JP5259678B2 - 単極多投スイッチ - Google Patents

単極多投スイッチ Download PDF

Info

Publication number
JP5259678B2
JP5259678B2 JP2010244873A JP2010244873A JP5259678B2 JP 5259678 B2 JP5259678 B2 JP 5259678B2 JP 2010244873 A JP2010244873 A JP 2010244873A JP 2010244873 A JP2010244873 A JP 2010244873A JP 5259678 B2 JP5259678 B2 JP 5259678B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
switching unit
unit
switching
coupled
common port
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010244873A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011097590A (ja
Inventor
イルコヴ ニコライ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of JP2011097590A publication Critical patent/JP2011097590A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5259678B2 publication Critical patent/JP5259678B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/10Auxiliary devices for switching or interrupting
    • H01P1/15Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/693Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)

Description

単極N投無線周波(RF)スイッチでは、挿入損失が、切り替えアクティブ要素(例えば、CMOSトランジスタ、相補形金属膜酸化半導体トランジスタ)のオン抵抗により低減し、ポート間絶縁を改良するために使用されるオフポートシャントの抵抗の1/(N−1)に直列するオフポートの寄生容量の(N−1)倍だけ低減する。抵抗を、シャントのサイズ(例えば、長さまたは幅)を増大させることにより低減することができ、静電容量は外部LC整合回路網により整合される。アンテナ切り替え用途の場合、例えば、ESD保護および低周波数帯域での寄生容量の補償のために並列インダクタが追加される一方で、直列インダクタ−並列キャパシタ回路網が高帯域整合に使用される。
既知のスイッチのいくつかは、挿入損失が高いという欠点を有する。既知のスイッチの他のいくつかは、離散要素または外部構成要素が多いという欠点を有する。
様々な態様が本明細書に開示される。例えば、いくつかの態様は単極多投スイッチに関する。このスイッチは、第1の切り替えユニットと、共通ポートに結合され、オフ状態寄生静電容量を備える第2の切り替えユニットと、整合ユニットとを備え得る。整合ユニットは、第1の切り替えユニットと共通ポートとの間に結合することができ、整合ユニットは、第1の切り替えユニットがアクティブであり、第2の切り替えユニットが非アクティブである場合、第2の切り替えユニットのオフ状態寄生静電容量と併せて、インピーダンス整合に寄与するように構成される。
本開示のこれらおよび他の態様は、以下の詳細な説明の検討から明らかになるであろう。
例示的な様々な実施形態について、添付図を参照して以下にさらに詳細に説明する。
例示的な実施形態による単極多投スイッチのブロック図である。 例示的な実施形態による単極多投スイッチのブロック図である。 切り替え装置を表す電気回路の一例の概略図である。 1つの切り替えユニットがアクティブ(1つの広帯域ポートがアクティブ)な状態の単極多投スイッチの均等例の概略図である。 100MHz〜5GHzの周波数範囲内の本発明によるスイッチの整合を示すスミス図の一例である。 単極多投スイッチを使用する例示的な方法のフローチャートである。
以下では、同じ参照番号が部分的に、同じまたは同様の機能特性を有する機能ユニットおよび他の要素に使用され、1つの図に関する記述は実施形態の説明の冗長性を低減するために他の図にも当てはまる。
図1は、例示的な実施形態による単極多投スイッチ100のブロック図を示す。単極多投スイッチ100は、第1の切り替えユニット110、第2の切り替えユニット120、および整合ユニット130を備える。第2の切り替えユニット120は、共通ポート102に結合され、オフ状態寄生静電容量を備える。整合ユニット130は、第1の切り替えユニット110と共通ポート102との間に電気的に結合される。さらに、整合ユニット130は、第1の切り替えユニット110がアクティブであり、第2の切り替えユニット120が非アクティブの場合、第2の切り替えユニット120のオフ状態寄生静電容量と併せて、インピーダンス整合に寄与するように構成される。
2つの別個の切り替えユニットを有する単極多投スイッチ100を実施し、第1の切り替えユニット110の出力整合のために第2の切り替えユニット120のオフ状態寄生静電容量を使用することにより、スイッチ100の挿入損失を大幅に低減することができる。さらに、インピーダンス整合する整合ユニット130の共通ポート側で有効な第2の切り替えユニット120のオフ状態寄生静電容量を使用することにより、例えば、整合ユニット130の一部としてインピーダンス整合に従来必要な整合キャパシタがもはや必要なくなり得る。このようにして、スイッチの要素または外部構成要素の数を低減し得る。スイッチの要素数の低減により、スイッチのコストも低減し得る。さらに、第1の切り替えユニット110(または第1の切り替えユニットを通る経路)および/または第2の切り替えユニット120(または第2の切り替えユニットを通る経路)に対する(例えば、共通ポートでの)インピーダンス整合を改良させ得る。
単極多投スイッチ100の単極は、共通ポート102で表される。さらに、各切り替えユニット110、120は、共通ポート102に提供される信号を受信するか、または共通ポート102から受信される信号を提供する、スイッチ100の「投」ポートに結合された少なくとも1つの入力端子および/または出力端子を備える。
共通ポート102は、例えば、信号を受信または送信するアンテナまたは伝送線に結合し得る。
整合ユニット130は、第1の切り替えユニット110がアクティブな場合、共通ポート102から第1の切り替えユニット110に、または第1の切り替えユニット110から共通ポート102に流れる信号に対するインピーダンスを整合させるためオフ状態寄生静電容量を利用するように構成され得る。換言すれば、整合ユニット130は、まるで、第2の切り替えユニット120のオフ状態寄生静電容量が整合ユニット130の要素または構成要素であるかのように設計され得る。
