JP5263468B2 - アルミニウムサラレン錯体触媒を用いた光学活性スルホキシド化合物の製造法 - Google Patents

アルミニウムサラレン錯体触媒を用いた光学活性スルホキシド化合物の製造法 Download PDF

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本発明は、スルフィド化合物を、光学活性アルミニウムサラレン錯体触媒の存在下、不斉酸化することを特徴とする光学活性なスルホキシド化合物の製造法に関する。
光学活性なスルホキシド化合物は、不斉合成における不斉補助剤として重要な中間体である。
光学活性なスルホキシド化合物は、光学活性なアリルアルコール誘導体合成の不斉補助剤として使用されている（例えば、特許文献１参照。）。又、光学活性なスルホキシド化合物は、種々の光学活性化合物合成の不斉補助剤として使用されている（例えば、非特許文献１及び２参照。）。
さらに、光学活性なスルホキシド化合物部位をもつ医薬品も数多く開発されており、スルフィド化合物を不斉酸化して光学活性なスルホキシド化合物とする技術は医薬品の製造法としても有用である。
スルフィド化合物から、光学活性なスルホキシド化合物を製造する方法としては、チタン−酒石酸エステルを触媒に使用する反応（例えば、非特許文献３及び４参照。）、チタン−光学活性ビナフトールを触媒に使用する反応（例えば、非特許文献５及び６参照。）、メタロポルフィリン錯体を触媒に使用する反応（例えば、非特許文献７及び８参照。）、メタロサレン錯体を触媒に使用する反応（例えば、非特許文献９、１０、及び１１参照。）等が知られている。
さらに近年では、酸化剤として過酸化水素水を用いる方法が盛んに研究されている。たとえば、バナジウム錯体を触媒に使用する反応（例えば、非特許文献１２、１３、１４，１５及び１６参照。）、鉄錯体を触媒に使用する反応（例えば、非特許文献１７、１８及び１９参照。）、タングステン錯体を触媒に使用する反応（例えば、非特許文献２０参照。）などが知られている。
特開平7-82195号公報 Chem. Ind. 15, 636 (1994) Acc. Chem. Res. 20, 72 (1987) J. Am. Chem. Soc. 106, 8188 (1984) J. Org. Chem. 60, 8086 (1995) Tetrahedron Lett. 33, 5391 (1992) J. Org. Chem. 58, 4529 (1993) Tetrahedron Lett. 23, 1685 (1982) J. Org. Chem. 55, 3628 (1990) Chem. Lett. 1483 (1986) Tetrahedron Lett. 33, 7111 (1992) Tetrahedron Lett. 35, 1887 (1994) Synlett, 1055-1060 (2002) Synlett 161-163 (2002) Org. Lett. 5,1317-1320 (2003) J. Org. Chem, 69, 8500-8503 (2004) Angew. Chem.Int.Ed., 44, 7221-7223 (2005) Angew.Chem. Int, Ed., 42, 5487-5489 (2003) Angew.Chem. Int, Ed., 43, 4225-4228 (2004) Chem.Eur.J., 11, 1086-1092 (2005) Tetrahedron Asymmetry, 14, 407-410 (2003)
上記の方法は、いずれも光学活性な金属錯体を触媒として使用した反応であり、非常に優れた方法である。特に酸化剤として過酸化水素水を用いる反応は、操作性、安全性に優れており、原子利用率（アトムエコノミー）の観点からも優れた反応であるといえる。
しかしながら、広範囲の基質に対して高立体選択性を示す反応系は、いまだ知られていない。
本発明者は、不斉スルフィド酸化反応について鋭意検討を重ねた結果、光学活性アルミニウムサラレン錯体を触媒として使用することにより、高収率、高立体選択的にスルフィドの不斉酸化反応が進行することを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、
１． 式（１）、式（１’）、式（２）、又は式（２’）
