JP5260586B2 - 半導体装置用絶縁膜の製造方法、半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置用絶縁膜の製造方法、半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Description
下記化学式1に示すアルキルボラジン化合物を気化した原料ガスを含有するガスをチャンバ内に供給し、
誘導結合型のプラズマ生成手段を用いて、前記チャンバ内に電磁波を入射して、前記ガスをプラズマ状態とし、
前記プラズマのプラズマ拡散領域に、半導体装置の配線が形成された基板を配置し、
前記プラズマにより解離された前記アルキルボラジン化合物中のボラジン骨格系分子を基本単位として気相重合して、少なくとも2層の膜を形成する際、前記配線に接する層を形成する際には、前記膜内部の構成元素のうち、ホウ素原子B、窒素原子N及び炭素原子Cの含有量の和に対する炭素原子Cの含有量の比率[C/(B+N+C)]を前記膜中の炭素量とするとき、前記配線に接する層の炭素量を9%以上、かつ、35%以下とし、当該層の炭素量を他の層より多くして、炭素量の異なる少なくとも2つ以上の層から構成すると共に、前記膜全体の実効誘電率を4.0以下として、前記配線上に半導体装置用絶縁膜を成膜することを特徴とする。
上記第1発明のいずれかに記載の半導体装置用絶縁膜の製造方法において、
前記プラズマ生成手段は、前記チャンバの天井板の真上に配置したアンテナから、前記チャンバ内に電磁波を入射するものであり、前記基板は、前記天井板下面からの距離が5cm〜30cmとなる位置に配置されることを特徴とする。
上記第1又は第2の発明のいずれかに記載の半導体装置用絶縁膜の製造方法において、
前記基板が、電子温度が3.5eV以下となる領域に配置されることを特徴とする。
上記第1〜第3の発明のいずれかに記載の半導体装置用絶縁膜の製造方法において、
前記アルキルボラジン化合物を含有しないガスが主となるプラズマで、成膜した前記半導体装置用絶縁膜を処理することを特徴とする。
上記第1〜第4の発明のいずれかに記載の半導体装置用絶縁膜の製造方法において、
前記基板にバイアスを印加することを特徴とする。
上記第1〜第5の発明のいずれかに記載の半導体装置用絶縁膜の製造方法において、
前記化学式1又は前記化学式2に示すアルキルボラジン化合物が、更に、R1、R3、R5の少なくとも1つが水素原子であることを特徴とする。
上記第1〜第6の発明のいずれかに記載の半導体装置用絶縁膜の製造方法を用いて、半導体装置の配線上に半導体装置用絶縁膜を形成することを特徴とする。
図1は、本発明に係る半導体装置用絶縁膜の製造方法に用いる製造装置を説明する透視側面図である。最初に、当該製造装置について、図1を用いて説明をする。なお、図1では、一例として、ICP(Inductively Coupled Plasma)型のプラズマCVD装置1を示しているが、誘導結合型のプラズマ発生機構を有するものであればよい。
第1の膜23(ボラジン膜)をCu配線21上に形成する前に、Si(珪素)等の半導体の基板8に、トランジスタ等のデバイス部分を形成しておき、デバイス部分に接続する配線として、Cu配線21を形成する。
Cu配線21を形成した後、当該基板8を、図示しない搬送装置を用いて、ゲートドア17から真空チャンバ2内に搬送し、支持台7上に載置すると共に静電チャックにて吸着保持する。支持台7は、温度制御装置により、アルキルボラジン化合物が液化せず、かつ、ボラジン骨格系分子同士が縮合し始めない温度範囲である150℃〜700℃のいずれかの温度に制御しておき、支持台7の温度制御により基板8の温度を所望の設定温度でプロセスできるようにしておく。又、支持台7(基板8)の高さ位置は、天井板3から5cm〜30cmの範囲のいずれかの位置に、昇降装置9により移動しておく。
ガス制御装置15を用いて、真空チャンバ2内にガスノズル14からキャリアガス(例えば、Heガス)を供給し、真空チャンバ2内の真空度を真空制御装置により10〜50mTorr程度に制御すると共に、整合器5を介して、高周波電源6から周波数13.56MHzのRFパワーを高周波アンテナ4に給電して、真空チャンバ2内に電磁波を入射し、真空チャンバ2内にプラズマを生成する。高周波電源6が給電するRFパワーは、一連のプロセスが終了するまで、プラズマが安定して点火し、かつ、ボラジン骨格構造を壊すことなく、ボラジン骨格系分子の側鎖基を解離できる電力範囲である800W/m2〜53000W/m2のいずれかの電力で制御される。なお、ガスノズル14から供給されるキャリアガスの流量は、一連のプロセスが終了するまで、適宜な流量に制御されるが、200sccm〜1000sccm程度がよい。