第1の切り替えユニット110および第2の切り替えユニット120はそれぞれ、少なくとも1つの信号経路を備える。切り替えユニットの信号経路がオンに切り替えられると、切り替えユニットを通って共通ポート102から切り替えユニットの出力に、または切り替えユニットの入力から共通ポート102に信号が通ることができるように、切り替えユニットはアクティブである。当然ながら、切り替えユニットの「投」ポートは入力/出力ポートであり得るように、切り替えユニットは双方向であり得る。他方、切り替えユニットは、切り替えユニットの信号経路がオンに切り替えられず、信号が切り替えユニットを通ることができない場合、非アクティブである。
整合ユニット130は、第1の切り替えユニットがアクティブである場合、第2の切り替えユニット120のオフ状態寄生静電容量と併せて、インピーダンス整合に寄与する。これは、例えば、第1の切り替えユニット110を通る(例えば、第1の切り替えユニットの「投」ポートから共通ポートに向かう)信号の反射を、整合ユニット130を有さないスイッチと比較して低減し得る。
さらに、整合ユニット130は、第1の切り替えユニット110が非アクティブであり、第2の切り替えユニット120がアクティブな場合、インピーダンス整合に寄与し得る。換言すれば、整合ユニット130は、第2の切り替えユニット120を通る(例えば、第2の切り替えユニットの「投」ポートから共通ポートに向かう)信号の反射を低減することもできる。
第1の切り替えユニット110もオフ状態寄生静電容量を備えるが、第2の切り替えユニット120を通る信号のインピーダンス整合に対する第1の切り替えユニット110のオフ状態寄生静電容量の影響は、第1の切り替えユニット110を通る信号のインピーダンス整合に対する第2の切り替えユニット120のオフ状態寄生静電容量の影響よりも低い。その理由は、第1の切り替えユニット110が整合ユニット130を通して共通ポート102に結合される一方で、第2の切り替えユニット120は、好ましくは、(例えば、いかなる集中要素も介在させずに)共通ポートに直接結合されるためである。これは、第2の切り替えユニット120を通る信号に対する第1の切り替えユニット110のオフ状態寄生静電容量の影響を低減し得る。換言すれば、整合ユニット130は、第2の切り替えユニットがアクティブである場合、インピーダンス整合に対する第1の切り替えユニット110のオフ状態寄生静電容量の寄与が、第1の切り替えユニット110がアクティブな場合、インピーダンス整合に対する第2の切り替えユニット120のオフ状態寄生静電容量の寄与よりも低くなるように構成される。
いくつかの実施形態では、第2の切り替えユニット120は共通ポート102に直接接続される。この場合、「直接接続」は、共通ポート102と第2の切り替えユニット120との結合が、ワイヤまたは他の単なる半導体のみにより実現されることを意味する。例えば、インダクタまたは静電容量として別個の要素が、第2の切り替えユニット120と共通ポート102との間(例えば、第2の切り替えユニットの切り替え装置と共通ポートとの間)に電気的に結合されない。換言すれば、例えば、接続線のインダクタンスを考えると、第2の切り替えユニット120と共通ポート102との電気接続は通常、整合ユニット130を通る第1の切り替えユニット110から共通ポート102までの電気経路のインダクタンスの10%未満(または0.1%未満、1%未満、5%未満、20%未満、50%未満)のインダクタンスを備える。
単極多投スイッチ100は、第1の切り替えユニット110を使用して高周波信号を切り替え、第2の切り替えユニット120を使用して低周波信号を切り替えるために使用し得る。換言すれば、スイッチ100は、共通ポート102において異なる周波数の信号を(同時に、または順次)受信または提供し得る。これら信号のうちのいくつかは、他方の信号よりも高い周波数を備える。したがって、信号を高周波信号および低周波信号に分けることができ、低周波と高周波との境目は特定の用途に適合し得る。例えば、携帯電話またはセルラハンドセット用途では、1GHz未満の周波数を有する信号は「低周波信号」と定義され、1GHzよりも高い周波数を有する信号は「高周波信号」と定義され得る。したがって、第1の切り替えユニット110を通る共通ポート102からの信号経路のインピーダンス整合は、第2の切り替えユニット120により切り替えられる信号よりも高い周波数を有する信号に対して、整合ユニット130により改良させることができる。換言すれば、単極多投スイッチ100は、少なくとも1つの低周波信号および少なくとも1つの高周波信号を切り替え可能であり得、整合ユニット130は、第1の切り替えユニット110により切り替えられた場合の高周波に対する整合ユニット130により行われるインピーダンス整合のほうが、第2の切り替えユニット120により切り替えられる場合の高周波信号に対するインピーダンス整合よりも良好なように設計され得る。さらに換言すれば、整合ユニットは、第1の切り替えユニット110を通る信号経路が、第1の周波数を有する信号のプリセットインピーダンス整合を達成し、第2の切り替えユニット120を通る信号経路が、第1の周波数の50%(または80%、30%、10%、1%)未満の第2の周波数を有する信号に対してさえもプリセットインピーダンス整合を達成しないように構成され得る。さらに、共通ポート102から第2の切り替えユニット120を通る信号経路のインピーダンス整合は、第1の切り替えユニット110により切り替えられる信号よりも低い周波数を有する信号に対して整合ユニット130により改良し得る。換言すれば、整合ユニット130は、場合によっては、第2の切り替えユニット120により切り替えられた場合の低周波信号に対して整合ユニット130によって行われるインピーダンス整合のほうが、第1の切り替えユニット110により切り替えられた場合の低周波信号に対するインピーダンス整合よりも良好であるように設計され得る。
図2は、例示的な実施形態による単極多投スイッチ200のブロック図を示す。単極多投スイッチ200は、図1に示される概念のより詳細な例を示す。この例では、各切り替えユニット110、120は、少なくとも2つの信号経路216a、b、216c、dを備え、各信号経路216a216bは各自のポート212a212d(ポートRF1、RF2、RF3、RFn)に結合され、切り替え装置214を備える。
図2では、共通ポート102は入力として示され、切り替えユニット110、120の信号経路216a〜216dのポート212a〜212dは、共通ポート102において受信される信号の出力として示される。あるいは、切り替えユニットの信号経路216a〜216dのポート212a〜212dを入力として定義し、共通ポート102を、共通ポート102において提供される信号の出力として定義し得る。共通ポート102および切り替えユニットの信号経路216a〜216dのポート212a〜212dは、共通ポート102において信号を受信および提供する入力および出力として使用してもよい。したがって、単極多投スイッチ200は、受信器、送信器、または送受信器に使用し得る。以下において、スイッチは共通ポート102での信号の受信および/または提供に使用し得るため、入力として示される端子は、出力または入出力端子とでもあり得る
各切り替え装置214は、整合ユニット130に結合された第1の端子と、共通ポート102に提供される信号を受信し、または共通ポート102から受信した信号を提供する対応する信号経路216のポートに結合された第2の端子とを備える。さらに、各切り替え装置214は、制御信号を受信する制御入力を備える。制御信号は、切り替え装置214のアクティブ化または非アクティブ化に関して切り替え装置214を制御し得る。