〔式（１）、式（１’）、式（２）、及び式（２’）中のＲ１は、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ１−４アルコキシ基、Ｃ６−１２アリールオキシ基又はＣ６−２２アリール基（該アリール基は、無置換であるか、又はＣ１−４アルキル基（該アルキル基は、無置換であるか、またはハロゲン原子で任意に置換されている。）、もしくはＣ１−４アルコキシ基（該アルコキシ基は、無置換であるか、又はＣ６−１２アリール基で置換されている。）で置換されており、該アリール基が式（２）、及び式（２’）中の芳香環と軸不斉を形成する場合は、該軸不斉は光学活性でも光学不活性でも良い。）であり、Ｒ２は、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ１−４アルコキシ基、Ｃ６−１２アリールオキシ基又はＣ６−１２アリール基であり、Ｒ３は、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ６−１８アリール基又は、２つのＲ３が一緒になって環を形成するＣ３−５の二価の基であり、Ｒ４は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ１−４アルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基であり、Ｒ５は、水素原子又はＣ１−４アルキル基であり、Ｍはアルミニウム原子であり、Ｘは、Ｍとイオン対を形成しうる陰イオン対を意味する。〕で表される光学活性金属錯体の存在下、
式（３）
（式中、Ｒ６、Ｒ7は、相異なり、それぞれ、Ｃ６−１２アリール基、Ｃ６−１２アリールメチル基（該Ｃ６−１２アリール基及びＣ６−１２アリールメチル基は、置換されていないか、又はハロゲン原子、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ１−４アルコキシ基、Ｃ２−５アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ２−５アルコキシカルボニル基、ニトロ基、もしくはシアノ基によって置換されている）、Ｃ１−６アルキル基（該Ｃ１−６アルキル基は、置換されていないか、又はハロゲン原子、ニトロ基、水酸基、もしくはシアノ基によって置換されている）であるか、又はＲ６がＣ６−１２アリール基でありそのオルト位にＣ１−４アルキル基もしくはＣ１−４アルコキシ基が置換している場合、Ｒ７は該置換基と一緒になって環を形成するＣ２−４の二価の基であってもよい。）
で表わされるスルフィド化合物を、酸化剤で不斉酸化することを特徴とする、式（４）
（式中、Ｒ６、Ｒ７は、前記に同じ。＊で示される硫黄原子の絶対配位は、ＲかＳを意味する。）
で表わされる光学活性スルホキシド化合物の製造法。
２．
式（１）、式（１’）、式（２）、又は式（２’）で表される光学活性金属錯体の存在下、式（５）
（式中、Ｒ６、Ｒ７は、前記に同じ。）
で表されるラセミもしくは光学純度の低いスルホキシド化合物の一方の光学異性体を酸化剤で選択的に酸化することによって式（６）
（式中、Ｒ６、Ｒ７は、前記に同じ。）
で表されるスルホン化合物へと誘導し、速度論的に、式（４）
（式中、Ｒ６、Ｒ７は、前記に同じ。＊で示される硫黄原子の絶対配位は、ＲかＳを意味する。）
で表される光学活性スルホキシド化合物を得ることを特徴とする、光学活性スルホキシド化合物の製造法。
３．
Ｒ６が、Ｃ６−１２アリール基又はＣ６−１２アリールメチル基（該Ｃ６−１２アリール基及びＣ６−１２アリールメチル基は、置換されていないか、又はハロゲン原子、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ１−４アルコキシ基、Ｃ２−５アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ２−５アルコキシカルボニル基、ニトロ基、もしくはシアノ基によって置換されている）であり、Ｒ７が、Ｃ１−４アルキル基であるか、又はＲ６がＣ６−１２アリール基でありそのオルト位にＣ１−４アルキル基もしくはＣ１−４アルコキシ基が置換している場合、Ｒ７が該置換基と一緒になって環を形成するＣ２−４の二価の基である１．又は２．記載の光学活性スルホキシド化合物の製造法。
４．
酸化剤として過酸化水素を用いる、１．から３．のいずれか１項に記載の光学活性スルホキシド化合物の製造法。
５．
式（２）、又は式（２’）
（式中、Ｒ１はＣ６−２２アリール基（該アリール基は、無置換であるか、又はＣ１−４アルキル基（該アルキル基は、無置換であるか、又はハロゲン原子で任意に置換されている。）、もしくはＣ１−４アルコキシ基（該アルコキシ基は、無置換であるか、又はＣ６−１２アリール基で置換されている。）で置換されており、該アリール基が式（２）、又は式（２’）中の芳香環と軸不斉を形成する場合は、該軸不斉は光学活性でも光学不活性でも良い。）であり、Ｒ２が水素原子であり、Ｒ３が２つのＲ３が一緒になって環を形成するテトラメチレン基であり、Ｒ４が水素原子であり、Ｒ５が水素原子またはメチル基であり、Ｘが塩素である。）で表される光学活性金属錯体の存在下反応させることを特徴とする１．から４．のいずれか１項に記載の光学活性スルホキシド化合物の製造法。
６．
Ｒ１が、式（２）、又は式（２’）中の芳香環と軸不斉を形成し、該軸不斉が光学活性である、５．に記載の光学活性スルホキシド化合物の製造法。
