶縁体材料ならびに任意的にバリアメタルを、それぞれ研磨することができる。さらにビアプラグ形成においてはビアプラグ材料の研磨を、層間絶縁膜の形成においてはSiO2系絶縁材料、低誘電率の有機系絶縁材料、水素含有多孔質絶縁材料等の研磨を、それぞれ行うことができる。
[1]化学機械研磨パッドの製造
(A)成分として1,2−ポリブタジエン(JSR(株)製、商品名「JSR RB830」)を60質量部、(B)成分として「ペレスタット300」(商品名、三洋化成工業(株)製、ポリエーテルブロックとポリオレフィンブロックとを有する共重合体、重量平均分子量Mw=5.0×104)を40質量部および(C)成分としてβ−シクロデキストリン((株)横浜国際バイオ研究所製、商品名「デキシーパールβ−100」)16.8質量部を、120℃に加熱された押出機にて150℃、120rpmで混練した。その後、過酸化ジクミル(日本油脂(株)製、商品名「パークミルD」)を0.3質量部添加し、更に120℃、60rpmで混練し、化学機械研磨パッド用組成物を調製した。この化学機械研磨パッド用組成物を、金型内にて170℃で18分間加熱して成形し、直径60cm、厚さ2.8mmの円盤状の成形体を得た。次いでこの成型体の一面に、切削加工機((株)加藤機械製)を用いて、溝幅0.5mm、ピッチ2mm、溝深さ1.4mmの、研磨面の中心を中心とする同心円状の溝を形成し、化学機械研磨パッドを製造した。なお、ここで製造した化学機械研磨パッドに含有される(C)β−シクロデキストリンの平均粒径は15μmであり、パッド全体に占めるβ−シクロデキストリンの体積率は、10体積%であった。
なお、(B)成分の重量平均分子量は、以下の条件におけるゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定した。
測定装置:東ソー(株)製、GPC HLC−8120型
カラム :東ソー(株)製、TSK gel α−M
展開溶媒:ジメチルホルムアミド/メタノール混合溶媒
上記で調製した化学機械研磨パッド用組成物を、金型温度170℃の圧縮成形機を用いて、圧力150kg/cm2、成形時間18minの条件にて100mm×100mm×2mmの試験片を作製した。作製した試験片は温度23℃、湿度50%RHの恒温恒湿の状態で16時間以上養生した後、ハイレジスタンスメータ(アジレント・テクノロジー(株)製、商品名「Agilent4339B」)により温度23℃、湿度50%RHの雰囲気下にて、印加電圧750Vの条件で表面固有抵抗値(Rs)を測定した(JIS−K6911に準拠)。
また、(A)成分である1,2−ポリブタジエンおよび(B)成分であるペレスタット300についても、それぞれ同様にして試験片を作成し、上記手法により体積固有抵抗値(Rv)を測定し、次式により体積固有抵抗率を求めた。
ρv=(πd2/4t)×Rv
(ここで、ρvは体積固有抵抗率(Ω・cm)、πは円周率、dは主電極の内径(cm)、tは試験片の厚さ(cm)、Rvは体積固有抵抗値(Ω)を表す。)
これらの結果は表1および表2に示した。
上記[1]で製造した化学機械研磨パッドを、化学機械研磨装置(型式「EPO112」、(株)荏原製作所製)に装着し、8インチ銅膜付きウェハを被加工膜として、以下の条件で研磨した。なお、スラリーとしてはiCue5003(キャボット・マイクロエレクトロニクス社製)を使用した。
スラリー供給速度:200mL/分
ヘッド押し付け圧:250hPa
定盤回転数:70rpm
ヘッド回転数:70rpm
研磨時間:60秒
研磨速度は、電気伝導式膜厚測定器(KLA−TENCOR社製、形式「オムニマップRS75」)を用いて以下の手順にて測定した。
被加工膜である8インチ銅膜付きウェハについて、外周5mmを除いて直径方向に均等に21点の特定点を設定し、これら特定点について研磨前後の銅膜の厚さの差と研磨時間から各点における研磨速度を算出し、その平均値をもって研磨速度とした。
(2)研磨量の面内均一性の評価
上記21点の特定点における研磨前後の厚さの差(この値を「研磨量」とする。)について下記の計算式により研磨量の面内均一性を算出した。
研磨量の面内均一性(%)=(研磨量の標準偏差÷研磨量の平均値)×100
この結果を表2に示す。この値が5%以下のとき、研磨量の面内均一性は良好であるといえる。
(3)スクラッチ数の評価