切り替え装置214は、例えば、トランジスタ、中継器、または微小機械スイッチを含み得る。
単極多投スイッチ200を使用して、切り替えユニットの異なるポート212a〜212dにおいて異なる周波数範囲の信号を提供(または、送信)し、および/または受信し得る。上述した例によれば、第1の切り替えユニット110のポート212a、bは、第2の切り替えユニット120のポート212c、dにおいて受信または提供される信号の周波数よりも高い周波数を有する信号を受信または提供し得る。換言すれば、第1の切り替えユニット110のポート212a、bは、比較的高い周波数を有する信号を提供または処理するように構成された信号源または信号ドレインに結合し得、第2の切り替えユニット120のポート212c、212dは、比較的低い周波数を有する信号を提供または処理するように構成された信号源または信号ドレインに結合し得る。そのような用途の場合、整合ユニット130が、高周波信号(第1の切り替えユニット110のポート212a、bにおいて受信または提供される信号)のインピーダンス整合を改良し得るように設計され得る。アンテナに結合された共通ポートに結合されたスイッチの場合、異なる周波数を有する複数の信号を切り替えユニットのポート212a〜dにおいて受信かつ提供し得、比較的高い周波数を有する信号は、上述したインピーダンス整合により、第2の切り替えユニット120よりも第1の切り替えユニット110からのほうがより良好な品質で提供し得る。さらに、整合ユニット130は、低周波信号(第2の切り替えユニット120のポート212c、dにおいて提供または受信される信号)のインピーダンス整合も改良するように設計され得る。
図2に示される例では、整合ユニット130は、直列インダクタLserおよび並列インダクタLesdを備える。直列インダクタLserは、共通ポート102に結合される第1の端子と、第1の切り替えユニット110の各切り替え装置に(例えば、直接)結合される第2の端子とを備える。並列インダクタンスLesdは、基準電位供給(例えば、接地、GND、0V)に結合される第1の端子と、第1の切り替えユニット110と直列インダクタLserとの間のノードに電気的に結合される第2の端子とを備える。この例では、整合ユニット130は、第2の切り替えユニット120のオフ状態寄生静電容量と組み合わせて、インピーダンス整合に寄与するインダクタ−静電容量整合回路網(L−C回路網)を表す。インピーダンス整合に第2の切り替えユニット120のオフ状態寄生静電容量を使用することにより、L−C回路網の追加キャパシタは必要ない。したがって、既知のスイッチと比較して、スイッチの構成要素数を低減し得る。
あるいは、並列インダクタLesdの第2の端子を、第1の切り替えユニット110と直列インダクタLserとの間のノードではなく、共通ポート102に電気的に結合してもよい。
別の例では、図2に示されるインダクタ構成が好ましいが、直列インダクタLserおよび/または並列インダクタLesdをキャパシタおよび/または抵抗で置換し得る。
インピーダンス整合への寄与に加えて、並列インダクタLesdをESD(静電気放電)保護に使用し得る。
図3は、切り替え装置214を表す電気回路の概略図を示し、トランジスタN1〜N4をバイアスするため存在しても、または存在しなくてもよいバイアス回路は、簡明化のために省かれている。図3に示される切り替え装置214は、図2に示される単極多投スイッチ内に実装される切り替え装置の一例であり、単極単投スイッチ(SPSTスイッチ)と呼ぶこともできる。切り替えユニット214は、(整合ユニット130の横にある第1の切り替えユニット110が、共通ポート102から離れている場合、および整合ユニット130の横にある第2の切り替えユニット120が、共通ポート102に結合されている場合)整合ユニットに結合される入力ポート214aと、切り替え装置の対応する信号経路のポートに結合される出力ポート214bと、制御信号を受信する制御ポート214cとを備える。
図3の例に関して示されるように、切り替え装置は複数の直列トランジスタを備え得、直列トランジスタのすべてのゲートは、切り替え装置の制御入力に結合される。さらに、複数の直列トランジスタのうちの第1のトランジスタは、切り替え装置の第1の端子に結合され、複数の直列トランジスタのうちの最後のトランジスタは、切り替え装置の第2の端子に結合される。
図3に示される例は、直列の2つの切り替えトランジスタ(N3、N4)およびシャントトランジスタ(N1、N2)を有するSPSTブロックを示す。直列するオントランジスタおよびシャントトランジスタ(例えば、高周波金属酸化膜半導体トランジスタhfmos)の数は、異なる切り替え電力および整合の場合に様々であり得る。ドライバD1およびD2は、例えば、スイッチの切り替えに使用される論理信号(ドライバD2に対してインバータI1により反転し得る)を正電圧に変換して、対応するトランジスタをオンにするか、または負電圧(または0V)に変換して、トランジスタをオフに切り替える。例えば、導電状態(SPSTブロック214のオン状態)では、N1およびN2はオフ(D2出力が負電圧または0V)であり、N3および図4はオン(D1出力が正電圧)である。制御電圧は、積層トランジスタ数ひいてはIC面積を最低限に抑えるために、破壊限界に近いものを選択し得る。ゲート抵抗R1〜R4は、切り替えトランジスタのゲート間の不十分なRF絶縁および低出力インピーダンスゲートドライバによる追加の損失およびひずみを回避するために、高値を有し得る。電力処理能力Pmaxは、例えば、制御電圧Vc、閾値電圧Vth、システムインピーダンスZo、および積層トランジスタ数nに依存する。
Figure 0005259678
図3に示される切り替え装置は、CMOS SPST RFスイッチ(双補形金属酸化膜半導体単極単投無線周波スイッチ)構築ブロックであり得る。
以下に、本発明による概念の可能な用途について説明する。例えば、特に、セルラ電話分野において規定される通信規格の数の上昇により、6つ以上の異なる帯域を切り替える需要が増大した。同時に、単一PA(電力増幅器)概念および複数受信器が使用されるにつれ、システム部品表内のスイッチの総数(または相対的な総数)が増大する。例えば、単極多投スイッチは、共通ポート(例えば、アンテナポート)と各切り替え(RF)ポートとの間の1つ以上の切り替え要素または切り替え装置(「オントランジスタ」)(例として、CMOSまたはPHEMTトランジスタ、シュードモルフィック高電子移動度トランジスタ)および各切り替えポートとRF接地との間の切り替え要素(「シャントトランジスタ」)により実施し得る。切り替え要素は、オフ状態でかなりの寄生容量を有し、オン状態では有限抵抗を有するため、例えば、寄生低Q容量の値は、切り替えるべきRFポートの数に伴って急激に増大する。高電力信号の場合、寄生容量を直列のトランジスタの数により数分の1減少させるために、より多数の切り替えトランジスタが直列に結合されるが、挿入損失を低減するための非常に大きなトランジスタ幅による寄生容量の増大のほうがより大きいため、性能はスイッチサイズに伴って低減する。RFスイッチ、特にオン抵抗(Ron)および切り替え要素のノード間の寄生容量(Coff)の構築に使用される技術は、性能向上の鍵である。積RonCoffは、性能指数として使用し得る。ZoインピーダンスシステムでのnポートSPnTスイッチ(単極多投スイッチ)の挿入損失は、
Figure 0005259678