７．
Ｒ１が１−フェニルナフチル基である６．に記載の光学活性スルホキシド化合物の製造法。
８．
緩衝液または無機塩を添加することを特徴とする１．から７．のいずれか１項に記載の光学活性スルホキシド化合物の製造法を提供するものであり、また、
９．
式（７）
（式（７）中のＲ３は、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ６−１８アリール基又は、２つのＲ３が一緒になって環を形成するＣ３−５の二価の基であり、Ｒ５は、水素原子又はＣ１−４アルキル基であり、Ｍはアルミニウム原子であり、Ｘは、Ｍとイオン対を形成しうる陰イオン対を意味する。）で表され、ビナフチル骨格の軸不斉が光学活性または光学不活性である光学活性金属錯体、またはそのエナンチオマーを提供するものである。
本発明の方法によれば、式（３）で表されるスルフィド化合物を、式（１）、式（１’）、式（２）、又は式（２’）で表される光学活性アルミニウム錯体の存在下、酸化剤を用い酸化することにより、式（４）で表される光学活性スルホキシド化合物を製造することができる。
以下、更に詳細に本発明を説明する。なお本発明において、「ｎ」はノルマルを、「ｉ」はイソを、「ｓ」または「ｓｅｃ」はセカンダリーを、「ｔ」または「ｔｅｒｔ」はターシャリーを、「ｃ」はシクロを、「ｏ」はオルトを、「ｍ」はメタを、「ｐ」はパラを、「Ｐｈ」はフェニルを意味する。
先ずＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｘについて説明する。
本発明におけるＣ１−４アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基，ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられる。好ましくは、メチル基、エチル基である。
Ｃ１−６アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｃ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｃ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｃ−ヘキシル基等が挙げられる。好ましくは、メチル基、エチル基である。
Ｃ１−４アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基，ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等が挙げられる。好ましくは、メトキシ基、エトキシ基である。
Ｃ２−５アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基，ｉ−プロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｉ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｎ−アミルカルボニルオキシ基、ｉ−アミルカルボニルオキシ基、ネオペンチルカルボニルオキシ基等が挙げられる。好ましくは、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基である。
Ｃ２−５アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基，ｉ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−アミロキシカルボニル基、ｉ−アミロキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基等が挙げられる。好ましくは、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基である。
Ｃ６−１２アリールオキシ基は、炭素数６から１２の芳香族炭化水素が置換したオキシ基であり、例としてフェニルオキシ基、２−メチルフェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、２−ビフェニリルオキシ基が挙げられる。好ましくは、フェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基である。
Ｃ６−２２アリール基は炭素数６から２２の芳香族炭化水素であり、その中でも、フェニル基、２−メチルフェニル基、２−エチルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−ビフェニリル基、２−フェニル−１−ナフチル基、２−（ｍ−ビフェニリル）−１−ナフチル基、２−（ｐ−ビフェニリル）−１−ナフチル基