化学機械研磨後の銅膜につき、欠陥検査装置(KLA−TENCOR社製、「KLA2351」)を用いて欠陥検査を行った。まず、ピクセルサイズ0.62μm、しきい値(threshold)30の条件でウェハ表面の全範囲について、欠陥検査装置が欠陥としてカウントした数を計測した。次いで、これらの欠陥をランダムに100個抽出して装置のディスプレイ上に表示して観察し、欠陥がスクラッチであるか、付着した異物(化学機械研磨用水系分散体中に含まれる砥粒等)であるかを見極め、欠陥総数中に占める長径0.20μm以上のスクラッチの割合を算出し、これよりウェハ全面あたりのスクラッチ数を算出した。結果は表2に示した。
実施例1において、(A)成分、(B)成分および(C)成分の種類および量を表1の通りに変更したほかは実施例1と同様にして化学機械研磨パッドを製造し、評価した。結果は表1および表2に示した。
比較例7
化学機械研磨パッドとして、多孔質ポリウレタン製研磨パッド(ニッタ・ハース(株)製、商品名「IC1000」)を用いた他は、実施例1と同様にして評価した。結果は表2に示した。
なお、比較例7における表面固有抵抗値の評価は、IC1000を100mm×100mm×2mmの大きさに切り出し、これを試験片として用いて行った。
(A1):JSR(株)製、商品名「JSR RB830」(1,2−ポリブタジエン
(A2):東洋紡績(株)製、商品名「E1080A」(ポリウレタンエラストマー)
(B1):三洋化成工業(株)製、商品名「ペレスタット300」(ポリエーテルブロックとポリオレフィンブロックとを有する共重合体、Mw=5.0×104)
(B2):ダイソー(株)製、商品名「DM−E70」(塩素含有ポリエーテル)
(B3):JSR(株)製、商品名「JSR AR」(アクリルゴム)
(B4):東レ・ファインケミカル(株)製、商品名「A−70」(変性ポリアミド樹脂、Mw=3.3×104)
(B5):花王(株)製、商品名「エレストマスターSB−10」(Mw=2.0×105)
(B6):明成化成工業(株)製、商品名「アルコックスE−240」(ポリエチレンオキサイド、Mw=4.5×106)
(b1):電気化学工業(株)製、商品名「デンカエミコンP−510−1−1」
(b2):東レ(株)製、商品名「アミラスS731」(ポリアセタール樹脂)
(b3):三洋化成工業(株)製、商品名「PEG−200」(ポリエチレングリコール、Mw=2.0×102。なお、成分(b3)は液体のため、表面固有抵抗率は定義できない。)
(C1):(株)横浜国際バイオ研究所製、商品名「デキシーパールβ−100」(β−シクロデキストリン)
表中の「−」は、該当欄に相当する成分を使用しなかったことを意味する。
(B1)、(B4)、(B5)および(b3)成分の重量平均分子量Mwの測定は、実施例1におけるのと同様にして行った。
一方、上記の要件に該当しない場合(比較例1〜7)は研磨量の面内均一性およびスクラッチ抑制のいずれかまたは双方のレベルが不十分であることが分かった。
Claims (6)
- 研磨層の表面固有抵抗値が1.0×10 7 〜9.9×10 13 Ωであり、そして該研磨層が、(A)体積固有抵抗率が1.0×1013〜9.9×1017Ω・cmである高分子マトリックス成分および(B)体積固有抵抗率が1.0×106〜9.9×1012Ω・cmである成分を含有する組成物から形成されたものであることを特徴とする、化学機械研磨パッド。
- (A)高分子マトリックス成分が、共役ジエンの単独重合体、2数種以上の共役ジエンの共重合体または共役ジエンと不飽和カルボン酸エステルもしくはシアン化ビ二ル化合物との共重合体であり、(B)成分が主鎖にエーテル結合を含む重合体、アクリルゴムまたは変性ポリアミド樹脂である、請求項1に記載の化学機械研磨パッド。
- (A)高分子マトリックス成分が1,2−ポリブタジエンであり、(B)成分がポリエーテルブロックとポリオレフィンブロックとを有する共重合体、塩素含有ポリエーテル、アクリルゴムまたは変性ポリアミド樹脂である、請求項2に記載の化学機械研磨パッド。
- 組成物中の(B)成分の含有量が、(A)高分子マトリックス成分と(B)成分との合計に対して0.5〜40質量%である、請求項1に記載の化学機械研磨パッド。
- 組成物が、さらに(C)水溶性粒子および(D)架橋剤を含有する、請求項1に記載の化学機械研磨パッド。
- 研磨層の非研磨面上に支持層を備える多層型である、請求項1に記載の化学機械研磨パッド。
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