である。
例えば、ポート数の増大に伴って、容量性負荷は増大し、それにより、整合回路網の変換係数および低Q整合構成要素の損失も同様に増大する。例えば、セルラハンドセット用途で切り替えられる帯域のうちのいくつかは、切り替えられる帯域の残りと比較してむしろ低いRF周波数であるため、SPnTスイッチをSP(n−m)T(単極(n−m)投)およびSPmT(単極m投)に分けることが可能である。但し、mは低周波数帯域ポートの数である。そのような回路構成の例を図2に示し、均等回路400を図4に示す(1つの広帯域ポートがアクティブであり、第1の切り替えユニット110の1つのポートがアクティブである)。C1(図4の第1の切り替えユニットのオフ状態寄生静電容量)の効果が低周波で小さいため、低帯域ポート(第2の切り替えユニット120のポート212c、d)は、直列になった並列インダクタLesdおよびLserにより整合され、その一方で、広帯域ノード(第1の切り替えユニット110のポート212a、b)は、Lesd、Lser、および低帯域トランジスタの寄生容量C2(第2の切り替えユニットのオフ状態寄生静電容量)により整合される。アンテナの低帯域ポート間に直接接続(第2の切り替えユニットから共通ポートへの接続)を提供すること、広帯域ポートの数を低減すること(例えば、従来のスイッチと比較して)、および/または整合キャパシタ(例えば、共通ポートにおけるシャント静電容量として通常配置される集中キャパシタ)を低帯域ポート切り替え要素の寄生容量(第2の切り替えユニットのオフ状態寄生静電容量)で置換することにより、部品表を低減すると共に、動作周波数範囲全体内のSPnTスイッチの挿入損失を改良することができる。
この例では、整合ユニット130または整合回路網は、第1の切り替えユニット110に結合される側にシャントインダクタLesd、第1の切り替えユニット110と共通ポート102との間に直列インダクタLser、および共通ポート102に結合される側にシャントキャパシタとして第2の切り替えユニット120のオフ状態寄生静電容量を備える第1の切り替えユニット110と共通ポート102との間のπ要素が有効であるように設計され得、そして、直列インダクタLserの直列接続、シャントインダクタLesdの並列接続、および第1の切り替えユニット110のオフ状態寄生静電容量で構成されるシャントインピーダンスが、有効であるように設計され得る
さらに、図5は、図4に示される概略図でシミュレートされた100MHz〜5GHzの周波数範囲での本発明によるスイッチの整合を示すスミス図500を示す。2つの周波数のうちの一方または両方の周波数のインピーダンス整合を既知のスイッチと比較して改良することができる。
以下に、図2に示される実施形態のいくつかの変形を説明する。
いくつかの実施形態は、第1の切り替えユニット110、第2の切り替えユニット120、および整合ユニット130を備える単極多投スイッチに関する。第2の切り替えユニット120は、共通ポート102に結合され、オフ状態寄生静電容量を備える。整合ユニット130は、第1の切り替えユニット110と共通ポート102との間に直接結合される。さらに、整合ユニット130は、第1の切り替えユニット110がアクティブであり、第2の切り替えユニット120が非アクティブである場合、第2の切り替えユニット120のオフ状態寄生静電容量と併せて、インピーダンス整合に寄与するように構成される。第1の切り替えユニット110は、第1の切り替え装置および第2の切り替え装置を備え、第2の切り替えユニット120は、第1の切り替え装置および第2の切り替え装置を備える。さらに、整合ユニット130は、直列インダクタLserおよび並列インダクタLesdを備える。整合ユニットの直列インダクタLserは、第1の切り替えユニット110と共通ポート102との間に電気的に結合され、並列インダクタLesdは、第1の端子で基準電位供給に結合されると共に、第2の端子で、第1の切り替えユニット110と直列インダクタLserとの間のノードに電気的に結合される。
第1の切り替えユニット110の第1の切り替え装置は、整合ユニット130の直列インダクタLserおよび並列インダクタLesdに結合される第1の端子214aと、第1の切り替えユニット110の第1のポート212a(入力および/または出力)に結合される第2の端子214bとを備える。さらに、第1の切り替えユニット110の第1の切り替え装置は、制御信号を受信する制御入力214cを備える。
第1の切り替えユニット110の第2の装置は、整合ユニット130と第1の切り替えユニット110の第1の切り替え装置との間のノードに結合される第1の端子214aと、第1の切り替えユニット110の第2のポート212bに結合される第2の端子214bとを備える。さらに、第1の切り替えユニット110の第2の切り替え装置は、制御信号を受信する制御入力214cを備える。
第2の切り替えユニット120の第1の切り替え装置は、共通ポート102に結合される第1の端子214aと、第2の切り替えユニット120の第1のポート212cに結合される第2の端子214bとを備える。さらに、第2の切り替えユニット120の第1の切り替え装置は、制御信号を受信する制御入力214cを備える。
第2の切り替えユニット120の第2の切り替え装置は、共通ポート102に結合される第1の端子214aと、第2の切り替えユニット120の第2のポート212dに結合される第2の端子214bとを備える。さらに、第2の切り替えユニット120の第2の切り替え装置は、制御信号を受信する制御入力214cを備える。
いくつかのさらなる実施形態は、第1の切り替えユニット110、第2の切り替えユニット120、および整合ユニット130を備える単極多投スイッチに関する。第2の切り替えユニット120は、共通ポート102に結合され、オフ状態寄生静電容量を備える。整合ユニット130は、第1の切り替えユニット110と共通ポート102との間に電気的に結合され、第1の切り替えユニット110がアクティブであり、第2の切り替えユニット120が非アクティブである場合、第2の切り替えユニット120のオフ状態寄生静電容量と併せて、インピーダンス整合に寄与する。さらに、整合ユニット130は、第1の切り替えユニット110が非アクティブであり、第2の切り替えユニット120がアクティブである場合、インピーダンス整合に寄与する。単極多投スイッチは、少なくとも1つの低周波信号および少なくとも1つの高周波信号を切り替えるように構成され、整合ユニット130は、第1の切り替えユニット110により切り替えられる場合の高周波信号に対して整合ユニット130によって行われるインピーダンス整合のほうが、第2の切り替えユニット120により切り替えられる場合の高周波信号に対するインピーダンス整合よりも良好なように構成される。
いくつかの実施形態は、複数の送信ユニットおよび上述した概念による単極多投スイッチを備えるマルチバンド送信器に関する。単極多投スイッチの第1の切り替えユニットに結合された複数の送信ユニットの各送信ユニットは、第2の切り替えユニットに結合された複数の送信ユニットのすべての送信ユニットにより提供される信号のすべての周波数よりも高い周波数を有する信号を提供する。
同じように、複数の受信ユニットおよび説明された概念による単極多投スイッチを備えるマルチバンド受信器も実現し得る。この場合、単極多投スイッチの第1の切り替えユニットに結合された複数の受信ユニットの各受信ユニットは、第2の切り替えユニットに結合された複数の受信ユニットのすべての受信ユニットにより受信される信号のすべての周波数よりも高い周波数を有する信号を受信するように構成される。
さらに、上述したマルチバンド送信器とマルチバンド受信器の概念を組み合わせることにより、マルチバンド送受信器を実現し得る。
上述した概念によりこのようにして、第1の切り替えユニット110を通る信号経路は、第2の切り替えユニットにより切り替えられる信号の周波数よりも高い周波数を有する信号に使用される。
いくつかの実施形態は、単極多投RFスイッチに関する。
上述した概念に関連する用語RF(無線周波数)は、例えば、100MHz〜100GHzの周波数を含む。例えば、モバイル通信用途の周波数範囲全体が含まれる。しかし、より低い周波数(例えば、1MHz、またはそれよりも低い周波数から開始される)を無線周波数と考えてもよい。
提案される回路は、単極多投RFスイッチの挿入損失を改良するのと同時に、アンテナポート整合回路網内の外部構成要素の数(既知のスイッチのスイッチ寄生容量を補償するために使用される)を低減することができる。
提案されるRFスイッチは、2つの別個の切り替えブロック(切り替えユニット)を有し、例えば、1つは低周波で動作するチャネル専用であり、スイッチの共通ポートに直接接続され、ひいては整合キャパシタをスイッチの第2の広帯域部分の代わりにする。1つの並列インダクタおよび1つの直列インダクタからなる整合回路網(整合ユニット)から要求される低い変換係数が、有利であり、例えば、広帯域スイッチに必要なポート数が少なく、これはより低い全体挿入損失に繋がり、既知のスイッチにより使用される並列キャパシタをなくすことができる。
単極多投スイッチを2つ以上のより小型のスイッチに分割し、部品数を低減したダイプレクサにより一緒に組み合わせる方法を提供し得、部品数の低減は、RFスイッチ自体の寄生容量を使用することにより達成し得る。高周波信号はスイッチの第1の部分(第1の切り替えユニット)により切り替えることができ、低周波信号はスイッチの第2の部分(第2の切り替えユニット)により切り替えることができるため、上述した単極多投スイッチはダイプレクサを表し得る。
図6は、例示的な実施形態による単極多投スイッチを使用する方法600のフローチャートを示す。単極多投スイッチは、第1の切り替えユニット、第2の切り替えユニット、および整合ユニットを備える。第2の切り替えユニットは、共通ポートに結合され、オフ状態寄生静電容量を備える。整合ユニットは、第1の切り替えユニットと共通ポートとの間に電気的に結合され、第1の切り替えユニットがアクティブであり、第2の切り替えユニットが非アクティブの場合、第2の切り替えユニットの寄生オフ状態寄生容量と併せて、インピーダンス整合に寄与する。方法600は、共通ポートにおいて第1の周波数を有する信号を受信または提供するために第1の切り替えユニットをアクティブ化すること(610)および共通ポートにおいて第2の周波数を有する信号を受信または提供するために第2の切り替えユニットをアクティブ化すること(620)を含む。第1の周波数は第2の周波数よりも高い。
いくつかの態様を装置の文脈で説明したが、これら態様が対応する方法の説明も表し、ブロックまたは装置が方法ステップまたは方法ステップの特徴に対応することが明らかである。同様に、方法ステップの文脈で説明された態様も、対応する装置の対応するブロック、アイテム、または特徴の説明を表す。
請求項によっては、他の1つの請求項のみに関連するものもあるが、さらなる複数の請求項との組み合わせも可能であり得る。
100、200 単極多投スイッチ
102 共通ポート
110 第1の切り替えユニット
120 第2の切り替えユニット
130 整合ユニット
212a〜d ポート
214 切り替え装置
214a 第1の端子
214b 第2の端子
214c 制御入力
216a〜d 信号経路
400 均等回路
500 スミス図