（該２−フェニル−１−ナフチル基、２−（ｍ−ビフェニリル）−１−ナフチル基又は、２−（ｐ−ビフェニリル）−１−ナフチル基における軸不斉は、光学活性又は光学不活性である。）が好ましくしい、さらに好ましくは、フェニル基、２−メチルフェニル基、２−フェニル−１−ナフチル基である。
Ｃ６−１８アリール基は炭素数６から１８の芳香族炭化水素であり、その中でも、フェニル基、２−メチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基が好ましくしい、さらに好ましくは、フェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基である。
Ｃ６−１２アリール基は、炭素数６から１２の芳香族炭化水素であり、例としてフェニル基、２−メチルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−ビフェニリル基が挙げられる。好ましくは、フェニル基、２−ナフチル基である。
Ｃ６−１２アリールメチル基とは炭素数６から１２の芳香族炭化水素が置換したメチル基であり、例として、ベンジル基、１'-メチルフェニルメチル基、１'-ナフチルメチル基、２'-ナフチルメチル基、２'-ビフェニルメチル基が挙げられる。
好ましくは、ベンジル基、１'-ナフチルメチル基である。
ハロゲン原子とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子である。
２つのＲ３が一緒になって環を形成する場合のＣ３−５の二価の基としては、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基が挙げられる。好ましくは、テトラメチレン基、ペンタメチレン基であり、さらに好ましくはテトラメチレン基である。
Ｒ６がＣ６−１２アリール基でありそのオルト位にＣ１−４アルキル基もしくはＣ１−４アルコキシ基が置換している場合に、Ｒ７が該置換基と一緒になって環を形成するＣ２−４の二価の基としては、ジメチレン基、ジメチレンオキシ基、トリメチレン基、トリメチレンオキシ基、テトラメチレン基、テトラメチレンオキシ基等が挙げられる。好ましくは、ジメチレン基、ジメチレンオキシ基、トリメチレン基である。
Ｘの塩を形成しうる陰イオン対としては、OH−、F−、Cl−、Br−、I−、CH３CO２ −、PF６ −、ClO４ −、BF４ −、CO３ ２−、SO４ ２−、PO４ ３− 等が挙げられる。
次に、不斉スルフィド酸化反応について説明する。
式（３）で表されるスルフィド化合物のうち、置換基Ｒ６とＲ７の組み合わせによる特に好ましいスルフィド化合物としては、メチル フェニル スルフィド、エチル フェニル スルフィド、メチル ｏ−トリル スルフィド、メチル ｐ−トリル スルフィド、メチル ｏ−ニトロフェニル スルフィド、メチル ｐ−ニトロフェニル スルフィド、メチル ｏ−クロルフェニル スルフィド、メチル ｐ−クロルフェニル スルフィド、メチル ｏ−ブロモフェニル スルフィド、メチル ｐ−ブロモフェニル スルフィド、メチル ｏ−メトキシフェニル スルフィド、メチル ｐ−メトキシフェニル スルフィド、エチル ｏ−ニトロフェニル スルフィド、メチル １−ナフチル スルフィド、メチル ２−ナフチル スルフィド、メチル ２−ピリジル スルフィド、メチル ベンジル スルフィド、エチル ベンジル スルフィド等が挙げられる。
酸化剤としては、ヨードシルベンゼン、ヨードシルメシチレン、ヨードソ安息香酸、次亜塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸カルシウム、過酸化水素等が挙げられ、好ましくは過酸化水素が挙げられる。
酸化剤の使用量としては、式（１）のスルフィド化合物に対して１〜２０倍モルの範囲、好ましくは１〜２倍モルの範囲がよい。
式（１）、式（１’）、式（２）、又は式（２’）で表される光学活性金属錯体において、好ましい触媒としては下記の光学活性鉄錯体及びこれらのエナンチオマーが挙げられる。
光学活性金属錯体触媒の使用量としては、式（３）のスルフィド化合物に対して０．０１〜５０モル％の範囲、好ましくは、０．１〜１０モル％の範囲がよい。
反応溶媒としては、反応に関与しないものであれば特に制限はなく、例えば、水、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル等のニトリル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロルベンゼン、フルオロベンゼン、ｏ−ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素類、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、テトラヒドロフラン(ＴＨＦ)、ジエチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン等のエーテル類、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、イソブタノール、シクロヘキサノール等のアルコール類等が挙げられ、好ましくは、メタノール、エタノール、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、塩化メチレン、トルエンが挙げられ、より好ましくは、メタノールが挙げられる。