プラズマの安定化後、整合器12を介して、低周波電源13から周波数4MHzのLFパワーを電極11に給電すると共に、真空チャンバ2内にガスノズル14から気化した化学式3に示したアルキルボラジン化合物を所定量まで漸増しながら供給して、真空チャンバ2内の真空度を10〜50mTorr程度に制御する。このとき、低周波電源13が給電するLFパワー(バイアスパワー)は、成膜プロセスにおいては、0W/m2〜14500W/m2の範囲のいずれかの電力で制御される。LFパワーを印加すると、ボラジン骨格系分子同士の気相重合が促進されるため、その機械的強度が向上するだけではなく、耐水性・耐熱性・耐薬品性も改善されるという利点がある。但し、リーク電流は、LFパワーの増加に伴って増加する傾向があり、絶縁膜として適用可能なリーク電流である5E−8A/cm2以下とするため、LFパワーの上限は14500W/m2となる。
反応促進工程では、具体的には、電極11に給電する低周波電源13からのLFパワーを、成膜工程におけるLFパワーより大きくすると共に、ガスノズル14から真空チャンバ2内に供給するアルキルボラジン化合物、アンモニア、炭素数1〜3のアルキル基を含むアミン化合物等を徐々に漸減して、第1の膜23、第2の膜24自体との反応が無い希ガス(He、Ar等)やN2等の不活性ガスのみとし、真空チャンバ2内の真空度を10〜50mTorr程度に制御している。この反応促進工程において、低周波電源13による[LFパワー×印加時間]は、254500W/m2・秒以上であり、かつ、そのLFパワーが127400W/m2以下となる電力で制御される。これは、ボラジン骨格系分子同士の架橋反応は促進させるが、薄膜へのダメージは発生させないための条件である。そして、以上のプロセス条件により、反応促進工程における反応促進、即ち、ボラジン骨格系分子同士の架橋反応が促進されることになる。
2 真空チャンバ
3 天井板
4 高周波アンテナ
5 整合器
6 高周波電源
7 支持台
8 基板
9 昇降装置
11 電極
12 整合器
13 低周波電源
14 ガスノズル
15 ガス制御装置
16 主制御装置
17 ゲートドア
21 Cu配線
22 ボラジン膜
23 第1の膜
24 第2の膜
Claims (7)
- 下記化学式1に示すアルキルボラジン化合物を気化した原料ガスを含有するガスをチャンバ内に供給し、
誘導結合型のプラズマ生成手段を用いて、前記チャンバ内に電磁波を入射して、前記ガスをプラズマ状態とし、
前記プラズマのプラズマ拡散領域に、半導体装置の配線が形成された基板を配置し、
前記プラズマにより解離された前記アルキルボラジン化合物中のボラジン骨格系分子を基本単位として気相重合して、少なくとも2層の膜を形成する際、前記配線に接する層を形成する際には、前記膜内部の構成元素のうち、ホウ素原子B、窒素原子N及び炭素原子Cの含有量の和に対する炭素原子Cの含有量の比率[C/(B+N+C)]を前記膜中の炭素量とするとき、前記配線に接する層の炭素量を9%以上、かつ、35%以下とし、当該層の炭素量を他の層より多くして、炭素量の異なる少なくとも2つ以上の層から構成すると共に、前記膜全体の実効誘電率を4.0以下として、前記配線上に半導体装置用絶縁膜を成膜することを特徴とする半導体装置用絶縁膜の製造方法。
- 請求項1に記載の半導体装置用絶縁膜の製造方法において、
前記プラズマ生成手段は、前記チャンバの天井板の真上に配置したアンテナから、前記チャンバ内に電磁波を入射するものであり、前記基板は、前記天井板下面からの距離が5cm〜30cmとなる位置に配置されることを特徴とする半導体装置用絶縁膜の製造方法。 - 請求項1又は請求項2に記載の半導体装置用絶縁膜の製造方法において、
前記基板が、電子温度が3.5eV以下となる領域に配置されることを特徴とする半導体製造装置用絶縁膜の製造方法。 - 請求項1から請求項3のいずれか1つに記載の半導体装置用絶縁膜の製造方法において、
前記アルキルボラジン化合物を含有しないガスが主となるプラズマで、成膜した前記半導体装置用絶縁膜を処理することを特徴とする半導体装置用絶縁膜の製造方法。 - 請求項1から請求項4のいずれか1つに記載の半導体装置用絶縁膜の製造方法において、
前記基板にバイアスを印加することを特徴とする半導体装置用絶縁膜の製造方法。 - 請求項1から請求項5のいずれか1つに記載の半導体装置用絶縁膜の製造方法において、
前記化学式1又は前記化学式2に示すアルキルボラジン化合物が、更に、R1、R3、R5の少なくとも1つが水素原子であることを特徴とする半導体装置用絶縁膜の製造方法。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載の半導体装置用絶縁膜の製造方法を用いて、半導体装置の配線上に半導体装置用絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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