Claims (14)

  1. 第1の切り替えユニットと、
    共通ポートに結合され、オフ状態寄生静電容量を備える第2の切り替えユニットと、
    前記第1の切り替えユニットと前記共通ポートとの間に結合される整合ユニットであって、前記第1の切り替えユニットがアクティブであり、前記第2の切り替えユニットが非アクティブである場合、前記第2の切り替えユニットの前記オフ状態寄生静電容量と併せて、インピーダンス整合に寄与するように構成される、整合ユニットと
    を備え
    前記第1の切り替えユニットおよび前記第2の切り替えユニットのそれぞれは切り替え装置を備え、各切り替え装置は、前記整合ユニットに結合される第1の端子と、前記共通ポートに提供する信号を受信すること、または前記共通ポートから受信される信号を提供することのうちの少なくとも一方を実行するように構成される第2の端子と、制御入力とを備え、
    各切り替え装置は、前記制御入力において受信される制御信号によりアクティブ化されるように構成される、単極多投スイッチ。
  2. 前記整合ユニットは、前記第1の切り替えユニットが非アクティブであり、前記第2の切り替えユニットがアクティブである場合、インピーダンス整合に寄与するように構成される、請求項1に記載の単極多投スイッチ。
  3. 前記整合ユニットは、前記第1の切り替えユニットと前記共通ポートとの間に結合された直列インダクタを備えるか、または、前記第1の切り替えユニットと前記共通ポートとの間のノードに結合される第1の端子を備えると共に、基準電位供給に結合された第2の端子を備える並列インダクタを備える、請求項1に記載の単極多投スイッチ。
  4. 前記整合ユニットは、前記第1の切り替えユニットと前記共通ポートとの間に結合される直列インダクタを備え、かつ、前記第1の切り替えユニットと前記直列インダクタとの間のノードに結合される第1の端子を備えると共に、基準電位供給に結合される第2の端子を備える並列インダクタを備える、請求項1に記載の単極多投スイッチ。
  5. 前記第2の切り替えユニットは、直接接続を通して前記共通ポートに結合される、請求項1に記載の単極多投スイッチ。
  6. 前記第2の切り替えユニットと前記共通ポートとの間の電気接続は、前記整合ユニットを通る前記第1の切り替えユニットから前記共通ポートまでの電気経路のインピーダンスの10%未満のインダクタンスを備える、請求項1に記載の単極多投スイッチ。
  7. 各切り替え装置は複数の直列トランジスタを備え、前記直列トランジスタのゲートは、各切り替え装置の前記制御入力に結合され、前記複数の直列トランジスタうちの最初のトランジスタは、前記切り替え装置の前記第1の端子に結合され、前記複数の直列トランジスタのうちの最後のトランジスタは、各切り替え装置の前記第2の端子に結合される、請求項に記載の単極多投スイッチ。
  8. 各切り替え装置は、中継器、機械スイッチ、またはトランジスタを含む、請求項に記載の単極多投スイッチ。
  9. 第1の切り替えユニットと、
    共通ポートに結合され、オフ状態寄生静電容量を備える第2の切り替えユニットと、
    前記第1の切り替えユニットと前記共通ポートとの間に結合される整合ユニットであって、前記第1の切り替えユニットがアクティブであり、前記第2の切り替えユニットが非アクティブである場合、前記第2の切り替えユニットの前記オフ状態寄生静電容量と併せて、インピーダンス整合に寄与するように構成される、整合ユニットと
    を備え、
    前記第1の切り替えユニットは、第1の切り替え装置および第2の切り替え装置を備え、前記第2の切り替えユニットは、第1の切り替え装置および第2の切り替え装置を備え、
    前記整合ユニットは、直列インダクタおよび並列インダクタを備え、前記整合ユニットの前記直列インダクタは、前記第1の切り替え装置と前記共通ポートとの間に結合され、前記並列インダクタは、基準電位供給に結合された第1の端子と、前記第1の切り替えユニットと前記直列インダクタとの間のノードに結合される第2の端子とを備え、
    前記第1の切り替えユニットの前記第1の切り替え装置は、前記整合ユニットの前記直列インダクタおよび前記並列インダクタに結合される第1の端子と、前記第1の切り替えユニットの第1のポートに結合される第2の端子とを備え、前記第1の切り替えユニットの前記第1の切り替え装置は、制御信号を受信するように構成される制御入力を備え、
    前記第1の切り替えユニットの前記第2の切り替え装置は、前記整合ユニットと前記第1の切り替えユニットの前記第1の切り替え装置との間のノードに結合される第1の端子と、前記第1の切り替えユニットの第2のポートに結合される第2の端子とを備え、前記第1の切り替えユニットの前記第2の切り替え装置は、制御信号を受信するように構成される制御入力を備え、
    前記第2の切り替えユニットの前記第1の切り替え装置は、前記共通ポートに直接結合される第1の端子と、前記第2の切り替えユニットの第1のポートに結合される第2の端子とを備え、前記第2の切り替えユニットの前記第1の切り替え装置は、制御信号を受信するように構成される制御入力を備え、
    前記第2の切り替えユニットの前記第2の切り替え装置は、前記共通ポートに直接結合される第1の端子と、前記第2の切り替えユニットの第2のポートに結合される第2の端子とを備え、前記第2の切り替えユニットの前記第2の切り替え装置は、制御信号を受信するように構成される制御入力を備える、単極多投スイッチ。
  10. 第1の切り替えユニットと、
    共通ポートに結合され、オフ状態寄生静電容量を備える第2の切り替えユニットと、
    前記第1の切り替えユニットと前記共通ポートとの間に結合される整合ユニットであって、前記第1の切り替えユニットがアクティブであり、前記第2の切り替えユニットが非アクティブである場合、前記第1の切り替えユニットと前記共通ポートとの間のπ整合回路網として、前記第2の切り替えユニットの前記オフ状態寄生静電容量と併せて、インピーダンス整合に寄与するように構成される、整合ユニットと
    を備え、
    前記整合ユニットは、前記第1の切り替えユニットが非アクティブであり、前記第2の切り替えユニットがアクティブである場合、前記共通ポートと基準電位供給との間のシャント整合回路網として、インピーダンス整合に寄与するように構成され、
    前記単極多投スイッチは、少なくとも1つの低周波信号および少なくとも1つの高周波信号を切り替えるように構成され、前記整合ユニットは、前記第1の切り替えユニットにより切り替えられる場合の高周波信号に対して前記整合ユニットにより行われるインピーダンス整合のほうが、前記第2の切り替えユニットにより切り替えられる場合の高周波信号に対して前記整合ユニットにより行われるインピーダンス整合よりも良好なように構成され