更に、これらの反応溶媒は、単独または組合せて使用することもできる。
また、反応性向上のために、pH調整のための試剤を添加することができる。
調整するpHの範囲は4〜11、好ましくは6〜9、より好ましくは7〜8である。
pH調整のための試剤としては、無機塩や緩衝液をもちいることができる。塩の種類としては、炭酸塩、硫酸塩、リン酸塩、ホウ酸塩、酢酸塩、フタル酸塩などが挙げられ、好ましくはリン酸塩が挙げられる。
緩衝液の濃度は0.1mMから1000mM、好ましくは10mMから100mMの範囲がよい。
酸化剤の添加方法としては、一括添加、分割添加又は連続添加が挙げられる。分割添加とは、用いる酸化剤を複数回に分けて添加する方法であり、分割は等分でも非等分でも良く、分割の回数は２〜１００回の範囲が好ましい。
酸化剤は固体で投入しても、溶媒に溶解させて投入しても良い。酸化剤として過酸化水素を用いる場合は水溶液として投入することが望ましい。その水溶液の濃度は必要に応じて選択できるが、０．１から７０質量％が好ましく、好ましくは、３から６０質量％、より好ましくは１０から４０質量％である。
反応温度としては、通常−５０℃〜６０℃の範囲、好ましくは−２０℃〜４０℃の範囲がよい。
反応時間は、使用する式（３）のスルフィド化合物、式（１）、式（１’）、式（２）、及び式（２’）で表される光学活性金属錯体及び酸化剤の種類にもよるが、通常０．１から１０００時間であり、より一般的には０．１から９６時間である。
反応終了後は公知の方法により、目的とする光学活性スルホキシド化合物を単離することが出来る。単離方法の例としては、反応後の混合物から適当な溶媒により目的物を抽出し、溶媒を減圧濃縮して、シリカゲル等を用いたクロマトグラフィー、蒸留、又は晶析等の操作により、式（４）の光学活性スルホキシド化合物を得る方法などが挙げられる。
得られた目的物の光学純度は、光学活性クロマトグラフィーカラムや旋光度によって測定することができる。
また、同様の金属錯体および反応系を用いて、ラセミのスルホキシド化合物を選択的にスルホン化合物へと酸化することができる。すなわち、動的速度論分割により、光学活性なスルホキシドを得ることができる。
以下、実施例により更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１
サラレンリガンド（５′）(84.5mg, 0.10mmol)とトルエン(1.0mL)の溶液に0.92Mジエチルアルミニウムクロリドヘキサン溶液(100μL)を室温下加え、3時間攪拌した。黄色沈殿物を濾取しn-ヘキサンで洗浄することで、錯体（５）(79.5mg, 87%)を得た。
Anal. Calcd C61H48N2O2AlCl・1/2H2O: C 79.20; H 5.49, N 3.03%. Found: C 79.10, H 5.36, N 3.03%.
実施例２
アルミニウム-サラレン錯体触媒を用いたチオアニソールの不斉酸化
アルミニウム-サラレン錯体（５）(3.6mg, 4.0μmol)とメタノール(2.0mL)の溶液にチオアニソール(24.8mg, 0.20mmol)を加え、リン酸緩衝液(20.0μL, pH 7.4, 67mmol/L)を加えた。30%過酸化水素水(25.0mg, 0.22mmol)を加え、室温下で24時間攪拌した。反応液を減圧濃縮したのち、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝4/1から1/1）により精製し、光学活性なメチルフェニルスルホキシド（24.1mg, 収率86％）を得た。
光学純度を液体クロマトグラフィー（光学活性カラム DAICEL CHIRALCEL OB-H：ヘキサン／２−プロパノール＝4／１）により測定したところ、98%eeであった。
実施例３
アルミニウムサラレン錯体(4.0μmol)とメタノール(2.0mL)の溶液に、スルフィド(0.20mmol)を加え、リン酸緩衝液(20.0μL, pH 7.4, 67mmol/L)を加えた。30%過酸化水素水(25.0mg, 0.22mmol)を加え、室温下で24時間攪拌した。反応液を減圧濃縮したのち、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、光学活性なスルホキシドを得た。結果を表１、表２に示す。