    前記第1の切り替えユニットおよび前記第2の切り替えユニットのそれぞれは切り替え装置を備え、各切り替え装置は、前記整合ユニットに結合される第1の端子と、前記共通ポートに提供する信号を受信すること、または前記共通ポートから受信される信号を提供することのうちの少なくとも一方を実行するように構成される第2の端子と、制御入力とを備え、
    各切り替え装置は、前記制御入力において受信される制御信号によりアクティブ化されるように構成される、単極多投スイッチ。
  11. 複数の送信ユニットと、
    単極多投スイッチと
    を備える、マルチバンド送信器であって、前記単極多投スイッチは、
    第1の切り替えユニットと、
    共通ポートに結合され、オフ状態寄生静電容量を備える第2の切り替えユニットと、
    前記第1の切り替えユニットと前記共通ポートとの間に結合される整合ユニットであって、前記第1の切り替えユニットがアクティブであり、前記第2の切り替えユニットが非アクティブである場合、前記第2の切り替えユニットの前記オフ状態寄生静電容量と併せて、インピーダンス整合に寄与するように構成される、整合ユニットと
    を備え、
    前記第1の切り替えユニットに結合される前記複数の送信ユニットの各送信ユニットは、前記第2の切り替えユニットに結合された前記複数の送信ユニットのすべての送信ユニットにより提供される信号のすべての周波数よりも高い周波数の信号を提供するように構成され
    前記第1の切り替えユニットおよび前記第2の切り替えユニットのそれぞれは切り替え装置を備え、各切り替え装置は、前記整合ユニットに結合される第1の端子と、前記共通ポートに提供する信号を受信すること、または前記共通ポートから受信される信号を提供することのうちの少なくとも一方を実行するように構成される第2の端子と、制御入力とを備え、
    各切り替え装置は、前記制御入力において受信される制御信号によりアクティブ化されるように構成される、マルチバンド送信器。
  12. 複数の受信ユニットと、
    単極多投スイッチと
    を備える、マルチバンド受信器であって、前記単極多投スイッチは、
    第1の切り替えユニットと、
    共通ポートに結合され、オフ状態寄生静電容量を備える第2の切り替えユニットと、
    前記第1の切り替えユニットと前記共通ポートとの間に結合される整合ユニットであって、前記第1の切り替えユニットがアクティブであり、前記第2の切り替えユニットが非アクティブである場合、前記第2の切り替えユニットの前記オフ状態寄生静電容量と併せて、インピーダンス整合に寄与するように構成される、整合ユニットと
    を備え、
    前記第1の切り替えユニットに結合される前記複数の受信ユニットの各受信ユニットは、前記第2の切り替えユニットに結合された前記複数の受信ユニットのすべての受信ユニットにより受信される信号のすべての周波数よりも高い周波数の信号を受信するように構成され
    前記第1の切り替えユニットおよび前記第2の切り替えユニットのそれぞれは切り替え装置を備え、各切り替え装置は、前記整合ユニットに結合される第1の端子と、前記共通ポートに提供する信号を受信すること、または前記共通ポートから受信される信号を提供することのうちの少なくとも一方を実行するように構成される第2の端子と、制御入力とを備え、
    各切り替え装置は、前記制御入力において受信される制御信号によりアクティブ化されるように構成される、マルチバンド受信器。
  13. 単極多投スイッチを使用する方法であって、前記単極多投スイッチは、第1の切り替えユニット、第2の切り替えユニット、および整合ユニットを備え、前記第2の切り替えユニットは共通ポートに結合され、オフ状態寄生静電容量を備え、前記整合ユニットは、前記第1の切り替えユニットと前記共通ポートとの間に結合され、前記第1の切り替えユニットおよび前記第2の切り替えユニットのそれぞれは切り替え装置を備え、各切り替え装置は、前記整合ユニットに結合される第1の端子と、前記共通ポートに提供する信号を受信すること、または前記共通ポートから受信される信号を提供することのうちの少なくとも一方を実行するように構成される第2の端子と、制御入力とを備え、各切り替え装置は、前記制御入力において受信される制御信号によりアクティブ化されるように構成され、前記第1の切り替えユニットがアクティブであり、前記第2の切り替えユニットが非アクティブである場合、前記第2の切り替えユニットの前記オフ状態寄生静電容量と併せて、インピーダンス整合に寄与するように構成され、前記方法は、
    第1の周波数を有する信号を前記共通ポートにおいて受信または提供するために前記第1の切り替えユニットをアクティブ化すること、および
    第2の周波数を有する信号を前記共通ポートにおいて受信または提供するために前記第2の切り替えユニットをアクティブ化すること
    を含み、前記第1の周波数は前記第2の周波数よりも高い、方法。
  14. 第1の切り替え手段と、
    共通ポートに結合され、オフ状態寄生静電容量を備える第2の切り替え手段と、
    前記第1の切り替えユニットと前記共通ポートとの間に結合され、前記第1の切り替えユニットがアクティブであり、前記第2の切り替えユニットが非アクティブである場合、前記第2の切り替えユニットの前記オフ状態寄生静電容量と併せて、インピーダンス整合に寄与する、整合手段と
    を備え
    前記第1の切り替え手段および前記第2の切り替え手段のそれぞれは切り替え装置を備え、各切り替え装置は、前記整合手段に結合される第1の端子と、前記共通ポートに提供する信号を受信すること、または前記共通ポートから受信される信号を提供することのうちの少なくとも一方を実行するように構成される第2の端子と、制御入力とを備え、
    各切り替え装置は、前記制御入力において受信される制御信号によりアクティブ化されるように構成される、単極多投スイッチ。
JP2010244873A 2009-10-30 2010-11-01 単極多投スイッチ Active JP5259678B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/609,199 2009-10-30
US12/609,199 US8306481B2 (en) 2009-10-30 2009-10-30 Single pole multi throw switch

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011097590A JP2011097590A (ja) 2011-05-12
JP5259678B2 true JP5259678B2 (ja) 2013-08-07

Family

ID=43587244

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010244873A Active JP5259678B2 (ja) 2009-10-30 2010-11-01 単極多投スイッチ

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8306481B2 (ja)
EP (1) EP2320514A1 (ja)
JP (1) JP5259678B2 (ja)
CN (1) CN102185594B (ja)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110298432A1 (en) 2010-06-07 2011-12-08 Skyworks Solutions, Inc Apparatus and method for variable voltage function
US8249524B2 (en) * 2010-09-10 2012-08-21 Texas Instruments Incorporated Transmit and receive performance of a near field communication device that uses a single antenna
US9100060B2 (en) 2011-12-14 2015-08-04 Infineon Technologies Ag System and method for a radio frequency switch
WO2013106484A1 (en) * 2012-01-09 2013-07-18 Skyworks Solutions, Inc. Devices and methods related to electrostatic discharge-protected cmos switches
US9588171B2 (en) 2012-05-16 2017-03-07 Infineon Technologies Ag System and method for testing an integrated circuit
CN102970066B (zh) * 2012-09-17 2016-06-08 西安天和防务技术股份有限公司 一种基于微波集中传输与分散传输的转换器
JP6166608B2 (ja) * 2013-07-18 2017-07-19 太陽誘電株式会社 スイッチ装置およびモジュール
US12040238B2 (en) 2013-11-12 2024-07-16 Skyworks Solutions, Inc. Radio-frequency switching devices having improved voltage handling capability
EP3506504B1 (en) * 2013-11-12 2021-09-01 Skyworks Solutions, Inc. Devices and methods related to radio-frequency switches having improved performance
US9401706B2 (en) 2014-01-27 2016-07-26 Lattice Semiconductor Corporation Apparatus, system and method for providing switching with a T-coil circuit
CN103928769B (zh) * 2014-03-25 2016-03-30 联想(北京)有限公司 天线匹配方法、电路及电子设备
US9641201B2 (en) 2014-04-29 2017-05-02 Infineon Technologies Ag System and method for a radio frequency integrated circuit
US9847804B2 (en) * 2014-04-30 2017-12-19 Skyworks Solutions, Inc. Bypass path loss reduction
US9515645B2 (en) * 2014-06-03 2016-12-06 Infineon Technologies Ag System and method for a radio frequency switch
JP6216753B2 (ja) 2014-09-16 2017-10-18 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. バンドローディングを低減するマルチバンドデバイス
WO2017040223A1 (en) * 2015-08-28 2017-03-09 Skyworks Solutions, Inc. Tunable notch filter and contour tuning circuit
US9712196B2 (en) 2015-08-28 2017-07-18 Skyworks Solutions, Inc. Tunable notch filter
WO2017040222A1 (en) 2015-09-02 2017-03-09 Skyworks Solutions, Inc. Contour tuning circuit
CN105119591A (zh) * 2015-09-11 2015-12-02 天津大学 用于阵列探测器的cmos单刀多掷开关
US9991889B2 (en) 2016-02-09 2018-06-05 Psemi Corporation High throw-count RF switch
JP2017152896A (ja) * 2016-02-24 2017-08-31 ソニー株式会社 半導体装置、アンテナスイッチ回路、モジュール装置、及び無線通信装置
CN109412565B (zh) * 2017-08-18 2022-07-15 深圳指芯智能科技有限公司 一种多路信号选择控制电路
US10491182B2 (en) * 2017-10-12 2019-11-26 Ethertronics, Inc. RF signal aggregator and antenna system implementing the same
CN108365839A (zh) * 2018-04-28 2018-08-03 广东电网有限责任公司 一种环形结构的单刀多掷开关
EP3588559B1 (en) * 2018-06-29 2021-10-20 Intel Corporation Circuit for electrostatic discharge protection for wide frequency range multi-band interfaces
CN112468132A (zh) * 2020-10-30 2021-03-09 西安科锐盛创新科技有限公司 多线圈耦合式单刀四掷开关及射频集成电路
CN114826230B (zh) * 2022-04-28 2023-04-25 电子科技大学 一种应用可重构滤波网络的超宽带单刀多掷射频开关
US20240154406A1 (en) * 2022-11-08 2024-05-09 Qualcomm Incorporated Symmetric radio frequency (rf) electrostatic discharge (esd) dissipation switch