実施例４
アルミニウム-サラレン錯体触媒を用いた動的速度論分割による光学活性スルホキシドの製造
アルミニウム-サラレン錯体（５）(3.6mg, 4.0μmol)とメタノール(2.0mL)の溶液にラセミ体のメチルフェニルスルホキシド(28.0mg, 0.20mmol)を加え、リン酸緩衝液(20.0μL, pH 7.4, 67mmol/L)を加えた。30%過酸化水素水(25.0mg, 0.22mmol)を加え、室温下で24時間攪拌した。反応液を減圧濃縮したのち、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝4/1から1/1）により精製し、メチルフェニルスルホキシド（17.4mg, 収率62％）とスルホン(11.8mg, 38%)を得た。
メチルフェニルスルホキシドの光学純度を液体クロマトグラフィー（光学活性カラム DAICEL CHIRALCEL OB-H：ヘキサン／２−プロパノール＝4／１）により測定したところ、S体33%eeであった。

Claims (9)

  1. 式（１）、式（１’）、式（２）、又は式（２’）

    〔式（１）、式（１’）、式（２）、及び式（２’）中のＲ１は、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ１−４アルコキシ基、Ｃ６−１２アリールオキシ基又はＣ６−２２アリール基（該アリール基は、無置換であるか、又はＣ１−４アルキル基（該アルキル基は、無置換であるか、またはハロゲン原子で任意に置換されている。）、もしくはＣ１−４アルコキシ基（該アルコキシ基は、無置換であるか、又はＣ６−１２アリール基で置換されている。）で置換されており、該アリール基が式（２）、及び式（２’）中の芳香環と軸不斉を形成する場合は、該軸不斉は光学活性でも光学不活性でも良い。）であり、Ｒ２は、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ１−４アルコキシ基、Ｃ６−１２アリールオキシ基又はＣ６−１２アリール基であり、Ｒ３は、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ６−１８アリール基又は、２つのＲ３が一緒になって環を形成するＣ３−５の二価の基であり、Ｒ４は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ１−４アルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基であり、Ｒ５は、水素原子又はＣ１−４アルキル基であり、Ｍはアルミニウム原子であり、Ｘは、Ｍとイオン対を形成しうる陰イオン対を意味する。〕で表される光学活性金属錯体の存在下、
    式（３）

    （式中、Ｒ６、Ｒ７は、相異なり、それぞれＣ６−１２アリール基、Ｃ６−１２アリールメチル基（該Ｃ６−１２アリール基及びＣ６−１２アリールメチル基は、置換されていないか、又はハロゲン原子、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ１−４アルコキシ基、Ｃ２−５アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ２−５アルコキシカルボニル基、ニトロ基、もしくはシアノ基によって置換されている）、Ｃ１−６アルキル基（該Ｃ１−６アルキル基は、置換されていないか、又はハロゲン原子、ニトロ基、水酸基、もしくはシアノ基によって置換されている）であるか、Ｒ６がＣ６−１２アリール基でありそのオルト位にＣ１−４アルキル基もしくはＣ１−４アルコキシ基が置換している場合、Ｒ７は該置換基と一緒になって環を形成するＣ２−４の二価の基であってもよい。）
    で表わされるスルフィド化合物を、酸化剤で不斉酸化することを特徴とする、式（４）

    （式中、Ｒ６、Ｒ７は、前記に同じ。＊で示される硫黄原子の絶対配位は、ＲかＳを意味する。）
    で表わされる光学活性スルホキシド化合物の製造法。
  2. 式（１）、式（１’）、式（２）、又は式（２’）

    〔式（１）、式（１’）、式（２）、及び式（２’）中のＲ １ は、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ １ − ４ アルキル基、Ｃ １ − ４ アルコキシ基、Ｃ ６ − １２ アリールオキシ基又はＣ ６ − ２２ アリール基（該アリール基は、無置換であるか、又はＣ １ − ４ アルキル基（該アルキル基は、無置換であるか、またはハロゲン原子で任意に置換されている。）、もしくはＣ １ − ４ アルコキシ基（該アルコキシ基は、無置換であるか、又はＣ ６ − １２ アリール基で置換されている。）で置換されており、該アリール基が式（２）、及び式（２’）中の芳香環と軸不斉を形成する場合は、該軸不斉は光学活性でも光学不活性でも良い。）であり、Ｒ ２ は、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ １ − ４ アルキル基、Ｃ １ − ４ アルコキシ基、Ｃ ６ − １２ アリールオキシ基又はＣ ６ − １２ アリール基であり、Ｒ ３ は、Ｃ １ − ４ アルキル基、Ｃ ６ − １８ アリール基又は、２つのＲ ３ が一緒になって環を形成するＣ ３ − ５ の二価の基であり、Ｒ ４ は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、Ｃ １ − ４ アルキル基、Ｃ １ − ４ アルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基であり、Ｒ ５ は、水素原子又はＣ １ − ４ アルキル基であり、Ｍはアルミニウム原子であり、Ｘは、Ｍとイオン対を形成しうる陰イオン対を意味する。〕で表される光学活性金属錯体の存在下、式（５）