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5652599A (en) * 1995-09-11 1997-07-29 Qualcomm Incorporated Dual-band antenna system
JP4351343B2 (ja) * 1999-12-24 2009-10-28 京セラ株式会社 高周波回路
JP3736356B2 (ja) 2001-02-01 2006-01-18 日本電気株式会社 高周波スイッチ回路
KR100902296B1 (ko) 2001-08-10 2009-06-10 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 멀티 밴드 안테나 스위치 회로 및 이들을 사용한 적층 모듈 복합 부품과 통신 기기
JP4210978B2 (ja) * 2001-08-10 2009-01-21 日立金属株式会社 マルチバンドアンテナスイッチ回路及びマルチバンドアンテナスイッチ積層モジュール複合部品並びにこれを用いた通信装置
US6985712B2 (en) 2001-08-27 2006-01-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. RF device and communication apparatus using the same
JP2003158467A (ja) * 2001-08-27 2003-05-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Rfデバイスおよびそれを用いた通信機器
JP2003078441A (ja) 2001-09-03 2003-03-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波回路装置および移動体通信装置
US6804502B2 (en) 2001-10-10 2004-10-12 Peregrine Semiconductor Corporation Switch circuit and method of switching radio frequency signals
JP4009553B2 (ja) 2002-05-17 2007-11-14 日本電気株式会社 高周波スイッチ回路
JP3807615B2 (ja) 2002-12-05 2006-08-09 日立金属株式会社 マルチバンドアンテナスイッチ回路
JP3810011B2 (ja) * 2003-08-08 2006-08-16 Tdk株式会社 高周波スイッチモジュールおよび高周波スイッチモジュール用多層基板
US7236044B2 (en) * 2003-10-14 2007-06-26 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Apparatus and method for adjusting the substrate impedance of a MOS transistor
CN100530958C (zh) * 2003-10-16 2009-08-19 京瓷株式会社 复合型分波电路、用其的芯片零件、高频模块及无线通信设备
JP2005123910A (ja) * 2003-10-16 2005-05-12 Kyocera Corp 複合型分波回路、並びにそれを用いたチップ部品、高周波モジュール及び無線通信機器
JP2005191649A (ja) 2003-12-24 2005-07-14 Toyota Central Res & Dev Lab Inc フィルタ機能付き高周波スイッチング回路
US7391282B2 (en) 2004-11-17 2008-06-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Radio-frequency switch circuit and semiconductor device
US20060193730A1 (en) 2005-02-25 2006-08-31 Jacob Rosenstein Method and apparatus for controlling microfluidic flow
US7504677B2 (en) 2005-03-28 2009-03-17 Freescale Semiconductor, Inc. Multi-gate enhancement mode RF switch and bias arrangement
JP2006332778A (ja) 2005-05-23 2006-12-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ回路およびこれを用いた半導体装置
JP4642570B2 (ja) * 2005-07-06 2011-03-02 日本電信電話株式会社 高周波スイッチ回路、無線機器及び信号経路切り替え器
US7910993B2 (en) 2005-07-11 2011-03-22 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFET's using an accumulated charge sink
JP2007110469A (ja) 2005-10-14 2007-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ装置
JP2008011503A (ja) 2006-05-31 2008-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ回路、高周波スイッチ装置、及び送信モジュール装置
US7960772B2 (en) 2007-04-26 2011-06-14 Peregrine Semiconductor Corporation Tuning capacitance to enhance FET stack voltage withstand

Also Published As

Publication number Publication date
CN102185594A (zh) 2011-09-14
US8306481B2 (en) 2012-11-06
US20110105055A1 (en) 2011-05-05
EP2320514A1 (en) 2011-05-11
CN102185594B (zh) 2013-11-20
JP2011097590A (ja) 2011-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5259678B2 (ja) 単極多投スイッチ
US9166640B2 (en) Adjustable impedance matching network
KR101752544B1 (ko) 무선 주파수 집적 회로에 대한 시스템 및 방법
EP0893882B1 (en) High frequency switch device, front end unit and transceiver
US7839234B2 (en) Switching module with harmonic phase tuning filter
US9300286B2 (en) Antenna transmit receive switch
US20080079514A1 (en) Harmonic phase tuning filter for RF switches
KR101301209B1 (ko) 고주파 대역 스위칭용 씨모오스 스위치 및 스위칭 격리도 강화방법
US7847655B2 (en) Switching circuit
JP2007129571A (ja) 高周波スイッチ回路及び半導体装置
JP2018050129A (ja) 受信回路、無線通信モジュール、無線通信装置
JP2005136948A (ja) アンテナスイッチ回路
CN105049016B (zh) 单刀单掷射频开关及其构成的单刀双掷射频开关和单刀多掷射频开关
CN111525917A (zh) 一种基于变压器的宽带单刀单掷开关及单刀多掷开关
US20230318642A1 (en) Radio frequency circuit and communication device
US7633357B2 (en) SPST switch, SPDT switch and MPMT switch
WO2019104015A1 (en) High power silicon on insulator switch
US10511344B1 (en) Transceiver resonant receive switch
JP6436174B2 (ja) 電源供給回路、増幅器、通信装置、基地局、電源供給方法
CN103095269A (zh) 开关
US10951252B2 (en) 5G NR configurable wideband RF front-end LNA
KR20110041618A (ko) 임피던스 정합회로
JP6373543B2 (ja) 高周波スイッチ
TWI790053B (zh) 射頻開關
WO2022259442A1 (ja) 高周波スイッチ

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120711

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120724

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20121022

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20121023

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20121025

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20121026

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130122

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130402

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130424

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160502

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5259678

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250