    （式中、Ｒ６、Ｒ７ は、相異なり、それぞれＣ ６ − １２ アリール基、Ｃ ６ − １２ アリールメチル基（該Ｃ ６ − １２ アリール基及びＣ ６ − １２ アリールメチル基は、置換されていないか、又はハロゲン原子、Ｃ １ − ４ アルキル基、Ｃ １ − ４ アルコキシ基、Ｃ ２ − ５ アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ ２ − ５ アルコキシカルボニル基、ニトロ基、もしくはシアノ基によって置換されている）、Ｃ １ − ６ アルキル基（該Ｃ １ − ６ アルキル基は、置換されていないか、又はハロゲン原子、ニトロ基、水酸基、もしくはシアノ基によって置換されている）であるか、Ｒ ６ がＣ ６ − １２ アリール基でありそのオルト位にＣ １ − ４ アルキル基もしくはＣ １ − ４ アルコキシ基が置換している場合、Ｒ ７ は該置換基と一緒になって環を形成するＣ ２ − ４ の二価の基であってもよい。）で表されるラセミもしくは光学純度の低いスルホキシド化合物の一方の光学異性体を酸化剤で選択的に酸化することによって式（６）

    （式中、Ｒ６、Ｒ７は、前記に同じ。）
    で表されるスルホン化合物へと誘導し、速度論的に、式（４）

    （式中、Ｒ６、Ｒ７は、前記に同じ。＊で示される硫黄原子の絶対配位は、ＲかＳを意味する。）
    で表される光学活性スルホキシド化合物を得ることを特徴とする、光学活性スルホキシド化合物の製造法。
  3. Ｒ６が、Ｃ６−１２アリール基又はＣ６−１２アリールメチル基（該Ｃ６−１２アリール基及びＣ６−１２アリールメチル基は、置換されていないか、又はハロゲン原子、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ１−４アルコキシ基、Ｃ２−５アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ２−５アルコキシカルボニル基、ニトロ基、もしくはシアノ基によって置換されている）であり、Ｒ７が、Ｃ１−４アルキル基であるか、又はＲ６がＣ６−１２アリール基でありそのオルト位にＣ１−４アルキル基もしくはＣ１−４アルコキシ基が置換している場合、Ｒ７が該置換基と一緒になって環を形成するＣ２−４の二価の基である請求項１又は２記載の光学活性スルホキシド化合物の製造法。
  4. 酸化剤として過酸化水素を用いる、請求項１又は請求項３に記載の光学活性スルホキシド化合物の製造法。
  5. 式（２）、又は式（２’）
    （式中、Ｒ１はＣ６−２２アリール基（該アリール基は、無置換であるか、又はＣ１−４アルキル基（該アルキル基は、無置換であるか、又はハロゲン原子で任意に置換されている。）、もしくはＣ１−４アルコキシ基（該アルコキシ基は、無置換であるか、又はＣ６−１２アリール基で置換されている。）で置換されており、該アリール基が式（２）、又は式（２’）中の芳香環と軸不斉を形成する場合は、該軸不斉は光学活性でも光学不活性でも良い。）であり、Ｒ２が水素原子であり、Ｒ３が２つのＲ３が一緒になって環を形成するテトラメチレン基であり、Ｒ４が水素原子であり、Ｒ５が水素原子またはメチル基であり、Ｘが塩素である。）で表される光学活性金属錯体の存在下反応させることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の光学活性スルホキシド化合物の製造法。
  6. Ｒ１が、式（２）、又は式（２’）中の芳香環と軸不斉を形成し、該軸不斉が光学活性である、請求項５に記載の光学活性スルホキシド化合物の製造法。
  7. Ｒ１が１−フェニルナフチル基である請求項６に記載の光学活性スルホキシド化合物の製造法。
  8. 緩衝液または無機塩を添加することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の光学活性スルホキシド化合物の製造法。
  9. 式（７）

    （式（７）中のＲ３は、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ６−１８アリール基又は、２つのＲ３が一緒になって環を形成するＣ３−５の二価の基であり、Ｒ５は、水素原子であり、Ｍはアルミニウム原子であり、Ｘは、Ｍとイオン対を形成しうる陰イオン対を意味する。）で表され、ビナフチル骨格の軸不斉が光学活性または光学不活性である光学活性金属錯体、またはそのエナンチオマー。
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